Laporan Topik I
Laporan Topik I
Laporan Topik I
NIM : 225090800111010
Kelompok :4
Korektor Asisten
...... CO Asisten
Catatan:
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
____________________________________
Keterangan:
V = tegangan maksimum
Rs = tahanan shunt
(Setiyo, 2017).
Resistansi yang dimiliki olehvoltmeter ideal akan bernilai tak hingga sehingga hal ini
akan membuat arus tidak dapat dialirkan dalam voltmeter. Voltmeter berperan dalam
pengukuran tegangan rangkaian yangdi mana akan dihubungkan pada dua titik agar besar
beda potensial dapat diketahui. Denganterhubungnya voltmeter ini, maka sama seperti
amperemeter di mana rangkaian tidak akanterganggu sehingga perilaku rangkaian akan
tetap sama saja. Voltmeter harus mempunyairesistansi yang cukup besar sehingga apabila
dihubungkan dalam rangkaian maka tidak akan mengubah arus rangkaian apapun (Young,
2012).
Tegangan dapat disebut dengan beda potensial listrik di mana arus listrik akan
didorongoleh tegangan sehingga permukaan konduktor dapat teraliri oleh arus. Satuan
bagi tegangan adalah volt (V). Semakin besar tegangan, maka jumlah arus yang dapat
dialrikanjuga akan semakin besar. Hal ini bisa dimisalkan dengan 1 volt listrik sama
dengan 1 coulomb muatan listrik yang digerakkan pada suatu penghantar dalam satu
joule dalam beda potensial di dua titik (Setiyo, 2017).
Titik Q pada rangkaian ini tidak bergantung pada penguatan arus karena bias
pembagi tegangan menetapkan nilai yang tetap pada arus emitor. Terdapat beberapa
langkah dalammenganalisis rangkaian ini. Pertama-tama tegangan basis 𝑉𝐵𝐵 dihitung.
Lalu kurangi dengan 0.7 V atau 0.3 V (tergantung bahan transistor) sehingga tegangan
emitor didapatkan. Untuk mendapatkan arus emitor, maka dilakukan pembagian dengan
resistansiemitor. Lalu dapat diasumsikan bahwa arus kolektor sama dengan arus emitor.
Singkatnya,beberapa analisis dalam rangkaian ini dapat dilakukan dengan persamaan
sebagai berikut.
𝑉𝐸
𝐼𝐸 = (3)
𝑅𝐸
𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 (4)
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (5)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 (6)
Tegangan (volt)
Titik
Vcc = 9 V Vcc = 10 V Vcc = 11 V Vcc = 12 V
Tegangan (volt)
Titik
Vcc = 9 V Vcc = 10 V Vcc = 11 V Vcc = 12 V
Arus (ampere)
• 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0.00194762 𝐴
• 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶 + 𝑉𝐸 ) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
= 9 − 0,0012(3300 + 680) = 4,224 𝑉
𝑉𝐶𝐶 9
• 𝐼𝐶 (𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = = 0,002261307 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸 3300+680
• 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,001253897 𝐴
• 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶 + 𝑉𝐸 ) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
= 10 − 0,001253897 (3300 − 680) = 5,009490629 𝑉
𝑉𝐶𝐶 10
• 𝐼𝐶 (𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = = 0,002512563 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸 3300+680
• 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,001457228 𝐴
• 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶 + 𝑉𝐸 ) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
= 11 − 0,001457228 (3300 + 680) = 5,20023381 𝑉
𝑉𝐶𝐶 11
• 𝐼𝐶 (𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = = 0,002763819 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸 3300+680
• 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,001675264 𝐴
• 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶 + 𝑉𝐸 ) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
= 12 − 0,001675264 (3300 + 680) = 5,332447578 𝑉
𝑉𝐶𝐶 12
• 𝐼𝐶 (𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = = 0,003015075 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸 0,001675264
3.4 PEMBAHASAN
3.4.1 ANALISA PROSEDUR
3.3.1 Tegangan Pada Tahanan Dengan 𝑽𝑪𝑪 = 𝟗 𝑽
0,0025
Garis Beban DC (Vcc = 9 V)
0,002
0,0015
IC (A)
0,001
0,0005
0
0 2 4 6 8 10
VCE (V)
Ic (Ampere)
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
0 2 4 6 8 10 12
Vce (Volt)
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
0 2 4 6 8 10 12
Vce (Volt)
0,0025
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce (Volt)
0,0025
0,002
0,0015
0,001
0,0005
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce (Volt)
Dari data hasil percobaan yang telah didapatkan, dapat diamati nilai tegangan
yang dihasilkan dari tahanan dan transistor juga nilai arus yang didapatkan melalui
pengamatan secara langsung maupun secara teoritis, dari data – data tersebut
nantinya dapat dibandingkan untuk dijadikan tolak ukur hasil pengamatan yang
telah dilakukan sudah akurat atau belum. Pada pengukuran dengan nilai sumber
masukan 𝑉𝐶𝐶 = 9 V, kita juga dapat mengamati nilai dari setiap tahanan transistor.
Pada 𝑉𝑅2 sebesar 1,33 V. Pada perhitungan secara teoritis kita ketahui bahwa VB =
V2 sehingga kita dapatkan nilai sebesar 1,33 V. Dapat dilihat hasil yang
didapatkan tidak berbeda jauh sehingga dapat kita katakan hasil pengukuran yang
dilakukan mendekati akurat. Pada tahanan VRE kita dapatkan nilai pengamatan
sebesar 0,69 V sedangkan pada perhitungan teoritis kita dapatkan nilai
tegangannya sebesar 0,719 V yang hasilnya mendekati. Adapun untuk nilai
tegangan pada transistornya, kita dapatkan nilai VCE pada pengamatan sebesar 5,01
V sedangkan pada perhitungan teoritis untuk VCEQ kita dapatkan nilainya sebesar
4,94 V. Nilai tersebut cukup mendekati yang menandakan bahwa proses
pengamatan yang dilakukan mendekati akurat saat transistor berada didaerah kerja
maksimumnya, Oleh karena itu didapatkan nilai dari perhitungan teoritis VCE
dalam keadaan cut off sama dengan nilai Vcc yang artinya bernilai 9 V. Arus yang
diukur saat pengamatan pada transistor juga dapat kita amati nilainya, yaitu
sebesar 1,2 mA pada IC. Pada perhitungan teoritis kita dapatkan nilai yang tidak
berbeda jauh pada saat IC dalam keadaan saturasi yaitu sebesar 2,26 mA.
Perbedaan yang dihasilkan cukup jauh yang dapat disebabkan karena faktor
pengamat ataupun faktor alat ukur itu sendiri.
Pada pengukuran dengan nilai sumber masukan 𝑉𝐶𝐶 = 12 V, kita juga dapat
mengamati nilai dari setiap tahanan transistor. Pada 𝑉𝑅2 sebesar 1,74 V. Pada
perhitungan secara teoritis kita ketahui bahwa VB = V2 sehingga kita dapatkan
nilai sebesar 1,77918 V. Dapat dilihat hasil yang didapatkan tidak berbeda jauh
sehingga dapat kita katakan hasil pengukuran yang dilakukan mendekati akurat.
Pada tahanan VRE kita dapatkan nilai pengamatan sebesar 1,1 V sedangkan pada
perhitungan teoritis kita dapatkan nilai tegangannya sebesar 1.143 V yang hasilnya
mendekati. Adapun untuk nilai tegangan pada transistornya, kita dapatkan nilai
VCE pada pengamatan sebesar 5,65 V sedangkan pada perhitungan teoritis untuk
VCEQ kita dapatkan nilainya sebesar 5,42 V. Nilai tersebut cukup mendekati yang
menandakan bahwa proses pengamatan yang dilakukan mendekati akurat saat
transistor berada didaerah kerja maksimumnya, Oleh karena itu didapatkan nilai
dari perhitungan teoritis VCE dalam keadaan cut off sama dengan nilai Vcc yang
artinya bernilai 12 V. Arus yang diukur saat pengamatan pada transistor juga dapat
kita amati nilainya, yaitu sebesar 1,8 mA pada IC. Pada perhitungan teoritis kita
dapatkan nilai yang tidak berbeda jauh pada saat IC dalam keadaan saturasi yaitu
sebesar 3,015 mA. Perbedaan yang dihasilkan cukup jauh yang dapat disebabkan
karena faktor pengamat ataupun faktor alat ukur itu sendiri
Dari keempat pemberian tegangan, penempatan titik Q yang paling tepat
adalah 9 dan 12 V karena hasil perhitungan teoritis dengan hasil dari praktikum
sama yang berarti minim deviasi yang terjadi saat pengambilan data.
BAB IV
PENUTUP
4.1 KESIMPULAN
Setelah dilakukannya praktikum ini, karakteristik rangkaian bias pembagi tegangan
untuk penguat transistor konfigurasi common emitor dapat diketahui oleh praktikan, yaitu
rangkaian bias pembagian tegangan yang merupakan Teknik pembagian tegangan basis
transistor dan kaki transistor yang berdiri sendiri di mana rangkaian tersebut menggunakan
rangkaian pembagi tegangan dengan dua buah transistor yang titik pembagian tegangannya
dihubungkan ke kaki basis transistor.
4.2 SARAN
Remlab lebih baik dibuat lebih teliti karena beberapa kali data yang di ambil
mengalami anomali sehingga data harus diambil berkali-kali
DAFTAR PUSTAKA
Malvino, A. & Bates, D. 2016. Electronic Principles. McGraw-Hill Education. New York.
Schultz, M. E. 2016. Grob’s Basic Electronics 12th Edition. McGraw-Hill Education. New
York.
Setiyo, M. 2017. Listrik & Elektronika Dasar Otomotif. UNIMMA PRESS. Magelang.
Young, H. D. 2012. Sears & Zemansky’s College Physics 9th Edition. Addison-Wesley. San
Fransisco.
LAMPIRAN
(Setiyo, 2017).
(Setiyo, 2017).
(Schultz, 2016).
(Schultz, 2016).
DHP
DATA HASIL PERCOBAAN
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Topik 1: Rangkaian DC Bias Pembagi Tegangan
Tegangan (volt)
Titik
Vcc = 9 V Vcc = 10 V Vcc = 11 V Vcc = 12 V
Tegangan (volt)
Titik
Vcc = 9 V Vcc = 10 V Vcc = 11 V Vcc = 12 V
Arus (ampere)
PERHITUNGAN
GRAFIK