MAKALAH

TEORI JALUR BENDA PADAT, GEJALA TRANSPORT DALAM SEMIKONDUKTOR,

MODEL-MODEL TEGANGAN PADA LOGAM
Dosen Pengampu : Ridwan Yusuf Lubis, S.Pd., M.Si.

Disusun Oleh :
Sindi Puspita Sari (0705191043)
Sinta Widya Sari (0705192030)
Gusti Ayustina Sitorus (0705193076)

PROGRAM STUDI FISIKA

FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI
UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SUMATERA UTARA
MEDAN

0
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Allah SWT yang telah memberikan rahmat, kesempatan dan
pengetahuannya kepada kami. Sehingga makalah kami ini yang berjudul “Teori Jalur Benda
Padat, Gejala Transport Dalam Semikonduktor, Model-Model Tegangan Pada Logam”
dapat kami selesaikan pada tepat waktunya. Dan kami sangat berterimakasih kepada Bapak
Ridwan Yusuf Lubis, S.Pd., M.Si. selaku Dosen Mata Kuliah Teknik Semikonduktor yang
telah memberikan tugas ini kepada kami. Semoga makalah kami ini bisa menambah
pengetahuan kepada teman-teman semua.

Kami menyadari dalam proses pembuatan makalah ini masih banyak terdapat
kesalahan dan kekurangan. Oleh karena itu kami sangat mengharapkan masukan dan kritikan
serta saran dari teman-teman semua agar makalah kami ini menjadi lebih sempurna.

Medan, 7 Oktober 2021

Kelompok 3

1
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR.........................................................................................................1
DAFTAR ISI.......................................................................................................................2
BAB I: PENDAHULUAN..................................................................................................3
A. Latar Belakang.........................................................................................................3
B. Rumusan Masalah....................................................................................................3
C. Tujuan......................................................................................................................3
BAB II: PEMBAHASAN....................................................................................................4
A. Teori Jalur Benda Padat...........................................................................................4
B. Gejala Transport Dalam Semikonduktor.................................................................10
C. Model-Model Tegangan Pada Logam.....................................................................14
BAB III: PENUTUP............................................................................................................18
A. Kesimpulan..............................................................................................................18
DAFTAR PUSTAKA..........................................................................................................19

2
 BAB I
PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG
Secara sederhana zat padat dikelompokkan sebagai isolator, semikonduktor, dan
konduktor. Bahan isolator adalah material yang susah menghantarkan arus listrik, sedangkan
bahan konduktor adalah material yang dapat menghantarkan arus listrik. Bahan
semikonduktor adalah suatu material dengan sifat konduktivitas diantara konduktor dan
isolator, contohnya silicon, germanium. Untuk menjelaskan konduktivitas bahan seringkali
menggunakan konsep pita energi. Ada dua pita energi yaitu pita valensi dan pita konduksi.
Pita valensi adalah pita energi yang mungkin diisi oleh electron dari zat padat hingga
komplit. Setiap pita memiliki 2N electron dengan N adalah jumlah atom. Bila masih ada
electron yang tersisa akan mengisi pita konduksi. Pada suhu 0 K, Pita konduksi terisi
sebagian untuk bahan konduktor, sedangkan untuk isolator dan semikonduktor tidak ada
electron yang mengisi pita konduksi.
Dalam fisika solid-state, mobilitas elektron mencirikan seberapa cepat elektron dapat
bergerak melalui logam atau semikonduktor ketika ditarik oleh medan listrik. Ada kuantitas
analog untuk lubang, yang disebut mobilitas lubang. Istilah mobilitas pembawa secara umum
mengacu pada mobilitas elektron dan lubang. Konduktivitas sebanding dengan produk
mobilitas dan konsentrasi pembawa. Misalnya, konduktivitas yang sama dapat berasal dari
sejumlah kecil elektron dengan mobilitas tinggi untuk masing-masingnya, atau sejumlah
besar elektron dengan mobilitas kecil untuk masing-masingnya. Untuk logam, biasanya tidak
masalah yang mana yang terjadi, karena sebagian besar perilaku listrik logam bergantung
pada konduktivitas saja. Oleh karena itu mobilitas relatif tidak penting dalam fisika logam.
Sebuah spesimen logam yang ditempatkan pada alat uji tegangan-tarik. Karena
peningkatan beban aksial yang terjadi secara bertahap, maka perpanjangan total atas panjang
diukur pada setiap kenaikan beban dan dilanjutkan hingga terjadi kegagalan pada spesimen.
Setelah dilakukan pengujian dapat diketahui luas penampang asli dan panjang spesimen,
tegangan normal (σ ) dan regangan (ε) dapat. Grafik nilai tegangan (σ ) sepanjang sumbu y
dan regangan ( ε) sepanjang sumbu x disebut dengan kurva tegangan-regangan. Bentuk Kurva
tegangan-regangan dapat berbeda-beda tergantung pada jenis spesimen atau bahan.

B. RUMUSAN MASALAH
1. Apa itu teori jalur benda padat?
2. Bagaimana gejala transport dalam semikonduktor?
3. Apa saja model-model tegangan pada logam?

C. TUJUAN
1. Untuk mengetahui teori jalur benda padat
2. Untuk mengetahui gejala transport dalam semikonduktor

3
 3. Untuk mengetahui model-model tegangan pada logam
BAB II
PEMBAHASAN

A. TEORI JALUR BENDA PADAT

Model pita energi dapat menjelaskan rentang nilai konduktivitas listrik zat padat yang
lebar. Pada model ini potensial dari gugus ion tidak diabaikan atau adanya potensial berkala
pada zat padat.
Beberapa hal yang diperhatikan pada model pita energi ,yaitu:
 Adanya energi potensial periodik dalam keristal dengan keberkalaan kisikristal.
 Fungsi gelombangnya untuk kisi sempurna (tanpa vibrasi termal, cacar geometri
ataupun kimiawi).
 Merupakan teori elektron tunggal; hanya menelaah perilaku satu elektron saja yang
mana elektron ini dipengaruhi oleh potensial periodik yang mempresentasikan semua
interaksinya.
 Dapat menggunakan persamaan Schroendinger untuk mengkaji informasi yang ada
pada elektron tersebut dengan tetap mengikuti aturan sebaran Fermi-Dirac untuk
pengisian keadaan elektron.
 Teorema yang dapat digunakan untuk menguraikan bentuk dan sifat fungsi
Schroedinger untuk satu elektron dalam potensial berkala adalah Teorema Bloch.
Fungsi-fungsinya dikenal dengan Funsi Bloch.

1. Model-model tegangan pada konduktor, Isolator & Semikonduktor.

a. Konduktor
Konduktor merupakan suatu bahan pengahantar listrik yang paling baik dan
memiliki nilai resistansi listrik yang kecil yaitu 10-5 Ω cm-1. Hal ini disebabkan
karena konduktor memiliki enegi gap kurang dari 1 eV sehingga dapat dipandang
seperti tumpang tindih (overlap) antara pita konduksi dan pita valensi. Konduktor
memiliki struktur pita energi yang hanya diisi sebagai elektron saja. Pita energi yang
terisi sebagian elektron merupakan pita konduksi.
Medan listrik eksternal yang dikenakan pada konduktor akan mempangaruhi
elektron, sehingga memperoleh tambahan energi dan memasuki tingkat energi yang
lebih tinggi. Elektron tersebut seperti elektron bebas yang lincah dan gerakkannya
menghassilkan arus listrik. Contoh dari bahan konduktor yaitu tembaga, aluminium,
dan besi. Isolator adalah suatu penghantar listrik yang buruk dan memiliki nilai
resistivitasnya antara 10-14 - 1022 Ω cm-1.
Isolator memiliki pita valensi yang penuh berisi elektron, sedangkan pita
konduksinya kosong. Energi gap isolator sangatlah besar yaitu 6 eV, sehingga energi
yang diperoleh dari medan listrik eksternal terlalu kecil untuk memindahkan elektron
melewati energi gap tersebut, sehingga penghantar listriknya tidak dapat berlangsung.
Semikonduktor adalah material yang memiliki nilai konduktivitas diantara isolator
dan konduktor. Material semikonduktor memiliki konduktivitas 10-8– 103 Ω cm-1
dan memiliki celah energi dibawah 6 eV. Bahan semikonduktor dapat berubah sifat

4
 kelistrikannya apabila temperaturnya berubah. Celah pita antara pita valensi dan pita
konduksi yang sempit memungkinkan elektron akan tereksitasi secara termal pada
temperatur ruang dari pita valensi menuju pita konduksi.

b. Isolator
Isolator adalah suatu penghantar listrik yang buruk dan memiliki nilai
resistivitasnya antara 10-14 - 1022 Ω cm-1. Isolator memiliki pita valensi yang penuh
berisi elektron, sedangkan pita konduksinya kosong. Energi gap isolator sangatlah
besar yaitu 6 eV, sehingga energi yang diperoleh dari medan listrik eksternal terlalu
kecil untuk memindahkan elektron melewati energi gap tersebut, sehingga penghantar
listriknya tidak dapat berlangsung.
Tidak semua bahan dapat mengalirkan arus listrik, hal tersebut tidak berarti
bahwa arus listrik tidak mengalir dalam rangkaian tertutup. Hal ini disebabkan karena
hambatan jenis penghantar terlalu besar sehingga sulit menghantarkan arus
listrik.Isolator adalah bahan yang tidak dapat menghantarkan arus listrik. Hampir
seluruh bahan non logam adalah isolator. Contoh isolator adalah asbes, kayu kering,
gelas, plastik, karet dll.Dalam bahan isolator , elektron-elektron tidak bebas bergerak .
Hal ini karena setiap atom dari bahan isolator terikat dengan kuat. Pada isolator,
setiap muatan elektron dipegang erat oleh inti atomnya, sehingga pada suhu
ruangan/normal tidak mungkin adanya pengaliran arus listrik.Apabila isolator diberi
tegangan besar sehingga menghasilkan energi listrik yang mampu mengatasi energi
pengikat elektron, elektron akan dapat berpindah. Dengan demikian isolator dapat
mengalirkan arus listrik.Berdasarkan hal itu di katakan bahwa pada tegangan yang
tinggi, isolator dapat berfungsi sebagai konduktor.

c. Semikonduktor
Bahan semikonduktor adalah bahan penghantar listrik yang tidak sebaik
konduktor akan tetapi tidak pula seburuk isolator yang sama sekali tidak
menghantarkan arus listrik. Pada dasarnya, kemampuan menghantar listrik
semikonduktor berada diantara konduktor dan isolator. Semikonduktor dapat
menghantarkan listrik atau berfungsi sebagai konduktor jika diberikan arus listrik
tertentu, suhu tertentu dan juga tata cara atau persyaratan tertentu.
Semikonduktor merupakan suatu bahan material yang memiliki nilai
koduktivitas listrik diantara bahan isoator dan konduktor. Semikonduktor memiliki
struktur pita energi yang sama dengan isolator, akan tetapi celah energi terlalang atau
energi gap (Eg) pada semikonduktor jauh lebih kecil daripada isolator. Celah energi
yang tidak terlalu besar ini yang menyebabkan semikonduktor memiliki perilaku yang
berbeda dari bahan isolator. Sifat-sifat kelistrikan sebuah kristal tergantung pada
struktur pita energi dan cara elektron menempati pita energi tersebut. Pita energi
dibedakan menjadi 3, yaitu:

a. Pita Valensi
Penyebab terbentuknya pita valensi adalah adanya ikatan atom-atom yang
membangun kristal. Pada pita valensi ini elektron lepas dari ikatan atomnya jika
mendapatkan energi.

5
 b. Pita Konduksi
Pita konduksi merupakan tempat elektron-elektron dapat bergerak bebas
karena pengaruh gaya tarik inti tidak diperhatikan lagi. Sehingga elektron dapat bebas
menghantarkan listrik.

c. Pita Larangan
Pita larangan disebut juga energi gap (Eg) adalah pemisahan antara pita
valensi dengan pita konduksi. Energi gap adalah energi yang diperlukan oleh elektron
untuk memecahkan ikatan kovalen sehingga dapat berpindah jalur dari pita valensi
menuju pita konduksi. Satuan energi gap adalah elektron volt (eV). Satu elektron volt
adalah energi yang diperlukan sebuah elektron untuk berpindah pada beda potensial
sebesar 1 volt. Satu elektron setara dengan 1,60×10-19 joule.
Berdasarkan konsep pita energi, semikonduktor merupakan bahan yang pita
valensinya hampir penuh sedangkan pita konduksinya hampir kosong dengan lebar
pita terlarang atau (Eg) sangat kecil (±1 hingga 2 eV). Struktur pita energi pada
semikonduktor terdapat pita valensi dan pita konduksi yang disebut dengan energi gap
(Eg).

Konduktor merupakan suatu bahan pengahantar listrik yang paling baik dan
memiliki nilai resistansi listrik yang kecil yaitu 10-5 Ω cm-1. Hal ini disebabkan
karena konduktor memiliki enegi gap kurang dari 1 eV sehingga dapat dipandang
seperti tumpang tindih (overlap) antara pita konduksi dan pita valensi. Konduktor
memiliki struktur pita energi yang hanya diisi sebagai elektron saja.
Isolator adalah suatu penghantar listrik yang buruk dan memiliki nilai
resistivitasnya antara 10-14 - 1022 Ω cm-1. Isolator memiliki pita valensi yang penuh
berisi elektron, sedangkan pita konduksinya kosong.
Semikonduktor adalah material yang memiliki nilai konduktivitas diantara
isolator dan konduktor. Material semikonduktor memiliki konduktivitas 10-8– 103 Ω
cm-1dan memiliki celah energi dibawah 6 eV. Bahan semikonduktor dapat berubah
sifat kelistrikannya apabila temperaturnya berubah.

 Sifat-sifat semikonduktor
Semikonduktor memiliki sifat-sifat sebagai berikut
a) Resistivitas semikonduktor lebih kecil daripada isolator tetapi lebih besar dari pada
konduktor.
b) Semikonduktor memiliki resistansi dengan koefisien suhu negatif, yaitu bahwa
resistansi semikonduktor menurun dengan kenaikan suhu demikian pula sebaliknya.

6
 Sebagai contoh, germanium menjadi isolator pada suhu rendah tetapi merupakan
konduktor yang baik pada suhu tinggi.
c) Ketika ketidakmurnian metalik yang tepat (seperti arsenik, gallium, dsb) ditambahkan
kedalam semikonduktor, maka sifat-sifat konduksi arusnya berubah cukup besar. Ini
lah sifat khas yang sangat penting yang harus diketahui.

 Doping pada Semikonduktor

Untuk meningkatkan konduktivitas suatu bahan semikonduktor itu diberi
doping, akibatnya bahan itu akan menjadi tipe-n atau tipe-p tergantung dopingnya.
Dopan dikelompokan sebagai
a. Donor → diberi impuritas yang bervalensi +5 (misalnya P, As, Sb) → tipe-n
b. Akseptor → diberi impuritas yang bervalensi +3 (misalnya In, Ga, B) → tipe-p

Sebenarnya banyak bahan-bahan dasar yang dapat digolongkan sebagai bahan

semikonduktor, tetapi yang paling sering digunakan untuk bahan dasar komponen
elektronika hanya beberapa jenis saja, bahan-bahan semikonduktor tersebut
diantaranya adalah silicon, selenium, germanium dan metal oxides. Untuk memproses
bahan-bahan semikonduktor tersebut menjadi komponen elektronika, perlu dilakukan
proses “Doping” yaitu proses untuk menambahkan ketidakmurnian (impurity) pada
semikonduktor yang murni (semikonduktor intrinsik) sehingga dapat merubah sifat
atau karakteristik kelistrikannya.Bahan-bahan tersebut sering disebut dengan
“doping”, sedangkan semikonduktor yang telah melalui proses “doping” disebut
dengan semikonduktor ekstrinsik.

 Jenis Semikonduktor
Berdasakan sifat kelistrikanya, bahan semikonduktor dibedakan menjadi dua, yaitu
semikonduktor instrinsik dan semikonduktor ekstrinsik.
a. Semikonduktor Instrinsik
Semikonduktor instrinsik adalah suatu bahan semikonduktor murni, dengan
sifat-sifat kelistrikannya ditentukan oleh sifat-sifat asli yang melekat pada unsur yang
bersangkutan. Pada semikonduktor intrinsik, banyaknya hole sama dengan banyaknya
elektron bebas. Gerakan termal terus-menerus menghasilkan pasangan elektron hole
yang baru, sedangkan elektron hole yang lain menghilang sebagai akibat proses
rekombinasi. Konsentrasi (rapat) hole harus sama dengan konsentrasi elektron n,
sehingga:
n = p = ni
Semikonduktor intrinsik mempunyai beberapa ciri – ciri sebagai berikut:
1) Jumlah elektron pada pita konduksi sama dengan jumlah hole pada pita valensi.
2) Energi Fermi terletak ditengah – tengah energi gap.
3) Elektron memberikan sumbangan besar terhadap arus, tetapi sumbangan hole juga
berperan penting.
4) Ada sekitar 2 atom diantara 109 atom yang memberikan sumbangan terhadap
hantaran listrik.

7
b. Semikonduktor ekstrinsik
Semikonduktor yang telah mengalami proses doping dinamakan
semikonduktor yang impurity (ketidakmurnian). Telah dijelaskan bahwa elektron-
elektron yang saling berikatan kovalen akan menghasilkan pita konduksi saat mereka
dalam keadaan anti bonding dan menghasilkan pita valensi saat dalam keadaan
bonding . Semikonduktor ekstrinsik yang siap menjadi komponen elektronika dapat
dibedakan menjadi 2 jenis yaitusemikonduktor tipe-n dan semikonduktor tipe-p.

 Konsekuensi yang timbul dari model jalur energi

1) Model jalur hubungan (junction) logam dan semikonduktor.
Semua macam bahan mempunyai tingkatan vakum yang sama. Celah energi
antara tingkatan fermi dari sebuah bahan dan tingkatan vakum disebut “fungsi kerja”.
Dimensinnya seperti energi, biasannya digunakan satuan eV.

Gambar 1. Model jalur energi dari logam dan semikonduktor

Model jalur logam dan sebuah semikonduktor tipe-n relatif terhadap tingkatan
vakum. ϕM dan ϕS masing-masing adalah fungsi kerja dari logam dan dari
semikonduktor. Bila pada logam diberikan energi dari luar yang lebih besaar daripada
ϕM. Elektron-elektron dekat Ef (tingkat fermi)akan dinaikkan ke tingkatan vakum dan
menjadi elektron bebas. Celah energi dari semikonduktor antara tingkatan vakum dan
Ec, yaitu tingkat dasar dari jalur konduksi, disebut “afinitas elektron” yang dinyatakan
oleh xs.

2) Sifat Volt-Ampere pada sambungan p-n

Sifat Volt-Ampere atau V-I dari sambungan p-n (juga disebut dioda kristal
atau dioda semikonduktor) merupakan kurva antara tegangan yang menyilang pada
sambungan dan arus rangkaian itu. Biasanya, tegangan diambil sepanjang sumbu-x
dan arus sepanjang sumbu-y. Gambar 3 memperlihatkan susunan rangkaian untuk
menentukan sifat V-I dari sambungan p-n. R merupakan resistor pembatas arus yang
mencegah arus maju melebihi nilai yang diperbolehkan.

Gambar 2. Susunan rangkaian Volt-Ampere dari sambungan p-n

8
3) Pembentukan hubungan p-n
Hubungan p-n tidak dapat dibentuk hanya dengan menghubungkan
semikonduktor tipe-p dan tipe-n begitu saja. Hubungan p-n didapat jika merubah
sebagian dari substrat kristal menjadi tipe-n dengan menambah donor dan bagian
yang lain menjadi tipe-p dengan menambah aseptor, harus memiliki struktur kristal
yang kontinu.

Gambar 3. Hubungan p-n dan pembagian ketidakmurniannya

Ada beberapa cara untuk menghasilkan hubungan p-n yang mempunyai

konsentrasi ketidak murnian seperti pada gambar, ini akan dibicarakan kemudian.
Ditinjau dari apa yang terjadi setelah hubungan p-n itu terbentuk.

Tanda (-) dan (+) menunjukan masing-masing aseptor yang diionisasikan dan
donor yang diionisasikan. Donor dan aseptor tidak dapat berpindah bebas pada
temperatur normal. Pembawa-pembawa ini berdifusi ke daerah yang mempunyai
konsentrasi rendah dan berekombinasi satu sama lain. Misalnya karena hole dalam
tipe-p lebih tinggi konsentrasinnya daripada hole dalam tipe-n, mereka berdifusi dari
daerah tipe-p ke tipe-n. Apabila misalnya pada hole, bila ia meninggalkan daerah tipe-
p dan hilang ke dalam daerah tipe-n karena berekomendasi, sebuah aseptor akan

9
 diionisasikan menjadi negatif dalam daerah tipe-p itu, yang membentuk muatan
ruangan negatif. Hal yang sama terjadi pula pada elektron yang meninggalkan muatan
ruang positif pada daerah tipe-n, ini membangkitkan medan listrik yang mulai dari
ruang yang bermuatan positif, berakhir pada ruang yang bermuatan negatif.

4) Model pita pada dioda hubungan

Gambar 4. Model jalur dan hubungan tipe p-n dengan bentuk daerah deplesi

Model jalur hubungan p-n dalam keadaan seimbang panas dan semikonduktor
tipe-n dan tipe-p baru saja diletakkan berhadapan, dengan tingkat ferminya sama.
Tingkat fermi belum mendapat gambaran yang tepat mengenai bentuk dari daerah
transisi antara daerah tipe-p dan tipe-n.untuk menentukan bentuk dari daerah ini,
harus menentukan distribusi tegangan yang diakibatkan oleh distribusi muatan ruang
dalam daerah ini. Hubungan anatara energi elektron dengan tegangan elektrostatis
dinyatakan sebagai:
E = -qV

B. GEJALA TRANSPORT DALAM SEMIKONDUKTOR

1. Mobilitas dan Konduktivitas
Dalam fisika solid-state, mobilitas elektron mencirikan seberapa cepat
elektron dapat bergerak melalui logam atau semikonduktor ketika ditarik oleh medan
listrik. Ada kuantitas analog untuk lubang, yang disebut mobilitas lubang. Istilah
mobilitas pembawa secara umum mengacu pada mobilitas elektron dan lubang.
Elektron dan mobilitas lubang yang kasus khusus dari mobilitas listrik dari
partikel bermuatan dalam cairan di bawah medan listrik diterapkan.
Ketika medan listrik E diterapkan pada sepotong material, elektron merespon
dengan bergerak dengan kecepatan rata-rata yang disebut kecepatan drift ( v d) Maka
mobilitas elektron didefinisikan sebagai.
vd = μE .
Konduktivitas sebanding dengan produk mobilitas dan konsentrasi pembawa.
Misalnya, konduktivitas yang sama dapat berasal dari sejumlah kecil elektron dengan
mobilitas tinggi untuk masing-masingnya, atau sejumlah besar elektron dengan
mobilitas kecil untuk masing-masingnya. Untuk logam, biasanya tidak masalah yang
mana yang terjadi, karena sebagian besar perilaku listrik logam bergantung pada
konduktivitas saja. Oleh karena itu mobilitas relatif tidak penting dalam fisika logam.
Di sisi lain, untuk semikonduktor, perilaku transistordan perangkat lain bisa
sangat berbeda tergantung pada apakah ada banyak elektron dengan mobilitas rendah

10
 atau sedikit elektron dengan mobilitas tinggi. Oleh karena itu mobilitas merupakan
parameter yang sangat penting untuk bahan semikonduktor. Hampir selalu, mobilitas
yang lebih tinggi menghasilkan kinerja perangkat yang lebih baik, dengan hal-hal lain
yang setara.
Mobilitas semikonduktor tergantung pada konsentrasi pengotor (termasuk
konsentrasi donor dan akseptor), konsentrasi cacat, suhu, dan konsentrasi elektron dan
lubang. Hal ini juga tergantung pada medan listrik, terutama pada medan tinggi ketika
terjadi kejenuhan kecepatan . Hal ini dapat ditentukan oleh efek Hall , atau
disimpulkan dari perilaku transistor.

2. Elektron dan lubang dalam semikonduktor intrinsik

a. Semikonduktor Intrinsik (Murni)
Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat
penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel
periodik dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan
germanium berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah
elektron valensi dengan atom-atom tetangganya.
Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar
1,1eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang
(300K),sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan
diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron
bebas (gambar 5). Besarya energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron dari
pita valensi kepita konduksi ini disebut energi terlarang (energy gap). Jika sebuah
ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada
daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif, dan
daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif.
Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik pada
semikonduktor murni. Jika elektron valensi dariikatan kovalen yang lain mengisi
lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru ditempat yang lain dan seolah-olah
sebuah muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.

11
 Gambar 5. a) Struktur Kristal silikon memperlihatkan adanya ikatan kovalen
yang terputus dan b) Diagram pita energi menunjukkan tereksitasnya elektron ke
pita konduksi dan meninggalkan lubang dipita valensi

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat
dituliskansebagai berikut:
“Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua
partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah
yang berlawanan akibat adanyapengaruh medan listrik”
Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat arus dinyatakan
sebagai:
J= ( nμ0 + pμ p ) qε =σε
Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka pada
semikonduktor murni, jumlah lubang sama dengan jumlah elektron atau dituliskan
sebagai.
n= p=n i
dimana ni disebut sebagai konsentrasi intrinsik.

3. Takmurnian donor dan akseptor

a. Semikomduktor type-n
Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan
bahan bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan
semikonduktor intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah
pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut.
Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas)
bervalensi lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe-n. Bahan
dopan yang bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur
kisi-kisi kristal bahan silikon type-n dapat dilihat pada Gambar 6.
Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi
mendapatkan pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron
valensi yang kelima tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron
kelima ini dengan inti menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena
setiap atom dopan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi
lima disebut dengan atom donor. Dan elektron “bebas” sumbangan dari atom
dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya.

Gambar 6. Struktur Kristal semikonduktor (silikon) type-n.

12
 Meskipun bahan silikon type-n ini mengandung elektron bebas (pembawa
mayoritas) cukup banyak, namun secara keseluruhan Kristal ini tetap netral karena
jumlah muatan positif pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan
elektronnya. Pada bahan type-n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa
mayoritas) meningkat, ternyata jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun.
Hal ini disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah elektron bebas, maka
kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali elektron
dengan hole) semakin meningkat.
Sehingga jumlah holenya menurun. Level energi dari elektron bebas
sumbangan atom donor dapat digambarkan seperti pada Gambar 7 Jarak antara
pita konduksi dengan level energi donor sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon
dan 0.01 eV untuk germanium. Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka
semua elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi elektron
bebas.

Gambar 7. Diagram pita energi semikonduktor type-n

b. Semikonduktor type-p
Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan
impuritas (ke-tidak-murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor
type-p. Bahan dopan yang bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan
indium. Struktur kisi-kisi kristal semikonduktor (silikon) type-p adalah seperti
Gambar 8. Karena atom dopan mempunyai tiga elektron valensi, adalah atom
Boron (B), maka hanya tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi. Sedangkan tempat
yang seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi kosong
(membentuk hole) dan bisa ditempati oleh elektron valensi lain. Dengan demikian
sebuah atom bervalensi tiga akan menyumbangkan sebuah hole. Atom bervalensi
tiga (trivalent) disebut juga atom akseptor, karena atom ini siap untuk menerima
elektron.
Seperti halnya pada semikonduktor type-n, secara keseluruhan kristal
semikonduktor type-n ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama.
Pada semikonduktor type-p, hole merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena
dengan penambahan atom dopan akan meningkatkan jumlah hole sebagai
pembawa muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya adalah elektron.

13
 Gambar 8. Struktur Kristal semikonduktor type-p

Gambar 9. Diagram pita energi semikonduktor tipe-p

Level energi dari hole akseptor dapat dilihat pada Gambar 9. Jarak antara
level energi akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0.01 eV untuk
germanium dan 0.05 eV untuk silikon. Dengan demikian hanya dibutuhkan
energi yang sangat kecil bagi elektron valensi untuk menempati hole di level
energi akseptor. Oleh karena itu pada suhur ruang banyak sekali jumlah hole di
pita valensi yang merupakan pembawa muatan.

C. MODEL-MODEL TEGANGAN PADA LOGAM

Sebuah spesimen logam yang ditempatkan pada alat uji tegangan-tarik. Karena
peningkatan beban aksial yang terjadi secara bertahap, maka perpanjangan total atas panjang
diukur pada setiap kenaikan beban dan dilanjutkan hingga terjadi kegagalan pada spesimen.
Setelah dilakukan pengujian dapat diketahui luas penampang asli dan panjang spesimen,
tegangan normal (σ ) dan regangan (ε) dapat.
Grafik nilai tegangan (σ ) sepanjang sumbu y dan regangan (ε) sepanjang sumbu x
disebut dengan kurva tegangan-regangan. Bentuk Kurva tegangan-regangan dapat berbeda-
beda tergantung pada jenis spesimen atau bahan. Berikut ini merupakan kurva tegangan
regangan pada jenis spesimen baja struktural karbon-sedang yang ditunjukkan pada gambar
berikut.

14
 Gambar 10. Kurva Tegangan Regangan
Berdasarkan kondisi panjang awal batang ( L0 ) dan luas area awal batang ( A0 ) yang
diberikan beban (F). Maka tegangan (σ) adalah gaya per satuan luas area, sedangkan
regangan (ε) adalah perubahan panjang (δ) dibagi dengan panjang awal batang ( L0 ). Sehingga
secara matematis dapat dituliskan sebagai berikut.

Tegangan
F
σ=
A0

Regangan
δ
ε=
L0

Material logam diklasifikasikan sebagai material yang ulet atau getas. Bahan ulet
adalah material yang memiliki regangan tarik yang relatif besar hingga titik putus misalnya
seperti baja struktural dan aluminium, sedangkan bahan getas/rapuh memiliki regangan yang
relatif kecil hingga titik putus, misalnya seperti besi cor dan beton.

Gambar 11. Profil data hasil uji tarik

Batas Elasticσ E ( elastic limit )

Dalam Gambar 11 dinyatakan dengan titik A. Bila sebuah bahan diberi beban sampai
pada titik A, kemudian bebannya dihilangkan, maka bahan tersebut akan kembali ke kondisi

15
semula (tepatnya hampir kembali ke kondisi semula) yaitu regangan “nol” pada titik O (lihat
inset dalam gambar 11). Tetapi bila beban ditarik sampai melewati titik A, hukum Hooke
tidak lagi berlaku dan terdapat perubahan permanen dari bahan. Terdapat konvensi batas
regangan permamen (permanent strain) sehingga masih disebut perubahan elastis yaitu
kurang dari 0.03%, tetapi sebagian referensi menyebutkan 0.005%. Tidak ada standarisasi
yang universal mengenai nilai ini.

Batas proporsional σ p (proportional limit)

Titik sampai di mana penerapan hukum Hooke masih bisa ditolerir. Tidak ada
standarisasi tentang nilai ini. Dalam praktek, biasanya batas proporsional sama dengan batas
elastis.

Deformasi plastis (plastic deformation)

Yaitu perubahan bentuk yang tidak kembali ke keadaan semula. Pada Gambar5 yaitu
bila bahan ditarik sampai melewati batas proporsional dan mencapai daerah landing.

Tegangan luluh atas σuy (upper yield stress)

Tegangan maksimum sebelum bahan memasuki fase daerah landing peralihan

deformasi elastis ke plastis.

Tegangan luluh bawah σly (lower yield stress)

Tegangan rata-rata daerah landing sebelum benar-benar memasuki fase deformasi

plastis. Bila hanya disebutkan tegangan luluh (yield stress), maka yang dimaksud adalah
tegangan ini.

Regangan luluh εy (yield strain)

Regangan permanen saat bahan akan memasuki fase deformasi plastis.

Regangan elastis εe (elastic strain)

Regangan yang diakibatkan perubahan elastis bahan. Pada saat beban dilepaskan
regangan ini akan kembali ke posisi semula.

Regangan plastis εp (plastic strain)

Regangan yang diakibatkan perubahan plastis. Pada saat beban dilepaskan regangan
ini tetap tinggal sebagai perubahan permanen bahan.

Regangan total (total strain)

Merupakan gabungan regangan plastis dan regangan elastis, ε T = εe+εp. Perhatikan

beban dengan arah OABE. Pada titik B, regangan yang ada adalah regangan total. Ketika
beban dilepaskan, posisi regangan ada pada titik E dan besar regangan yang tinggal (OE)
adalah regangan plastis.

16
Tegangan tarik maksimum TTM (UTS, ultimate tensile strength)

Pada gambar 11 ditunjukkan dengan titik C (σβ), merupakan besar tegangan

maksimum yang didapatkan dalam uji tarik.

Kekuatan patah (breaking strength)

Pada gambar 11 ditunjukkan dengan titik D, merupakan besar tegangan di mana

bahan yang diuji putus atau patah.

Tegangan luluh pada data tanpa batas jelas antara perubahan elastis dan plastis

Untuk hasil uji tarik yang tidak memiliki daerah linier dan landing yang jelas,
tegangan luluh biasanya didefinisikan sebagai tegangan yang menghasilkan regangan
permanen sebesar 0.2%, regangan ini disebut offset-strain (gambar 12).

Gambar 12. Penentuan tegangan luluh (yield stress) untuk kurva tanpa daerah linier

Perlu untuk diingat bahwa satuan SI untuk tegangan (stress) adalah Pa (Pascal, N/m2)

dan strain adalah besaran tanpa satuan.

Hubungan Tegangan dan Regangan

Hubungan tegangan dan regangan dapat diketahui dengan jelas pada diagram
tegangan dan regangan yang didasarkan dari data yang diperoleh dari pengujian tarik. Ini juga
berlaku hukum hooke yang menyatakan tegangan sebanding dengan regangan. Dan tegangan
(stress) adalah beban dibagi dengan luas penampang bahan dan regangan (strain) adalah
pertambahan panjang dibagi panjang awal bahan.

17
 BAB III
PENUTUP

A. KESIMPULAN
Konduktor merupakan suatu bahan pengahantar listrik yang paling baik dan memiliki
nilai resistansi listrik yang kecil yaitu 10-5 Ω cm-1. Hal ini disebabkan karena konduktor
memiliki enegi gap kurang dari 1 eV sehingga dapat dipandang seperti tumpang tindih
(overlap) antara pita konduksi dan pita valensi. Konduktor memiliki struktur pita energi yang
hanya diisi sebagai elektron saja.
Isolator adalah suatu penghantar listrik yang buruk dan memiliki nilai resistivitasnya
antara 10-14 - 1022 Ω cm-1. Isolator memiliki pita valensi yang penuh berisi elektron,
sedangkan pita konduksinya kosong.
Semikonduktor adalah material yang memiliki nilai konduktivitas diantara isolator
dan konduktor. Material semikonduktor memiliki konduktivitas 10-8– 103 Ω cm-1dan
memiliki celah energi dibawah 6 eV. Bahan semikonduktor dapat berubah sifat kelistrikannya
apabila temperaturnya berubah.
Di sisi lain, untuk semikonduktor, perilaku transistordan perangkat lain bisa sangat
berbeda tergantung pada apakah ada banyak elektron dengan mobilitas rendah atau sedikit
elektron dengan mobilitas tinggi. Oleh karena itu mobilitas merupakan parameter yang sangat
penting untuk bahan semikonduktor. Hampir selalu, mobilitas yang lebih tinggi menghasilkan
kinerja perangkat yang lebih baik, dengan hal-hal lain yang setara.
Mobilitas semikonduktor tergantung pada konsentrasi pengotor (termasuk konsentrasi
donor dan akseptor), konsentrasi cacat, suhu, dan konsentrasi elektron dan lubang. Hal ini
juga tergantung pada medan listrik, terutama pada medan tinggi ketika terjadi kejenuhan
kecepatan. Hal ini dapat ditentukan oleh efek Hall , atau disimpulkan dari perilaku transistor.
Hubungan tegangan dan regangan dapat diketahui dengan jelas pada diagram
tegangan dan regangan yang didasarkan dari data yang diperoleh dari pengujian tarik. Ini juga
berlaku hukum hooke yang menyatakan tegangan sebanding dengan regangan. Dan tegangan
(stress) adalah beban dibagi dengan luas penampang bahan dan regangan (strain) adalah
pertambahan panjang dibagi panjang awal bahan.

18
 DAFTAR PUSTAKA

Floyd, T. (1991). Electric Circuits Fundamentals. New York: Merrill Publishing Co.
Nyoman, Suwitra. (1982). Pengantar Fisika Zat Padat. Jakarta: Departemen
Pendidikan dan Kebudayaan.
Parno. (2006). Fisika Zat Padat. Malang: FMIPA UM.
Rio, S.R.,& M. (1982). Fisika dan Teknologi Semikondukor. Jakarta: PT Pradnya
Paramita.
Sujarwata. 2015. Sensor Ofet Berbasis Film Tipis untuk Deteksi Gas Beracun. Yogyakarta:
Deepublish.
Surya, Yohames. 2002. Fisika Modern. Tanggerang: PT Kandel.

19