Microélect ronique

Exercice:I
de porteurs libres
Soit une structureMOS de type P. dont l'isolant est parfaitet où il n'y a pas
un régime de
établir
au voisitiage de la surface. applique une tension positivesur la grille pour
déplétion.
la
I ) - Déterminerla densitéde charge LY.v,i dans l'oxyde et dans le semi-conducteuravec NBest
densité des accepteurs
2) - Donner la relation liant le potentiel r (x) dans la structure MOS et la densité de charge PCX).
3) - Calculer le potentiel dans l'oxyde si on a les conditionsaux limites suivantes

Où IA est le potentiel de surface.

4) - Ecrtre en fonctionde es.
5) - Déduire le champ électrique E(x) dans l'isolant.
6) - Calculer le champ électriqueE(r) dans le semi-conducteursi on a les conditionsaux limites
sutvantes

7) - I)èterminerle potentieldansle semi-conducteurV(x).

8) - Déduire le potentiel et le champ à la surthce.
9) - Donner la relation liant Vset Q,l.

Exercice.•
II
Soit une structure MOS de tyve régime de déplétion avec Vs.est .la tension. de gille—
-appliquée.
l) - Donner l'expression de en fonction de es, Vset Co, (Os est la quantité de charge dans le
semi-conducteur, Vsest le potentiel de surface et Caxest la capacité d'oxyde)
2) - Etablirla relationentre Vs et W,de même celle entre es et W (West la largeurde la
zone désertée).
3) - pour une faible variation de Vg,la largeurde la région désertéechange. Ecrire cette variation.
4) - Déterminer l'expression de la capacité de la structure MOS (C=-dQy/dVg).

Exercice:III
Considérons une structure MOS a substrat P. A l'instant nous polarisons la structure avec
une tension positive supérieureà la tension de seuil Vth,avec une vitesse de balayage
suffisamment grande.
I) - Décrire le phénomène physique.
2) - Donnerla relationde neutralisationdes charges.
3) - Calculer le potentiel de surface Vs(t)et la largeur de la région désertée W(t).
4) - Déterminer la capacité équivalentede la structureMOS.

Soit un transistor MOS de type N en régime de conductiondont la tension de bande plates Vra
est nulle et la conductivitéde son canal est donnéepar :

où est la mobilité des électrons dans le canal et qui est supposéeconstante.

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l.a conductance dans la
cllrecttonsource-draind'un élément de canal de coordonnéesx, y. : et de
volume dr est donnée par
d ig tir.üz/dy
l) - Supposonsque la densitéd'électrons
cst indépendante de z, Donnerl'expressionde dg en
fonction de Z.. et avec est la quantitéde porteurs libres présentssur toute la
protondeur de la zone d'Inversion par unité de surface.
- Etant donné qtte le potentiel de surface r.'(y) à l'abscisse y est décrit par ,
vs.(y)
Ecrirc l'expresston de en tonction du potentieldu semi-conducteurV(y)résultantde la
polarisationdratll-source.
En utilisant la 101d'ohm aux bornes l'élémentdu canal (Id '-zdg.dV).Déterminer
l'expresston du courant dram Id.
4) Le régime linéaire du transistor M()S a lieu pour des tensiondrain-source très petites.
Ecrire la nouvelleexpressiondu courantdrainet déterminerl'expressionde la tensionde
seuil
5) - l)éterminer la conductancedu transistor
6) - Donner I'expressionde la tension de saturationV,isar.

Exercice: V
Soit un transistorM()S à canal IVavec une tensionde seuil VtlF2Vet une polarisationVSF(),
Vo—3V.Dans ces conditions, on mesure un courant de drain ImA.
l), En quel régime fonctionne ce transistor MOS ?
2) - Que devient le courant si la polarisation est portée à VD— et VCF4V?
3) - Dans le cas des faible valeurs de VDS,calculer la résistance du canal Rdsonlorsque Vo=4V?

Exercicg: VI
On propose le montage de la figure (I) où •
V'F0.5v, R-IOKQ er K=50W/V2
I) - Pour quelle valeur de VINle transistor est bloqué?
2) - Quelle est la condition sur Voutpour que le transistorsoit en saturation ?
3) - Quelle est la conditionsur Voutpouravoirun pincementdu canaldu transistor?
4) - Quelle est la condition sur Voutpour que le transistorsoit en régime linéaire?
5) - Dessiner sur un plan (Vout;VIN)l'allure de la courbe Vout—ÂVIN)en précisant les différentes
zones de fonctionnement du transistor.
6) - Calculer les pointslimitesentre les différenteszonesde fonctionnement.

VII
La figure (2) représente une porte à l'état I qui attaque l'entrée de N portes identiques ayant
chacune une résistanced'entrée Ri égale à 2KQ Pour que le systèmefonctionne convenablement,
la tension d'entrée V,des portes de charge doit au moins égale à 3,5V.
Calculer la sortance de cette porte.
A.N. Kn.

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Vovr Votn

Figure (3) Figure (4)

XI
E:ygr-gLgg:
La figure (5) représente une porte NANDDTL dont l'alimentation est Vcc= 5V, le niveau bas
Vi(O)= O.2Vet le niveauhaut VXI) —Vcc.Supposonsque la chutede tensionaux bornesde la
diode en conductionest Vs 0.7V, la tensionbase émetteur O.7Vet la tensioncollecteur
émetteur VCFAsat) o.2V.
I) - Calculer le potentiel au point P si au moins une des entrées est au niveau bas
2) - Si toutes les entréessont à l'état haut,quelleest la valeurdu potentielau pointp capablede
saturer le transistor Q.
3) - Déduire la tension entre les bornes de la diode d'entrée D.
4) - Calculer le courant base IBdu transistorQ.
5) - Calculer le gain en courantp.

XII
le
La figure (6) représenteune porte NANDITL de base dont l'alimentationest Vcc= 5V,
Supposons que la tensionbase émetteur
niveau bas Vi(O)= O.2Vet le niveauhaut Vi(l) = Vcc.
= o.2V.
émetteur VCFoat)
VBNon)= O.7V et la tension collecteur
est à l'état bas.
l) - Calculer le potentiel au point P si au moins une entrée de cette porte
2) - Déduire l'état des transistors Q2et Q).
quel mode fonctionne le transistor Qi?
3) - Si toutes les entrées sont à l'état haut, en
Q3.
4) - Déduire l'état des transistors Q' et
5) - Calculer le potentielau point P.

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Figure(l) Figure (2)

Exercice:
Soit l'inverseur à charge à enrichissement saturée donné par la figure (3) où VTLet
Vilisont respectivementles tensionsde seuildes transistors et TD.
l) - l)onner l'expresstotldu courant délivrépar le transistorTE.
2) I)édturel'expresstonde sortie quandl'entréeest à l'état bas.
- Donner l'expression du courant délivré par le transiStOf Tt' en réÉiithe linéaire et de
saturation
4) - I)ans le cas où Toest en régimede saturationmontrerque .

Exercice:IX
La figure (4) représente un inverseur à transistor bipolaire ayant un gain en courant p. Montrer
que la tension de sortie VOUT varie linéairementen fonctionde la tension d'entrée VLN durant la
transition entre l'état haut et l'état bas.

Soit un transistorMOS à canal N avec une tensionde seuil Vr IV et une polarisation Vs

OV, VD= VG= 3V. Dans ces conditions, on mesure un courant de drain = 2mA.
l) En quel régime fonctionne ce transistor ?
2) Donner l'expression du courant IDSdurant ce régime et calculer la constante
K.
3) Calculer la nouvellevaleurdu courant dans les cas suivants :
- VGS= 4V et VDS 4V
- VGS 4V et VDS= 2V

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Vovr

R, - 5Kn

Figure (5)

R, - 1.4KS2 RC 4Kn

R, - 1KC2

Figure (6)

XIII
La figure (7) représente une porte NAND ITL à sortie en totem
dont l'alimentation est Vcc =
5V, le niveau bas Vi(O)= O.2Vet le niveau haut Vi(l) Vcc.
Supposons que la chute de tension
aux bornes de la diode en conduction est Vs O.7V, la tension
base émetteur 0.7V et la
tension collecteur émetteur O.2V.
l) - Calculer le potentiel de collecteur du transistor Q2.
2) - Calculer la tension base émetteur du transistor Q4 s'il n'y
avait pas de diode
3) - Quel est l'état du transistor Q4?
4) - Calculer le courant collecteur Ic du transistor Q4.
5) - Calculer la tension VBEdu transistor Q4en tenant compte de
la présence de la diode.
6) - Quel est l'état du transistor Q. et de la diode m

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Exercice.'XV
I) et qui attaque N portes
La tigure (9) représente une porte logique à deux entrées (bloc
similaires ayantchacuneune seuleentrée(bloc Il)

Partie I : la porte logique n 'est pas chargée.

l) - quelle famille de portess'agit-il ?
2) - Expliquer et vérifierque le circuit du bloc / fonctionneen porte NAND.
3) - Calculer la tension au pointPn pour les deuxétats de VOUT (états haut et bas).
4) - Calculer les courants et Ic du transistorQ si est à l'état bas

Partie II : la porte logique est chargée.

La porte logique attaque 'Vportes similaires ayant chacune une seule entrée.
l) Que représente
2) - («)uandle transistorQ est saturé,quel est l'état de l'entrée du circuit du bloc Il ?
3) - l)éduire I•c•tatde la diode IAI.
4) - Calculerle courantI traversantla résistanceRII.
5) - Donner l'expression du courant collecteurtotal du transistor Q en fonction de N.
6) - Calculer N si le gain en courant nest égale à 30.

A/V. ['cc 5V: V(O)= O.2V; V(l)— Vcc ; 0.2V; Vs = ().7V

0.7 V; VCHsatj—

Vcc

R, 5Kn Rc- 2.2Kn R,t-5KS2

Vovr I

R, - 5Kn

Bloc Blocn

Figure(9)

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R, 4Kn R,-1.4Kn loon

Vot.rr

1Kn

Figure (7)
Exercice:XIV
La figure (8) représente le circuit de commande d'un moteur. Pour que le
moteur tourne il faut
que les deux transistors conduisent.
Quels niveaux logiques doit on avoir en VIet V2pour commander ce moteur
?

Invz

Figure (8)

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Université [lassan II Aïn Chok

Faculté des Sciences
Département de Physique

Travaux Dirigés de la Microélectronique

substrat

OUT

Prof. A. rot,'HAhfX