Memoire Islam

RÉPUBLIQUE ALGÉRIENNE DÉMOCRATIQUE POPULAIRE
MINISTÈRE DE L’ENSEIGNEMENT SUPÉRIEUR ET DE LA

RECHERCHE SCIENTIFIQUE
Université SAAD DAHLAB de BLIDA
Faculté de Technologie
Département d’Électronique
Mémoire de Master
Mention Électronique
Spécialité Micro-électroniques.
SIMULATION ET OPTIMISATION D’UNE

CELLULE SOLAIRE A BASE DE
MATÉRIAUX PÉROVSKITE HYBRIDE
(CH3NH3PbI3-XClX)
Présenté par :
BENSALAH Mohamed Nour El Islam
Devant le jury composé de :

Encadreur : Pr. AISSAT Abdelkader
Co-Encadreur : Dr. BOUBAKEUR Manel
2021/2022
Remerciement
ouange à notre Seigneur "Allah" qui nous a dotés de la merveilleuse

L faculté de raisonnement. Louange à notre Créateur qui nous a incités
à acquérir le savoir. C’est à lui que nous adressons toute notre gratitude
en premier lieu. Je tiens à remercier mon promoteur, Mr Aissat Abdelkader,
professeur au département d’Electronique de l’Université de Saad DAH-
LEB Blida 1, qui m’a chaleureusement accueilli dans son laboratoire, et
a accepté de diriger ce mémoire, et qui était toujours disponible, dont les
encouragements et les conseils judicieux m’ont été de très grande utilité. Je
tiens a remercié vivement Mme Boubakeur Manel (docteur), pour son aide,
son soutien et de sa sympathie. Mes remerciements s’adressent également à
Monsieur le président du jury, Mr Said Nacer, professeur au département
d’Electronique de l’Université de Saad DAHLEB Blida 1, d’avoir accepté de
présider le jury de ce mémoire. Je remercie chaleureusement mes chers pa-
rents, frères, surs et amis pour leurs soutiens et encouragement sans oublier
tous ceux qui, de près ou de loin, auraient contribué au bon déroulement
de ce mémoire. Finalement, j’adresse mes sincères remerciements à toutes
les personnes avec qui j’ai eu la chance de travailler ou que j’ai eu l’honneur
de côtoyer avant et pendant la préparation de ce mémoire et à tous mes
professeurs de l’Université de Saad DAHLEB Blida 1.
Table des matières
1 Généralités sur le photovoltaïque et présentation des cellules solaires à

base de pérovskites mixte. 4
1.1 Le gisement solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.1 Historique du photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.2 Principe de la conversion photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2 Cellules photovoltaïques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.1 Définition dune cellule photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.2 Principe de fonctionnement des cellules photovoltaïques . . . . . . . 6
1.2.3 Les paramètres de la cellule solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.4 De la cellule au module : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.5 Les filières photovoltaïques : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3 Les cellules solaires à base de matériaux pérovskites . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.1 Propriétés structurales des pérovskites : . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.2 Propriétés optoélectroniques : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.3.3 Architecture des cellules Pérovskites . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.3.4 Principe de fonctionnement des cellules solaires pérovskites . . . . . 19
1.3.5 Extraction de charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.3.6 Matériaux de transport dans une cellule solaire a base de pérovskites 21
2 Simulation et optimisation des cellules solaires à base de matériaux pé-

rovskites 23
2.1 Logiciels de simulation les plus utilisés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.1.1 Logiciel SCAPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2 Optimisation de la cellule pérovskite à base de CH3 NH3 PbI3-x Clx . . . . . 24
2.2.1 Présentation de la cellule solaire à base de CH3 NH3 PbI3-x Clx . . . . 24
2.2.2 Structure de la cellule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.3 Optimisation de la cellule pérovskite à base de CH3 NH3 PbI3-x Clx
avec une augmentation de concentration de chlore (Cl) . . . . . . . 25
avec une augmentation de concentration de chlore (Cl) : . . . . . . 26
2.2.5 L’influence d’épaisseur de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx . . . . . . . . 29
2.2.6 L’influence de la température de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx : . . . 33
Table des figures
1.1 Définition du nombre d’air masse (AM) et spectre d’émission du rayonne-

ment solaire homologué par la Société Américaine de Tests et Matériaux
(ASTM G173-03)[1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2 Génération de paire électron-trou. EC est l’énergie du bas de la bande de
conduction et EV, l’énergie du haut de la bande valence. . . . . . . . . . . 7
1.3 Schéma électrique équivalent dune cellule photovoltaïque. RS est la résis-
tance série du circuit. RP est la résistance parallèle du circuit (shunt).[2] . 8
1.4 Caractéristiques courant-tension de la cellule solaire [3]. . . . . . . . . . . . 9
1.5 Évolution en laboratoire du rendement des cellules photovoltaïques [3]. . . 11
1.6 Cellule solaire organique [4]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.7 Cellule solaire à base de pérovskite [5]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.8 Structure d’un cristal de pérovskite générique ABX3 [6]. . . . . . . . . . . 15
1.9 classification du système de pérovskite [7]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.10 Représentations schématiques des structures cristallines, (a) de la pérovs-
kite halogénée inorganique CsPbBr3 (b), de la pérovskite halogénée hybride
MAPbBr3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.11 Courbe d’absorption des matériaux. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.12 Les quatre architectures les plus utilisés dans les cellules solaires à pérovs-
kite, (a) méso poreux, (b) couche de recouvrement, (c) n-i-p planaire et (d)
p-i-n planaire [8]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.13 Diagramme de transfert des électrons et les processus de recombinaison
dans les cellules solaires à base de pérovskite. . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.14 Diagramme dalignement des bandes de l’ETL et de l’HTL utilisé dans les
cellules solaires à base de pérovskite [9] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.1 Architecture d’une cellule solaire en pérovskite CH3 NH3 PbI3-x Clx [10] . . . 25
2.2 La variation de paramètres de mailles en fonction de la concentration [11]. 27
2.3 La variation de permittivité en fonction de la concentration [11]. . . . . . . 27
2.4 La variation de lénergie de liaison en fonction de la concentration [11]. . . 28
2.5 La variation de module de bulk en fonction de la concentration [11]. . . . . 28
2.6 La variation de lénergie de gap en fonction de la concentration [11]. . . . . 29
2.7 La variation du rendement quantique externe en fonction de lambda pour
différents épaisseurs(µm) et Eg=1.55 eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.8 La variation de la densité J en fonction de V pour plusieurs énergies de gap
(eV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.9 La variation de la puissance en fonction de V pour différentes épaisseurs de
la couche absorbante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.10 La variation de courant de court-circuit Jcc et la tension de circuit ouvert
Vco en fonction de l’épaisseur de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx . . . . . . . . 31
2.11 La variation de La capacité pour différentes épaisseurs de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx
T=300K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.12 La variation de La facteur de forme FF et eta % pour différentes épaisseurs
de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx T=300K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.13 Les résultats de différents épaisseurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.14 Les résultats de différents épaisseurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Liste des tableaux
1.1 Propriétés physiques des matériaux les plus communs pour le photovol-
taïque [12] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.1 paramètres des couches utilisés pour simulation des cellules solaires pérovs-
kites [10]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2 Propriétés physiques des matériaux les plus communs pour le photovol-
taïque [26] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Liste des abréviations
PCE Power Conversion Efficiency

AM Masse D’Air
F(λ) l’irradiation spectrale
K Constante de Boltzmann
Rs Résistance en série
Eg La bande interdite
Icc Courant de court circuit
Vco La tension de circuit ouvert
Pmax La puissance maximale
EF Le niveau de Fermi
Jn Densité de courant des électrons
Jp Densité de courant des trous
NA La concentration des accepteurs
Nd La concentration des donneurs
Nt La concentration des défauts
η Le rendement
FF Le facteur de forme
n,p Les densités des porteurs
α Le coefficient d’absorption
E Le champ électrique
µp µn Mobilités des électrons et des trous
λ La longueur d’onde
h Constante de Planck
C La vitesse de la lumière dans le vide
ETL La couche de transport
HTL La couche de transport de trou
CdTe Tellure de cadmium
FTO l’oxyde d’étain dopé au fluor
TiO2 Le dioxyde de titane
1
INTRODUCTION GÉNÉRALE
e Le soleil est une source d’énergie presque illimitée et à l’origine d’un grand nombre
L d’effets biologiques qui participent directement ou indirectement à la vie des animaux
et des plantes : il fournit de la chaleur, permet la photosynthèse, la vision, régule les
rythmes biologiques, etc.
L’ingéniosité de l’énergie photovoltaïque telle que nous l’entendons ici est la conversion
directe de la lumière du soleil en électricité. Nous comprenons les implications de cette
approche lorsque nous savons que l’approvisionnement total en énergie solaire sur Terre
est des milliers de fois supérieure à notre consommation énergétique globale. Une énergie
renouvelable qui respecte notre environnement en réduisant les émissions de gaz à effet de
serre.
Les prix continuent de baisser en raison de l’augmentation de la production due à la
forte stimulation du marché par les compagnies d’électricité pour acheter du courant et
augmentent chaque année à l’échelle mondiale. Peu de secteurs de l’économie peuvent
afficher de tels résultats, et de nombreuses cellules photovoltaïques ont vu le jour pour
tirer le meilleur parti de la lumière du soleil grâce à des panneaux solaires. Pour générer
de l’électricité, ces cellules solaires sont constituées d’un matériau semi-conducteur qui
convertit l’énergie du rayonnement solaire en électricité.
Le silicium, les terres rares ou les plastiques sont utilisés, mais chaque technologie
présente des avantages et des inconvénients dans ce domaine prometteur.
CH3 NH3 PbI3-x Clx devient un bon collecteur de lumière grâce à ses caractéristiques
remarquables telles que bande interdite idéale, absorption large spectre, bon mécanisme de
transporteur, facilité de fabrication sur le substrat souple et la bande accordable espace et
longue longueur de diffusion. Caractéristiques précitées de pérovskite au plomb-halogénure
sont encourageants utiliser dans la fabrication de la cellule solaire pérovskite et devenir un
bon matériau concurrentiel au silicium traditionnel matériau. Au début, le PCE maximum
de ces cellules solaires à base de pérovskite à base de CH3 NH3 PbI3-x Clx représentent 3,8%.
En temps voulu, par les nouvelles méthodes de fabrication et la sélection appropriée de
l’architecture le PCE de pérovskite cellule solaire a atteint 22,7%. Plomb méthyle ammo-
nium les matériaux de pérovskite aux halogénures sont abondants sur la terre et ce sont
des solutions traitables menant à la rentable technique de fabrication. Une compréhension
claire de la relation sous-jacente entre les caractéristiques matérielles et la une architecture
de périphérique est nécessaire pour améliorer les performances de l’appareil [13].
Afin d’améliorer les performances d’une cellule solaire photovoltaïque, il est nécessaire
de l’optimiser par simulation. L’optimisation par simulation, vu qu’elle suive un modèle
2
Page 3
mathématique du système réel, elle a l’avantage d’être facile, ne coûtant pas chère et nous
pouvons prédire les paramètres optimaux qui contribuent à la fabrication d’une cellule
ayant les meilleures performances.
L’objectif de ce présent mémoire est de faire une modélisation des paramètres optoélec-
troniques et l’effet des épaisseurs, température sur les caractéristiques électriques d’une
cellule solaire à base de Pérovskite en vue d’optimiser par simulation en utilisant le logiciel
SCAPS 1D. pour simuler les caractéristiques physiques (densité de courant de court-circuit,
tension de circuit ouvert Voc, Facteur de forme FF, Le rendement de conversion la cellule
solaire étudiée (µ)).
Ce mémoire est organisé comme suit :
Le premier chapitre présente des généralités et équations fondamentales sur le pho-
tovoltaïque et présentation des cellules solaires à base de pérovskites hybrides. Dans le
deuxième chapitre nous présentons discutons les résultats obtenus. Ce travail se termine
par une conclusion générale des résultats obtenus au cours de simulation et perspectives.
Chapitre 1
Généralités sur le photovoltaïque et

présentation des cellules solaires à
base de pérovskites mixte.
Introduction
ctuellement, le solaire photovoltaïque et le solaire thermique sont les formes d’énergie
A solaire les plus couramment utilisées. L’énergie photovoltaïque est la ressource renou-
velable la plus importante. Le chapitre comprend une introduction générale à la conversion
des cellules solaires en mettant l’accent sur les principes de fonctionnement de la cellule
solaire à base de pérovskite et les matériaux de composition ainsi que ses caractéristiques
physiques et architecturales.
1.1 Le gisement solaire

Le soleil est une étoile d’un rayon de 696 000 kilomètres et d’une masse de 1,99 × 1032
kilogrammes. Il a une température interne de 15 millions de kelvins, ce qui signifie qu’il
transforme 700 millions de tonnes d’hydrogène en fusion atomique chaque seconde. Cela
rend le soleil équivalent à 386 milliards de milliards de mégawatts, soit 2 × 1030 méga-
watts. De plus, l’énergie solaire ne connaît aucun dépôt ni difficulté d’accès aux zones
de la planète. Par rapport à la quantité d’énergie que la Terre absorbe quotidiennement,
5,5 kilowattheures par mètre carré correspondent à ce qui est reçu à l’extérieur de l’at-
mosphère. L’énergie sous forme de rayonnement électromagnétique est émise par certains
objets et est ensuite absorbée par la terre. La vapeur d’eau et la couche d’ozone absorbent
le rayonnement solaire le plus visible et infrarouge, tandis que le rayonnement ultraviolet
est absorbé par la couche d’ozone. De plus, le rayonnement solaire traversant l’atmosphère
est altéré et atténué. Considérons les rayons lumineux traversant l’atmosphère. L’épais-
seur de l’atmosphère détermine l’homogénéité de la lumière solaire à la surface de la Terre.
Par conséquent, nous devons en tenir compte lors du calcul du rayonnement solaire au sol.
C’est pourquoi nous utilisons le nombre de masse x pour la masse atmosphérique ou AMx.
4
1.1. LE GISEMENT SOLAIRE Page 5
L’expression de ce coefficient est :

1
x= (1.1)
sin(θ)
Dans une seule atmosphère de pression, l’angle θ représente l’élévation du soleil au-dessus
de l’horizon. Lorsque l’altitude du soleil atteint 90 degrés, les conditions sont mesurées
comme AM1. Ceci est illustré à la figure 1.1
Figure 1.1 – Définition du nombre d’air masse (AM) et spectre d’émission du rayonnement solaire
homologué par la Société Américaine de Tests et Matériaux (ASTM G173-03)[1].
Avec un soleil à 30° sur l’horizon, on obtient les conditions AM2. Hors atmosphère à
haute altitude, on définit les conditions AM0. En réalité, le nombre d’air masse recouvre
deux aspects. D’une part, il caractérise la puissance transportée par le rayonnement so-
laire (1353 W.N2 pour AM0, 833 W.N2 pour AM1,5) ; d’autre part, il sert à définir un
spectre de référence pour calibrer les cellules étalons destinées à déterminer les perfor-
mances des dispositifs photovoltaïques. Ainsi les conditions standards de qualification des
cellules correspondent à un spectre AM1,5, une puissance incidente de 1000 W. N2 et une
température de 25°C et c’est pour de telles conditions que doivent être fournies les per-
formances et spécifications dun dispositif photovoltaïque donné. Ce spectre (Figure 1.1) a
été homologué par la Société Américaine de Tests et Matériaux (ASTM G173-03).
1.1.1 Historique du photovoltaïque

L’histoire du PV débute en 1839 lorsque le physicien français "Antoine César Becquerel"
découvre le principe photovoltaïque (C’est son petit-fils, "Antoine Henri Becquerel" qui
découvrira la radioactivité). L’effet photovoltaïque en tant que tel a été découvert en
1887 par le physicien "Allemand Heinrich Rudolf Hertz". C’est "Albert Einstein" qui est le
premier a pu expliquer le principe photovoltaïqueavec le prix Nobel de physique en 1921.
En 1955, des chercheurs américains (Chapin, Fuller, Pearson et Prince) travaillant pour les
laboratoires Bell Téléphone (devenus aujourd’hui Alcatel- Lucent Bell Labos) développent
une cellule photovoltaïque à haut rendement de 6%. Les Américains lancent en 1959 le
satellite Van Guard qui est alimenté par des piles photovoltaïques ayant un rendement de
CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

DES CELLULES SOLAIRES À BASE DE PÉROVSKITES MIXTE.
1.2. CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES Page 6
9% [3]. La première maison avec une installation photovoltaïque voit le jour en 1973 à
l’université de Delaware aux Etats-Unis d’Amérique. Cest en 1983 que la première voiture
alimentée par énergie photovoltaïque parcourt 4000 kilomètres en Australie. Aujourd’hui,
Dans le monde des semi-conducteurs, Des rendements de conversion de l’ordre de 20% ont
été atteints par de telle cellule au spectre AM1.5 [13].
1.1.2 Principe de la conversion photovoltaïque

L’effet photovoltaïque qui se définit par la transformation directe d’une énergie électro-
magnétique (rayonnement) en énergie électrique de type continu directement utilisable, à
lieu lorsqu’un photon de lumière d’énergie suffisante heurte un atome sur la partie néga-
tive de la cellule, le photon va exciter un électron et l’arracher de sa structure moléculaire,
créant ainsi un électron libre sur cette partie, cet électron participe à la conduction élec-
trique. Mais seulement les photons ayant une énergie supérieure à l’énergie de la bande
interdite vont créer une paire électron trou.
1.2 Cellules photovoltaïques

1.2.1 Définition dune cellule photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque est un composant optoélectronique qui transforme le photon
reçu en une tension électrique continue, et cela se fait à partir dun processus nommé l’effet
photo-électrique. Elle est généralement faite de matériaux semi-conducteurs. Ces cellules
réunies forment le module ou le panneau photovoltaïque.
1.2.2 Principe de fonctionnement des cellules photovoltaïques

Le principe est basé sur l’interaction de la lumière et de la matière dans les semi-
conducteurs. En effet, lorsqu’un matériau semi-conducteur est exposé à la lumière, des
photons d’énergie égale ou supérieure à la bande interdite sont absorbés, créant ainsi des
paires électron-trou par le passage des électrons de la bande de valence vers la bande de
conduction. Si ces paires électron-trou ne sont pas séparées, leur recombinaison se produit
très rapidement en libérant un phonon (selon l’énergie absorbée) et un photon.
Le rôle principal d’une cellule photovoltaïque est de réduire ces recombinaisons et donc
de forcer les électrons et les trous à se diriger chacun vers une face opposée du matériau.
Ainsi, il apparaîtra une différence de potentiel, donnant lieu à un photo courant. L’une des
solutions couramment utilisées, pour extraire sélectivement les électrons et les trous est de
créer un champ électrique permanent dans le matériau au moyen d’une jonction entre une
couche de semi-conducteur dopée P et une autre couche dopée N (jonction PN). La mise
en contact d’un semi-conducteur dopé P et d’un semi-conducteur dopé N fait apparaître
un phénomène de diffusion dans la jonction. Les électrons majoritaires dans la couche N
diffusent vers le côté P et les trous majoritaires dans la couche P diffusent vers le côté N.
A la jonction, les porteurs de charge (électrons et trous) se recombinent créant une zone

dépourvue de porteurs mobiles, appelée zone de charge d’espace (ZCE). Il apparaît alors
une différence de potentiel et donc un champ électrique orienté de la région N vers P.
Figure 1.2 – Génération de paire électron-trou. EC est l’énergie du bas de la bande de conduction et
EV, l’énergie du haut de la bande valence.
Lorsqu’on éclaire la jonction, les photons d’énergie (hν) égale ou supérieure à l’énergie de
la bande d’énergie interdite (Eg) du matériau sont absorbés. Des paires électron-trou sont
ensuite créées par le passage des électrons de la bande de valence à la bande de conduction.
Le champ électrique interne créé dans la ZCE va séparer spatialement les porteurs photo
générés : les électrons sont dirigés vers la couche N et les trous vers la couche P Créant
ainsi un courant électrique continu entre les électrodes métalliques déposées de part et
d’autre de la structure
1.2.3 Les paramètres de la cellule solaire

Dans le cas simple d’une cellule idéale à jonction PN soumise à un flux lumineux, celle-
ci fonctionne comme un générateur de courant, sa caractéristique est comparable à celle
d’une cellule photovoltaïque en sillicium.Dans les faits, il existe plusieurs facteurs de perte
de la conversion photovoltaïque au sein d’une cellule solaire. Ces pertes sont généralement
dues à la nature du matériau et à la technologie utilisée pour la réalisation de la cellule.
On peut entre autres citer les pertes par effet Joule dues à la résistivité des différents
contacts et celles des couches. Cette résistivité est modélisée par une résistance série (RS ).
Cette dernière doit être idéalement la plus faible possible afin de limiter son influence sur
les performances de la cellule solaire (dans le cas idéal, RS est approché à 0). La présence
de tout courant de fuite causé par les recombinaisons et les défauts dans la structure est
traduite par une résistance parallèle ou shunt (RSh ). Celle-ci doit être idéalement la plus
élevée possible (dans le cas idéal, RSh = ∞). Enfin les recombinaisons des porteurs dans la
zone de charges despace sont traduites par un coefficient d’idéalité (n) supérieur à l’unité.
En tenant compte de tous ces paramètres, on obtient alors le circuit électrique de la figure

1.3.
Figure 1.3 – Schéma électrique équivalent dune cellule photovoltaïque. RS est la résistance série du
circuit. RP est la résistance parallèle du circuit (shunt).[2]
D’autres facteurs peuvent également engendrer des pertes non négligeables du rende-
ment de conversion dune cellule photovoltaïque. Citons par exemple :
— L’absorption partielle des photons incidents : les photons incidents d’énergie
inférieure au gap du semi-conducteur (h < Eg ) ne peuvent générer de paires électron-
trou et sont donc perdus.
— Les pertes par thermalisation : un photon incident d’énergie supérieure au gap
(h > Eg ) ne génère qu’une seule paire électron-trou ; l’excès d’énergie est transféré
sous forme de chaleur dans le matériau.
— Les pertes dues à la réflexion des rayonnements lumineux incidents à la
surface : seule une partie du rayonnement solaire est absorbée, l’autre partie étant
réfléchie. Les pertes dues à la couverture partielle de la surface de la cellule par les
contacts métalliques de la face avant.
D’après la figure 1.3, Le courant I issu de la cellule peut être exprimé en fonction de la
tension appliquée V, de manière générale, avec l’expression suivante [2] :
q(ν + Rsl ) ν + Rsl
I(V ) = Iph − I0 × exp − (1.2)
nKbT Rsh
Où I0 est le courant de saturation, K est le constante de Boltzmann, T représente
la température de la cellule et q est la charge électronique élémentaire. Les grandeurs
physiques importantes de la cellule solaire découlent de sa caractéristique courant-tension,
I(V), représentée sur la figure 1.4 sont définies par :
— Courant de court-circuit Icc : le courant de court-circuit est la valeur maximale
du courant lorsque sa tension est égale à zéro (V=0). Il augmente généralement avec
lintensité dillumination et dépend de : la surface éclairée, de la longueur donde du
rayonnement incident, de la mobilité des porteurs et de la température.
— Tension à circuit-ouvert Vco : la tension à circuit-ouvert est obtenue quand le
courant qui traverse la cellule est nul. Elle dépend du type de la cellule solaire, des

matériaux de la couche active et de léclairement de la cellule. La tension de circuit

ouvert est donnée par :
KT Iph
Vco = ln( + 1) (1.3)
q Is
K : la constante de Boltzmann.
T : la température absolue du corps.
q : charge de lélectron.
Iph : photo-courant.
Is : courant de saturation de la diode.
— Puissance maximale Pm : le point de fonctionnement est imposé par la résistance
de charge et non par la cellule elle-même. Un choix judicieux de la résistance de
charge permettra donc dobtenir la puissance maximale :
Pm = Vm Im (1.4)
— Facteur de forme FF : il détermine la qualité électrique de la cellule, il est déter-

miné par léquation suivante :
Pm
FF = (1.5)
Vco Icc
— Le rendement µ :
Pm F F.Vco .Icc
µ= = (1.6)
Pin Pin
— Le rendement quantique externe :
ne (λ) Jsc .hc
EQE(λ) = = (1.7)
nph (λ) q.Pi .λ
Figure 1.4 – Caractéristiques courant-tension de la cellule solaire [3].

1.2.4 De la cellule au module :

Une seule cellule photovoltaïque (PV) constituerait un générateur électrique de très
faible puissance pour, par exemple une application domestique. Afin d’augmenter la ten-
sion et/ou le courant, un grand nombre de cellules sont connectées en série et/ou en
parallèle, encapsulées entre deux feuilles de résine et recouvertes d’un verre et d’un film
étanche, pour former les modules photovoltaïques. Ces modules, ou panneaux solaires, sont
ensuite assemblés pour constituer des systèmes photovoltaïques, qu’il s’agisse de grandes
fermes solaires ou de petites installations. Dans un montage en série, les cellules sont tra-
versées par le même courant. La tension totale du module correspond à la somme des
tensions délivrées par chacune des cellules. Dans un montage en parallèle, le courant total
correspond à la somme des courants générés par chacune des cellules. La tension reste la
même pour toutes les cellules.
La caractéristique courant-tension d’un panneau solaire est semblable à la courbe
courant-tension dune cellule de base. Par conséquent, tout ce qui est valable pour une
cellule solaire reste aussi valable pour un panneau solaire. On prendra juste le soin de ne
connecter en série que des cellules identiques ayant la même densité de courant et de ne
connecter en parallèle que des cellules ayant la même tension. En effet, un branchement
de cellules non identiques peut gravement détériorer les performances de l’ensemble.
1.2.5 Les filières photovoltaïques :

Différentes technologies sont aujourd’hui utilisées dans la filière photovoltaïque. La fi-
gure 1.5 extraite de [3] présente les évolutions des rendements des différentes filières. Nous
pouvons observer quà ce jour, les plus hauts rendements sont obtenus avec les cellules III-
V multi jonction sous concentration, tandis que les plus faibles rendements sont obtenus
avec les cellules solaires organiques.
Les filières à base de silicium cristallin :

Le silicium est actuellement, et de loin, le matériau le plus utilisé pour la fabrication
des cellules solaires. Près de 93 % de la production mondiale des panneaux solaires est à
base de silicium. Le silicium présente principalement deux avantages :
— Son abondance. Il est le deuxième élément le plus abondant sur notre planète après
l’oxygène, autant dire qu’il est quasiment inépuisable.
— Technologie mature. Les technologies mises en oeuvre sont en effet, depuis plusieurs
dizaines d’années déjà, bien maîtrisées.
On distingue donc trois familles dans la filière silicium : les cellules monocristallines,
les cellules multicristallines, et les cellules amorphes.
a. Les cellules au silicium monocristallin : Le silicium monocristallin (mono-Si),
est un matériau composé d’un seul cristal parfaitement homogène. Les cellules so-
laires issues de ce silicium ont une couleur caractéristique qui est généralement gris-
noir métallique.
Les avantages de cette technologie sont : une production des panneaux solaires

Figure 1.5 – Évolution en laboratoire du rendement des cellules photovoltaïques [3].
presque optimale. Les cellules monocristallines offrent les meilleurs rendements (16
à 25%) [2]. Les panneaux solaires à base de silicium monocristallin présentent une
bonne durée de vie (30 ans [2]).
Les inconvénients sont : un coût de production élevé, les panneaux sont donc chers
à la vente, un rendement plus faible sous un faible éclairement et une baisse du
rendement quand la température augmente ; par conséquent une production faible
dans les régions chaudes.
b. Les cellules au silicium multicristallin : Contrairement au silicium monocristal-
lin, le silicium multicristallin (mc-Si) est composé de plusieurs domaines cristallins
de tailles variées et orientés de manière aléatoire dans le matériau. Les cellules so-
laires multicristallines ont donc un aspect non uniforme et sont de couleur bleue.
Cette technologie a comme avantages : un coût de production moins élevé que pour
les cellules monocristallines. Les panneaux ont également une bonne durée de vie.
Le rendement est correct, même par temps nuageux.
Son principal inconvénient est justement son rendement de conversion qui est lé-
gèrement inférieur à celui des cellules au mono-Si. Il est compris entre 14 et 21%
[14].
c. Les cellules au silicium amorphe : Les cellules solaires au silicium amorphe
(a-Si) sont obtenues à partir d’un dépôt de silicium. Ce dernier peut être déposé
sur différents substrats comme du plastique, du verre ou encore sur du métal. Les
cellules solaires présentent une couleur grise. Elles ont comme avantage un procédé
de fabrication moins coûteux car il est réalisé à basse température et utilise moins
de matériau que le silicium cristallin. En effet le a-Si possède un coefficient d’absorp-
tion beaucoup plus élevé que le silicium cristallin. C’est ce qui permet d’avoir des
cellules avec des couches de l’ordre du micron dépaisseur et qui permet de réduire si-
gnificativement les coûts de production [15]. C’est une technologie très utilisée pour
alimenter des petits objets du quotidien comme des calculatrices ou des montres

solaires.
Elles ont aussi l’avantage de fonctionner à faible luminosité et peuvent donc produire
du courant même à l’intérieur dune habitation Elles présentent comme inconvénient
un rendement de conversion faible (environ 13%) par rapport aux autres technologies
et une faible durée de vie des panneaux solaires.
Les couches minces

Comme son nom l’indique, cette filière se base sur l’utilisation des couches minces dont
les épaisseurs sont de l’ordre de quelques centaines de nanomètres à quelques micromètres.
Cela est permis par une absorption bien plus importante dans ces matériaux si on les com-
pare au silicium. Cette diminution des épaisseurs présente plusieurs avantages. Elle permet,
tout d’abord, de réduire considérablement la quantité de matières premières utilisées, et
aussi d’ouvrir de nouvelles applications. On peut classer cette filière en trois catégories :
les couches minces inorganiques, les couches minces organiques et les couches minces à
base de matériaux III-V.
a. Les couches minces inorganiques : Les principaux matériaux utilisés pour cette
catégorie de couches minces sont : le tellurure de cadmium (CdTe), le CIGS (Cuivre
Indium Gallium Sélénium) et le silicium amorphe (a-Si). Ces cellules en couches
minces représentaient, en 2016, environ 5% de la production photovoltaïque [3]. Les
cellules à base de CdTe sont en plein développement et elles occupent, depuis 2009,
une part importante du marché des cellules en couches minces avec des rendements
qui atteignent les 21% pour une cellule et 18, 6% pour un module photovoltaïque
[1]. Les inconvénients majeurs de cette technologie sont la toxicité du cadmium et
la rareté du tellure.Les cellules à base de CIGS sont généralement sous forme d’une
hétéro-jonction de type CIGS(p)/CdS(n)/ZnO(n) dans les dispositifs à plus haut
rendement. Les rendements records obtenus avec cette technologie sont de l’ordre
de 21% pour une cellule, 17, 5% pour un module et environ 13,5% pour les modules
industriels [1]. Les cellules à base de Si ont comme avantages de fonctionner avec un
éclairement Faible, comme à l’intérieur dune maison mais affichent un rendement
assez faible par rapport aux autres. Les rendements records obtenus sont : 13, 6%
pour une cellule et 10, 5% pour un module [1]. L’un des principaux avantages de
ces cellules en couches minces est l’utilisation de substrats légers et flexibles. Cela
ouvre de nouvelles applications, notamment dans le domaine de lhabitat, comme par
exemple le placement de cellules photovoltaïques sur de grandes toiles à coller sur
les murs où les toitures, pour générer de l’électricité.
b. Les couches minces organiques : Les cellules photovoltaïques organiques sont
constituées d’une ou plusieurs couches minces de semi-conducteurs organiques. Ces
cellules sont encore au stade du laboratoire et présentent déjà de nombreux avan-
tages notoires : une réduction drastique des coûts de fabrication, un faible impact
environnemental et une grande flexibilité d’utilisation. Leur développement à grande
échelle est aujourd’hui freiné par la faible durée de vie des cellules et les faibles ren-
dements qui les rendent difficilement compétitives avec les autres technologies. Les
rendements maximaux actuels sont de l’ordre de 11% pour une cellule et environ

9% pour les modules [1]. Les applications visées sont principalement des usages cou-
vrant de grandes surfaces sur substrats flexibles et également des usages comme
l’électronique grand public, le transport, les panneaux publicitaires et dans le bâti-
ment. Un autre domaine de recherche sur le solaire, plus récent, concerne les cellules
photovoltaïques à base de pérovskites. Il s’agit d’un type de cellule photovoltaïque
qui comprend un élément chimique ayant une structure de pérovskite, le plus sou-
vent un hybride organique-inorganique de plomb ou un halogénure d’étain, dans sa
couche active. C’est une nouvelle technologie pleine de promesses, mais elle se heurte
également à des verrous très importants, comme leur mauvaise résistance à l’eau.
Actuellement le rendement record obtenu en laboratoire est de 19, 7% [16].
Figure 1.6 – Cellule solaire organique [4].
c. Les couches minces à base de matériaux III-V : À côté de toutes ces filières,
on trouve aussi celle des matériaux III-V, très performante. Les semi-conducteurs
III-V sont des matériaux composés d’un ou plusieurs éléments de la colonne III et
de la colonne V du tableau périodique de Mendeleïev, tels que l’arséniure de gal-
lium, arséniure d’indium, nitrure de gallium, antimoniure de gallium ou des alliages
ternaires tels que Inx Ga(1-x) As. Ils présentent généralement une haute mobilité élec-
tronique et une bande interdite directe. Après le Silicium, ce sont les deuxièmes
matériaux Semiconducteurs les plus utilisés dans l’industrie des semiconducteurs.
Les cellules solaires III-V sont essentiellement utilisées pour les systèmes multi jonc-
tion dans le but d’augmenter le rendement de la cellule solaire, en superposition de
multiples cellules ayant des bandes d’énergie interdites différentes permettant ainsi
une absorption plus large du spectre solaire. En effet, comme la composition de l’al-
liage III-V détermine son énergie de bande interdite, on peut donc plus facilement
concevoir une cellule multi jonction avec différentes bandes interdites. La première

1.3. LES CELLULES SOLAIRES À BASE DE MATÉRIAUX PÉROVSKITES Page 14
jonction doit avoir une largeur de bande interdite pour absorber les photons les plus
énergiques (UV) et rester transparente aux autres. La seconde jonction est adaptée
pour les photons moins énergiques et ainsi de suite. Cest une technologie, à ’ori-
gine, utilisée pour des applications spatiales avant le développement aujourd’hui,
des modules photovoltaïques pour les applications terrestres.
1.3 Les cellules solaires à base de matériaux pérovs-

kites
Dans le but de développer des sys-
tèmes photovoltaïques économiques al-
ternatifs aux cellules solaires en sili-
cium, les cellules solaires à base de pé-
rovskite ont suscité ces dernières an-
nées un intérêt considérable. Dans ces
cellules solaires la couche de collecte
de lumière est un matériau pérovskite
présentant des propriétés optoélectro-
niques remarquables. Aujourd’hui l’ef-
ficacité de ces cellules solaires a atteint
des niveaux élevés, dépassant les effi-
cacités de nombreuses cellules photo-
voltaïques commerciales, telles que les
cellules solaires à silicium organique et
amorphe. Ce chapitre, est consacré aux
cellules solaires pérovskites, nous pré-
senterons d’abord les propriétés ma-
térielles, structurelles et optoélectro-
niques de la couche absorbante puis
nous expliquerons le principe de fonc-
tionnement de ces cellules. Enfin, nous Figure 1.7 – Cellule solaire à base de pérovskite [5].
allons présenter les différents matériaux de transport et leurs propriétés et leurs rôles dans
extraction des charges.
1.3.1 Propriétés structurales des pérovskites :

Le terme « pérovskite » désigne à l’origine le minéral naturel CaTiO3 (titanate de
calcium) qui a été découvert pour la première fois en 1839 par le minéralogiste russe
L.A. Perovski. Aujourd’hui la pérovskite est devenue le nom générique des cristaux ABX3
possédant la même structure mère. La formule ABX3 fait références à des structures
tridimensionnelles (3D) de symétrie cubique figure 1.9. Dans cette structure cristalline, le
cation « A » occupe les huit sommets d’un cube entouré par douze anions « X », alors que
le cation « B » se trouve au centre d’un octaèdre formé par six anions X situés aux centres

des faces du cube [6]. Cette famille structurale est importante en termes de diversité
de composition et d’abondance. Les statistiques ont montré que plus de 50% du volume
terrestre est composé de minéraux pérovskites.
Les pérovskites sont divisées en deux
groupes : les pérovskites sous forme d’oxydes qui
sont inorganiques et les pérovskites halogénées
qui peuvent être inorganiques ou inorganiques-
organiques (hybrides) [7].
Dans le cas des oxydes, X représente un atome
d’oxygène O, B est un cation métallique tétra-
valent tels que Ti4+ , Si4+ et Sn4+ , et A représente
un cation divalent tels que Mg2+ , Ca2+ , Sr2+ et
Ba2+
Dans le cas des pérovskites halogénées, X est un Figure 1.8 – Structure d’un cristal de pérovs-
atome d’halogène tel que Cl- , Br- ou I- , B re- kite générique ABX3 [6].
présente un métal ionique divalent tel que Pb2+ , Sn2+ ou Ge2+ [17]. L’élément A peut
représenter un métal alcalin monovalent tels que Li+ , Na+ , K+ , Rb+ ou Cs+ dans le
cas d’une pérovskite halogénée inorganique. L’élément A peut-être aussi une petite molé-
cule organique telles que le Methylammonium (CH3 NH3 I+ = MA) ou le Formamidinium
(HC[NH2 ]2+ =FA) (cas des matériaux hybrides) [18], [19].
Figure 1.9 – classification du système de pérovskite [7].

Les pérovskites hybrides halogénées sont celles qui attirent la plus grande attention dans
le domaine du photovoltaïque depuis quelques années étant donné les hautes performantes
encellules qu’elles ont permis d’atteindre

Figure 1.10 – Représentations schématiques des structures cristallines, (a) de la pérovskite halogénée
inorganique CsPbBr3 (b), de la pérovskite halogénée hybride MAPbBr3 .
1.3.2 Propriétés optoélectroniques :

L’intérêt porté aux oxydes de structure pérovskite ABX3 depuis plus de quatre dé-
cennies, résulte dans la facilité de changer la nature des cations A et B présents dans la
structure. De ce fait cette modification des éléments entraîne un changement des proprié-
tés du matériau laissant ainsi la porte ouverte à toutes sortes de propriétés physiques en
fonction de la nature chimique et électronique des deux atomes A et B [19].
Propriétés optiques
Le pérovskite est un matériau à bande inter-
dite directe et par conséquent, il a une force
d’absorption optique élevée et une plage plus
large pour absorber suffisamment d’énergie so-
laire pour atteindre une valeur élevée d’efficacité
de conversion de puissance [20]. De la figure 1.11
on peut voir qu’à la longueur d’onde visible le
coefficient d’absorption de la pérovskite est plus
élevé. De sorte que la pérovskite peut absorber
plus de photons. Cette grande absorption, com-
parée à celle du silicium cristallin permet de ré-
duire l’épaisseur de la couche pérovskite à en-
viron 500 nm pour une absorption quasi com- Figure 1.11 – Courbe d’absorption des maté-
plète [21]. Les porteurs de charges photo géné- riaux.
rées sont alors plus facilement collectés du fait de la plus faible distance à parcourir.
Propriétés électroniques
Comme pour les propriétés optiques, il est possible de modifier les propriétés électriques
de la pérovskite en changeant sa composition. Concernant la longueur de diffusion, on la
définit comme étant la relation entre le coefficient de diffusion D et le temps de vie des

porteurs τ (équation 1.8) : √

LD = Dτ (1.8)
longueur de diffusion des électrons et des trous est une caractéristique importante dans le
domaine du photovoltaïque puisquelle va entrer en jeu dans le choix de l’épaisseur de la
couche active. Dans le cas du silicium, la longueur de diffusion est de quelques centaines
de micromètres [22]. Pour la pérovskite, les longueurs de diffusion des porteurs sont très
inférieures à celles du silicium. Des longueurs de diffusion de l’ordre de 100 nm pour les
trous et les électrons ont été mesurées par photoluminescence sur une couche de MAPI
d’épaisseur 180 nm, mais jusqu’à 1 m pour des couches minces de MAPI3-x Clx d’épais-
seur 270 nm [19]. Il est donc préférable davoir des couches de pérovskite de l’ordre de la
centaine de nanomètre pour optimiser les propriétés électriques. Expérimentalement, la
mobilité des électrons varie autour de 10 cm2 V-1 s-1 [23], [24]. Celle des trous se situe aux
alentours de 8 cm2 V-1 s-1 [23], [24]. Ces valeurs de mobilités se situent dans le haut de la
gamme des matériaux organiques qui oscillent entre 10−4 et 10 cm2 V-1 s-1 [25], [26]. Cela
s’explique par le fait que les porteurs libres ont de faibles masses effectives (me = 0, 23m0
et mh = 0, 29m0 ) [27].
De plus, les excitons générés après photo-excitation se dissocient en porteurs libres en
seulement 2 pièces grâce à leurs faibles énergies de liaison (aux alentours de 16 meV) [28].
Toutefois, les valeurs de mobilités de la pérovskite restent très éloignées de celles du sili-
cium (1,43.103 cm2 V-1 s-1 pour les électrons et 4,27.102 cm2 V-1 s-1 ) pour les trous [12], [29].
Par ailleurs, comme les valeurs de mobilités des électrons et des trous sont proches, les pé-
rovskites peuvent être utilisées comme transporteurs de trous ou délectrons. Ce caractère
ambipolaire leur donne un avantage dans le domaine du solaire puisquavec ces valeurs de
mobilités assez élevées, il est possible de réaliser des cellules de structure planaire. Pour
les matériaux pérovskite les porteurs ont relativement une bonne mobilité et longueur
de diffusion par rapport aux semi-conducteurs organiques ce qui permet une meilleure
récupération des charges. Le Tableau 1.1 compare les différentes propriétés optiques et
électriques pertinentes pour la conversion photovoltaïque des matériaux les plus commu-
nément utilisés.
1.3.3 Architecture des cellules Pérovskites

Il existe quatre architectures principales utilisées dans la conception et la fabrication de
cellules solaires à base de pérovskite avec des performances différentes. Ces architectures
sont appelées mésoporeux, couche de recouvrement, n-i-p planaire et p-i-n planaire, Pour
la modélisation et la simulation numérique, il sera préférable d’utiliser la configuration
dune cellule solaire à couche mince type p-i-n ou n-i-p planaire à hétérojonction [8].
La Figure 1.12(a) présente une structure mésoporeuse, dans cette architecture une couche
compacte de transport d’électrons (ETL) généralement du TiO2 est déposée sur un sub-
strat de verre et sur l’électrode transparente. Cette structure mésoscopique poreuse est
ensuite remplie de la couche active de pérovskite sur laquelle repose la couche de transport
de trous solides (HTL), et un contact arrière opaque (généralement de l’or (Au)). Dans

Plage de variation
de coefficient Mobilité des
Longueur de
Gap (eV) d’absorption entre porteur
diffusion µm
200 et 700 (cm2 V-1 s-1 )
nm(cm−1 )
MAPI 1.57 104 -5.105 10 0.1
Pérovskite Ajustable 104 -106 Jusqu’à 2000 Jusqu’à 1000
1430(électrons)- 1 à 20(trous)-30
Si 1.1 103 -2.106
427(trous) à 300(électrons)
CIGS 1.1 104 -6.105 < 10 1.5
30 à 50(trous)-
GaAs 1.4 104 -2.106 > 103
10(électrons)
CdTe 1.5 104 -106 10 1.75
−4
Organique 1.4-3.0 104 -105 10 à 10 0.01
Tableau 1.1 – Propriétés physiques des matériaux les plus communs pour le photovoltaïque [12]
cette configuration, la pérovskite na pas besoin de linterface ETL/ pérovskite pour séparer
les excitons photo-générés en charges libres. Le matériau à base de pérovskite est donc ca-
pable de transporter efficacement les charges ambipolaires. Pour larchitecture mésoporeux
à couche de recouvrement, lépaisseur de la structure mésoscopique est réduite de manière
significative et une couche de recouvrement (copping-layer) de pérovskite pure est créé sur
le dessus Figure 1.12(b).
En excluant complètement la structure mésoporeuse, une structure n-i-p planaire se
forme sans nécessité détape de frittage à haute température (Figure 1.12(c)). L’architecture
p-i-n planaire est réalisée en déposant la couche HTL sur le substrat en verre transparent
recouvert par lélectrode. Ensuite, la couche de pérovskite est déposée, suivie du dépôt de
l’ETL et d’un contact arrière opaque (de l’aluminium (Al) ou de l’argent (Ag)) (Figure
1.12(d)).
Figure 1.12 – Les quatre architectures les plus utilisés dans les cellules solaires à pérovskite, (a) méso
poreux, (b) couche de recouvrement, (c) n-i-p planaire et (d) p-i-n planaire [8].

1.3.4 Principe de fonctionnement des cellules solaires pérovs-

kites
Dans une cellule pérovskite la couche active est prise en sandwich entre une couche
de type p, également appelée HTM (Hole Transport Material), et une couche de type n
appelée ETL (Electron Transport Layer), créant ainsi une configuration p-i-n. Le succès de
la pérovskite en tant qu’absorbeur solaire dépend en grande partie de la longue longueur
de diffusion des charges et des mobilités élevées des porteurs dans le milieu.Le principe de
fonctionnement de la cellule solaire à base de pérovskite repose sur labsorption de photons
par la couche active de pérovskite.
L’absorbeur de pérovskite a une faible énergie de liaison à l’exciton qui indique la gé-
nération de porteurs de charge libre lors de l’absorption de photons et se produit en
quelques pico secondes. Ces porteurs de charge libres générés sont ensuite transportés
vers les Contacts d’interface. Pendant le processus de transfert (figure 1.13), le processus
souhaité (flèche marron) se déroule en trois étapes :
— Photo-excitation dans l’absorbeur de pérovskite.
— Transfert d’électrons dans l’ETL.
— Transfert de trous en HTL (ou transfert équivalent d’électrons de HTL en pérovs-
kite).
Toutefois un grand nombre de processus indésirables peuvent survenir (flèche verte). Ces
processus consistent en :
— Une recombinaison des espèces photo-générées.
— Un transfert de charge arrière aux interfaces de HTL et TiO2 avec de la pérovskite.
— Un contact direct entre HTL et TiO2 .
Figure 1.13 – Diagramme de transfert des électrons et les processus de recombinaison dans les cellules
solaires à base de pérovskite.

1.3.5 Extraction de charges

Pour extraire efficacement les charges des cellules solaires à base de pérovskite, il est
nécessaire de sélectionner les bandes des couches de transport d’électrons ETL et de trous
HTL avec des alignements de bande de conduction et de valence favorables avec ceux
de la couche de pérovskite. Les couches de transport d’électrons et de trous (également
appelées couches "bloquantes" ou "sélectives de charge") sont des parties vitales dans la
cellule, leur rôle principal est d’éviter que les ń mauvaises ż charges ne soient collectées au
niveau des électrodes, tout en laissant passer les bonnes. Ceci est réalisé par la sélection
de matériaux avec des niveaux d’énergie appropriés par rapport à ceux de la pérovskite.
Un bon matériau HTL doit avoir sa bande de conduction ou son orbitale moléculaire
inoccupée la plus basse (LUMO) bien au-dessus de celle de la pérovskite. Dans le même
temps, sa bande de valence ou son orbitale moléculaire occupée la plus élevée (HOMO)
doit être juste légèrement au-dessus de la bande de valence de la pérovskite. Le contraire
est requis pour les matériaux ETL comme illustré à la Figure 1.12. Le manque de cette
sélectivité de charge est très nuisible à la cellule. Si, par exemple, un électron atteint le
contact métallique, il se recombine non radiatif avec l’un des nombreux trous présents au
contact. Ce processus entraîne une perte de charges photo générées et par conséquent, il
est hautement indésirable.
Figure 1.14 – Diagramme dalignement des bandes de l’ETL et de l’HTL utilisé dans les cellules solaires
à base de pérovskite [9]

1.3.6 Matériaux de transport dans une cellule solaire a base de

pérovskites
Matériaux de transport délectrons
Pour qu’un matériau soit utilisé comme couche de transport d’électrons dans les cellules
solaires à pérovskite, il doit avoir une mobilité délectrons élevée et une largeur de bande
22 interdite plus élevée [30]. Cest pour ça les matériaux organiques-inorganiques sont
largement utilisés dans les cellules solaires à pérovskite comme matériaux de transport
d’électrons. Avec une mobilité électronique élevée, ils peuvent effectuer efficacement la
transmission d’électrons. On utilise souvent TiO2 , PCBM et ZnO.
Matériaux de transport de trous

L’utilisation d’un matériau de transport de trous (HTM) dans les cellules solaires à
pérovskite est indispensable [31]. Cette couche présente une barrière énergétique physique
entre l’anode et la couche de pérovskite qui bloque le transfert d’électrons à l’anode [32],
elle permet aussi daméliorer lefficacité du transfert de trous [33] et [34]. De plus la présence
d’une couche de HTM a montré une amélioration de la couverture de surface par rapport
à celle d’une couche de pérovskite seule [35].
Pour une extraction efficace des trous à l’interface pérovskite-HTM, la couche HTM doit
avoir :
— Une mobilité élevée des trous pour réduire les pertes pendant le transport des trous
vers le contact collecteur de trous.
— Un potentiel d’ionisation compatible avec celui de la pérovskite (c’est-à- dire le
maximum de bande orbitale (HOMO) doit être légèrement au-dessus de la bande de
valence de la couche pérovskite afin de minimiser les pertes par injection.
— Une stabilité thermique élevée et une forte résistance face aux facteurs de dégrada-
tion externes tels que l’humidité et l’oxygène pour un fonctionnement PV durable à
long terme.
On utilise souvent Iodure de cuivre CuI ,thiocyanate de cuivre CuSCN comme des extrac-
teurs de trous qui est plus stable que Spiro-OMetad le plus intéressant malgré de plus les
dispositifs seront sensibles à la température et à lensoleillement.
Conclusion
Dans ce premier chapitre, nous avons pu expliquer les phénomènes de développement de
l’énergie photovoltaïque, et l’importance quelle aura dans le monde de demain. L’ensemble
des différentes technologies permettant de produire de l’électricité d’origine photovoltaïque
a été exposé. Ensuite, on a présenté les cellules solaires à base de pérovskites ces derniers
possèdent des propriétés optiques et électroniques remarquables. L’examen des propriétés
optoélectroniques des pérovskites nous amène à conclure que c’est un matériau bien adapté
pour les applications photovoltaïques car il est doté d’une bonne absorption optique, ainsi

que d’un gap ajustable. La grande mobilité des charges permet aussi l’utilisation de couches
relativement épaisses, de quelques centaines de nanomètres, qui présentent une bonne
absorption de la lumière solaire.

Chapitre 2
Simulation et optimisation des

cellules solaires à base de matériaux
pérovskites
Introduction
Dans notre travail, on s’intéresse à l’étude de la cellule solaire à base de matériaux
pérovskite hybride CH3 NH3 PbI3-X ClX . Le but visé est de faire maximiser le rendement
de la cellule proposée, on révèle les graphes des paramètres optoélectroniques et on cal-
cul à chaque fois les caractéristiques de densités du courant-tension (J-V). A partir des
caractéristiques (J-V) fournies par SCAPS-1D, on peut déterminer les valeurs optimales
des paramètres photovoltaïques tels que : la densité de courant de court-circuit (Jcc), la
tension de circuit-ouvert (Vco), le facteur de forme (FF) et le rendement (ν). Enfin, le lo-
giciel SCAPS-1D donne comme résultats supplémentaires le rendement quantique externe
(EQE), la densité de courant électrique I(V), la puissance de tension P(V) et les bands
d’énergie. Notre travail prévoit d’étudier linfluence de plusieurs paramètres dans la couche
de CH3 NH3 PbI3 sans Chlore (Cl) et avec Chlore (Cl).
2.1 Logiciels de simulation les plus utilisés

La simulation numérique est une technique permettant d’étudier et d’analyser le com-
portement d’un dispositif réel. Au fil des années, La simulation s’est révélé un outil fiable
et indispensable pour étudier et comprendre les propriétés des cellules solaires, telles que
les propriétés optiques, électriques et mécaniques. Elle contribue également à réduire les
coûts de traitement et le temps consacré à la fabrication des cellules solaires en fournissant
des informations utiles sur la manière de faire varier les paramètres de production pour
améliorer les performances des cellules solaires .
Durant ces dernières années de nombreux simulateurs solaires ont été développés dans
le but de modéliser et de simuler les cellules solaires. On peut citer comme logiciels des
simulations les plus utilisée : AMPS, WXAMPS, PC1D, AFORS-HET, ASA, SILVACO,
23
2.2. OPTIMISATION DE LA CELLULE PÉROVSKITE À BASE DE
CH3 NH3 PbI3-x Clx Page 24
SCAPS
2.1.1 Logiciel SCAPS

SCAPS « Solar Cell Capacitance Simulator one Dimension »est un logiciel de simula-
tion des cellules solaires unidimensionnelles développé à l’Université de Genten Belgique
pour simuler les caractéristiques électriques des dispositifs photoniques tels que les cellules
solaires à couches mince.
En premier temps, SCAPS a été développé pour modéliser des systèmes photovoltaïques
comprenant des semi-conducteurs tels que CuInSe2 et CdTe. Par la suite, Ce logiciel a été
élargi pour dautres cellules telles que les cellules cristallines à base de Si et GaAs et les
cellules amorphes. Ce logiciel permet de simuler des cellules solaires constituées au maxi-
mum de sept couches ayant chacune des propriétés différentes tel-que le profil de dopage,
l’épaisseur, la distribution énergétique des niveaux donneurs ou accepteurs, l’absorption
optique etc. Il calcule aussi, les bandes d’énergies, les concentrations, les courants, les ca-
ractéristiques I-V, les caractéristiques alternatives et la réponse spectrale (QE). Depuis la
version 2.8, SCAPS a été adapté également pour les cellules solaires graduées.
Le logiciel est organisé en plusieurs panneaux dans lesquels l’utilisateur peut définir les
paramètres ou dans lesquels les résultats sont calculés. SCAPS analyse la physique du mo-
dèle en tenant compte des profils de recombinaison, de la distribution du champ électrique,
des mécanismes de transports des porteurs et des densités de courant individuelles.
2.2 Optimisation de la cellule pérovskite à base de

CH3NH3PbI3-xClx
2.2.1 Présentation de la cellule solaire à base de CH3 NH3 PbI3-x Clx
Notre travail consiste à simuler une cellule solaire pérovskite à base de CH3 NH3 PbI3-x Clx .
Nous allons optimiser ses paramètres électriques et géométriques afin de concevoir une cel-
lule ayant un rendement électrique optimal. La structure étudiée est une structure planaire
n-i-p où la couche dabsorbant CH3 NH3 PbI3-x Clx est insérée entre une couche ETM de type
n constituée par loxyde conducteur transparent FTO et une couche HTM de type p. Dans
une cellule solaire pérovskite, la couche HTM joue un rôle important dans l’amélioration
des performances, elle permet de faciliter le transport des trous de la couche pérovskite au
contact arrière. Pour déterminer le matériau HTM qui offre les meilleures performances
de la cellule, On a choisi Spiro-OMeTAD Un contact arrière opaque (généralement de l’or
(Au)).
2.2.2 Structure de la cellule

La figure 2.1 présente la structure de la cellule solaire choisie et le tableau 2.1 suivant
décrit les paramètres de ces matériaux.
CHAPITRE 2. SIMULATION ET OPTIMISATION DES CELLULES SOLAIRES À

BASE DE MATÉRIAUX PÉROVSKITES
Figure 2.1 – Architecture d’une cellule solaire en pérovskite CH3 NH3 PbI3-x Clx [10]

avec une augmentation de concentration de chlore (Cl)
La variation de la concentration du chlore dans la couche absorbante est liée aux para-
mètres structurels par des fonctions bien étudiés comme suit [11] :
Grâce à des calculs ab initio utilisant la fonctionnelle vdW-D2 et la méthode VCA
efficace, les effets de l’addition de Cl sur les propriétés structurelles Électroniques, op-
tiques et la stabilité du matériau des pérovskites mixtes iodure-chlorure MAPb(I1-x Clx )3
ont été systématiquement étudiés. Avec l’augmentation de la teneur en Cl, le réseau cris-
tallin pseudo-cubique se contracte, ce qui entraîne une diminution des paramètres de et
l’augmentation du module de bulk apparent , ce qui indique l’amélioration de la stabi-
lité chimique. Les calculs de structure électronique montrent l’augmentation des bandes
interdites et l’augmentation presque linéaire des masses effectives des porteurs.En résol-

Parameter FTO TiO2 CH3 NH3 PbI3-x Clx SpiroOMeTAD

Band gap, Eg (eV) 3.6 3.26 1.55 3.0
Thickness, t (µm) 0.2 0.05 0.6 (varied) 0.35
Electron affinity,
4 4.26 3.9 2.45
χe (eV)
Relative dielectric
9 10 30 3
permittivity, ϵr
NC effective
2.2 × 1018 2.2 × 1018 2.2 × 1018 2.2 × 1018
density (cm-3 )
ND effective
1.8 × 1019 1.8 × 1019 1.8 × 1019 1.8 × 1019
density (cm-3 )
Electron thermal
1.0 × 107 1.0 × 107 1.0 × 107 1.0 × 107
velocity (cm/s)
Hole thermal
1.0 × 107 1.0 × 107 1.0 × 107 1.0 × 107
velocity (cm/s)
Electron mobility,
20 20 20 2.0 × 10−4
µn (cm2 /Vs)
Hole mobility, µp
10 10 2 2.0 × 10−4
(cm2 /Vs)
Carrier density of
the donor, ND 1.0 × 107 1.0 × 107 1.0 × 107 —-
(cm-3 )
Tableau 2.1 – paramètres des couches utilisés pour simulation des cellules solaires pérovskites [10].
vant l’équation de Bethe-Salpeter avec effet de champ local et en utilisant le modèle de

Mott-Wannier, nous avons trouvé que les constantes diélectriques statiques diminuent li-
néairement , tandis que les énergies de liaison des excitons augmentent quadratiquement
.avec le minimum de 0,054 eV à x=0,071. De plus, cette teneur en Cl de 7% est cohé-
rente avec le point d’inflexion auquel la réaction de décomposition passe d’exothermique
à endothermique, ce qui indique que les meilleures performances peuvent être réalisées à
l’addition de Cl de 7% à MAPbI3 . Ce travail fournit la preuve qu’une petite addition de
Cl à MAPbI3 améliore la stabilité ainsi que l’efficacité du PSC et révèle ainsi de nouvelles
perspectives pour la conception de PSC stables et à haut rendement[11].

avec une augmentation de concentration de chlore (Cl) :
La variation de la concentration du chlore dans la couche absorbante est liée aux para-
mètres structurels par des fonctions bien étudiés comme suit [11] :

Les paramètres de mailles

Le graphe ci-dessous montre la diminution de paramètres de mailles suivant l’augmen-
tation de la teneur de chlore par léquation linéaire :
a(x) = 6.31 − 0.716x(Å) (2.1)
Figure 2.2 – La variation de paramètres de mailles en fonction de la concentration [11].
la permittivité
Le graphe ci-dessous montre la diminution de la permittivité suivant laugmentation de
la teneur de chlore par léquation linéaire :
ϵs(x) = 5.698 − 2.593x (2.2)
Figure 2.3 – La variation de permittivité en fonction de la concentration [11].

Énergie de reliure exciton

Le graphe ci-dessous montre l’augmentation dénergie de liaisons entre les électrons et
les trous suivant laugmentation de la teneur de chlore par l’équation :
Eb(x) = 0.055 − 0.036x + 0.253x2 (eV ) (2.3)
Figure 2.4 – La variation de lénergie de liaison en fonction de la concentration [11].
Module de bulk
Le graphe ci-dessous montre laugmentation de module de bulk proportionnellement
suivant laugmentation de la teneur de chlore par léquation linéaire :
B(x) = 10.627 + 5.492x(GP a) (2.4)
Figure 2.5 – La variation de module de bulk en fonction de la concentration [11].

Énergie de gap
Le graphe ci-dessous montre l’augmentation de l’énergie de bandes interdites suivant
l’augmentation de la teneur de chlore par l’équation quadratique :
Eg = 1.521 + 0.269x + 0.873x2 (2.5)
Figure 2.6 – La variation de lénergie de gap en fonction de la concentration [11].
2.2.5 L’influence d’épaisseur de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx

Le graphe ci-dessous montre la variation de rendement extérieur suivant la longueur
d’onde en différentes épaisseurs de la couche absorbante, ce qui montre que cet paramètre
de sortie performe a chaque augmentation au niveau de l’épaisseur (µm).
Figure 2.7 – La variation du rendement quantique externe en fonction de lambda pour différents
épaisseurs(µm) et Eg=1.55 eV.

On constate que lamplitude de lefficacité quantique externe (EQE) augmente avec laug-
mentation de lépaisseur de la couche absorbante.
En traçant le graphe de paramètres de sorties J(V) par l’augmentation l’énergie de
bandes interdites de 1.4eV jusqu’à 1.9eV (ou la concentration de la couche absorbante), on
aura une perte dans la densité de courant de 8 (mA/cm2) et une augmentation de 0.47V
à la tension de sortie, ce qui est montré dans la figure 2.8.
Figure 2.8 – La variation de la densité J en fonction de V pour plusieurs énergies de gap (eV).
La figure 2.9 montre la variation de la puissance par rapport à la tension de sortie
en variant l’épaisseur de la couche absorbante, la puissance diminue à chaque fois que
l’épaisseur augmente.
Figure 2.9 – La variation de la puissance en fonction de V pour différentes épaisseurs de la couche

absorbante.

En même temps ou l4épaisseur augmente on remarque une diminution dans la tension

de circuit ouvert et un augmentation de la densité de courant de court circuit. Ce qui est
montré dans le graphe de la figue 2.10
Figure 2.10 – La variation de courant de court-circuit Jcc et la tension de circuit ouvert Vco en fonction
de l’épaisseur de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx
Par augmentation de l’épaisseur on a une diminution jusqu’au 0 de la capacité (figure
2.11).
Figure 2.11 – La variation de La capacité pour différentes épaisseurs de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx
T=300K
l’effet de l’épaisseur de la couche absorbante sur le rendement et facteur de forme est
très important car en augmentant l’épaisseur de 0.1 µm jusqu’à 0.5 µm, on remarque
une augmentation très intéressante au rendement jusqu’au saturation, puis il commence a
diminuer. Le facteur de forme diminue linéairement par augmentation de l’épaisseur.(figure
2.12)

Figure 2.12 – La variation de La facteur de forme FF et eta % pour différentes épaisseurs de la couche
CH3 NH3 PbI3-x Clx T=300K
Pour une énergie de gap Eg=1.55eV et T=300K on a les résultats suivants pour unesi-
mulation a différents épaisseurs :
Un résultat optimal est obtenu dans lépaisseur 0.5 µm.
Épaisseurs
Vco (V) Jsc (mA/cm2 ) FF% ETA%
(µm)
0,1 1,2732 11,776 88,88 13,33
0,2 1,2428 17,1735 87,28 18,63
0,3 1,2241 19,862 85,51 20,79
0,4 1,2101 21,3095 83,93 21,65
0,5 1,1991 22,142 82,41 21,88
0,6 1,1898 22,6494 81,05 21,84
0,7 1,1817 22,9736 79,86 21,68
0,8 1,1747 23,189 78,83 21,47
0,9 1,1685 23,337 78,02 21,28
1 1,163 23,4412 77,3 21,07
1,1 1,158 23,516 76,63 20,87
1,2 1,1534 23,57 76,1 20,69
Tableau 2.2 – Propriétés physiques des matériaux les plus communs pour le photovoltaïque [26]

Figure 2.13 – Les résultats de différents épaisseurs
D’après ce tableau 2.2 et la figure 2.13, on peut avoir un meilleur résultât pour épais-
seur d=0.5µm ; T=300K ; Eg=1.55eV Voc =1.1991V ; Jsc =22.142 mA/cm2 ; FF=82.41% ;
eta=21.88%.
2.2.6 L’influence de la température de la couche CH3 NH3 PbI3-x Clx :

La température ne faut pas qu’elle dépasse 350K car elle influent négativement sur
le rendement de la cellule mais cette dernière n’est pas importante dans la variation de
courant de court circuit.(figure 2.14).
Figure 2.14 – Les résultats de différents épaisseurs

Conclusion
Dans ce chapitre, les performances optimales de la cellule solaire à base de pérovskite
mixte ont été déterminées par des simulations à laide du logiciel Scaps. Les résultats de
simulationo nt clairement montré que les épaisseurs des couches absorbantes de la cellule
et lesp aramètres de (épaisseur, température et la concentration de dopage) jouent un
rôle trèsimportant dans les performances de la cellule solaire. Les résultats de simulation
prévoient un rendement de conversion optimal de lordre de 21.88%.

Conclusion générale
Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la modélisation des performances des
cellules solaires à base de pérovskite. Ces études ont été réalisées dans des simulations
à l’aide du logiciel SCAPS-1D. Pour ce faire, afin de faciliter le processus de simulation,
nous avons d’abord présenté les différentes techniques de cellules PV, leurs principes de
fonctionnement et leur structure. Ensuite, les caractéristiques structurelles, optiques et
électriques des cellules de pérovskite, ainsi que leurs principes de fonctionnement sont
présentées.
Ensuite, nous avons étudié les performances des cellules pérovskites en fonction de
l’épaisseur de couche des cellules pérovskites et nous avons fait des simulations, analyse et
exploitation de la structures de CH3 NH3 PbI3-X ClX dans le but d’étudier et d’optimiser les
propriétés électriques de cellules solaires en matériau pérovskite. Les résultats de simula-
tion sont clairement basés sur les changements d’épaisseur et d’énergie de gap de la couche
absorbante de la cellule pérovskite (CH3 NH3 PbI3-X ClX )). Dans ce cas, cette optimisation
affecte la forme de la cellule. Lors de la simulation d’une cellule solaire en pérovskite, de
bons résultats ont été obtenus à (T = 300 K, Eg = 1,55 eV et d = 0.5 m). Voc = 1,1991
(V) ; Jsc = 22,142 (mA/cm2) ; FF = 82.41 (%) ; eta = 21,88 (%). Daprès ces résultats et
le journal ńJournal of Power Sources ż on conclus qu’une petite addition du Chlore (Cl)
à MAPbI3 améliore la stabilité du matériau ainsi que les propriétés de récupération de la
lumière et de conduction des porteurs des pérovskites, Cependant, le mécanisme d’amé-
lioration des performances de la pérovskite par l’ajoute de Chlore (Cl) n’est toujours pas
clair, par contre l’épaisseur de la couche absorbante gère le rendement de la cellule.
35
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38

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1 Généralités sur le photovoltaïque et présentation des cellules solaires à

2 Simulation et optimisation des cellules solaires à base de matériaux pé-

1.1 Déﬁnition du nombre d’air masse (AM) et spectre d’émission du rayonne-

PCE Power Conversion Eﬃciency

Généralités sur le photovoltaïque et

1.1 Le gisement solaire

L’expression de ce coeﬃcient est :

1.1.1 Historique du photovoltaïque

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.1.2 Principe de la conversion photovoltaïque

1.2 Cellules photovoltaïques

1.2.2 Principe de fonctionnement des cellules photovoltaïques

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.2.3 Les paramètres de la cellule solaire

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

matériaux de la couche active et de léclairement de la cellule. La tension de circuit

— Facteur de forme FF : il détermine la qualité électrique de la cellule, il est déter-

Figure 1.4 – Caractéristiques courant-tension de la cellule solaire [3].

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.2.4 De la cellule au module :

1.2.5 Les ﬁlières photovoltaïques :

Les ﬁlières à base de silicium cristallin :

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

Figure 1.5 – Évolution en laboratoire du rendement des cellules photovoltaïques [3].

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

Les couches minces

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

Figure 1.6 – Cellule solaire organique [4].

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.3 Les cellules solaires à base de matériaux pérovs-

1.3.1 Propriétés structurales des pérovskites :

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

Figure 1.9 – classiﬁcation du système de pérovskite [7].

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.3.2 Propriétés optoélectroniques :

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

porteurs τ (équation 1.8) : √

1.3.3 Architecture des cellules Pérovskites

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.3.4 Principe de fonctionnement des cellules solaires pérovs-

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.3.5 Extraction de charges

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

1.3.6 Matériaux de transport dans une cellule solaire a base de

Matériaux de transport de trous

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

CHAPITRE 1. GÉNÉRALITÉS SUR LE PHOTOVOLTAÏQUE ET PRÉSENTATION

Simulation et optimisation des

2.1 Logiciels de simulation les plus utilisés

2.1.1 Logiciel SCAPS

2.2 Optimisation de la cellule pérovskite à base de

2.2.2 Structure de la cellule