PHY4368-TD Série 1

Université de Yaoundé I
Faculté des Sciences, Département de Physique

UE : PHY4368 ; Filière : PHYSIQUE ; Niveau : M1, Parcours : SMA
Fiche de TD Série 1 : Matériaux pour la conversion de l’énergie
Définition :
 Effet photovoltaïque, Hétérojonction, Homojonction, Effet thermoélectrique, Couple thermoélectrique ou

thermocouple, Effet Peltier, Effet Seebeck, Effet Thomson, Dopage.
 Décrire l’effet Staebler-Wronski dans le silicium amorphe.
Exercice 1 :
A crystalline silicon solar cell generates a photo-current density of Jph = 35 mA/cm2. The wafer is doped
with 1017 acceptor atoms per cubic centimetre and the emitter layer is formed with a uniform concentration
of 1019 donors per cubic centimetre. The minority-carrier diffusion length in the p-type region and n-type
region is 500 × 10−6 m and 10 × 10−6 m, respectively. Further, the intrinsic carrier concentration in silicon
at 300 K is 1.5 × 1010 cm−3, the mobility of electrons in the p-type region is μn = 1000 cm2.V−1.s−1 and holes
in the n-type region is μp = 100 cm2.V−1.s−1. Assume that the solar cell behaves as an ideal diode. Calculate :
1. the built-in voltage,
2. the open circuit voltage
3. the conversion efficiency of the cell.
Exercice 2 :
1. Silicon wafers can be made p-doped by diffusing boron into the wafer. Imagine that boron is diffused into
a wafer with no previous boron in it at a temperature of 1,100°C for five hours. The diffusion can be described
by Fick’s law. If the concentration of boron at the surface is 1018 cm−3, calculate the depth below the surface
at which the boron concentration is 1017 cm−3. The boron diffusion flux is J = 3 × 109 cm−2s−1 and the diffusion
coefficient for boron diffusing in silicon at 1,100°C is D = 1.5 × 10−12 cm2s−1.
2. During the manufacture of a CIGS device, the metal back contact is deposited first, while in the case of the
CdTe solar cells, the back contact is deposited in the last processing step. What are the configurations of both
cells?
3. What are the demonstrated advantages of CdTe technologies for solar cells? And What are the known
disadvantages of CdTe materials used in solar cells?
4. A First Solar module FS-380 has the following specifications: Area A = 0.72 m2, nominal power Pnom = 80.0
W, Voc = 61.7 V, Isc = 1.76 A, VMPP = 50.7 V, IMPP = 1.58 A. What is the efficiency of this module under STC?
5. Décrire le processus de la conversion PV dans le DSSC la figure 1.
Figure 1
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6. Comparer le processus de conversion PV dans la cellule solaire à base de Si et dans la cellule DSSC.
7. La formabilité de la structure pérovskite 3D peut être estimée par le facteur de tolérance de Goldschmidt (t)
et un facteur octaédrique (µ). En prenant MAPbI3, les rayons de MA+ = 180 pm, Pb2+ = 119 pm, I− = 220 pm,
calculer pour cette structure pérovskite:
a) le facteur t
b) le facteur µ
Exercice 3 :
1. Lord Kelvin a démontré que le couplage entre le courant
électronique et le courant thermique est totalement réversible,
montrer qu’on arrive à une relation directe entre les
coefficients Seebeck et Peltier.
2. A partir du concept de la boite noire de la figure 2, pour
montrer la conservation de l'énergie, donner les équations de
la thermoélectricité de cette boite.
3. Montrer que la puissance électrique maximale (Pe,max) des
thermoélectriques, lorsqu'ils sont utilisés dans des applications Figure 2: Boite noire (générateur
de générateur, est : d'électricité)
max 1A 2
Pout   S 2  T 
4 l
4. Montrer que l'efficacité de conversion (η) des thermoélectriques, lorsqu'ils sont utilisés dans des applications
de générateur, ainsi que le coefficient de performance (COP), lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de
réfrigérateurs, sont liés à la figure du mérite (ZT) par les relations suivantes :
Tf
1  ZT  1 1  ZT 
max  Carnot TC
T ; COPmax  Carnot
1  ZT  f 1  ZT  1
TC
Exercice 4 :
1. Calculer les rendements thermodynamiques des réactions du tableau ci-dessous.

2. Décrivez, à partir de la figure 3 ci-dessous, l’influence de toutes les contributions de la polarisation
globale sur les performances d’une pile à combustible.
Figure 3

3. Donner les demi-réactions les plus courantes des électrodes et l’équation bilan :
a) des DMFCs
b) de la pile à combustible à l’éthanol (direct) [DEFC]
4. La figure 4 ci-contre donne la chaleur ou enthalpie de

réaction pour la formation d’eau à partir de l’hydrogène et
de l’oxygène. Calculer :
a) l’enthalpie de vaporisation de l’eau.
b) le potentiel standard dans chaque cas.
A.N. : énergie libre de Gibbs
ΔG0 = -237,2 kJ mol-1 pour l’eau formée à l’état liquide
ΔG0 = -228,6 kJ mol-1 pour l’eau formée à l’état gazeux
Figure 4
Exercice 5 :
La figure 5 ci-dessous montre le schéma d'un élément Peltier, utilisant deux semiconducteurs N et P
parcourus par un courant. La plaque supérieure, refroidie à la température Tf, reçoit une puissance
thermique Qf de son environnement, alors que la plaque inférieure, réchauffée à la température Tc cède une
puissance thermique Qc au milieu environnant.
Figure 5 : Schéma d'un

élément Peltier
1. Appliquez le premier principe et le second principe à cet élément.

2. Pour un petit réfrigérateur de voiture, on s'impose Tf =10 °C, Qf =50 W, Tc =30 °C, u=12 V.
Quelle est l'intensité électrique minimale consommée ?

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4. La figure 4 ci-contre donne la chaleur ou enthalpie de

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1. Appliquez le premier principe et le second principe à cet élément.

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