Travaux Diriges D'electronique de Composants Bon

Travaux Dirigés d’Electronique des
Composants
Préparé par :
Dr MATANGA Jacques
Enseignant ENSPD
Année académique 2020/2021
PREFACE
Ce document des travaux dirigés de la matière électronique des Composants est à l’intention des
étudiants de troisième année licence, domaine Réseaux et Télécommunications l’Ecole Nationale
Supérieure Polytechnique de l’Université de.
Il comporte plusieurs TD réparties en chapitre :

TD 1 : Régime continu et Théorèmes fondamentaux.
TD 2 : Quadripôles passifs.
TD 3 : Diodes.
TD 4 : Transistors bipolaires.
TD 5 : Les amplificateurs opérationnels.
TD 6 ; composant optoélectronique.
Le document est globalement divisé en trois parties.

La première partie présente des rappels de cours. La deuxième partie comporte les énoncés des six
TD. La troisième partie donne la correction détaillée de chaque TD.
Sommaire
SOMMAIRE
Régime continu et Théorèmes fondamentaux - Rappels de cours -..…………………….….……1

Quadripôles passifs - Rappels de cours -…….…………………………….………….….......…..5
Diodes - Rappels de cours -…….…………………………….………….….......……………....10
Transistors bipolaires - Rappels de cours -…..…………………………….………….….....…..14
Les amplificateurs opérationnels - Rappels de cours -……………………………..…….…...…20
TD 1 : Régime continu et Théorèmes fondamentaux ……...…………………………….…...…24
TD2 : Quadripôles passifs ……………………...…………………………….………….…........26
TD3 : Diodes …………………...…………………………………………………….………….29
TD4 : Transistors bipolaires ……………………………………………………………...…......32
TD 5 : Les amplificateurs opérationnels……………………………………...…………….…....36
Corrigé TD1..……….…………………………………………………………………….....…...40
Corrigé TD2..……….……………………………………………………………………......…..50
Corrigé TD3..………….…………………………………………………………………......…..63
Corrigé TD4..……….……………………………………………………………………......…..79
Corrigé TD5..………………………………………………………………………………...…..98
Références………...…………………………………………………………………..……...…114
Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page ii

Régime continu et Théorèmes fondamentaux Rappels de cours
Régime continu et Théorèmes fondamentaux

Rappels de cours
1. DÉFINITIONS
 Réseau électrique (circuit électrique) : ensemble de composants interconnectés
constituant un circuit fermé.
 Dipôle : élément électrique accessible par deux bornes dans lequel peut circuler un
courant électrique.
 Branche : ensemble de dipôles reliés en série.
 Nœud : point commun à au moins trois branches.
 Maille : ensemble de branches formant un contour fermé dans lequel chaque nœud n'est
rencontré qu'une fois.
2. LOIS DE KIRCHHOFF
 Loi des nœuds
La somme algébrique de tous les courants en un nœud est nulle. Autrement dit, la somme
des courants entrants dans un nœud est égale à la somme des courants sortants de ce nœud.
 Loi des mailles

La somme algébrique des tensions le long d’une maille comptabilisées dans un sens
donné est nulle à tout instant.
3. THÉORÈMES FONDAMENTAUX
3.1. Diviseur de tension
Soit n résistances placées en série et alimentées par une tension E.
La tension aux bornes de la i-ième résistance 𝑅𝑖 s'écrit :

𝑅𝑖
𝑉𝑖 = 𝑛 𝐸
𝑗 =1 𝑅𝑗
Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 1

3.2. Diviseur de courant

Soit n résistances placées en parallèle et alimentées par un courant I.
Le courant 𝐼𝑖 traversant la i-ième résistance 𝑅𝑖 s'écrit :

1
𝑅𝑖
𝐼𝑖 = 𝐼
𝑛 1
𝑗 =1 𝑅
𝑗
3.3. Théorème de superposition

Soit un circuit électrique comportant plusieurs sources indépendantes. Le courant
traversant une branche, ou la tension aux bornes d'un élément de ce circuit, est égale à la somme
algébrique des courants (des tensions) calculées en ne considérant qu'une source à la fois (Les
autres sources sont passivées : Sources de tension court-circuitées et sources de courant
enlevées).
3.4. Théorème de Thévenin

Un circuit électrique linéaire placé entre deux points A et B, peut être remplacé vis-à-vis
ces points par un générateur équivalent de Thévenin de force électromotrice ETH et de résistance
interne RTH.
 ETH est égale à la tension à vide entre A et B (tension VAB lorsque la charge est débranchée).
 RTH est la résistance équivalente vue entre A et B, lorsque la charge est débranchée et les
sources sont passivées.

3.5. Théorème de Norton

Un circuit électrique linéaire placé entre deux points A et B, peut être remplacé vis-à-vis
ces points par un générateur de Norton équivalent de courant IN et de résistance interne RN.
 IN est égale au courant de court-circuit entre A et B (courant lorsque la charge est court-
circuitée).
 RN s’obtient de la même façon que RTH.
 Equivalence entre Thévenin et Norton
3.6. Théorème de Millman

Soit un circuit électrique comportant n branches en parallèle, comprenant chacune une
source de tension parfaite en série avec un élément linéaire.
La tension 𝑉𝑚 s'écrit :
𝑛 𝐸𝑗
𝑛 𝑗 =1 𝑍
𝑗 =1 𝐸𝑗 𝑌𝑗 𝑗
𝑉𝑚 = 𝑛 =
𝑗 =1 𝑌𝑗 𝑛 1
𝑗 =1 𝑍
𝑗

3.7. Théorème de Kennelly

Ce théorème permet de passer d'une configuration triangle à une configuration étoile et
réciproquement.
Conversion triangle-étoile
𝑍𝐴𝐵 𝑍𝐴𝐶
𝑍𝐴 =
𝑍𝐴𝐵 + 𝑍𝐴𝐶 + 𝑍𝐵𝐶
𝑍𝐴𝐵 𝑍𝐵𝐶
𝑍𝐵 =
𝑍𝐴𝐶 𝑍𝐵𝐶
𝑍𝐶 =
Conversion étoile-triangle
𝑍𝐴 𝑍𝐵 + 𝑍𝐴 𝑍𝐶 + 𝑍𝐵 𝑍𝐶
𝑍𝐴𝐵 =
𝑍𝐶
𝑍𝐴𝐶 =
𝑍𝐵
𝑍𝐵𝐶 =
𝑍𝐴

Quadripôles passifs Rappels de cours
Quadripôles passifs
Rappels de cours
1. DEFINITION
Un quadripôle est un circuit qui possède deux bornes d’entrée et deux bornes de sorties.
Le quadripôle est dit passif quand il n’est composé que d’éléments passifs.
2. MATRICES D’UN QUADRIPOLE

Il existe six combinaisons possibles pour exprimer deux quelconques grandeurs en
fonction des deux autres.
2.1. Matrice impédance 𝒁

𝑉1 = 𝑍11 𝐼1 + 𝑍12 𝐼2
𝑉2 = 𝑍21 𝐼1 + 𝑍22 𝐼2
Ce qui s’écrit en utilisant la notation matricielle :
𝑉1 𝑍 𝑍12 𝐼1 𝑉 𝐼
= 11 → 1 = 𝑍 1
𝑉2 𝑍21 𝑍22 𝐼2 𝑉2 𝐼2
Les coefficients de la matrice 𝑍 se définissent comme suit :
𝑉1
𝑍11 = : Impédance d’entrée, sortie ouverte.
𝐼1 𝐼 =0
2
𝑉2
𝑍21 = : Impédance de transfert direct, sortie ouverte.
𝐼1 𝐼 =0
2
𝑉1
𝑍12 = : Impédance de transfert inverse, entrée ouverte.
𝐼2 𝐼 =0
1
𝑉2
𝑍22 = : Impédance de sortie, entrée ouverte.
𝐼2 𝐼 =0
1
2.2. Matrice admittance 𝒀

𝐼1 = 𝑌11 𝑉1 + 𝑌12 𝑉2
𝐼2 = 𝑌21 𝑉1 + 𝑌22 𝑉2
𝐼1 𝑌 𝑌12 𝑉1 𝐼 𝑉
Soit: = 11 → 1 = 𝑌 1
𝐼2 𝑌21 𝑌22 𝑉2 𝐼2 𝑉2
Nous obtenons donc: 𝑌 = 𝑍 −1

1.2. Matrice hybride 𝒉

𝑉1 = 𝑕11 𝐼1 + 𝑕12 𝑉2
𝐼2 = 𝑕21 𝐼1 + 𝑕22 𝑉2
𝑉1 𝑕 𝑕12 𝐼1 𝑉 𝐼
Soit: = 11 → 1 = 𝑕 1
𝐼2 𝑕21 𝑕22 𝑉2 𝐼2 𝑉2
1.2. Matrice hybride 𝒈

𝐼1 = 𝑔11 𝑉1 + 𝑔12 𝐼2
𝑉2 = 𝑔21 𝑉1 + 𝑔22 𝐼2
𝐼1 𝑔11 𝑔12 𝑉1 𝐼1 𝑉1
Soit: = 𝑔 𝑔22 𝐼2 → 𝑉2 = 𝑔 𝐼2
𝑉2 21
1.2. Matrices de transfert (matrices chaîne)

Deux cas se présentent :
 Cas 1:
𝑉1 = 𝑇11 𝑉2 − 𝑇12 𝐼2
𝐼1 = 𝑇21 𝑉2 − 𝑇22 𝐼2
𝑉1 𝑇 𝑇12 𝑉2 𝑉 𝑉
Soit: = 11 → 1 = 𝑇 2
𝐼1 𝑇21 𝑇22 𝐼2 𝐼1 𝐼2
 Cas 2:
𝑉2 = 𝑇′11 𝑉1 − 𝑇′12 𝐼1
𝐼2 = 𝑇′21 𝑉1 − 𝑇′22 𝐼1
𝑉2 𝑇′11 𝑇′12 𝑉1 𝑉 𝑉
Soit: = → 2 = 𝑇′ 1
𝐼2 𝑇′21 𝑇′22 𝐼1 𝐼2 𝐼1
3. ASSOCIATION DE QUADRIPOLES
3.1. Association en série de deux quadripôles
Quadripôle Q équivalent : 𝑍 = 𝑍1 + 𝑍2
Dr MATANGA Jacques, ENSPD Page 6

3.2. Association en parallèle de deux quadripôles
Quadripôle Q équivalent : 𝑌 = 𝑌1 + 𝑌2
3.3. Association en cascade de deux quadripôles
Quadripôle Q équivalent : 𝑇 = 𝑇1 × 𝑇2 ; 𝑇′ = 𝑇′1 × 𝑇′2 .
4. PARAMETRES CARACTERISTIQUES D’UN QUADRIPOLE EN

CHARGE
Considérons un quadripôle linéaire excité par un générateur de résistance interne Rg et
chargé par une impédance ZL.
Gain en tension (𝑨𝒗 ) :
𝑉2
𝐴𝑣 =
𝑉1
Gain composite en tension (𝑨𝒗𝒄 ) :
𝑉2
𝐴𝑣𝑐 =
𝑒𝑔

Gain en courant (𝑨𝒊 ) :

𝐼2
𝐴𝑖 =
𝐼1
Impédance d’entrée (Ze) :
𝑉1
𝑍𝑒 =
𝐼1
Impédance de sortie (𝒁𝒔 ) :

𝑉2
𝑍𝑠 =
𝐼2 𝑒𝑔 =0,𝑍𝐿 𝑑 é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
5. APPLICATION DES QUADRIPOLES PASSIFS A L’ADAPTATION

D’IMPEDANCE
On peut adapter la charge à la source par l’insertion d’un quadripôle passif, entre la
charge et la source, à condition qu’il soit calculé convenablement.
6. FILTRES PASSIFS
Un filtre est un quadripôle linéaire, qui ne laisse passer que les signaux compris dans un
domaine de fréquence limité, appelé la bande passante du filtre.
Fonction de transfert :
𝑉𝑠 (𝑗𝜔)
𝑇 𝑗𝜔 =
𝑉𝑒 (𝑗𝜔)
où 𝜔 = 2𝜋𝑓 est la pulsation des signaux et f leur fréquence.

Module de 𝑇 𝑗𝜔 :
𝑉𝑠 (𝑗𝜔)
𝑇 𝑗𝜔 =
𝑉𝑒 (𝑗𝜔)
Argument de 𝑇 𝑗𝜔 :
𝜑 𝜔 = arg 𝑉𝑠 𝑗𝜔 − arg(𝑉𝑒 (𝑗𝜔) )

Gain en décibel (dB) :
𝐺𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇 𝑗𝜔
Diagrammes de Bode :
On appelle diagrammes de Bode, les représentations du gain 𝐺𝑑𝐵 et de la phase 𝜑 en
fonction de la fréquence (ou de la pulsation). Les fréquences peuvent varier dans de grandes
proportions, on adopte généralement des unités en 𝑙𝑜𝑔𝑓 (ou 𝑙𝑜𝑔𝜔) en abscisses.
Types de filtres :
On distingue quatre types de filtres : passe-bas, passe-haut, passe-bande, coupe-bande.
𝐺𝑑𝐵 𝐺𝑑𝐵
𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥 𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥
𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝐵 𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝐵
𝑓 𝑓
𝑓𝑐 𝑓𝑐
Filtre passe-bas Filtre haut-bas
𝐺𝑑𝐵 𝐺𝑑𝐵
𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥 𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥
𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝐵 𝐺𝑑𝐵𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝐵
𝑓 𝑓
𝑓𝑐𝐵 𝑓𝑐𝐻 𝑓𝑐𝐵 𝑓𝑐𝐻
Filtre passe-bande Filtre coupe-bande
𝑓𝑐 : Fréquence de coupure.
𝑓𝑐𝐵 : Fréquence de coupure basse.
𝑓𝑐𝐻 : Fréquence de coupure haute.

Diodes Rappels de cours
Diodes
Rappels de cours
1. DIODE
1.1. Présentation
La diode à jonction PN est constituée par la juxtaposition de deux régions de types
différents (N et P) d’un même semi-conducteur.
Symbole :
Caractéristique 𝑰𝑫 𝑽𝑫 :
La diode à jonction PN est un composant non linéaire (sa caractéristique 𝐼𝐷 𝑉𝐷 n'est pas
une droite) :
𝐼𝐷
𝑉𝐷
𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 : Tension de seuil de la diode.

Silicium : 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 = 0.6𝑉 à 0.7𝑉
Germanium : 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 = 0.2𝑉 à 0.3𝑉
Applications :
Redressement, écrêtage, multiplicateur de tension…

1.2. Modélisation de la diode à jonction PN

Il existe différents modèles d’une diode suivant le niveau d’approximation souhaité.
a) Modèle idéal 𝐼𝐷
𝑉𝐷
𝑉𝐷 > 0 D passante
𝑉𝐷 < 0 D bloquée
𝐼𝐷
b) Modèle avec seuil
𝑉𝐷
𝑉𝐷 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D passante
𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D bloquée
c) Modèle avec seuil et résistance

𝐼𝐷
1
Pente :𝑟
𝑑
𝑉𝐷
𝑉𝐷 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D passante
𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D bloquée

2. DIODE ZENER
2.1. Présentation
Une diode Zener est une diode à jonction spécialement conçue pour être utilisée en
polarisation inverse dans la zone de claquage.
Symbole :
Caractéristique 𝑰𝑫𝒛 𝑽𝑫𝒛 :

La diode Zener est un composant non linéaire ayant la caractéristique 𝐼𝐷𝑧 𝑉𝐷𝑧 suivante :
𝐼𝐷𝑧
−𝑉𝑧 𝑉𝐷𝑧
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛
Stabilisation
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑧 : Tension Zener de la diode.

𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 : Courant minimal au dessous de laquelle la tension n'est plus stabilisée.
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 : Courant maximal supporté par la diode Zener.
Application principale:
Pour une tension 𝑉𝐷𝑧 > 𝑉𝑧 , la diode Zener est conductrice et la tension à ses bornes est
pratiquement constante est égale à 𝑉𝑧 . Cette caractéristique permet de l’utiliser comme
stabilisateur de tension.

2.2. Modélisation de la diode Zener

En polarisation directe :
- La diode Zener se comporte comme une diode à jonction conventionnelle.
En polarisation inverse :
- Modèle idéal :
𝐼𝐷𝑧
−𝑉𝑧
𝑉𝐷𝑧
𝑉𝐷𝑧 > 𝑉𝑧 DZ passante
𝑉𝐷𝑧 < 𝑉𝑧 DZ bloquée
- Modèle avec tension Zener et résistance

𝐼𝐷𝑧
−𝑉𝑧
𝑉𝐷𝑧
1
Pente :𝑟
𝑧
𝑉𝐷𝑧 > 𝑉𝑧 DZ passante
𝑉𝐷𝑧 < 𝑉𝑧 DZ bloquée

Transistors bipolaires Rappels de cours
Transistors bipolaires
Rappels de cours
1. PRESENTATION
Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semi-conductrices différemment
dopées: Emetteur, Base, et Collecteur. On distingue deux types de transistors bipolaires NPN et
PNP.
Transistor NPN Transistor PNP
2. MODES DE FONCTIONNEMENT D’UN TRANSISTOR

BIPOLAIRE ET RELATIONS FONDAMENTALES
𝐼𝐶
𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕
𝛼
𝐼𝐵
𝑰𝑩𝒔𝒂𝒕,𝒎𝒊𝒏
𝛽 = 𝑡𝑔𝛼
Etat bloqué Etat linéaire Etat saturé
Etat linéaire :
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝛽 : Gain en courant.
- Les dispersions de 𝛽 sont grandes (pour le transistor 2N2222: 50 ≤ 𝛽 ≤ 300).
- 𝛽 dépend de la température.

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝛽 ≫→ 𝐼𝐶 ≫ 𝐼𝐵 → 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐶
Silicium : 𝑉𝐵𝐸 = 0.6𝑉 à 0.7𝑉
Germanium : 𝑉𝐵𝐸 = 0.2𝑉 à 0.3𝑉
Etat bloqué :
𝑉𝐵𝐸 < 0.6𝑉 (Silicium)
- En pratique, il est préférable de prendre 𝑉𝐵𝐸 < 0.
𝐼𝐵 = 0 , 𝐼𝐶 = 0, 𝐼𝐸 = 0
Etat saturé :
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑐𝑠𝑡
𝐼𝐶 ≠ 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐶 < 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 = ; 𝛽𝑚𝑖𝑛 < 𝛽 < 𝛽𝑚𝑎𝑥
𝛽𝑚𝑖𝑛
VCE = VCEsat → VCEsat = 0.1V à 0.4V
Pour garantir la saturation du transistor, on applique généralement à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un
coefficient de sursaturation 𝑘 :
𝐼𝐵 = 𝑘. 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛
Valeur courante : 𝑘 = 2
3. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME DE COMMUTATION

En commutation le transistor bipolaire commute entre l’état bloqué et l’état saturé et se
comporte comme un interrupteur.
4. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME D’AMPLIFICATION

Pour fonctionner en amplification, on doit superposer deux régimes de fonctionnement :
régime statique (continu), et régime dynamique (sinusoïdal) linéaire. Les grandeurs alternatives
sinusoïdales sont découplées des grandeurs continues par des condensateurs.

Fig (*). Exemple d’un amplificateur à base du transistor bipolaire
4.1. Etude statique et étude dynamique

La façon la plus simple d’étudier un amplificateur à transistors est de scinder l’étude en
deux parties : étude statique et étude dynamique.
 Etude statique
Pour l’étude en régime statique :
- On remplace les générateurs alternatifs par des courts-circuits.
- Les condensateurs présentent une impédance infinie (On remplace les condensateurs par des
circuits-ouverts).
Schéma équivalent du montage de la figure (*) en régime statique :
 Etude dynamique
Pour l’étude en régime dynamique :
- On remplace les générateurs continus par des courts-circuits.
- Les condensateurs sont choisis de façon que leurs impédances soient négligeables à la
fréquence de fonctionnement (On remplace les condensateurs par des courts-circuits).

Cas du montage de la figure (*) :
4.2. Les trois types de montages amplificateurs à transistor bipolaire

 Montage émetteur commun : Entrée sur la base et sortie sur le collecteur (Ex : montage
de la figure (*)).
 Montage collecteur commun : Entrée sur la base et sortie sur l’émetteur.
 Montage base commune : Entrée sur l’émetteur et sortie sur le collecteur.
4.3. Schémas équivalents petits signaux du transistor bipolaire, paramètres hybrides
Montage émetteur commun :
1
𝑟 = ℎ11 𝛽 = ℎ21 𝜌=ℎ
22
- On peut remplacer 𝛽𝑖𝑏 par 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 .

Cas de 𝜌 → ∞ :
Montage collecteur commun :
Montage base commune :
4.4. Schéma équivalent d’un circuit amplificateur à transistor dans le domaine des petits
signaux aux fréquences moyennes
Pour établir ce schéma, il suffit de remplacer le transistor par son schéma équivalent lors
de l’étude dynamique.

Schéma équivalent du montage de la figure (*) dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes :
4.5. Schéma équivalent d’un amplificateur comprenant AV0, Re, et Rs
Re : Résistance d’entrée. Rs : Résistance de sortie. AV0 : Gain en tension à vide.
4. AMPLIFICATEUR A DEUX ETAGES

Il est conseillé de commencer l’étude de cet amplificateur par le deuxième étage puisque
la charge du premier étage dépend de l’impédance d’entrée du deuxième.
 Gain en tension (𝑨𝒗 )

𝐴𝑣 = 𝐴𝑣2 × 𝐴𝑣1
𝐴𝑣2 : Gain en tension du deuxième étage.
𝐴𝑣1 : Gain en tension du premier étage en présence du deuxième étage. Pour calculer 𝐴𝑣1 , on
remplace le deuxième étage par son impédance d’entrée.
 Impédance d’entrée (𝒁𝒆 )
Pour calculer 𝑍𝑒 on remplace le deuxième étage par son impédance d’entrée.
 Impédance de sortie (𝒁𝒔 )
Pour calculer 𝑍𝑠 on remplace le premier étage par son impédance de sortie.

Les amplificateurs opérationnels Rappels de cours
Les amplificateurs opérationnels

Rappels de cours
1. PRESENTATION
Un amplificateur opérationnel est un circuit intégré. Il a été initialement conçu pour
effectuer des opérations mathématiques comme: l’addition, la soustraction, l’intégration, la
dérivation, ...etc. Par la suite, il est devenu un composant de base utilisé dans de nombreux
domaines de l’électronique.
Structure interne :
L’amplificateur opérationnel est constitué essentiellement de trois étages :
Etage Etage Amplificateur

différentiel amplificateur de sortie
𝑉− 𝑣𝑠
𝑉+
Symbole :
L’amplificateur opérationnel comporte généralement :
- deux entrées (inverseuse (-) et non-inverseuse (+)) ;
- une seule sortie ;
- deux broches d'alimentations +𝑉𝑐𝑐 et −𝑉𝑐𝑐 .
L’alimentation, bien qu'indispensable, ne figure pas, en général, sur les schémas.

Brochage :
Voici le schéma de brochage le plus rencontré :
Broche n°1 : Réglage offset

Broche n°2 : Entrée (-)
Broche n°3 : Entrée (+)
Broche n°4 : −𝑉𝑐𝑐
Broche n°5 : Réglage offset
Broche n°6: Sortie
Broche n°7: +𝑉𝑐𝑐
Broche n°8 : Non connectée
𝒗𝒔 = 𝒇 𝑽+, 𝑽− :
𝑉+ + 𝑉−
𝑣𝑠 = 𝐴𝑑 𝑉 + − 𝑉 − + 𝐴𝑚𝑐
2
𝐴𝑚𝑐 : Gain en mode commun.

𝐴𝑑 : Gain différentielle (en boucle ouverte).
On cherche à obtenir 𝐴𝑚𝑐 très faible devant 𝐴𝑑 . On mesure la qualité d’un amplificateur
opérationnel par le taux de réjection en mode commun (TRMC, ou CMRR pour Common-Mode
Rejection Ratio) :
𝐴𝑑
𝑇𝑅𝑀𝐶(𝑑𝐵) = 20log( )
𝐴𝑚𝑐
Schéma équivalent :
𝑍𝑒𝑑 : Impédance d’entrée différentielle.

𝑍𝑒𝑚𝑐 : Impédance d'entrée en mode commun.
𝜀 = 𝑉 + − 𝑉 −.

Caractéristique de transfert :
𝑉𝑠
+𝑉𝑐𝑐
+𝑉𝑠𝑎𝑡
Régime saturé
Régime linéaire
𝜀
En présence d’une tension d’offset
Régime saturé
−𝑉𝑠𝑎𝑡
−𝑉𝑐𝑐
2. AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL IDEAL

Un amplificateur opérationnel idéal est caractérisé par:
- Des impédances d'entrée infinies (𝑍𝑒𝑑 = ∞, 𝑍𝑒𝑚𝑐 = ∞), ce qui implique → 𝑖 + = 𝑖 − = 0.
- Une impédance de sortie nulle (𝑍𝑠 = 0).
- Un gain en mode commun nulle (𝐴𝑚𝑐 = 0).
- Un gain différentielle infinie (𝐴𝑑 = ∞), et indépendant de la fréquence.
- Une tension d’offset nulle.
Caractéristique de transfert idéal :

𝑉𝑠
+𝑉𝑐𝑐
−𝑉𝑐𝑐

3. REGIMES DE FONCTIONNEMENT DE L'AMPLIFICATEUR

OPERATIONNEL
Régime linéaire :
On a un fonctionnement en régime linéaire si −𝑉𝑠𝑎𝑡 < 𝑣𝑠 < +𝑉𝑠𝑎𝑡 . Ceci n’est possible
que pour 𝜀 → 0. Pour maintenir 𝜀 très proche de 0 et engendrer un fonctionnement linéaire, on a
forcément besoin d'une contre-réaction négative (liaison par composant ou un simple fil entre la
sortie 𝑣𝑠 et l'entrée 𝑉 − de l’amplificateur opérationnel).
Règles pour les amplificateurs opérationnels idéaux en régime linéaire :

1- 𝜀 = 0 → 𝑉 + = 𝑉 −
2- 𝑖 + = 𝑖 − = 0
Régime non linéaire (mode comparateur):

Si on utilise l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte (sans contre réaction) ou avec
une réaction positive (liaison par composant ou un simple fil entre la sortie 𝑣𝑠 et l'entrée 𝑉 + de
l’amplificateur opérationnel), il fonctionne en régime non linéaire (régime de saturation). Dans
ce cas, la sortie ne peut prendre que deux valeurs : +𝑉𝑠𝑎𝑡 ou −𝑉𝑠𝑎𝑡 .
+𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ +𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + > 𝑉 −

𝑣𝑠 =
−𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ −𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + < 𝑉 −

Electronique des Composants: TD1 Régime continu et Théorèmes fondamentaux
TD1 : Régime continu et Théorèmes fondamentaux

Exercice 1:
Soit le circuit suivant :
 Indiquer le nombre de nœuds, le nombre de branches et le nombre de mailles.
Exercice 2:
Soit le circuit suivant. On donne : 𝐸1 = 4 𝑉, 𝐸2 = 24 𝑉, 𝑅1 = 16 𝑘Ω, 𝑅2 = 4 𝑘Ω, 𝑅3 = 6 𝑘Ω.
 Calculer l’intensité du courant dans la branche AB en appliquant :

Les lois de Kirchhoff
Le théorème de Millman
Le théorème de superposition
Exercice 3:
En utilisant le théorème de superposition, donner l'expression du courant 𝐼1 .

Electronique des Composants : TD1 Régime continu et Théorèmes fondamentaux
Exercice 4:
Donner l'expression du courant passant dans la résistance 𝑅5 du circuit suivant en appliquant :
Le théorème de Thévenin
Le théorème de Norton
Exercice 5:
Pour les deux circuits suivants, donner le schéma de Thévenin équivalent entre les points A et B.
Exercice 6:
Donner l'expression du courant circulant dans la charge 𝑅𝐿 du circuit suivant en utilisant le
théorème de Thévenin.

Electronique des Composants : TD2 Quadripôles passifs
TD2 : Quadripôles passifs

Exercice 1:
Soit le quadripôle en T suivant. 𝑅1 = 5 Ω, 𝑅2 = 15 Ω, 𝑅3 = 10 Ω.
1. Déterminer les paramètres de la matrice impédance [Z] de ce quadripôle en utilisant :

 Les définitions de ces paramètres.
 La loi des mailles.
2. Connaissant la matrice [Z], déterminer la matrice [Y].
Exercice 2:
Soit le quadripôle en π suivant.
1. Déterminer les paramètres de la matrice admittance [Y].

2. Déterminer les paramètres de la matrice hybride [h].
3. Déterminer les expressions du gain en courant et de la résistance d’entrée lorsque le
quadripôle est fermé sur une résistance 𝑅𝐿 .
4. Déterminer l’expression de la résistance de sortie lorsque le quadripôle est alimenté par
un générateur de résistance interne 𝑅𝑔 .
Exercice 3:
Soient les quadripôles Q1 et Q2 suivants :
1. Déterminer la matrice de transfert [T] de chaque quadripôle.

Electronique des Composants : TD2 Quadripôles passifs
2. En déduire les matrices de transferts des quadripôles Q3, Q4 et Q3:
Exercice 4:
I. Soit une charge 𝑅𝐿 connectée à un générateur sinusoïdal 𝑒 𝑡 d’amplitude 𝐸 et de résistance
interne 𝑅𝑔 .
I.1. Déterminer l’expression de la puissance 𝑃 fournie à la charge 𝑅𝐿 par ce générateur en

fonction de 𝐸, 𝑅𝑔 et 𝑅𝐿 .
I.2. Pour quelle valeur de 𝑅𝐿 , 𝑃 est-elle maximale ? Que vaut alors 𝑃𝑚𝑎𝑥 ?
II. Dans le cas étudié ici, 𝑅𝐿 est très inférieur à 𝑅𝑔 . Afin d’optimiser le transfert d’énergie entre
le générateur et la charge, on intercale un quadripôle d’adaptation d’impédance constitué d’une
1
capacité (𝑍𝐶 = 𝑗𝐶𝜔 = 𝑗𝑋𝐶 ) et d’une self (𝑍𝐿 = 𝑗𝐿𝜔 = 𝑗𝑋𝐿 ).
II.1. Exprimer l’impédance d’entrée 𝑍𝑒 du quadripôle adaptateur chargé par la résistance 𝑅𝐿

en fonction de 𝑋𝐶 , 𝑋𝐿 et 𝑅𝐿 .

Electronique des Composants: TD2 Quadripôles passifs
II.2. A quoi doit être égale 𝑍𝑒 pour que la puissance transmise par le générateur au
quadripôle chargé par 𝑅𝐿 soit maximale ?
II.3. Donner finalement les expressions de 𝑋𝐶 et 𝑋𝐿 en fonction de 𝑅𝑔 et 𝑅𝐿 pour avoir une
adaptation d’impédance.
Exercice 5:
Soit le filtre suivant :
1. Donner l’expression de la fonction de transfert 𝑇 𝑗𝜔 = 𝑣𝑠 /𝑣𝑒 .

𝑇0
2. Mettre 𝑇 𝑗𝜔 sous la forme 𝜔 . Donner la valeur de 𝑇0 et l’expression de 𝜔0 .
1+𝑗
𝜔0
3. Quel est le type et l’ordre de ce filtre?

4. Exprimer la fréquence de coupure 𝑓𝑐 en fonction de 𝑅 et 𝐶.
5. Tracer les courbes de gain et de phase dans le plan de Bode.
Exercice 6:
Soit le filtre suivant :
1. Donner l’expression de la fonction de transfert 𝐻 𝑗𝜔 = 𝑣𝑠 /𝑣𝑒 .

𝜔
𝐻0 𝑗
𝜔0
2. Mettre 𝐻 𝑗𝜔 sous la forme 𝜔 . Donner la valeur de 𝐻0 et l’expression de 𝜔0 .
1+𝑗
𝜔0
3. Quel est le type et l’ordre de ce filtre?

4. Exprimer la fréquence de coupure 𝑓𝑐 en fonction de 𝑅 et 𝐶.

Electronique des Composants : TD3 Diodes
TD3 : Diodes
Exercice 1 :
Soit le circuit suivant. 𝑅 = 1 𝐾Ω, 𝑉𝑒 𝑡 = 5 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡.
 Donner la caractéristique 𝐼𝐷 𝑉𝐷 de la diode, analyser le fonctionnement du circuit, et tracer

les graphes des tensions 𝑉𝑠 et 𝑉𝐷 en fonction du temps, pour les trois cas suivant :
a) D est une diode idéale.
b) D présente une résistance directe nulle, une résistance inverse infinie, et une tension de
seuil 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 = 0,6 𝑉 .
c) D est une diode au silicium de résistance directe 20Ω et résistance inverse infinie.
Exercice 2 :
Soit les montages a et b. D est une diode idéale. 𝑉𝑒 𝑡 = 28 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡, 𝐸 = 5 𝑉, 𝑅1 = 300 Ω,
𝑅2 = 100 Ω.
 Analyser le fonctionnement des montages et tracer les graphes de 𝑉𝑠1 et 𝑉𝑠2 en fonction
du temps.

Exercice 3 :
Soit le montage suivant. Les diodes sont supposées idéales. 𝑉𝑒 = 15 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 . 𝐸1 = 10 𝑉 et
𝐸2 = 5 𝑉.
 Analyser le fonctionnement du montage et tracer le graphe de la tension 𝑉𝑠 en fonction

du temps.
Exercice 4 :
𝑉𝑒 est une tension sinusoïdale de valeur maximale 𝑉𝑒𝑚𝑎𝑥 . La diode est supposée idéale. à
l’instant 𝑡 = 0, le condensateur 𝐶 est totalement déchargé.

du temps.
Exercice 5 :
Dz est une diode Zener au silicium de résistance interne 𝑅𝑍 négligée et de 𝑉𝑍 = 3 𝑉. 𝑉𝑒 est un
signal carré d’amplitude +5V / -5V.

du temps.

Exercice 6 :
Soit le montage suivant. La diode Dz est supposée idéale, sa tension Zener est égale à 6.2 𝑉 et sa
puissance maximale est de 1.3 𝑊. 𝑅𝑠 = 100 Ω.
1. Calculer le courant max qui peut traverser la diode.

2. On fixe 𝑅𝐿 = 100 Ω. Déterminer la plage de variation de 𝐸 permettant d’obtenir une
tension 𝑉𝑠 stabilisée ?
3. Pour les deux cas suivants, déterminer la plage de variation de 𝑅𝐿 permettant
d’obtenir une tension 𝑉𝑠 stabilisée ?
a) 𝐸 = 24 𝑉.
b) 𝐸 = 30 𝑉.

Electronique des Composants : TD4 Transistors bipolaires
TD4 : Transistors bipolaires

Exercice 1 :
Soit les montages de polarisation d'un transistor représentés ci-dessous. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉,
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω, 𝑅𝐵 = 220 𝑘Ω , 𝑅𝐸 = 110 Ω.
1. Pour chacun des trois montages, calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 puis pour 𝛽 = 300.
2. Quel est le montage le moins sensible aux variations de 𝛽 ?
Exercice 2 :
La figure ci-dessous représente un circuit de polarisation du transistor NPN par deux résistances
de base. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐵1 = 6.8 𝑘Ω , 𝑅𝐵2 = 2.2 𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 3 𝑘Ω
et 𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω.
1. Faire la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son

équivalent de Thévenin et calculer 𝐸𝑡ℎ et 𝑅𝑡ℎ .
2. Calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 et 𝛽 = 300. Conclure.

Exercice 3 :
Soit le montage ci-dessous. 𝑉𝐸 est un signal rectangulaire périodique d’amplitude 0/+5V. On
donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω , et 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 100.
1. Calculer la valeur maximale de 𝑅𝐵 (𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 ) qui permet de saturer le transistor lorsque
𝑉𝐸 = 5 𝑉.
2. Pour garantir la saturation du transistor, on applique à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un coefficient de
sursaturation 𝑘 = 2. En déduire la valeur de 𝑅𝐵 dans ce cas. Choisir une valeur
normalisée pour 𝑅𝐵 parmi les valeurs de la série 𝐸24.
IC
RC
RB C
IB B VCC
VE E
Exercice 4 :
On considère le montage ci-dessous : 𝜌 → ∞
I. Etude statique
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. On néglige 𝐼𝐵 devant 𝐼𝐶 . Donner l’équation de la droite de charge statique. Tracer cette
droite.
II. Etude dynamique
1. De quel montage s’agit-il ? Justifier.
2. Donner le schéma équivalent de ce montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
3. Déterminer l’expression du gain en tension (𝐴𝑣 ). En déduire l’expression du gain en
tension à vide (𝐴𝑣0 ).
4. Déterminer les expressions de la résistance d’entrée (𝑅𝑒 ) et la résistance de sortie (𝑅𝑠 ) du
montage.
5. Donner un schéma équivalent du montage comprenant 𝐴𝑣0 , 𝑅𝑒 , et 𝑅𝑠 .
6. En utilisant le schéma de la question 5 :
a) Déterminer l’expression de 𝑣𝑒 en fonction de 𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 et 𝑅𝑒 . On cherche à minimiser
l’influence de 𝑅𝑔 sur 𝑣𝑠 , quelle condition doit satisfaire 𝑅𝑒 ?
b) Déterminer l’expression du gain en courant (𝐴𝑖 ) en fonction de 𝑅𝑒 , 𝑅𝐿 et 𝐴𝑣 .
7. On enlève le condensateur 𝐶𝐸 :
a) Donner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
b) Déterminer le gain en tension 𝐴𝑣2 ainsi que les impédances d’entrée 𝑅𝑒2 et de sortie
𝑅𝑠2 .
c) Conclure.
Exercice 5 :
On considère l’amplificateur de la figure suivante. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉, et
𝛽 = 300.
I. Etude statique
On désire avoir un point de fonctionnement : (𝑉𝐶𝐸0 = 6 𝑉, 𝐼𝐶0 = 3 𝑚𝐴).
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. Calculer les valeurs des résistances 𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .
II. Etude dynamique

1. De quel montage s’agit-il ? Justifier.
2. Donner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
3. Déterminer l’expression du gain en tension 𝐴𝑣 .
4. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage vue par le générateur
(𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 ).
5. Déterminer l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage vue par la résistance 𝑅𝐿 .
Exercice 6 :
Considérons le montage amplificateur suivant. Les condensateurs se comportent comme
des courts-circuits à la fréquence de travail considérée.
1. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations du montage.

2. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒2 de l’étage T2 ainsi que son gain en
tension 𝐴𝑣2 .
3. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒1 de l’étage T1 ainsi que son gain en
tension 𝐴𝑣1 .
4. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage complet ainsi que son gain
en tension 𝐴𝑣 .
5. Donner l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠1 de l’étage T1.
6. Donner l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage complet.

Electronique des Composants : TD5 Les amplificateurs opérationnels
TD5 : Les amplificateurs opérationnels

Exercice 1 :
Pour les différents montages ci-dessous, donner l’expression de la sortie 𝑣𝑠 en fonction de 𝑣𝑒 (𝑣1
et 𝑣2 ) et le type de montage (l’amplificateur opérationnel est supposé idéal).

Exercice 2 :
Soit le montage suivant. L’amplificateur opérationnel est supposé idéal. On donne :
𝑅1 = 1 𝑘Ω, 𝑅2 = 4,7 𝑘Ω, 𝑅3 = 11 𝑘Ω, 𝑅4 = 1 𝑘Ω.
1. Calculer le gain en tension 𝐴𝑣 de ce montage.

2. Comparer le gain obtenu ici au gain du montage inverseur classique.
Exercice 3 :
On considère le circuit ci-dessous Les amplificateurs opérationnels sont considérés idéaux.
1. Donner l’expression de la tension de sortie 𝑉𝑠 en fonction de 𝑉1 et 𝑉2 .

2. Déduire la fonction réalisée par ce circuit.

Exercice 4 :
Soit le filtre actif suivant. L’amplificateur opérationnel est supposé idéal.
1. Donner l’expression de la fonction de transfert 𝑇 𝑗𝜔 en fonction de 𝑅1 , 𝑅2 , 𝑅, 𝐶 et 𝜔.

𝑇0
2. Mettre 𝑇 𝑗𝜔 sous la forme 𝑇 𝑗𝜔 = 𝜔 . Donner la valeur de 𝑇0 , l’expression de la
1+𝑗
𝜔𝑐
pulsation de coupure 𝜔𝑐 , puis l’expression de la fréquence de coupure 𝑓𝑐 .

3. Exprimer le module et l'argument de 𝑇 𝑗𝜔 en fonction de 𝑇0 , 𝑓 et 𝑓𝑐 .
Exercice 5 :
On considère les montages ci-dessous. Les amplificateurs opérationnels sont considérés idéaux.
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉. 𝑣𝑒 = 10𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡. La diode Zener est supposée idéale avec 𝑉𝑍 = 6.8 𝑉.
Montage 1 Montage 2
Pour les deux montages :

1. Indiquer le régime de fonctionnement de l'amplificateur opérationnel. Justifier.
2. Etablir l'expression de la tension de sortie.
3. Tracer la caractéristique de transfert du circuit, 𝑣𝑠 = 𝑓(𝑣𝑒 ).

4. Tracer sur un même graphe 𝑣𝑒 , 𝑉 − et 𝑣𝑠 en fonction du temps.

5. Déduire la fonction réalisée par ce circuit.
Exercice 6 :
Soit le montage suivant. Les amplificateurs opérationnels sont considérés idéaux. Les diodes
Zener sont supposées idéales avec 𝑉𝑧1 = 𝑉𝑧2 = 3 𝑉. 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉. 𝑣𝑒 = 12𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡.
1. Indiquer le régime de fonctionnement des amplificateurs opérationnels. Justifier.

2. Donner les expressions des tensions 𝑣𝑠1 et 𝑣𝑠2 .
3. Tracer 𝑣𝑠1 et 𝑣𝑠2 en fonction de 𝑣𝑒 sur un même graphe.
4. Quelle fonction peut-on réaliser avec ce montage ? Expliquer.

Electronique des Composants Corrigé TD1
Corrigé TD1
Exercice 1:
Nombre de nœuds : 4 (A, B, C, D).

Nombre de branches : 6 (AC, AB, BC, AD, DC, BD).
Nombre de mailles : 7 (ACA, ABDA, BDCB, ACBDA, ABDCA, ABCDA, ADCA).
Exercice 2:
𝐸1 = 4 𝑉, 𝐸2 = 24 𝑉, 𝑅1 = 16 𝑘Ω, 𝑅2 = 4 𝑘Ω, 𝑅3 = 6 𝑘Ω.

Intensité du courant dans la branche AB ?
a) Lois de Kirchhoff
𝐼3 + 𝐼1 = 𝐼2 (nœud B)
𝐸1 − 𝑅1 𝐼1 + 𝑅3 𝐼3 = 0 (maille 1)
𝐸2 − 𝑅3 𝐼3 − 𝑅2 𝐼2 = 0 (maille 2)
𝐼3 + 𝐼1 = 𝐼2 (1)
4 − 16. 103 𝐼1 + 6. 103 𝐼3 = 0 (2)
24 − 6. 103 𝐼3 − 4. 103 𝐼2 = 0 (3)
Après résolution, on obtient :
𝐼3 = 2 𝑚𝐴

b) Théorème de Millman
𝐸1 𝐸2 0 𝐸1 𝐸2
𝑅1 − 𝑅2 + 𝑅3 𝑅1 − 𝑅2
𝑉𝐵𝐴 = → 𝑉𝐵𝐴 =
1 1 1 1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
A.N :
4 24
3 −
𝑉𝐵𝐴 = 16. 10 4. 103 → 𝑉𝐴𝐵 = −12 𝑉
1 1 1
+ +
16. 103 4. 103 6. 103
𝑉𝐵𝐴
𝑉𝐵𝐴 = −𝑅3 𝐼3 → 𝐼3 = −
𝑅3
A.N:
𝐼3 = 2 𝑚𝐴
c) Théorème de superposition
𝐼3 = 𝐼3′ (𝐸2 = 0) + 𝐼3′′ (𝐸1 = 0)

𝐸 = 0 : On remplace la source de tension par un court-circuit.
𝐼3′ ?
En appliquant le diviseur de courant :
𝑅2 4
𝐼3′ = − 𝐼1′ → 𝐼3′ = − 𝐼1′
𝑅2 + 𝑅3 10
𝐸1
𝐼1′ = → 𝐼1′ = 0.217 𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2 ⫽ 𝑅3

4
𝐼3′ = − 0.217 𝑚𝐴 → 𝐼3′ = −0.087 𝑚𝐴
10
𝐼3′′ ?
𝑅1 16 ′′
𝐼3′′ = 𝐼2′′ → 𝐼3′′ = 𝐼
𝑅1 + 𝑅3 22 2
𝐸2
𝐼2′′ = → 𝐼2′′ = 2.87 𝑚𝐴
𝑅2 + 𝑅1 ⫽ 𝑅3
16
𝐼3′′ = 2.87 𝑚𝐴 → 𝐼3′′ = 2.087 𝑚𝐴
22
𝐼3 = 𝐼3′ + 𝐼3′′ → 𝐼 = 2 𝑚𝐴
Exercice 3:
Expression du courant 𝐼1 en utilisant le théorème de superposition?

𝐼1 = 𝐼1′ 𝐽 = 0 + 𝐼1′′ 𝐸 = 0
𝐼1′ ?
𝐽 = 0 : On remplace la source de courant par un circuit ouvert.
En appliquant le diviseur de courant:

𝑅2
𝐼1′ = 𝐼
𝑅1 + 𝑅2 𝑡𝑜𝑡

𝐸
𝐼𝑡𝑜𝑡 =
𝑅𝑖 + 𝑅1 ⫽ 𝑅2
On obtient :
𝑅2 𝐸
𝐼2′ =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅𝑖 + 𝑅1 ⫽ 𝑅2
𝐼1′′ ?
𝐸 = 0 : On remplace la source de tension par un court-circuit.

1
𝑅1
𝐼1′′ = 𝐽
1 1 1
+ +
𝑅𝑖 𝑅1 𝑅2
𝐼1 ?
1
𝑅 2 𝐸 𝑅1
𝐼1 = 𝐼1′ + 𝐼1′′ → 𝐼1 = + 𝐽
𝑅1 + 𝑅2 𝑅𝑖 + 𝑅1 ⫽ 𝑅2 1 1 1
+ +
𝑅𝑖 𝑅1 𝑅2
Exercice 4:

 Expression du courant passant dans la résistance 𝑅5 en appliquant le théorème de Thévenin :

𝐸𝑇ℎ :
En appliquant le diviseur de tension :

𝑅3 + 𝑅6
𝐸𝑇ℎ = 𝑈
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅6 4
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅6 ⫽ 𝑅4
𝑈4 = 𝐸
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅6 ⫽ 𝑅4 + 𝑅1
𝑅3 + 𝑅6 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅6 ⫽ 𝑅4
𝐸𝑇ℎ = 𝐸
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅6 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅6 ⫽ 𝑅4 + 𝑅1 4
𝑅𝑡ℎ :
𝑅𝑇ℎ = 𝑅2 + 𝑅1 ⫽ 𝑅4 ⫽ 𝑅3 + 𝑅6
𝐼5 ?

𝐸𝑇ℎ
𝐼5 =
𝑅𝑇ℎ + 𝑅5
 Expression du courant passant dans la résistance 𝑅5 en appliquant le théorème de Norton :

𝐼𝑁 :
Méthode 1 :

𝑅4
𝐼𝑁 = 𝐼
𝑅4 + 𝑅2 𝑡𝑜𝑡
𝐸
𝐼𝑡𝑜𝑡 =
𝑅1 + 𝑅2 ⫽ 𝑅4
𝑅4 𝐸
𝐼𝑁 =
𝑅4 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 ⫽ 𝑅4
Méthode 2 :
𝐸𝑇ℎ
𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ . 𝐼𝑁 → 𝐼𝑁 =
𝑅𝑇ℎ
𝑅𝑁 :
𝑅𝑁 = 𝑅𝑡ℎ → 𝑅𝑁 = 𝑅2 + 𝑅1 ⫽ 𝑅4 ⫽ 𝑅3 + 𝑅6
𝐼5 ?

𝑅𝑁
𝐼5 = 𝐼
𝑅𝑁 + 𝑅5 𝑁

Exercice 5:
Schémas de Thévenin équivalents entre les points A et B.
1) Circuit 1:
1.1) 𝐸𝑇ℎ :
En appliquant le diviseur de tension:

En A :
𝑅2
𝑉𝐴 = 𝐸
𝑅1 + 𝑅2
En B :
𝑅4
𝑉𝐵 = 𝐸
𝑅3 + 𝑅4
𝑅2 𝑅3 − 𝑅1 𝑅4
𝐸𝑇ℎ = 𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 = 𝐸
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4
1.2) 𝑅𝑡ℎ :
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ⫽ 𝑅2 + 𝑅3 ⫽ 𝑅4

2) Circuit 2:
2.1) 𝐸𝑇ℎ :

1
𝑅1 + 𝑅2
𝐼12 = 𝐼
1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4
1
𝑅3 + 𝑅4
𝐼34 = 𝐼
1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4
𝐸𝑇ℎ = 𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 → 𝐸𝑡ℎ = 𝑅2 𝐼12 − 𝑅4 𝐼34
1 1
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4
𝐸𝑇ℎ = 𝑅2 𝐼 − 𝑅4
1 1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4
𝑅2 𝑅3 − 𝑅1 𝑅4
𝐸𝑇ℎ = 𝐼
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4

2.2) 𝑅𝑇ℎ :
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 + 𝑅3 ⫽ 𝑅2 + 𝑅4
Exercice 6:
Expression du courant circulant dans la charge 𝑅𝐿 en utilisant le théorème de Thévenin :
𝐸𝑡ℎ :
𝐸𝑡ℎ = 𝐸3 − 𝑅3 𝐼

𝐸3 + 𝐸2 − 𝐸1
𝐼=
𝑅3 + 𝑅2 + 𝑅1
𝐸3 + 𝐸2 − 𝐸1
𝐸𝑡ℎ = 𝐸3 − 𝑅3
𝑅3 + 𝑅2 + 𝑅1
𝑅𝑡ℎ :
𝑅𝑡ℎ = 𝑅1 + 𝑅2 ⫽ 𝑅3
𝐼𝐿 ?
𝐸𝑡ℎ
𝐼𝐿 =
𝑅𝑡ℎ + 𝑅𝐿

Corrigé TD2
Exercice 1:
𝑅1 = 5 Ω, 𝑅2 = 15 Ω, 𝑅3 = 10 Ω.
1. Détermination des paramètres de la matrice impédance [Z] du quadripôle en utilisant leurs

définitions :
𝑉1 = 𝑍11 𝐼1 + 𝑍12 𝐼2
𝑉2 = 𝑍21 𝐼1 + 𝑍22 𝐼2
- Détermination de 𝑍11 et 𝑍21 :
𝐼2 = 0 : Sortie en circuit ouvert.
𝑉1
𝑍11 =
𝐼1 𝐼2 =0
𝑉1 − 𝑅1 𝐼1 − 𝑅2 𝐼1 = 0 → 𝑉1 = 𝑅1 + 𝑅2 𝐼1 → 𝑍11 = 𝑅1 + 𝑅2
𝑉2
𝑍21 =
𝐼1 𝐼2 =0
𝑉2 − 𝑅2 𝐼1 = 0 → 𝑉2 = 𝑅2 𝐼1 → 𝑍11 = 𝑅2
- Détermination de 𝑍12 et 𝑍22 :
- 𝐼1 = 0 : Entrée en circuit ouvert.

𝑉1
𝑍12 =
𝐼2 𝐼1 =0
𝑉1 − 𝑅2 𝐼2 = 0 → 𝑉1 = 𝑅2 𝐼2 → 𝑍11 = 𝑅2
𝑉2
𝑍22 =
𝐼2 𝐼1 =0
𝑉2 − 𝑅3 𝐼2 − 𝑅2 𝐼2 = 0 → 𝑉2 = 𝑅3 + 𝑅2 𝐼2 → 𝑍22 = 𝑅3 + 𝑅2
𝑍11 𝑍12 𝑅 + 𝑅2 𝑅2
𝑍 = → 𝑍 = 1
𝑍21 𝑍22 𝑅2 𝑅3 + 𝑅2
 Paramètres de la matrice impédance [Z] du quadripôle en utilisant la loi des mailles :
𝑉1 − 𝑅1 𝐼1 − 𝑅2 𝐼1 + 𝐼2 = 0 (maille 1)
𝑉2 − 𝑅3 𝐼2 − 𝑅2 𝐼1 + 𝐼2 = 0 (maille 2)
𝑉1 = 𝑅1 𝐼1 + 𝑅2 𝐼1 + 𝐼2 𝑉 = 𝑅1 + 𝑅2 𝐼1 + 𝑅2 𝐼2
→ 1
𝑉2 = 𝑅3 𝐼2 + 𝑅2 𝐼1 + 𝐼2 𝑉2 = 𝑅2 𝐼1 + 𝑅3 + 𝑅2 𝐼2
𝑉1 = 𝑍11 𝐼1 + 𝑍12 𝐼2 𝑍 𝑍12 𝑅 + 𝑅2 𝑅2

𝑒𝑡 𝑍 = 11 → 𝑍 = 1
𝑉2 = 𝑍21 𝐼1 + 𝑍22 𝐼2 𝑍21 𝑍22 𝑅2 𝑅3 + 𝑅2
A.N :
𝑅1 = 5 Ω, 𝑅2 = 15 Ω, 𝑅3 = 10 Ω.
20 15
𝑍 =
15 25
2. Matrice [Y], connaissant la matrice [Z] :
𝑍22 −𝑍12 25 −15

𝑌 = ∆𝑍 ∆𝑍 , ∆𝑍 = 𝑍 𝑍 − 𝑍 𝑍 → 𝑌 = 275 275
−𝑍21 𝑍11 11 22 21 12
−15 20
∆𝑍 ∆𝑍 275 275

1 −3
𝑌 = 11 55
−3 4
55 55
Exercice 2:
1. Paramètres de la matrice admittance [Y] :

𝐼1 = 𝑌11 𝑉1 + 𝑌12 𝑉2
𝐼2 = 𝑌21 𝑉1 + 𝑌22 𝑉2
𝐼1 = 𝐼 + 𝐼′ (nœud A) 𝐼 = 𝐼 + 𝐼′
→ 1
𝐼 + 𝐼2 = 𝐼′′ (nœud B) 𝐼2 = 𝐼 ′′ − 𝐼
𝑉1 − 𝑉2
𝐼=
𝑅2
𝑉1 − 𝑉2 𝑉1 1 1 1
𝐼1 = + 𝐼1 = + 𝑉1 − 𝑉2
𝑅2 𝑅1 𝑅1 𝑅2 𝑅2
→
𝑉2 𝑉1 − 𝑉2 1 1 1
𝐼2 = − 𝐼2 = − 𝑉1 + + 𝑉
𝑅3 𝑅2 𝑅2 𝑅3 𝑅2 2
1 1 1
+ −
𝐼1 = 𝑌11 𝑉1 + 𝑌12 𝑉2 𝑌 𝑌12 𝑅 𝑅2 𝑅2
𝑒𝑡 𝑌 = 11 → 𝑌 = 1
𝐼2 = 𝑌21 𝑉1 + 𝑌22 𝑉2 𝑌21 𝑌22 1 1 1
− +
𝑅2 𝑅3 𝑅2
2. Paramètres de la matrice hybride [h] :
𝑉1 = 𝑕11 𝐼1 + 𝑕12 𝑉2
𝐼2 = 𝑕21 𝐼1 + 𝑕22 𝑉2

𝐼1 = 𝐼 + 𝐼′ (nœud A)
𝐼 + 𝐼2 = 𝐼′′ (nœud B)
𝑉1 − 𝑉2
𝑉1 = 𝑅1 𝐼1 − 𝐼 𝑉1 = 𝑅1 𝐼1 −
𝑉1 = 𝑅1 𝐼′ 𝑅2
′′ → 𝑉2 𝑉1 − 𝑉2 → →
𝐼2 = 𝐼 − 𝐼 𝐼2 = − 1 1 1
𝑅3 𝑅2 𝐼2 = − 𝑉1 + + 𝑉
𝑅2 𝑅3 𝑅2 2
𝑅1 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1
𝑉1 = 𝑅1 𝐼1 − 𝑉1 − 𝑉2 𝑉1 = 𝑅1 𝐼1 + 𝑉2
𝑅2 𝑅2 𝑅2
→ →
1 𝑅2 + 𝑅3 1 𝑅2 + 𝑅3
𝐼2 = − 𝑉1 + 𝑉 𝐼2 = − 𝑉1 + 𝑉
𝑅2 𝑅3 𝑅2 2 𝑅2 𝑅3 𝑅2 2
𝑅2 𝑅1 𝑅1
𝑉1 = 𝐼1 + 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 2
→
1 𝑅2 𝑅1 𝑅1 𝑅2 + 𝑅3
𝐼2 = − 𝐼 + 𝑉 + 𝑉
𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 1 𝑅1 + 𝑅2 2 𝑅3 𝑅2 2
𝑅2 𝑅1 𝑅1
𝑉1 = 𝐼1 + 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 2
→
𝑅1 −𝑅1 𝑅2 + 𝑅3
𝐼2 = − 𝐼 + + 𝑉2
𝑅1 + 𝑅2 1 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 𝑅2
𝑅2 𝑅1 𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅1
𝑉1 = 𝐼1 + 𝑉2
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
→ 𝑕 =
𝑅1 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 𝑅1 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
𝐼2 = − 𝐼1 + 𝑉2 −
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 𝑅1 + 𝑅2
3. Expressions du gain en courant et de la résistance d’entrée lorsque le quadripôle est

fermé sur une résistance 𝑅𝐿 :
 Gain en courant :
𝐼2
𝐴𝐼 =
𝐼2
D'après la question précédente, on a :
𝑅1 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
𝐼2 = − 𝐼1 + 𝑉2
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 𝑅1 + 𝑅2

𝑅1 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
𝑉2 = −𝑅𝐿 𝐼2 → 𝐼2 = − 𝐼1 − 𝑅𝐿 𝐼2
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 𝑅1
𝐼2 1 + 𝑅𝐿 =− 𝐼
𝑅3 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 1
−𝑅1 𝑅3
𝐴𝐼 =
𝑅3 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝐿 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
 Résistance d’entrée
𝑉1
𝑅𝑒 =
𝐼1
𝑉1 = 𝑅𝑒𝑞 𝐼1 → 𝑉1 = 𝑅3 //𝑅𝐿 + 𝑅2 //𝑅1 𝐼1 → 𝑅𝑒 = 𝑅3 //𝑅𝐿 + 𝑅2 //𝑅1
4. Résistance de sortie lorsque le quadripôle est alimenté par un générateur de résistance

interne 𝑅𝑔 .
𝑣2
𝑅𝑠 =
𝑖2 𝑒𝑔 =0,𝑅𝐿 𝑑 é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
𝑉2 = 𝑅𝑔 //𝑅1 + 𝑅2 //𝑅3 𝐼2 → 𝑅𝑠 = 𝑅𝑔 //𝑅1 + 𝑅2 //𝑅3

Exercice 3:
1. Matrice de transfert [T] de quadripôles Q1 et Q2.
𝑉1 = 𝑇11 𝑉2 − 𝑇12 𝐼2 𝑇11 𝑇12

, 𝑇 =
𝐼1 = 𝑇21 𝑉2 − 𝑇22 𝐼2 𝑇21 𝑇22
 Q1 :
𝑉1 + 𝑅1 𝐼2 − 𝑉2 = 0 𝑉1 = 𝑉2 −𝑅1 𝐼2 𝑉1 = 𝑉2 −𝑅1 𝐼2 1 𝑅1
→ → → 𝑇1 =
𝐼1 = −𝐼2 𝐼1 = −𝐼2 𝐼1 = 0. 𝑉2 − 𝐼2 0 1
 Q2 :
𝑉1 = 𝑉2 − 0. 𝐼2 1 0
𝑉1 = 𝑉2 𝑉1 = 𝑉2 − 0. 𝐼2
→ → 1 → 𝑇2 = 1 1
𝑉2 = 𝐼1 +𝐼2 𝑅2 𝑉2 = 𝐼1 𝑅2 + 𝐼2 𝑅2 𝐼1 = 𝑉 − 𝐼2
𝑅2 2 𝑅2
2. Matrices de transferts des quadripôles Q3, Q4 et Q3:

 Q3 :
𝑅1
1 0 1+ 𝑅1
1 𝑅1 1 𝑅2
𝑇3 = 𝑇1 𝑇2 → 𝑇3 = 1 → 𝑇3 =
0 1 1
𝑅2 1
𝑅2
 Q4 :

𝑅1
1 0 1+ 𝑅1
1 𝑅1 1 1 𝑅3 𝑅2 1 𝑅3
𝑇4 = 1 0 1 → 𝑇4 = →
0 1 1 0 1
𝑅2 1
𝑅2
𝑅1 𝑅3 𝑅1
1+ 𝑅1 + 𝑅3 +
𝑅2 𝑅2
𝑇4 =
1 𝑅3
1+
𝑅2 𝑅2
 Q5 :
1 0 1 0 1 𝑅2 1 0
1 𝑅2
𝑇5 = 1 1 0
1
1 → 𝑇5 =
1 𝑅2 1
1 →
1 1+
𝑅1 𝑅3 𝑅1 𝑅1 𝑅3
𝑅2
1+ 𝑅2
𝑅3
𝑇5 =
1 1 𝑅2 𝑅2
+ + 1+
𝑅1 𝑅3 𝑅3 𝑅1 𝑅1
Exercice 4:
I.
I.1. Expression de la puissance 𝑃 fournie à la charge 𝑅𝐿 en fonction de 𝐸, 𝑅𝑔 et 𝑅𝐿 :
2
2
𝐸
𝑃 = 𝑅𝐿 . 𝐼 = 𝑅𝐿 .
𝑅𝑔 + 𝑅𝐿

I.2. 𝑅𝐿 pour 𝑃𝑚𝑎𝑥 ? 𝑃𝑚𝑎𝑥 ?

𝑑𝑃 𝑅𝑔 − 𝑅𝐿
= 𝐸2 3
𝑑 𝑅𝐿 𝑅𝑔 + 𝑅𝐿
𝑑𝑃
= 0 → 𝑅𝐿 = 𝑅𝑔
𝑑 𝑅𝐿
La puissance est alors maximale pour 𝑅𝐿 = 𝑅𝑔 .
𝑃𝑚𝑎𝑥 ?
𝐸2
𝑅𝐿 = 𝑅𝑔 → 𝑃𝑚𝑎𝑥 =
4𝑅𝑔
II.
1
𝑅𝐿 ≪ 𝑅𝑔 , 𝑍𝐶 = 𝑗𝐶𝜔 = 𝑗𝑋𝐶 , 𝑍𝐿 = 𝑗𝐿𝜔 = 𝑗𝑋𝐿
II.1. 𝑍𝑒 du quadripôle adaptateur chargé par la résistance 𝑅𝐿 en fonction de 𝑋𝐶 , 𝑋𝐿 et 𝑅𝐿 :

𝑍𝐶 𝑍𝐿 + 𝑅𝐿 𝑗𝑋𝐶 𝑅𝐿 + 𝑗𝑋𝐿
𝑍𝑒 = 𝑍𝐶 // 𝑍𝐿 + 𝑅𝐿 → 𝑍𝑒 = → 𝑍𝑒 = →
𝑍𝐶 + 𝑍𝐿 + 𝑅𝐿 𝑅𝐿 + 𝑗 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿
𝑗𝑋𝐶 𝑅𝐿 + 𝑗𝑋𝐿 𝑅𝐿 − 𝑗 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿
𝑍𝑒 =
𝑅𝐿2 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2
𝑅𝐿 𝑋𝐶2 𝑅𝐿2 𝑋𝐶 + 𝑋𝐶 𝑋𝐿 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿
𝑍𝑒 = 2 +𝑗
𝑅𝐿 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2 𝑅𝐿2 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2
II.2. 𝑍𝑒 pour que la puissance transmise par le générateur au quadripôle chargé par 𝑅𝐿 soit
maximale :
D'après la question I.2, la puissance est maximale pour 𝑍𝑒 = 𝑅𝑔 .

II.3. Expressions de 𝑋𝐶 et 𝑋𝐿 en fonction de 𝑅𝑔 et 𝑅𝐿 pour avoir une adaptation d’impédance.

𝑍𝑒 = 𝑅𝑔 → 𝑅𝑔 = +𝑗
𝑅𝐿2 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2 𝑅𝐿2 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2
𝑅𝑔 est purement réelle, donc :
𝑅𝑔 = 𝑒𝑡 =0
𝑅𝐿2 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2 𝑅𝐿2 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 2
𝑅𝐿2 𝑋𝐶 + 𝑋𝐶 𝑋𝐿 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 = 0 → 𝑅𝐿2 = −𝑋𝐿 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿
𝑅𝐿 𝑋𝐶2 𝑅𝐿 𝑋𝐶2
𝑅𝑔 = 2 2
→ 𝑅𝑔 = 2
𝑅𝐿 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 −𝑋𝐿 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 + 𝑋𝐶 + 𝑋𝐿
𝑅𝐿 𝑋𝐶 𝑅𝑔
→ 𝑅𝑔 = → 𝑋𝐶 = 𝑋
𝑋𝐶 + 𝑋𝐿 𝑅𝐿 − 𝑅𝑔 𝐿
𝑅𝑔 𝑅𝐿
𝑅𝐿2 = −𝑋𝐿 𝑋𝐿 + 𝑋𝐿 → 𝑅𝐿2 = −𝑋𝐿2
𝑅𝐿 − 𝑅𝑔 𝑅𝐿 − 𝑅𝑔
𝑋𝐿 = 𝑅𝐿 𝑅𝑔 − 𝑅𝐿
𝑅𝑔 𝑅𝑔 𝑅𝑔
𝑋𝐶 = 𝑋𝐿 → 𝑋𝐶 = 𝑅𝐿 𝑅𝑔 − 𝑅𝐿 → 𝑋𝐶 = − 𝑅𝐿 𝑅𝑔 − 𝑅𝐿
𝑅𝐿 − 𝑅𝑔 𝑅𝐿 − 𝑅𝑔 𝑅𝑔 − 𝑅𝐿
𝑅𝐿
𝑋𝐶 = −𝑅𝑔
𝑅𝑔 − 𝑅𝐿
Exercice 5:
1. Expression de la fonction de transfert 𝑇 𝑗𝜔 :
En appliquant le diviseur de tension, on obtient :

1
𝑍𝐶 𝑗𝐶𝜔
𝑣𝑠 = 𝑣 → 𝑣𝑠 = 𝑣
𝑅 + 𝑍𝐶 𝑒 1 𝑒
𝑅 + 𝑗𝐶𝜔

1
𝑣𝑠 𝑗𝐶𝜔 1
𝑇= →𝑇= →𝑇=
𝑣𝑒 1 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔
𝑅 + 𝑗𝐶𝜔
𝑇0
1. 𝑇 𝑗𝜔 sous la forme : 𝜔 . Valeur de 𝑇0 et expression de 𝜔0 .
1+𝑗
𝜔0
1 𝑇0
𝑇= →𝑇= 𝜔
1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 1+𝑗𝜔
0
avec :
1
𝑇0 = 1 𝑒𝑡 𝜔0 =
𝑅𝐶
2. Type et ordre du filtre : Filtre passe-bas du premier ordre.
3. Fréquence de coupure 𝑓𝑐 en fonction de 𝑅 et 𝐶 :
1 1
𝜔0 = = 2𝜋𝑓𝑐 → 𝑓𝑐 =
𝑅𝐶 2𝜋𝑅𝐶
4. Courbe de gain:
1 1
𝑇= 𝜔 → 𝑇 = 𝜔 2
1+𝑗𝜔 1+ 𝜔
0
0
𝜔 2
𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇 → 𝐺 𝑑𝐵 = −20𝑙𝑜𝑔10 1 +
𝜔0
𝜔 2
𝐺 𝑑𝐵 = −10𝑙𝑜𝑔10 1+
𝜔0
Pour 𝜔 ≪ 𝜔0 : 𝐺 𝑑𝐵 → 0
𝜔
Pour 𝜔 ≫ 𝜔0 : 𝐺 𝑑𝐵 → −20𝑙𝑜𝑔10 𝜔0
Pour 𝜔 = 𝜔0 : 𝐺 𝑑𝐵 = −20𝑙𝑜𝑔10 2 = −3𝑑𝐵
𝐺 𝑑𝐵
Courbe asymptotique
𝜔0
𝜔
−3𝑑𝐵
Pente : −20𝑑𝐵/décacde
Courbe réelle

Courbe de phase :
1 𝜔
𝑇= 𝜔 → 𝜑 𝜔 = 𝑎𝑟𝑔 𝑇 = 𝑎𝑟𝑔 1 − 𝑎𝑟𝑔(1 + 𝑗 𝜔 )
1+𝑗𝜔 0
0
𝜔 𝜔
𝜑 𝜔 = 0 − 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔( ) → 𝜑 𝜔 = −𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔( )
𝜔0 𝜔0
Pour 𝜔 ≪ 𝜔0 : 𝜑 𝜔 → 0
𝜋
Pour 𝜔 ≫ 𝜔0 : 𝜑 𝜔 → − 2
𝜋
Pour 𝜔 = 𝜔0 : 𝜑 𝜔 → − 4
𝜑 𝑟𝑎𝑑
𝜔0
𝜔
𝜋
−4 Courbe asymptotique
Courbe réelle
𝜋
−2
Exercice 6:
1. Expression de la fonction de transfert 𝐻(𝑗𝜔) :
En appliquant le diviseur de tension, on obtient :
𝑅 𝑅
𝑣𝑠 = 𝑣𝑒 → 𝑣𝑠 = 𝑣
𝑅 + 𝑍𝐶 1 𝑒
𝑅+
𝑗𝐶𝜔
𝑣𝑠 𝑅 𝑗𝑅𝐶𝜔
𝐻= →𝐻= →𝐻=
𝑣𝑒 1 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔
𝑅 + 𝑗𝐶𝜔

𝜔
𝐻0 𝑗
𝜔0
2. 𝑇 𝑗𝜔 sous la forme : 𝜔 et expression de 𝜔0 .
1+𝑗
𝜔0
𝜔
𝑗𝑅𝐶𝜔 𝐻0 𝑗 𝜔
0
𝐻= →𝐻= 𝜔
1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 1+𝑗𝜔
0
Avec:
1
𝐻0 = 1 𝑒𝑡 𝜔0 =
𝑅𝐶
3. Type et ordre du filtre : Filtre passe-haut du premier ordre.
4. Fréquence de coupure 𝑓𝑐 en fonction de R et C :
1 1
𝜔0 = = 2𝜋𝑓𝑐 → 𝑓𝑐 =
𝑅𝐶 2𝜋𝑅𝐶
5. Courbe de gain:
𝜔
𝜔0
𝐻 =
𝜔 2
1+ 𝜔
0
𝜔 𝜔 2
𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝐻 → 𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 − 20𝑙𝑜𝑔10 1 +
𝜔0 𝜔0
𝜔 𝜔 2
𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 − 10𝑙𝑜𝑔10 1 +
𝜔0 𝜔0
𝜔
Pour 𝜔 ≪ 𝜔0 : 𝐺 𝑑𝐵 → 20𝑙𝑜𝑔10 𝜔0
𝜔 𝜔 2
Pour 𝜔 ≫ 𝜔0 : 𝐺 𝑑𝐵 → 20𝑙𝑜𝑔10 − 10𝑙𝑜𝑔10 =0
𝜔0 𝜔0
Pour 𝜔 = 𝜔0 : 𝐺 𝑑𝐵 = −20𝑙𝑜𝑔10 2 = −3𝑑𝐵
𝐺 𝑑𝐵 Courbe asymptotique
𝜔0
𝜔
−3𝑑𝐵
Courbe réelle
Pente : +20𝑑𝐵/décacde

Courbe de phase :
𝜔
𝑗𝜔 𝜔 𝜔
0
𝐻= 𝜔 → 𝜑 𝜔 = 𝑎𝑟𝑔 𝐻 = 𝑎𝑟𝑔 𝑗 − 𝑎𝑟𝑔(1 + 𝑗 )
1+𝑗𝜔 𝜔0 𝜔0
0
𝜋 𝜔
𝜑 𝜔 = 𝑎𝑟𝑔 𝐻 = − 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔( )
2 𝜔0
𝜋
Pour 𝜔 ≪ 𝜔0 : 𝜑 𝜔 → 2
Pour 𝜔 ≫ 𝜔0 : 𝜑 𝜔 → 0
𝜋
Pour 𝜔 = 𝜔0 : 𝜑 𝜔 → 4
𝜑 𝑟𝑎𝑑
Courbe asymptotique
𝜋
2
𝜋
4
Courbe réelle
𝜔0 𝜔

Corrigé TD3
Exercice 1 :
𝑅 = 1 𝐾Ω, 𝑉𝑒 𝑡 = 5 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡.
𝑉𝑒
5V
-5V
 Caractéristique 𝐼𝐷 𝑉𝐷 de la diode, analyse du fonctionnement du circuit, et graphes de 𝑉𝑠 𝑡

et 𝑉𝐷 𝑡 :
a) D est une diode idéale.
Caractéristique 𝐼𝐷 𝑉𝐷 :
𝐼𝐷
𝑉𝐷
Analyse du fonctionnement du circuit :

En appliquant la loi des mailles :
𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 − 𝑅𝑖𝐷 = 0
Quand D est bloquée : 𝑖𝐷 = 0 et 𝑉𝐷 < 0
𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒
𝑉𝐷 < 0 → 𝑉𝑒 < 0
D bloquée : → 𝑉𝑒 < 0
D passante : → 𝑉𝑒 > 0

𝑉𝑒 < 0 : D bloquée.
𝑉𝑠 = 𝑅𝑖𝐷 , 𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑠 = 0
𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑠 = 0, 𝑉𝑠 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒
𝑉𝑒 > 0 : D passante.
𝑉𝑒 = 𝑉𝑠
𝑉𝐷 = 0
Graphes des tensions 𝑉𝑠 et 𝑉𝐷 en fonction du temps :
𝑉𝑠 𝑉𝐷
5V
𝑡 𝑡
𝑉𝑒
-5V
b) D présente une résistance directe nulle, une résistance inverse infinie, et une tension de
seuil 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 = 0,6 𝑉 .
Caractéristique 𝐼𝐷 𝑉𝐷 : 𝐼𝐷
𝑉𝐷
0.6𝑉


Quand D est bloquée : 𝑖𝐷 = 0 et 𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒
𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 → 𝑉𝑒 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
D bloquée : → 𝑉𝑒 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
D passante : → 𝑉𝑒 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑉𝑒 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 : D bloquée.
𝑉𝑠 = 𝑅𝑖𝐷 , 𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑠 = 0
𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑠 = 0, 𝑉𝑠 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒
𝑉𝑒 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 : D passante.
𝑉𝑒 − 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 − 𝑉𝑠 = 0 → 𝑉𝑠 = 𝑉𝑒 − 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 → 𝑉𝑠 = 5 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − 0.6

𝑉𝐷 = 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑉𝑠 𝑉𝐷
4.4 V
0.6 V
𝑡 𝑡
-5V

c) D est une diode au silicium de résistance directe 𝑟𝑑 = 20Ω et résistance inverse infinie.
Caractéristique 𝐼𝐷 𝑉𝐷 :
𝐼𝐷
1
Pente :𝑟
𝑑
𝑉𝐷
0.6𝑉

Quand D est bloquée : 𝑖𝐷 = 0 et 𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒
𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 → 𝑉𝑒 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
D bloquée : → 𝑉𝑒 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
D passante : → 𝑉𝑒 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑉𝑒 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 : D bloquée.
𝑉𝑠 = 𝑅𝑖𝐷 , 𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑠 = 0
𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑠 = 0, 𝑉𝑠 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒
𝑉𝑒 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 : D passante.


𝑉𝑒 − 𝑟𝑑 𝑖𝐷 − 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 − 𝑅𝑖𝐷 = 0
𝑉𝑒 − 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑖𝐷 =
𝑟𝑑 + 𝑅
En appliquant la loi d'Ohm :
𝑉𝑠 = 𝑅𝑖𝐷
On trouve finalement :
𝑅
𝑉𝑠 = 𝑉 − 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑟𝑑 + 𝑅 𝑒
1000
𝑉𝑠 = 5 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − 0.6 → 𝑉𝑠 = 4.90 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − 0.59
20 + 1000
𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 = 4.90 − 0.59 → 𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 = 4.31 𝑉
𝑉𝐷 ?
𝑉𝐷 = 𝑟𝑑 𝑖𝐷 + 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑟𝑑
𝑉𝐷 = 𝑉 − 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 + 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙
𝑟𝑑 + 𝑅 𝑒
20
𝑉𝐷 = 5 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − 0.6 + 0.6 → 𝑉𝐷 = 0.098 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 + 0.59
20 + 1000
𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 = 0.098 + 0.59 → 𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 = 0.69 𝑉
𝑉𝑠 𝑉𝐷
4.31 V
0.69 V
𝑡 𝑡
-5V

Exercice 2 :
D est une diode idéale. 𝑉𝑒 𝑡 = 28 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡, 𝐸 = 5 𝑉, 𝑅1 = 300 Ω, 𝑅2 = 100 Ω.
 Circuit (a)
Analyse du fonctionnement du montage :

𝑉𝑒 − 𝑅1 𝑖𝐷 + 𝑉𝐷 − 𝐸 = 0
𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑒 + 𝑉𝐷 − 𝐸 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝐸 − 𝑉𝑒
𝑉𝐷 < 0 → 𝐸 − 𝑉𝑒 < 0 → 𝑉𝑒 > 𝐸
D bloquée : → 𝑉𝑒 > 𝐸
D passante : → 𝑉𝑒 < 𝐸

𝑉𝑒 > 𝐸 : D bloquée.
𝑉𝑒 − 𝑅1 𝑖𝐷 − 𝑉𝑠1 = 0, 𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑠1 = 𝑉𝑒
𝑉𝑒 < 𝐸 : D passante.
𝑉𝑠1 = 𝐸 → 𝑉𝑠1 = 5 𝑉
Graphe de 𝑉𝑠1 en fonction du temps :
𝑉
28V
𝑉𝑠1
5V
𝑡
𝑉𝑒
-28V
 Circuit (b)

Pour simplifier l’analyse de ce circuit on peut utiliser le théorème de Thévenin.

 Détermination du modèle équivalent du Thévenin entre A et B:

𝑒𝑇ℎ :

𝑅2
𝑒𝑇ℎ = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑒
100
𝑒𝑇ℎ = 28𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 → 𝑒𝑇ℎ = 7𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
100 + 300
𝑅𝑇ℎ :
𝑅1 . 𝑅2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2
100 × 300
𝑅𝑇ℎ = → 𝑅𝑇ℎ = 75Ω
100 + 300
Schéma simplifié du circuit:

𝑒𝑇ℎ − 𝑅𝑇ℎ 𝑖𝐷 + 𝑉𝐷 − 𝐸 = 0

𝑖𝐷 = 0 → 𝑒𝑇ℎ + 𝑉𝐷 − 𝐸 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝐸 − 𝑒𝑇ℎ
𝑉𝐷 < 0 → 𝐸 − 𝑒𝑇ℎ < 0 → 𝑒𝑇ℎ > 𝐸
D bloquée : → 𝑒𝑇ℎ > 𝐸
D passante : → 𝑒𝑇ℎ < 𝐸
𝑒𝑇ℎ > 𝐸 : D bloquée.
𝑒𝑇ℎ − 𝑅𝑇ℎ 𝑖𝐷 − 𝑉𝑠2 = 0, 𝑖𝐷 = 0 → 𝑉𝑠2 = 𝑒𝑇ℎ
𝑒𝑇ℎ < 𝐸 : D passante.
𝑉𝑠2 = 𝐸 → 𝑉𝑠2 = 5 𝑉
Graphe de 𝑉𝑠2 en fonction du temps :
𝑉
28V 𝑉𝑒
𝑉𝑠2
7V
5V
𝑡
𝑒𝑇ℎ
-28V

Exercice 3 :
D1 et D2 idéales. 𝑉𝑒 = 15 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 . 𝐸1 = 10𝑉 et 𝐸2 = 5𝑉.

𝑉𝑒 − 𝑅𝑖 − 𝑉𝐷1 − 𝐸1 = 0 (𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 1)
𝑉𝑒 − 𝑅𝑖 + 𝑉𝐷2 + 𝐸2 = 0 (𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 2)
Quand D1 et D2 sont bloquées : 𝑖𝐷1 = 0, 𝑖𝐷2 = 0, 𝑖 = 𝑖𝐷1 + 𝑖𝐷2 = 0, et 𝑉𝐷1 < 0, 𝑉𝐷2 < 0.
𝑉𝑒 − 𝑉𝐷1 − 𝐸1 = 0 (1) 𝑉 = 𝑉𝑒 − 𝐸1 (1)

→ 𝐷1
𝑉𝑒 + 𝑉𝐷2 + 𝐸2 = 0 (2) 𝑉𝐷2 = −𝑉𝑒 − 𝐸2 (2)
𝑉𝐷1 < 0 𝑉𝑒 − 𝐸1 < 0 𝑉𝑒 < 𝐸1 → 𝐷1 (𝐵)

→ →
𝑉𝐷2 < 0 −𝑉𝑒 − 𝐸2 < 0 𝑉𝑒 > −𝐸2 → 𝐷2 (𝐵)
Donc :
𝑉𝑒 > 𝐸1 → 𝐷1 (𝑃)
𝑉𝑒 < −𝐸2 → 𝐷2 (𝑃)
(−𝐸2 ) (𝐸1 )
-15 -5 +10 +15
𝑉𝑒 (𝑉)
D1 bloquée D1 bloquée D1 passante
D2 passante D2 bloquée D2 bloquée

 −15 𝑉 < 𝑉𝑒 < −5 𝑉 : D1 bloquée et D2 passante
𝑉𝑠 = −𝐸2 → 𝑉𝑠 = −5 𝑉
 −5 𝑉 < 𝑉𝑒 < 10 𝑉 : D1 bloquée et D2 bloquée
𝑉𝑒 − 𝑅𝑖 − 𝑉𝑠 = 0, 𝑖 = 0 → 𝑉𝑠 = 𝑉𝑒
 10 𝑉 < 𝑉𝑒 < 15 𝑉 : D1 passante et D2 bloquée
𝑉𝑠 = 𝐸1 → 𝑉𝑠 = 10 𝑉
Graphe de 𝑉𝑠 en fonction du temps :
𝑉
𝑉𝑒
15V
10V
𝑉𝑆
𝑡
-5V
-15V

Exercice 4 :
à 𝑡 = 0 : 𝑉𝑐 = 0. D idéale.

𝑉𝑒 − 𝑉𝐷 − 𝑉𝑠 = 0 → 𝑉𝐷 = 𝑉𝑒 − 𝑉𝑠
Quand D est bloquée : 𝑉𝐷 < 0

𝑉𝐷 < 0 → 𝑉𝑒 − 𝑉𝑠 < 0 → 𝑉𝑒 < 𝑉𝑠
𝑇
 0<𝑡≤ 4
D passante, C se charge jusqua’à 𝑉𝑒𝑚𝑎𝑥 .

𝑇
 < 𝑡 ≤ 𝑡1 (𝑡1 : l’instant où 𝑉𝑠 devient égale à 𝑉𝑒 ).
4
𝑉𝑒 < 𝑉𝑠 : D bloquée, C se décharge dans R avec une constante de temps 𝑅. 𝐶.

 𝑡 = 𝑡1
D se remet à conduire et le processus recommence.
𝑉
𝑉𝑆
𝑉𝑒
𝑡
𝑇 𝑡1
4

Exercice 5 : 𝑉𝑒
+5 V
-5V
Dz au silicium donc 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 = 0.6𝑉. 𝑅𝑍 négligée. 𝑉𝑍 = 3𝑉.

 𝑉𝑒 = +5 𝑉
Dz est polarisée en inverse. 𝑉𝑒 = 5 𝑉, 𝑉𝑧 = 3 𝑉 → 𝑉𝑒 > 𝑉𝑍 → Dz passante.
𝑉𝑠 = 𝑉𝑍 → 𝑉𝑠 = 3 𝑉
 𝑉𝑒 = −5 𝑉
Dz est polarisée en direct et se comporte donc comme une diode simple.
𝑉𝑒 = 5 𝑉 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 = 0.6 𝑉 → Dz passante.
𝑉𝑠 = −𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 → 𝑉𝑠 = −0.6 𝑉

𝑉
𝑉𝑒
+5 V 𝑉𝑆
3V
𝑡
-0.6 V
-5 V
Exercice 6 :
Dz idéale. 𝑉𝑍 = 6,2 𝑉 ; 𝑃𝑚𝑎𝑥 = 1,3 𝑊 ; 𝑅𝑠 = 100 Ω.
1. 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ?
𝑃𝑚𝑎𝑥
𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 . 𝑉𝑍 → 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 =
𝑉𝑍
1.3
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = → 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 209 𝑚𝐴
6.2
2. 𝑅𝐿 = 100 Ω. Plage de variation de E permettant d’obtenir une tension 𝑉𝑠 stabilisée :

𝐼𝑧
Diode Zener idéale
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 𝑉𝑍
Stabilisation
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
Il y a stabilisation si : 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 < 𝐼𝑍 < 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥

Dz idéale donc 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 0 et on a 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 209 𝑚𝐴. Il y a stabilisation si :

0 < 𝐼𝑍 < 209 𝑚𝐴
𝐸 − 𝑅𝑠 𝐼 − 𝑉𝑧 = 0 (𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 1)
𝑉𝑧 − 𝑅𝐿 𝐼𝐿 = 0 (𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 2)
𝐸 = 𝑅𝑠 𝐼 + 𝑉𝑧 (1)
𝑉𝑧 = 𝑅𝐿 𝐼𝐿 (2)
En appliquant la loi des nœuds :
𝐼 = 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿 (3)
(3) dans (1) :

𝐸 = 𝑅𝑠 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿 + 𝑉𝑧 (4)
(2) dans (4) :
𝑉𝑧 𝑅𝑠
𝐸 = 𝑅𝑠 𝐼𝑧 + + 𝑉𝑧 → 𝐸 = 𝑅𝑠 𝐼𝑧 + + 1 𝑉𝑧
𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑅𝑠
𝐸𝑚𝑖𝑛 = 𝑅𝑠 𝐼𝑧𝑚 𝑖𝑛 + + 1 𝑉𝑧 , 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 0𝐴 → 𝐸𝑚𝑖𝑛 = 12.4 𝑉
𝑅𝐿
𝑅𝑠
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝑠 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥 + + 1 𝑉𝑧 , 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥 = 209 𝑚𝐴 → 𝐸𝑚𝑎𝑥 = 33.3 𝑉
𝑅𝐿
12.4 𝑉 < 𝐸 < 33.3 𝑉
3. a) 𝐸 = 24 𝑉. Plage de variation de 𝑅𝐿 permettant d’obtenir une tension 𝑉𝑠 stabilisée :
𝐸 − 𝑉𝑧
𝐸 − 𝑅𝑠 𝐼 − 𝑉𝑧 = 0 → 𝐼 = → 𝐼 = 178 𝑚𝐴
𝑅𝑠
𝑉𝑧 𝑉𝑧
𝐼 = 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿 → 𝐼 = 𝐼𝑧 + → 𝑅𝐿 =
𝑅𝐿 𝐼 − 𝐼𝑧
𝑉𝑧
𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = ,𝐼 = 0𝐴 → 𝑅𝐿𝑚 𝑖𝑛 = 34.8 Ω
𝐼 − 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 𝑧𝑚𝑖𝑛
𝐼 = 178 𝑚𝐴 < 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥 = 0.209 𝑚𝐴: ainsi même en absence de 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 Dz peut supporter 𝐼. Donc
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 → ∞
𝑅𝐿 ∈ 34.8 Ω; ∞

3. b) 𝐸 = 30 𝑉. Plage de variation de 𝑅𝐿 permettant d’obtenir une tension 𝑉𝑠 stabilisée :

𝐸 − 𝑉𝑧
𝐼= → 𝐼 = 238 𝑚𝐴
𝑅𝑠
𝑉𝑧
𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = ,𝐼 = 0𝐴 → 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 26 Ω
𝐼 − 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 𝑧𝑚𝑖𝑛
𝑉𝑧
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = ,𝐼 = 209 𝑚𝐴 → 𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 = 213.8 Ω
𝐼 − 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥 𝑧𝑚𝑎𝑥
26 Ω < 𝑅𝐿 < 213.8 Ω

Corrigé TD4
Exercice 1 :
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω, 𝑅𝐸 = 110 Ω , 𝑅𝐵 = 220 𝑘Ω .
 Montage (a)
Le circuit d’entrée donne :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 =
𝛽
𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝐼𝐶 = 𝛽
𝛽 𝑅𝐵
15 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = 100 → 𝐼𝐶1 = 6.5 𝑚𝐴
220 × 103
15 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = 300 → 𝐼𝐶2 = 19.5 𝑚𝐴
220 × 103
Rapport :
𝐼𝐶2
=3
𝐼𝐶1
 Montage (b)
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑅𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 = → 𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑅𝐶 + 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝛽 𝛽
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅 + 𝑅𝐵
𝑅𝐶 + 𝐶
𝛽
15 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = → 𝐼𝐶1 = 4.45 𝑚𝐴
3 221 × 103
10 + 100
15 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = → 𝐼𝐶2 = 8.23 𝑚𝐴
221 × 103
103 + 300
Rapport :
𝐼𝐶2
= 1.85
𝐼𝐶1

 Montage (c)
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐶 1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑒𝑡 𝐼𝐵 = → 𝐼𝐸 = 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
𝐼𝐶 1
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅 + 𝑅𝐵
𝑅𝐸 + 𝐸
𝛽
15 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = → 𝐼𝐶1 = 6.19 𝑚𝐴
110 + 220 × 103
110 + 100
15 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = → 𝐼𝐶2 = 16.95 𝑚𝐴
110 + 220 × 103
110 + 300
Rapport :
𝐼𝐶2
= 2.74
𝐼𝐶1
Conclusion :
Le montage le moins sensible aux variations de 𝛽 : Montage (b).
Exercice 2:
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐵1 = 6.8 𝑘Ω , 𝑅𝐵2 = 2.2 𝑘Ω , 𝑅𝐶 = 3 𝑘Ω , 𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω.
1. Transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son équivalent de
Thévenin et calcule de 𝐸𝑇ℎ et 𝑅𝑡ℎ .

𝐸𝑡ℎ :
𝑅𝐵2
𝐸𝑇ℎ = 𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐶𝐶
2.2 × 103
𝐸𝑇ℎ = 15 → 𝐸𝑇ℎ = 3.66 𝑉
6.8 × 103 + 2.2 × 103
𝑅𝑡ℎ :
𝑅𝐵1 . 𝑅𝐵2
𝑅𝑇ℎ =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
6.8 × 103 . 2.2 × 103

𝑅𝑇ℎ = → 𝑅𝑇ℎ = 1.66𝑘 Ω
6.8 × 103 + 2.2 × 103
2. Calcul du courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 et 𝛽 = 300. Conclusion.
𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐶 1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑒𝑡 𝐼𝐵 = → 𝐼𝐸 = 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶
𝐼𝐶 1
𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 1 + 𝐼
𝛽 𝛽 𝐶

𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅 + 𝑅𝑇ℎ
𝑅𝐸 + 𝐸
𝛽
3.66 − 0.7
𝛽 = 100 → 𝐼𝐶1 = → 𝐼𝐶1 = 1.45 𝑚𝐴
3 2.103 + 1.66 × 103
2.10 + 100
3.66 − 0.7
𝛽 = 300 → 𝐼𝐶2 = → 𝐼𝐶2 = 1.47 𝑚𝐴
2.103 + 1.66 × 103
2.103 + 300
Rapport :
𝐼𝐶2
= 1.01
𝐼𝐶1
Conclusion :
Montage très stable.
Exercice 3 :
IC
RC
RB C
IB B VCC
VE E
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω , 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 100.
1. 𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 qui permet de saturer le transistor lorsque 𝑉𝐸 = 5 𝑉:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 → 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶
15 − 0.1
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = → 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 14.9 𝑚𝐴
103
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 =
𝛽𝑚𝑖𝑛

14.9 . 10−3
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 = → 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 = 0.149 𝑚𝐴
100
𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐸 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 =
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛
5 − 0.6
𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 = → 𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 = 29.53 𝑘Ω
0.149. 10−3
2. Valeur de 𝑅𝐵 si on applique à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un coefficient de sursaturation 𝑘 = 2 :
𝐼𝐵 = 𝑘. 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛
𝐼𝐵 = 2 × 0.149 × 10−3 = 0.298 𝑚𝐴
𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
5 − 0.6
𝑅𝐵 = → 𝑅𝐵 = 14.76𝑘Ω
0.298. 10−3
Valeur normalisée pour 𝑅𝐵 parmi les valeurs de la série 𝐸24:

E24 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.7, 3.0, 3.3, 3.6, 3.9, 4.3, 4.7, 5.1, 5.6,
(± 5 %) 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1
𝑅𝐵 = 15𝑘Ω
Exercice 4 :

I. Etude statique
1. Schéma équivalent du montage en régime statique.
2. Equation de la droite de charge statique.

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸
On néglige 𝐼𝐵 devant 𝐼𝐶 : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 = (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Graphe de la droite de charge statique :
IC
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
VCE
𝑉𝐶𝐶
II. Etude dynamique

1. Type du montage ? Justification.
Montage émetteur-commun.
Justification : Entrée →Base, Sorite →Collecteur

2. Schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux fréquences
moyennes : (𝜌 → ∞)
3. Expression du gain en tension (𝐴𝑣 ). Expression du gain en tension à vide (𝐴𝑣0 ).
𝐴𝑣 :
𝑣𝑒 = 𝑟. 𝑖𝑏
𝑣𝑠 = −(𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 ). 𝛽𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
𝛽. (𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = −
𝑟
𝐴𝑣0 :
𝛽. 𝑅𝐶
𝑅𝐿 → ∞: 𝐴𝑣0 = −
𝑟

4. Expressions de la résistance d’entrée (𝑅𝑒 ) et de la résistance de sortie (𝑅𝑠 ).

𝑅𝑒 :
𝑣𝑒
𝑅𝑒 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 = (𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟). 𝑖𝑒
𝑅𝑒1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟
𝑅𝑠 :
𝑣𝑠
𝑅𝑠 =
𝑖𝑠 𝑒𝑔 =0,𝑅𝐿 𝑑 é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
Le circuit d’entrée ne comporte plus de générateur (𝑒𝑔 = 0), et le courant d’excitation 𝑖𝑠 ne peut
pas l’atteindre, donc :
𝑖𝑏 = 0 → 𝛽𝑖𝑏 = 0
𝑣𝑠 = 𝑅𝐶 . 𝑖𝑠 → 𝑅𝑠 = 𝑅𝐶
5. Schéma équivalent du montage comprenant 𝐴𝑣0 , 𝑅𝑒 , et 𝑅𝑠 .

6. En utilisant le schéma de la question 5 :

a) Expression de 𝑣𝑒 en fonction de 𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 et 𝑅𝑒 . Condition que doit satisfaire 𝑅𝑒 pour
minimiser l’influence de 𝑅𝑔 sur 𝑣𝑠 .
𝑅𝑒
𝑣𝑒 = 𝑒
𝑅𝑒 + 𝑅𝑔 𝑔
Condition sur 𝑅𝑒 :
𝑅𝑒 ≫ 𝑅𝑔
b) Expression du gain en courant (𝐴𝑖 ) en fonction de 𝑅𝑒 , 𝑅𝐿 et 𝐴𝑣 .
𝑖𝑠
𝐴𝑖 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 = 𝑅𝑒 𝑖𝑒
𝑣𝑠 = 𝑅𝐿 𝑖𝑠
𝑣𝑠 𝑅𝐿 𝑖𝑠 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = 𝐴
𝑣𝑒 𝑅𝑒 𝑖𝑒 𝑅𝑒 𝑖
𝑅𝑒
𝐴𝑖 = 𝐴
𝑅𝐿 𝑣
7. On enlève le condensateur 𝐶𝐸 :
a) Schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux fréquences
moyennes.

b) Gain en tension 𝐴𝑣2 ainsi que les impédances d’entrée 𝑅𝑒2 et de sortie 𝑅𝑠2 .
𝐴𝑣2 :
𝑣𝑒 = 𝑟. 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 . 𝑖𝑏 = (𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 ). 𝑖𝑏
𝑣𝑠 = −(𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 ). 𝛽𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝐴𝑣2 =
𝑣𝑒
𝛽. (𝑅𝐶 ⁄⁄ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣2 = −
𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
𝑅𝑒2 :
𝑣𝑒
𝑅𝑒2 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 𝑣𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑝 + 𝑖𝑏 → 𝑖𝑒 = +
𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
𝑅𝑒2 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //( 𝑟 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 )
𝑅𝑠2 :
𝑣𝑠
𝑅𝑠 =

Le circuit d’entrée ne comporte plus de générateur (𝑒𝑔 = 0), et le courant d’excitation 𝑖𝑠 ne peut
pas l’atteindre à cause de la de résistance infinie que représente la source 𝛽𝑖𝑏 , donc :
𝑖𝑏 = 0 → 𝛽𝑖𝑏 = 0
𝑣𝑠 = 𝑅𝐶 . 𝑖𝑠
𝑅𝑠2 = 𝑅𝐶
c) Conclusion :
Le montage émetteur-commun non découplé (𝐶𝐸 déconnecté) possède par rapport au montage où
la résistance RE est découplée par 𝐶𝐸 :
- Un gain en tension plus faible ( 𝐴𝑣2 < 𝐴𝑣1 ) (inconvénient).
- Une résistance d’entrée plus grande (𝑅𝑒2 > 𝑅𝑒1 ) (avantage).
- Une résistance de sortie pratiquement identique.
Exercice 5 :
𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉, 𝛽 = 300.

I. Etude statique
I.1. Schéma équivalent du montage en régime statique.
I.2. Valeurs des résistances 𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .
Valeur de 𝑅𝐸 :
𝑉𝐶𝐸0 = 6 𝑉 , 𝐼𝐶0 = 3 𝑚𝐴.
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸
=300, on néglige IB devant IC : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸0

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐸 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 → 𝑅𝐸 = → 𝑅𝐸 =
𝐼𝐶 𝐼𝐶0
15 − 6
𝑅𝐸 = → 𝑅𝐸 = 3𝑘Ω
3. 10−3
Valeur de 𝑅𝐵 :

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 × 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶
𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 =
𝛽
𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 × + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶
𝛽
𝛽 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶 𝛽 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸0 − 𝑅𝐸 × 𝐼𝐶0

𝑅𝐵 = → 𝑅𝐵 =
𝐼𝐶 𝐼𝐶0
300 15 − 0.6 − 3. 10+3 × 3. 10−3
𝑅𝐵 = → 𝑅𝐵 = 540𝑘Ω
3. 10−3

II. Etude dynamique

II.1. Type du montage ? Justification.
Montage Collecteur -commun.
Justification : Entrée →Base, Sorite → émetteur.
II.2. Schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux fréquences
moyennes.
II.3. Expression du gain en tension 𝐴𝑣 .

𝑣𝑒 = 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑖𝑏
𝑣𝑠 = 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 . 𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒

𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
II.4. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage vue par le générateur (𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 ).

𝑣𝑒
𝑅𝑒 =
𝑖𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑖𝑅 𝐵
𝑣𝑒 = 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑖𝑏
𝑣𝑒
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 +
𝑅𝐵
𝑣𝑒
𝑖𝑏 =
𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝑣𝑒 𝑣𝑒 𝑖𝑒 1 1
𝑖𝑒 = + → = +
𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑅𝐵 𝑣𝑒 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑅𝐵
1 1 1
= + → 𝑅𝑒 = 𝑅𝐵 ⁄⁄ 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿
𝑅𝑒 𝑟 + 𝛽 + 1 𝜌//𝑅𝐸 //𝑅𝐿 𝑅𝐵
II.5. Expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage vue par la résistance 𝑅𝐿 .
𝑣𝑠
𝑅𝑠 =
𝑅𝑔𝐵𝑟 = 𝑅𝑔 ⁄⁄ 𝑅𝐵 + 𝑟 𝑅𝜌𝐸 = 𝜌 ⁄⁄ 𝑅𝐸

Le courant d’excitation 𝑖𝑠 peut atteindre la branche qui contient 𝑟 et la fraction de courant 𝑖𝑏

commande la source 𝛽𝑖𝑏 .
𝑖𝑠 + 𝛽 + 1 𝑖𝑏 = 𝑖𝜌𝐸 → 𝑖𝑠 = 𝑖𝜌𝐸 − 𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑣𝑠
𝑖𝜌𝐸 =
𝑅𝜌𝐸
𝑣𝑠
𝑣𝑠 + 𝑅𝑔𝐵𝑟 𝑖𝑏 = 0 → 𝑖𝑏 = −
𝑅𝑔𝐵𝑟
𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝑖𝑠 = 𝑖𝜌𝐸 − 𝛽 + 1 𝑖𝑏 → 𝑖𝑠 = + 𝛽+1
𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟
𝑖𝑠 1 𝛽 + 1 𝑖𝑠 1 1 1 1 1
= + → = + → = +
𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟 𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟 𝑅𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅𝑔𝐵𝑟
𝛽+1 𝛽+1
𝑅𝑔𝐵𝑟
𝑅𝑠 = 𝑅𝜌𝐸 //
𝛽+1
𝑅𝑔 ⁄⁄ 𝑅𝐵 + 𝑟
𝑅𝑠 = 𝜌 ⁄⁄ 𝑅𝐸 //
𝛽+1
Exercice 6 :
Les condensateurs se comportent comme des courts-circuits à la fréquence de travail considérée.

1. Le schéma équivalent aux petites variations du montage.
𝑅𝐵1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 𝑅𝐵2 = 𝑅3 ⁄⁄ 𝑅4
2. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒2 de l’étage T2 ainsi que son gain 𝐴𝑣2 .
𝑅𝑒2 ?
𝑣
𝑅𝑒2 =
𝑖𝑒2
𝑖𝑒2 = 𝑖𝑏2 + 𝑖𝑅𝐵 2

𝑣 = 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑖𝑏2
𝑣
𝑖𝑒2 = 𝑖𝑏2 +
𝑅𝐵2
𝑣
𝑖𝑏2 =
𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝑣 𝑣 𝑖𝑒2 1 1
𝑖𝑒2 = + → = +
𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑅𝐵2 𝑣 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑅𝐵2
𝑅𝑒2 = 𝑅𝐵2 ⁄⁄ 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝐴𝑣2 ?
𝑣 = 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 𝑖𝑏2
𝑣𝑠 = 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿 . 𝛽2 + 1 𝑖𝑏2
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣
𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝐴𝑣2 =
𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿

3. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒1 de l’étage T1 ainsi que son gain 𝐴𝑣1 .
𝑅𝑒1 ?
𝑣𝑒
𝑅𝑒1 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 = (𝑅𝐵1 //𝑟1 ). 𝑖𝑒
𝑅𝑒1 = 𝑅𝐵1 //𝑟1 → 𝑅𝑒1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟1

𝐴𝑣1 ?
𝑣𝑒 = 𝑟1 . 𝑖𝑏1
𝑣 = −(𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝑒2 ). 𝛽1 𝑖𝑏1
𝑣
𝐴𝑣1 =
𝑣𝑒
𝛽1 . (𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝑒2 )

𝐴𝑣1 = −
𝑟1
4. Expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage complet ainsi que son gain 𝐴𝑣 .

𝑅𝑒 ?
𝑅𝑒 = 𝑅𝑒1 = 𝑅1 ⁄⁄ 𝑅2 //𝑟1
𝐴𝑣 ?
𝛽1 . (𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝑒2 ) 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿
𝐴𝑣 = 𝐴𝑣1 . 𝐴𝑣2 → 𝐴𝑣 = − .
𝑟1 𝑟2 + 𝛽2 + 1 𝜌2 //𝑅𝐸2 //𝑅𝐿

5. Expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠1 de l’étage T1.

𝑅𝑠1 ?
𝑣
𝑅𝑠1 =
𝑖𝑠1 𝑒𝑔 =0,𝑅𝑒2 𝑑é𝑐𝑜𝑛𝑛𝑒𝑐𝑡 é𝑒
Le circuit d’entrée ne comporte plus de générateur (𝑒𝑔 = 0), et le courant d’excitation 𝑖𝑠1 ne
peut pas l’atteindre, donc :
𝑖𝑏1 = 0 → 𝛽1 𝑖𝑏1 = 0
𝑣 = 𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 . 𝑖𝑠1
𝑅𝑠1 = 𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1
6. Expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage complet.
𝑅 = 𝑅𝑠1 ⁄⁄ 𝑅𝐵2 + 𝑟2 𝑅𝜌𝐸2 = 𝜌2 ⁄⁄ 𝑅𝐸 2
Le courant d’excitation 𝑖𝑠 peut atteindre la branche qui contient 𝑟2 et la fraction de courant 𝑖𝑏2
commande la source 𝛽2 𝑖𝑏2 .
𝑖𝑠 + 𝛽2 + 1 𝑖𝑏2 = 𝑖2 → 𝑖𝑠 = 𝑖2 − 𝛽2 + 1 𝑖𝑏2 (1)

𝑣𝑠
𝑖2 = (2)
𝑅𝜌𝐸2
𝑣𝑠
𝑣𝑠 + 𝑅𝑖𝑏2 = 0 → 𝑖𝑏2 = − (3)
𝑅
On remplace (2) et (3) dans (1) on trouve :
𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝑖𝑠 = + 𝛽2 + 1
𝑅𝜌𝐸2 𝑅
𝑖𝑠 1 𝛽2 + 1 𝑖𝑠 1 1 1 1 1
= + → = + → = +
𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸2 𝑅 𝑣𝑠 𝑅𝜌𝐸2 𝑅 𝑅𝑠 𝑅𝜌𝐸 𝑅
𝛽2 + 1 𝛽2 + 1
𝑅
𝑅𝑠 = 𝑅𝜌𝐸2 //
𝛽2 + 1
𝑅𝑠1 ⁄⁄ 𝑅𝐵2 + 𝑟2
𝑅𝑠 = 𝜌2 ⁄⁄ 𝑅𝐸 2 //
𝛽2 + 1
𝜌1 ⁄⁄ 𝑅𝐶1 ⁄⁄ 𝑅𝐵2 + 𝑟2
𝑅𝑠 = 𝜌2 ⁄⁄ 𝑅𝐸 2 //
𝛽2 + 1

Corrigé TD5
Exercise 1:
1)
 Expression de 𝑣𝑠 en fonction de 𝑣𝑒 :
On a une contre réaction négative, donc l'étude se fait en mode linéaire, ce qui engendre ε = 0.
En appliquant la loi des mailles on peut écrire :
𝑣𝑒 − 𝜀 − 𝑣𝑠 = 0 → 𝑣𝑠 = 𝑣𝑒
 Type de montage :
Montage suiveur.
2)
Méthode 1 :
𝑉+ = 0
On a une contre réaction négative (régime linéaire) ==> ε = 0 : 𝑉 − = 𝑉 +
𝑉− = 𝑉+ = 0 (𝑉 − : Masse virtuelle).
En appliquant le théorème de Millman on a :
𝑣𝑒 𝑣
𝑅1
+ 𝑅𝑠
𝑉− = 1 1
2
+𝑅
𝑅1 1

𝒗𝒆 𝑣
+ 𝑅𝒔 𝑅2
𝑅1
𝑉− = 0 → 2
= 0 → 𝑣𝑠 = − 𝑣
1
+𝑅
1 𝑅1 𝑒
𝑅1 1
Méthode 2 :
𝑣𝑒 = 𝑅1 𝐼1
𝑉− = 𝑉+ = 0 →
𝑣𝑠 = −𝑅2 𝐼2
𝑅2
𝑖 − = 0 → 𝐼1 = 𝐼2 → 𝑣𝑠 = − 𝑣
𝑅1 𝑒
Amplificateur inverseur.
3)
On a une contre réaction négative (régime linéaire) → 𝜀 = 0 → 𝑉 + = 𝑉 −
𝑉 + = 𝑣𝑒 𝑒𝑡 𝑉 − = 𝑉𝑅1 → 𝑣𝑒 = 𝑉𝑅1
En appliquant le principe de diviseur de tension (𝑖 − = 0 ∶ Le courant qui passe dans la

résistance R1 est égal au courant qui passe dans la résistance R2), on a :
𝑅1 𝑅2
𝑣𝑒 = 𝑉𝑅1 = 𝑣𝑠 → 𝑣𝑠 = 1 + 𝑣
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 𝑒
Amplificateur non inverseur.

4)
 Expression de 𝑣𝑠 en fonction de 𝑣1 et 𝑣2 :
En appliquant le théorème de superposition on a:
𝑅2 𝑅2 1
𝑉+ = 𝑣1 + 𝑣2 → 𝑉 + = 𝑣1 + 𝑣2
𝑅2 + 𝑅2 𝑅2 + 𝑅2 2
En appliquant le principe de diviseur de tension :
𝑅1 1
𝑉− = 𝑣𝒔 → 𝑉 − = 𝑣𝒔
𝑅1 + 𝑅1 2
1 1
𝑉− = 𝑉+ → 𝑣𝒔 = 𝑣1 + 𝑣2
2 2
𝑣𝒔 = 𝑣1 + 𝑣2
Amplificateur sommateur non inverseur.
5)
 Expression de 𝑣𝑠 en fonction de 𝑣1 et 𝑣2 :


𝑣2 𝑣
+ 𝑅𝑠 1 1
𝑅1
𝑉− = 1 1
1
→ 𝑉− = 𝑣2 + 𝑣𝑠
+𝑅 2 2
𝑅1 1
En appliquant le principe de diviseur de tension on a :

𝑅2 1
𝑉+ = 𝑣1 → 𝑉 + = 𝑣1
𝑅2 + 𝑅2 2
1 1 1
𝑉− = 𝑉+ → 𝑣2 + 𝑣𝒔 = 𝑣1
2 2 2
𝑣𝒔 = 𝑣1 − 𝑣2
Amplificateur soustracteur.
6)
On a une contre réaction négative (régime linéaire) ==> ε = 0 : 𝑉 − = 𝑉 + = 0.
𝑖 − = 0, ce qui fait que la résistance R et le condensateur C sont parcourus par le même courant i.
𝑣𝑒 𝑡
𝑣𝑒 𝑡 = 𝑅𝑖 𝑡 𝑖 𝑡 = 1
→ 𝑅 → 𝑣𝑠 𝑡 = − 𝑣𝑒 𝑡 𝑑𝑡
𝑣𝑠 𝑡 = −𝑣𝐶 𝑡 1 𝑅𝐶
𝑣𝑠 𝑡 = − 𝑖 𝑡 𝑑𝑡
𝐶
La tension de sortie est proportionnelle à l’intégrale de la tension d’entrée.
Montage intégrateur.

Notation complexe :
𝑣𝑒 𝑣
+ 𝑍𝑠 𝑍𝐶
𝑅
𝑉+ = 𝑉− = 𝐶
= 0 → 𝑣𝑠 = − 𝑣
1
+𝑍
1 𝑅 𝑒
𝑅 𝐶
1 1
𝑍𝐶 = → 𝑣𝑠 = − 𝑣
𝑗𝐶𝜔 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑒
7)
𝑖 − = 0, ce qui fait que le condensateur C et la résistance R sont parcourus par le même courant i.
1
𝑣𝑒 𝑡 = 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 1
𝑣𝑒 𝑡 = 𝑣𝐶 𝑡 𝐶
→ → 𝑣𝑒 𝑡 = − 𝑣𝑠 𝑡 𝑑𝑡
𝑣𝑠 𝑡 = −𝑅𝑖 𝑡 𝑣𝑠 𝑡 𝑅𝐶
𝑖 𝑡 =−
𝑅
𝑑𝑣𝑒 (𝑡)
→ 𝑣𝑠 𝑡 = −𝑅𝐶
𝑑𝑡
La tension de sortie est proportionnelle à la dérivée de la tension d’entrée.
Montage dérivateur.
Notation complexe :
𝑣𝑒 𝑣𝑠
+ 𝑅
𝑍𝐶 𝑅
𝑉+ = 𝑉− = = 0 → 𝑣𝑠 = − 𝑣
1
+𝑅
1 𝑍𝐶 𝑒
𝑍𝐶
1
𝑍𝐶 = → 𝑣𝑠 = −𝑗𝑅𝐶𝜔𝑣𝑒
𝑗𝐶𝜔

8)
𝑖 − = 0, ce qui fait que la résistance R et la diode sont parcourus par le même courant I.
𝑣𝑒 = 𝑅𝐼
𝑣𝑠 = −𝑉𝑑
L'équation du courant traversant une diode est donnée par :
𝑞𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇 − 1
𝑞𝑉 𝑑 −𝑞 𝑣𝑠
𝐼 = 𝐼𝑑 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇 − 1 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇 −1
𝐾𝑇
On suppose 𝑣𝑠 ≫ 𝑞
−𝑞 𝑣𝑠
𝐼 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇
𝑣𝑒 𝑣𝑒 −𝑞 𝑣𝑠 𝐾𝑇 𝑣𝑒
𝐼= → = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇 → 𝑣𝑠 = − ln⁡
( )
𝑅 𝑅 𝑞 𝑅𝐼𝑠𝑎𝑡
La tension de sortie est proportionnelle au logarithme de la tension d’entrée.
Amplificateur logarithmique.
9)

𝑖 − = 0, ce qui fait que la diode et la résistance R sont parcourus par le même courant I.
𝑣𝑒 = 𝑉𝑑
𝑣𝑠 = −𝑅𝐼
𝑞𝑉𝑑 𝑞𝑣𝑒
𝐼 = 𝐼𝑑 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇 − 1 = 𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇 − 1
𝐾𝑇
Si 𝑣𝑒 ≫ 𝑞
𝑞 𝑣𝑒
𝑣𝑠 = −𝑅𝐼 → 𝑣𝑠 = −𝑅𝐼𝑠𝑎𝑡 𝑒 𝐾𝑇
La tension de sortie dépend donc de l'exponentielle de la tension d'entrée.
Amplificateur exponentiel où amplificateur anti-logarithmique.
10)
Amplificateur opérationnel en boucle ouverte ==> régime non linéaire.
+𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ +𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + > 𝑉 −

𝑣𝑠 =
−𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ −𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + < 𝑉 −
On a :
𝑉 + = 𝑣𝑒
𝑉 − = 𝑉𝑟𝑒𝑓
On obtient :
+𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ +𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑣𝑒 > 𝑉𝑟𝑒𝑓

𝑣𝑠 =
−𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ −𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑣𝑒 < 𝑉𝑟𝑒𝑓
Comparateur simple.

Exercise 2:
Amplificateur opérationnel idéal. 𝑅1 = 1 𝑘Ω, 𝑅2 = 4,7 𝑘Ω, 𝑅3 = 11 𝑘Ω, 𝑅4 = 1 𝑘Ω.
1. Gain 𝐴𝑣 :
Amplificateur opérationnel idéal en régime linéaire (présence d'une contre-réaction négative):
𝑖 + = 𝑖 − = 0 et 𝜀 = 0 ∶ 𝑉 + = 𝑉 −
𝑉− = 𝑉+ = 0
En appliquant le théorème de Millman on trouve :
𝑣𝑒 𝑣𝑅 4
+
𝑅1 𝑅2
𝑉− = 1 1
+𝑅
𝑅1 2
𝑣𝑒 𝑣𝑅4 𝑅1
𝑉− = 0 → + = 0 → 𝑉𝑒 = − 𝑣 (1)
𝑅1 𝑅2 𝑅2 𝑅4

𝑉− 𝑣 0 𝑣𝑠
+ 𝑅𝑠 + 𝑅
𝑅2 3 4 𝑅3
𝑣𝑅4 = 1 1 1 → 𝑉𝑅4 = 1 1 1 (2)
+𝑅 +𝑅 +𝑅 +𝑅
𝑅2 3 4 𝑅2 3 4
(2) dans (1):
𝑣𝑠 1
𝑅1 𝑅3 𝑅1 𝑅3
𝑣𝑒 = − 1 1 1 → 𝑣𝑒 = − 1 1 1 𝑣𝑠
𝑅2 +𝑅 +𝑅 𝑅2 +𝑅 +𝑅
𝑅2 3 4 𝑅2 3 4
𝑣𝑠 𝑅3 𝑅4 + 𝑅2 𝑅4 + 𝑅2 𝑅3
𝐴𝒗 = → 𝐴𝒗 = −
𝑣𝑒 𝑅1 𝑅4
A.N : 𝐴𝒗 = −67.4

2. Comparaison entre le gain de ce montage et le gain du montage inverseur classique.

Pour le montage inverseur classique :
𝑅2
𝑅3 = 0 → 𝐴𝒗𝑐𝑙𝑎𝑠𝑠𝑖𝑞𝑢𝑒 = − → 𝐴𝒗𝑐𝑙𝑎𝑠𝑠𝑖𝑞𝑢𝑒 = −4.7
𝑅1
Conclusion:
𝐴𝒗 ≫ 𝐴𝒗𝑐𝑙𝑎𝑠𝑠𝑖𝑞𝑢𝑒
Exercise 3:
1. Expression de 𝑉𝑠 en fonction de 𝑉1 et 𝑉2 :
Amplificateurs opérationnels idéaux en régime linéaire (présence d'une contre-réaction
négative):
𝑉𝐶 = 𝑉1
𝑉𝐴 = 𝑉2
𝑉𝑠 𝑉𝐵
+
𝑘𝑅 𝑅
𝑉𝐴 = 𝑉2 = 1 1
+𝑅
𝑘𝑅
𝑉𝑠 + 𝑘𝑉𝐵
𝑉2 = → 𝑉𝑠 = 1 + 𝑘 𝑉2 − 𝑘𝑉𝐵 (1)
1+𝑘

𝑉𝐵
𝑅/𝑘
𝑉𝐶 = 𝑉1 = 1 1
+ 𝑅/𝑘
𝑅
𝑘𝑉𝐵 1
𝑉1 = → 𝑉𝐵 = 1 + 𝑉1 (2)
1+𝑘 𝑘

(2) dans (1):
1
𝑉𝑠 = 1 + 𝑘 𝑉2 − 𝑘 1 + 𝑉 → 𝑉𝑠 = 1 + 𝑘 𝑉2 − 𝑉1
𝑘 1
2. Fonction réalisée par ce circuit :

Soustraction.
Exercise 4:
1. Fonction de transfert 𝑇(𝑗𝜔) en fonction de 𝑅1 , 𝑅2 , 𝑅, 𝐶 et 𝜔.

Amplificateur opérationnel idéal en régime linéaire (présence d'une contre-réaction négative):
𝑖 + = 𝑖 − = 0 et 𝜀 = 0: 𝑉 − = 𝑉 +
0 𝑣 𝑣𝑠
+ 𝑅𝑠 𝑅1
𝑅1 𝑅2
𝑉− = 2
→ 𝑉− = → 𝑉− = 𝑣
1
+𝑅
1 1
+𝑅
1 𝑅1 + 𝑅2 𝑠
𝑅1 2 𝑅1 2
+
En appliquant le principe de diviseur de tension (𝑖 = 0), on a :
1
𝑗𝐶𝜔 1
𝑉+ = 𝑣𝑒 → 𝑉 + = 𝑣
1
+𝑅 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑒
𝑗𝐶𝜔
𝑅1 1
𝑉− = 𝑉+ → 𝑣𝑠 = 𝑣
𝑅1 + 𝑅2 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑒
1
𝑣𝑠 1+𝑗𝑅𝐶𝜔 1 𝑅1 + 𝑅2
𝑇(𝑗𝜔) = → 𝑇(𝑗𝜔) = 𝑅1 → 𝑇(𝑗𝜔) =
𝑣𝑒 1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 𝑅1
𝑅1 +𝑅2

𝑇0
2. 𝑇 𝑗𝜔 sous la forme 𝑇 𝑗𝜔 = 𝜔 . valeurs de 𝑇0 , 𝜔𝑐 , et 𝑓𝑐 :
1+𝑗
𝜔𝑐
𝑅1 +𝑅2 𝑅
1 + 𝑅2
𝑅1 1
𝑇(𝑗𝜔) = → 𝑇(𝑗𝜔) = 𝜔
1 + 𝑗𝑅𝐶𝜔 1+𝑗 1
𝑅𝐶
𝑇0 𝑅2 1
𝑇 𝑗𝜔 = 𝜔 → 𝑇0 = 1 + 𝑒𝑡 𝜔𝑐 =
1+𝑗𝜔 𝑅1 𝑅𝐶
𝑐
1
𝜔𝑐 = 2𝜋𝑓𝑐 → 𝑓𝑐 =
2𝜋𝑅𝐶
3. Le module et l'argument de 𝑇 𝑗𝜔 en fonction de 𝑇0 , 𝑓 et 𝑓𝑐 :

𝑇0
𝑇 𝑗𝜔 =
𝑓 2
1+ 𝑓𝑐
4. Courbes de gain et de phase dans le plan de Bode :

Courbe de gain :
2
𝑓
𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇 → 𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇0 − 20𝑙𝑜𝑔10 1+
𝑓𝑐
Pour 𝑓 ≪ 𝑓𝑐 : 𝐺 𝑑𝐵 → 𝐺0 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇0
𝑓
Pour 𝑓 ≫ 𝑓𝑐 : 𝐺 𝑑𝐵 → 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇0 − 20𝑙𝑜𝑔10 → −∞
𝑓𝑐
Si 𝑓 = 𝑓𝑐 : 𝐺 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 𝑇0 − 20𝑙𝑜𝑔10 2 = 𝐺0 − 3𝑑𝐵
𝐺 𝑑𝐵
Courbe asymptotique
𝐺0
𝐺0 − 3𝑑𝐵
Pente : −20𝑑𝐵/décacde
Courbe réelle
𝑓
𝑓𝑐

Courbe de phase :
𝑅
1 + 𝑅2 𝑅2 𝑓
1
𝑇= 𝑓
→ 𝜑 𝜔 = 𝑎𝑟𝑔 𝑇 = 𝑎𝑟𝑔 1 + − 𝑎𝑟𝑔(1 + 𝑗 )
1+𝑗𝑓 𝑅1 𝑓𝑐
𝑐
𝑓 𝑓
𝜑 𝜔 = 0 − 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔( ) → 𝜑 𝜔 = −𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔( )
𝑓𝑐 𝑓𝑐
Pour 𝑓 ≪ 𝑓𝑐 : 𝜑 𝜔 → 0
𝜋
Pour 𝑓 ≫ 𝑓𝑐 : 𝜑 𝜔 → − 2
𝜋
Pour 𝑓 = 𝑓𝑐 : 𝜑 𝜔 → − 4
𝜑 𝑟𝑎𝑑
𝑓𝑐
𝑓
𝜋
−4 Courbe asymptotique
Courbe réelle
𝜋
−2
Exercise 5:
 Montage 1
Amplificateur opérationnel supposé idéal. 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑣𝑒 = 10𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡.
1. Régime de fonctionnement de l'amplificateur opérationnel. Justification.

Régime de fonctionnement: régime non linéaire.
Justification : l’AOP est en boucle ouverte.

2. Expression de la tension de sortie 𝑣𝑠1 .

Régime non linéaire :
+𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + > 𝑉 −
𝑣𝑠 =
−𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + < 𝑉 −
On a :
𝑉 + = 𝑉𝑒 = 10𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
𝑅 1
𝑉− = 𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑐𝑐 = 7.5 𝑉 (𝑖 − = 0)
𝑅+𝑅 2
On obtient :
+15 𝑠𝑖 𝑉𝑒 > 7.5 𝑉
𝑣𝑠1 =
−15 𝑠𝑖 𝑉𝑒 < 7.5 𝑉
3. Caractéristique de transfert, 𝑣𝑠1 = 𝑓(𝑣𝑒 ).
𝑣𝑠1
+15
𝑣𝑒
−10 7.5 𝑉 +10
−15
4. Graphes de 𝑣𝑒 , 𝑉 − et 𝑣𝑠1 en fonction du temps :
𝑉
𝑣𝑠1
15V
𝑣𝑒
10V 𝑉−
7.5V
𝑡

5. Fonction réalisée par le montage 1 ;

Comparaison entre le signal alternatif 𝑣𝑒 et la tension 7.5 𝑉 .
 Montage 2
Amplificateur opérationnel supposé idéal. 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑣𝑒 = 10𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡. Diode Zener

supposée idéale avec 𝑉𝑍 = 6.8 𝑉.
1. Régime de fonctionnement de l'amplificateur opérationnel. Justification.

Régime de fonctionnement: régime non linéaire.
Justification : l’AOP est en boucle ouverte.
2. Expression de la tension de sortie 𝑣𝑠2 .

+𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + > 𝑉 −
𝑣𝑠 =
−𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉 + < 𝑉 −
On a :
𝑉 + = 𝑉𝑒 = 10𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
−
𝑉 = 𝑉𝑧 = 6.8𝑉 (𝑉𝑐𝑐 > 𝑉𝑧 → 𝐷𝑧 𝑝𝑎𝑠𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒)
On obtient :
+𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉𝑒 > 𝑉𝑧
𝑣𝑠2 =
−𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 𝑉𝑒 < 𝑉𝑧
+15 𝑠𝑖 𝑉𝑒 > 6.8 𝑉

𝑣𝑠2 =
−15 𝑠𝑖 𝑉𝑒 < 6.8 𝑉

3. Caractéristique de transfert, 𝑣𝑠2 = 𝑓(𝑣𝑒 ).

𝑣𝑠2
+15
𝑣𝑒
−10 6.8 𝑉 +10
−15
4. Graphes de 𝑣𝑒 , 𝑉 − et 𝑣𝑠2 en fonction du temps :

𝑉
𝑣𝑠2
15V
𝑣𝑒
10V 𝑉−
6.8V
𝑡
1. Fonction réalisée par le montage 2 :

Comparaison entre le signal alternatif 𝑣𝑒 et la tension 𝑉𝑍 = 6.8 𝑉.
Exercise 6
Amplificateurs opérationnels considérés idéaux. Diodes Zener supposées idéales avec

𝑉𝑧1 = 𝑉𝑧2 = 3 𝑉. 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉. 𝑣𝑒 = 12𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡.

1. Régime de fonctionnement des amplificateurs opérationnel. Justification.

Régime de fonctionnement : Régime non linéaire.
Justification : les amplificateurs opérationnels sont en boucle ouverte.
2. Expressions des tensions 𝑣𝑠1 et 𝑣𝑠2 :
+𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑠𝑖 𝑉 + > 𝑉 −
𝑣𝑠 =
−𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑠𝑖 𝑉 + < 𝑉 −
Pour A1 :
𝑉 + = 𝑣𝑒 = 12𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
𝑉 − = 𝑉𝑧1 + 𝑉𝑧2 = 6 𝑉 (𝑉𝑐𝑐 > 𝑉𝑧1 + 𝑉𝑧2 → 𝐷𝑧1 𝑒𝑡 𝐷𝑧2 𝑝𝑎𝑠𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒𝑠)
On obtient :
15 𝑉 𝑠𝑖 𝑣𝑒 > 6 𝑉
𝑣𝑠1 =
0 𝑠𝑖 𝑣𝑒 < 6 𝑉
Pour A2 :
𝑉 + = 𝑉𝑧2 = 3 𝑉
𝑉 − = 𝑣𝑒 = 12𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
On obtient :
+𝑉𝑐𝑐 𝑠𝑖 3 𝑉 > 𝑣𝑒
𝑣𝑠2 =
0 𝑠𝑖 3 𝑉 < 𝑣𝑒
15 𝑉 𝑠𝑖 𝑣𝑒 < 3 𝑉
𝑣𝑠2 =
0 𝑠𝑖 𝑣𝑒 > 3 𝑉
3. Graphes 𝑣𝑠1 et 𝑣𝑠2 en fonction de 𝑣𝑒 :

𝑣𝑠
𝑣𝑠2 𝑣𝑠1
+15
𝑣𝑒 (V)
−12 3 6 +12
4. Fonction qu’on peut réaliser avec ce montage ? Explication.

Fonction: Comparateur à fenêtre.
Explication : 𝑣𝑠1 = 𝑣𝑠2 = 0 si l'amplitude de 𝑣𝑒 est à l'intérieur de la fenêtre 3 V, 6 V .

Références
REFERENCES
[1] Khaled Bekhouche, support de cours « Electronique Fondamentale 1 ». Faculté des sciences
et de la technologie. Université Mohamed Khider - Biskra, 2014/2015.
[2] Elhocine Bouzourane, « Principes d’électronique ». Editions Houma, 2008. (Livre en arabe).
[3] http://fabrice.sincere.pagesperso-orange.fr/cm_electricite/TDelectrocinetiqueCh2v1.0.pdf
[4] Ali Gharsallah, Tarek Ben Nasrallah, Lassâad Gargouri « Exercices et problèmes corrigés
d’électronique analogique ». Centre de Publication Universitaire. Tunis, 2003.
[5] Marir, « TD électricité générale (TEC581) ». Faculté des sciences de l’ingénieur.
Département d’électronique. Université Mentouri-Constantine, 1998-1999.
[6] Pascal Masson, « Travaux dirigés d’électronique analogique ». École Polytechnique
Universitaire de Nice Sophia-Antipolis. Cycle Initial Polytechnique, première année. Année
scolaire 2012-2013.
[7] Djamel Hamoudi, Aicha Flitti « Analyse des circuits électriques : Cours, Exercices et
Examens ». Pages Bleues, 2010.
[8] Farida Hobar, « TD électronique générale (TEC580) ». Faculté des sciences de l’ingénieur.
Département d’électronique. Université Mentouri-Constantine, 1998-1999.
[9] http://jfalycee.free.fr/IMG/pdf_Ex_diodes.pdf
[10] Claude Chevassu, « Les diodes » ( http://mach.elec.free.fr/divers/poly_diodes.pdf).
[11] Farida Hobar, « Dispositifs électroniques et application ». Tome 1. Edition : Université
Mentouri-Constantine, (2003).
[12] Jean-Jacques Rousseau (http://www.ccp14.ac.uk/ccp/web-mirrors/j-j-
rousseau/enseignements/physique/02/cours_elec/exerc/exerc7.pdf)
[13] http://ressource.electron.free.fr/cours/transistor/recueil_bipolaire.pdf
[14] www.ile-reunion.org/louispayen/cours/correction-exo-vacances-noel-terminale-ok.doc
[15] http://philipperoux.nexgate.ch
[16] Hidri Imed, « Recueil de sujets d’électronique, électronique de commande et capteurs
actionneurs : Devoirs Surveillés et Examens ». Département : Génie Electrique. Institut
supérieur des études technologiques de Nabeul.
[17] Sylvain Géronimi, « Electronique analogique : Problèmes et corrigés ». Université Paul
Sabatier. 2010.
[18] Tahar Neffati, « Electricité Générale ». Dunod, Paris, 2008.

Références
[19] Tahar Neffati, « Introduction à l’électronique analogique ». Dunod, Paris, 2008.

[20] http://physiquenetappliquee.free.fr/ampli_op1.php
[21] http://www.bedwani.ch/electro/ch9/index.htm#AO29
[22] http://ressources.unisciel.fr/sillages/physique/td_electrocinetique/res/TDElec8.PDF
[23] Jean-Jacques Rousseau (http://www.ccp14.ac.uk/ccp/web-mirrors/j-j-
rousseau/enseignements/physique/02/cours_elec/exerc/exerc8.pdf)
[24] http://cbissprof.free.fr/telechargements/tsiris/travauxpratiques/tp1_10_filtre_actif_passe-
bas.pdf

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Il comporte plusieurs TD réparties en chapitre :

Le document est globalement divisé en trois parties.

Régime continu et Théorèmes fondamentaux - Rappels de cours -..…………………….….……1

Diodes - Rappels de cours -…….…………………………….………….….......……………....10

Transistors bipolaires - Rappels de cours -…..…………………………….………….….....…..14

Les amplificateurs opérationnels - Rappels de cours -……………………………..…….…...…20

TD 1 : Régime continu et Théorèmes fondamentaux ……...…………………………….…...…24

TD2 : Quadripôles passifs ……………………...…………………………….………….…........26

TD3 : Diodes …………………...…………………………………………………….………….29

TD4 : Transistors bipolaires ……………………………………………………………...…......32

TD 5 : Les amplificateurs opérationnels……………………………………...…………….…....36

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page ii

Régime continu et Théorèmes fondamentaux

 Loi des mailles

La tension aux bornes de la i-ième résistance 𝑅𝑖 s'écrit :

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 1

3.2. Diviseur de courant

Le courant 𝐼𝑖 traversant la i-ième résistance 𝑅𝑖 s'écrit :

3.3. Théorème de superposition

3.4. Théorème de Thévenin

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 2

3.5. Théorème de Norton

 Equivalence entre Thévenin et Norton

3.6. Théorème de Millman

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 3

3.7. Théorème de Kennelly

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 4

2. MATRICES D’UN QUADRIPOLE

2.1. Matrice impédance 𝒁

2.2. Matrice admittance 𝒀

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 5

1.2. Matrice hybride 𝒉

1.2. Matrice hybride 𝒈

1.2. Matrices de transfert (matrices chaîne)

Dr MATANGA Jacques, ENSPD Page 6

3.2. Association en parallèle de deux quadripôles

3.3. Association en cascade de deux quadripôles

Quadripôle Q équivalent : 𝑇 = 𝑇1 × 𝑇2 ; 𝑇′ = 𝑇′1 × 𝑇′2 .

4. PARAMETRES CARACTERISTIQUES D’UN QUADRIPOLE EN

Gain en tension (𝑨𝒗 ) :

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 7

Gain en courant (𝑨𝒊 ) :

Impédance de sortie (𝒁𝒔 ) :

5. APPLICATION DES QUADRIPOLES PASSIFS A L’ADAPTATION

Dr MATANGA Jacques,ENSPD Page 8

𝜑 𝜔 = arg 𝑉𝑠 𝑗𝜔 − arg(𝑉𝑒 (𝑗𝜔) )

Dr MATANGA Jacques, ENSPD Page 9

𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 : Tension de seuil de la diode.

Dr MATANGA Jacques, ENSPD Page 10

1.2. Modélisation de la diode à jonction PN

𝑉𝐷 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D passante

𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D bloquée

c) Modèle avec seuil et résistance

𝑉𝐷 > 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D passante

𝑉𝐷 < 𝑉𝑠𝑒𝑢𝑖𝑙 D bloquée

Dr MATANGA Jacques, ENSPD Page 11

Caractéristique 𝑰𝑫𝒛 𝑽𝑫𝒛 :

𝑉𝑧 : Tension Zener de la diode.