TP1 M1 GBM - 2020

Université Mouloud Mammeri De Tizi Ouzo
M1 GBM 2020/2021
ⵝⴰ ⵙⴷⴰ ⵓ ⵉ ⵝ ⵎⵓ ⵏ ⵓ ⴷ ⴰ ⵝⵎⴷⴰ ⵟⵙ
TP No 2
Etude des caractéristiques statiques de
récepteurs optoélectroniques
Objectifs du TP
 Vous serez capable de comprendre et de mesurer les caractéristiques de divers dispositifs
optoélectroniques tels que cellule photoconductrice, phototransistor, photoresistance, etc.
 Se familiariser avec la construction et le fonctionnement des détecteurs optique.
 Etude du couplage diodes électroluminescentes infrarouges et de photodiodes.
 Enregistrez et décrivez comment la lumière irradiée affecte le courant traversant les
photodetecteurs.
Les photodétecteurs
Les photodétecteurs captent les radiations lumineuses, visibles ou invisibles, et les transforment en
signaux ou en énergie électrique.
1. Effet photoconducteur
La photoconduction est la variation de la conductivité électrique des semiconducteurs soumis à des
radiations lumineuses.
1.1. Photodiode à jonction PN
Selon les performances recherchées, on choisira soit un mode de fonctionnement
photoconducteur avec source d’alimentation, soit un mode voltaïque sans source
d’alimentation.
Les caractéristiques du mode photoconducteur sont:
 la linéarité
 un temps de réponse court
 une bande passante étendue
Applications nombreuses:
 Commande de la mise en marche d’un mécanisme d’ouverture de porte
 Mesure de photométrie
1.2. Phototransistors
L’élément semiconducteur constituant la base du transistor peut être éclairé. Le boîtier du
phototransistor est muni d’une ouverture formée par une petite lentille qui permet de
concentrer les radiations lumineuses sur la jonction collecteur base. Cette jonction se
comporte comme une photodiode dont le courant est amplifié par effet transistor entre la base et
l’émetteur.
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M1 GBM 2019/2020
Les principales caractéristiques optiques et électriques des phototransistors sont:
 le courant de collecteur IC pour différentes valeurs d’éclairement
 le courant d’obscurité pour une tension VCE et un éclairement énergétique nul
 la réponse spectrale (fonctionnement plutôt observé dans les IR)
 la réponse angulaire suivant l’angle d’incidence entre la source et l’axe optique du
photoconducteur
 le temps de réponse
Le phototransistor a une sensibilité de 100 à 200 fois plus élevée que pour une
photodiode, fournit un courant de collecteur de l’ordre des milliampères et est plus lent qu’une
photodiode
1.3. La photorésistance (LDR Light Dependant Resistor)
Cellule photoconductrice ou résistance de détection de lumière (LDR), elle est formée d’un semi-
conducteur (CdSe par exemple pour le visible). Dans l’obscurité, sa résistance est relativement
importante. En présence de lumière, l’absorption de photons augmente le nombre d’électrons (et de
trous) conducteurs ce qui diminue la résistance. Comme dans l’effet photoélectrique, il existe un
effet de seuil (qui ne se manifeste pas pour les rayonnements visible et proche du visible) : l’énergie
et donc la fréquence des photons doivent avoir une valeur minimale pour que ce phénomène se
produise. Si cette condition est remplie, le nombre d’électrons et trous de conduction, et donc la
conduction, est croissant avec l’intensité lumineuse.
La partie sensible de la LDR est une piste de sulfure de

cadmium qui serpente à la surface du capteur.
L'énergie lumineuse déclenche l'augmentation des
porteurs libres dans la matière de la LDR, si bien que
la valeur de la résistance diminue d'autant plus que la
luminosité augmente
La réponse spectrale du CdS correspond étroitement à celle des yeux humains. La cellule est donc
utilisée dans des applications où la vision humaine est un facteur, tel que le contrôle de l'éclairage
public ou le contrôle automatique de l'iris des caméras.
Les principales caractéristiques d’une photorésistance sont:
La sensibilité
La réponse spectrale
Le temps de réponse
Les photorésistances possèdent une sensibilité variable suivant les longueurs d’onde. Il est possible
de modifier la caractéristique spectrale suivant les impuretés injectées dans le semiconducteur.
Le temps de réponse dépend du matériau semiconducteur. Les photorésistances sont
généralement utilisées pour des fréquences de modulation de la lumière inférieure à 1kHz.
On tiendra compte pour le choix de la résistance de la puissance maximale acceptable
(prévoir le choix d’un dissipateur thermique).
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Exemple d’application : le lecteur à codes-barres
codes
2. L’éclairement
L’éclairement lumineux E correspond à un flux lumineux reçu par unité de surface. Son unite est le
LUX dont le symbole est le lx.
3. Caractéristiques photo électriques

Photocourant supplémentaire du à l’éclairement :
ph ↑ si a et b ↑ et L ↓
Sensibilité en courant de la LDR :
SI ↑ si a ↑ et L ↓
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Manipulation
Réaliser le montage suivant a base de LDR et d’une source de tension DC
1. Varier la distance de la source lumineuse

2. Relever les valeurs du courant et de la tension aux bornes de la résistance R
3. Déduire la valeur de la photorésistance.
4. Tracer la caractéristique R=f(X) (Resistance en fonction de la distance)
On suppose que chaque itération vaux 20cm.
Refaire le montage avec une LDR contrôlé par intensité lumineuse.
1. Varier la l’intensité de la source lumineuse avec un pas de 50 (entre 0 et 200lx) et d’un pas
de 100 jusqu'à 600lx, puis un pas de 500 jusqu'à 3000lx
2. Relever les valeurs du courant et de la tension aux bornes de la résistance R
3. Déduire la valeur de la photorésistance.
4. Tracer la caractéristique R=f(E) (Resistance en fonction d’intensité lumineuse).
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La partie sensible de la LDR est une piste de sulfure de

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