PRINCIPES ET COMPORTEMENTS Cours sur les transistors.

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LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

GÉNÉRALITÉS
Constitution :

Un transistor est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes) montées en sens inverse. Selon le sens
de montage de ces diodes on obtient 2 types de transistors :

Un transistor comporte trois connexions :

L’émetteur (E), la base (B) et le collecteur (C)

Le transistor NPN Le transistor PNP

La base, zone de type P est située entre La base, zone de type N, est située entre
deux zones de type N. deux zones de type P.

Remarques :

L'émetteur est toujours repéré par une fléche qui indique le sens du courant dans la jonction entre base
et émetteur. C'est l'effet transistor qui permet à la diode qui est en inverse de conduire quand une tension
est appliquée sur la base.

NPN PNP

On peut considérer le transistor comme l’association de deux diodes dont la représentation ci-
dessus peut aider.
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Boitier et brochage d'un transistor :

Il varie selon le type de boitier. On trouve essentiellement les boitiers ci-dessous :

À côté de chaque image se situe le nom du boitier ainsi que les résistances thermiques jonction vers
ambiant et jonction vers boitier.

La résistance thermique jonction vers ambiant est particulièrement intéressante dans le cas de calcul
de température et de dissipation de puissance. Si nous avons 1 Watt à dissiper par exemple, un boitier
TO202 s’élèvera de 100°C par rapport à la températu re ambiante.

Attention : les valeurs figurant dans ce tableau sont des ordres de grandeur. Pour plus de précision,
consulter les spécifications (ou datasheet) constructeur du composant.

Jonction vers Jonction vers

Boitier Nom
ambiant (°C/W) boitier (°C/W)

TO202 100 10

TO92 200 83.3

Petits signaux

TO18 300 80

TO39 190 50

TO220 50 5
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Jonction vers Jonction vers

Boitier Nom
ambiant (°C/W) boitier (°C/W)

TO3 35 4
Puissance

SOT32 ou TO126 100 10

POLARISATION D'UN TRANSISTOR

- Règles :

- Deux sources d'alimentation sont nécessaires pour assurer un fonctionnement correct du

transistor. Elles sont souvent notées :

- VBB : Alimentation du circuit Base.

- VCC : Alimentation du circuit Collecteur.

Remarque : L'alimentation VBB est parfois réalisée à partir de VCC

- Caractéristiques d'un transistor :

- Les constructeurs donnent en général les valeurs ci-dessous à ne pas dépasser afin d'éviter
la détérioration du transistor :

- VCE0 ou VMAX : Tension collecteur/emetteur maxi (à VBB =0)

- VBEO : Tension base/emetteur maxi
- IC max : Courant maxi dans le collecteur
- P : Puissance maxi que peut dissiper le transistor (avec P = VCE . IC)
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- Schéma de principe : (Placer les courants et les tensions sur le schéma)

Ic

Avec :

Ib = courant de base
VCE Ic = courant de collecteur
Ib
VBE Ie = courant dans l’émetteur
Ie
RB et RC = résistances de
limitation des courants Ic et Ib

- Relations entre courants :

- La loi des nœuds permet d'écrire :

IE = IC + IB (1)

- D'autre part il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à l'effet
transistor. Cette relation s'écrit :

IC = β . IB (avec β = gain en courant du transistor)

REM : Ce coefficient β est souvent noté Hfe dans les catalogues constructeurs. Il est
parfois aussi appelé coefficient d'amplification statique en courant.

En régle générale β varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :

- Transistors dit "Petit signaux" : 100 < β < 300

- Transistors dit de "Puissance" : 30 < β < 100

- La relation (1) peut alors s'écrire :

IE = β . IB + IB soit IE = ( β + 1) . IB
REM : Si β. IB est grand devant IB (ce qui est le cas pour les transistors "Petits signaux")
on peut alors écrire :

β + 1 = β et IE = IC

LE TRANSISTOR EN RÉGIME DE COMMUTATION

Il est alors considéré comme un "relais statique".

- Analogie Relais électromagnétique / Transistor :

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Ur = 0

Ib = 0 Ic = 0
Ib ≠ 0 Ic ≠ 0

Uc = Vcc Uc = 0

Ur2
Ur2
Ic = 0 Ic ≠ 0

Ur1 Ur1
Ib = 0 VCE Ib ≠ 0 VCE

VBE VBE

Ur1 = 0 et VBE = 0 Ur1 ≠ 0 et VBE ≠ 0

- On a alors 2 états de fonctionnement :

Si Ib = 0 on a Ic = 0 Si Ib ≠ 0 on a Ic ≠ 0
Le transistor est dit : Le transistor est dit :

« BLOQUÉ » « SATURÉ (ou PASSANT) »

(Donc équivalent à un interrupteur (Donc équivalent à un interrupteur

ouvert entre collecteur et fermé entre collecteur et emetteur)
emetteur)
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- Points de fonctionnement d'un transistor en commutation :

- Sur le réseau de caractéristique Ic = f (VCE) à Ib = constante ci-dessous on trace la "droite

de charge du transistor" :

Ic (mA)

Ib’ sat > Ib sat

P4 Ib sat > Ib mini

P3 Ib = Ib mini

P2

Ib3 > Ib2

Ib2 > Ib1

Ib = Ib1 ≠ 0
P1 Ib = 0



P0 VCE (V)
VCE sat
REM : Le réseau de caractéristique Ic = f (Vce) à IB = constante est dépendant du
transistor utilisé (il est donné par le constructeur).

- L'équation de la droite de charge est donnée par la "maille" du schéma (page 5)

soit :

Vcc – UC - VCE = 0 (Uc = Tension dans la résistance de charge)

- Lors du fonctionnement en commutation le point P se déplace sur la droite

de charge entre P1 (pour Ib = 0) et P3 (pour Ib = Ib mini).

On peut définir les coordonnées des points P0 et P4 :

- Point P0 : On a Ic = 0 donc VCE = VCC

- Point P4 : On a VCE = 0 donc Ic = Vcc / RC

- En conclusion si Ib augmente :

- Ic augmente et tend vers Vcc / RC

- VCE diminue et tend vers 0

- On appelle Ib mini la valeur pour laquelle on à saturation du transistor ; pour cette valeur
Ib on a :

Ic = Vcc / RC ( = Ic sat ) et Vce sat = 0

(En réalité VCE sat varie de 0,1 à 0,4 V selon la valeur de Ib sat)

- Cette valeur de Ib mini correspond à la valeur de VBE = 0,7 V qui est la tension de seuil
de la jonction Base / Emetteur.
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- Calcul de la résistance de base d'un transistor en commutation :

- Pour ce calcul il est nécessaire de connaître :

- Les tensions d'alimentation Vbb et Vcc.

- La valeur de la résistance de charge Rc (ou le courant Ic).
- Les caractéristiques du transistor utilisé.

REM : En régle générale pour avoir un fonctionnement correct on adopte un coefficient

de "sursaturation" compris entre 2 et 5 Ib mini.

EXERCICE D’APPLICATION
- Soit le schéma ci-dessous :

S1
IO2
+ -
M
DC_MOTOR_ARMATURE

Q1
U1
IO1 R1 2N2222A
& Ib
T
1kohm
AND2
Ve Vs Vcc

Caractéristiques électriques du moteur : DC 20 Watts / 12 Volts.

CI : AND2 de référence SN 7408 (IOH = 20 mA maxi).

Question 1 :

Définir la tension d’alimentation Vcc ainsi que les tensions Ve et Vs.

La caractéristique tension du moteur DC est de 12 V. La tension Vcc sera donc

de 12 V pour que le moteur fonctionne correctement quand le transistor est saturé.
Le circuit intégré SN 7408 est un circuit de technologie TTL. Il est donc alimenté en 5 V.
La tension Vs à l’état haut (1L) est donc de 5 V. Ve sera donc aussi de 5 V car Ve = Vs du CI.

Question 2 :

Choisir le transistor T (voir document constructeur en page 9) puis en déduire le courant de

commande Ib.

Pour le choix du transistor T il faut respecter son type (NPN ou PNP) et les valeurs à ne
pas dépasser afin d’éviter sa détérioration c.a.d :
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- VCEO : Tension Collecteur / Émetteur maxi (à Vbb =0)

- IC max : Courant maxi dans le collecteur.

Dans notre cas il faut que VCEO soit >= à la tension Vcc de 12 V.

Et il faut que IC max soit >= au courant consommé par le moteur soit :

Im = P / Vcc = 20 / 12 soit 1,666 A = 1666 mA

Plusieurs choix de transistors de type NPN sont possibles sur le document constructeur :

On choisi le ZTX 650 par exemple qui possède les caractéristiques les plus proches dans
l’ensemble de celles recherchées.

Question 3 :

Calculer la résistance de base R1 puis vérifier la compatibilité du CI avec le montage.

Il possède un Hfe de 100 à 300 on a donc Ib mini = Ic / Hfe mini soit 1666 / 100 = 16 mA

Et par suite R1 = (Ve – Vbe) / Ib mini = (5 – 0,7) / 0,016 = 268,75 Ω

(soit 280 Ohms / valeur normalisée)

REM : On peut vérifier que Ib mini est < à 20 mA.

On respecte donc bien la valeur de IOH = 20 mA maxi en sortie du CI.

Mais avec ce transistor on ne peut pas adopter de coefficient de sursaturation pour Ib

(2 à 5) car on dépasserait cette valeur max de IOH.
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