Ministère de l’Enseignement Supérieur

et de la Recherche Scientifique

Mastère professionnel en Nouvelles Technologies des

Télécommunications et Réseaux (N2TR)

Communications optiques
Chapitre 2 :Les sources optiques
 Objectifs du chapitre 2

 Décrire les différentes sources à semi-conducteurs (principe,

caractéristique de fonctionnement)

Communications optiques 2
 Sommaire
 Transmetteurs optiques: Sources à semi-conducteurs
 Sources à semi-conducteurs (SC)
 Sources SC: Laser vs. LED
 Diodes électroluminescentes
 Lasers à semi-conducteurs

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 Sources à semi-conducteurs
 Avantages:
 Compacte
 Efficace
 Fiable
 Modulation
 Jonction P-N
 Injection de courant Diode laser à homojonction de GaAS
 Recombinaison des porteurs de façon radiative (par émission de lumière)
 Zone active
 Confinement des charges
 Confinement de la lumière
 Ces lasers comportent une zone de gain de très faible épaisseur entourée de
miroirs de Bragg hautement réfléchissants qui compensent le gain faible de ces
structures pour assurer l’effet laser.

Communications optiques 4
 Sources SC: Laser vs. LED
Dans les systèmes de transmission par fibre optique, les lasers FP (Fabry-Perot),
DFB (laser à contre réaction distribuée) et VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting
Laser) sont des diodes lasers à semi-conducteurs et ils sont les plus couramment
utilisés. Pour les communications de données à bas débit (jusqu'à 200 Mb/s ), les LED
(diodes électroluminescentes) trouvent aussi une application en tant que sources
optiques.
 LEDs
 Émission incohérente :large bande spectrale (30-60 nm).
 Faisceau très divergent
 Simple d’opération, peu dispendieux
 Fibres multimodes
 Diodes lasers
 Émission cohérente: bande spectrale étroite (<1 nm)
 Cavité résonante (FP, DBR: Distributed Bragg Reflector, DFB)
 Stabilisation requise
 Fibres monomodes

Communications optiques 5
 Diodes électroluminescentes
 Dans les semi-conducteurs directs, la recombinaison d’une paire
électron-trou est radiative, c’ad que son énergie, voisine de Eg,
largeur de bande interdite (ou gap), est transférée à un photon de
même énergie h. C’est l’électroluminescence.
 Une structure de diode permet de créer un grand nombre de
recombinaisons de porteurs minoritaires injectés à travers la
jonction, et donc une émission d’un grand nombre de photons.
 Les photons émis sont indépendants entre eux; cette émission est
incohérente.

Communications optiques 6
 Diodes électroluminescentes
Efficacité externe
 L’efficacité externe ηexterne d’une LED quantifie l’efficacité de conversion de l’énergie
électrique en énergie optique émise. Cela comprend l’efficacité interne du
processus de recombinaisons radiatives et l’efficacité de l’extraction de photons du
composant.
 La puissance électrique fournie à une LED est le produit tension-courant de la
diode (U×I). Si Psortie est la puissance optique émise par la LED, alors:

ηexterne= Psortie/U×I×100% Efficacité externe

 Les semi-conducteurs à gap indirect ont une ηexterne faible (<1%).

 Les semi-conducteurs à gap direct peuvent avoir des ηexterne très élevées.

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 Diodes électroluminescentes
Spectre d’émission
 Le spectre émis dépend du gap du semi-conducteur émetteur et de la température
de fonctionnement du composant.
 En prenant en compte la densité d’états et le distribution des porteurs, on montre
que le spectre d’émission a les propriétés suivantes:
 Largeur à mi-hauteur: FWHM=1.8kT
 Maximum d’émission: E =Eg+1/2 kT

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 Les lasers à semi-conducteurs
 Un laser à semi-conducteurs (LSC) est:
 une jonction p-n
 fabriqué typiquement à partir d’un semi-conducteur à gap direct
 l’émission est produite par recombinaison stimulée
 l’amplification se fait dans une cavité résonante
 la structure confine les porteurs
 Accroissement du rendement
 Effet de guidage optique

 Applications principales:
 Communications
 Test et mesures
 Bio-photonique,
 …

Communications optiques 9
 Les lasers à semi-conducteurs
 LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.

 Un laser comprend:
 Un processus de pompage (injection électrique, pompage optique)
 Une cavité résonante pour faire croître l’intensité (rétroaction+filtre)
 Une paroi laissant s’échapper une partie de la radiation
 Le milieu amplificateur est un semi-conducteur: GaAs, InP, GaN, GaSb
 L’émission laser est cohérente est bien définie en longueur d’onde.

Communications optiques 10
 Les lasers à semi-conducteurs
Gain seuil
 Un laser opère en régime stationnaire pour maintenir un niveau de puissance
stable à sa sortie. Cela implique que dans la cavité optique résonante les
oscillations électromagnétiques ne croissent pas et ne meurent pas.
 La puissance initiale Pi et la puissance finale Pf après un aller-retour doivent être
les mêmes. Le gain optique net par aller-retour Gop est alors:

Gop=Pf /Pi=1

Cavité optique résonante

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 Les lasers à semi-conducteurs
Gain seuil
 Origines des pertes
 Transmission à travers les miroirs (de réflectivité R1 et R2) de la cavité
 Diffusion par défauts et les inhomogénéités
 Absorption par les impuretés et les porteurs de charges libres
 Ces pertes doivent être compensées par un gain en émission stimulées pour
maintenir le régime stationnaires.
 Les pertes réduisent la puissance en exp(-xγ) où γ est le coefficient d’atténuation
du milieu.
 La puissance Pf de la radiation après un aller-retour de longueur 2L dans la cavité
est alors:
Pf  Pi R1R2 expg 2Lexp  2L
 Condition du régime stationnaire => Gain= Pertes
 La valeur du coefficient de gain g pour lequel Pf/Pi=1 est le seuil :
1  1 
g seuil    ln 
2 L  R1 R2  Gain optique seuil

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 Les lasers à semi-conducteurs
 Le niveau d'énergie où il y a exacte compensation des pertes par le gain est appelé
seuil du laser.
 Puisqu'en général les sources optiques n'exploitent pas l'émission produite avant
l'effet laser, on cherche à réduire au maximum ce seuil afin de limiter la
consommation d'énergie. Une fois l'effet laser obtenu, on constate que certaines
ondes bien déterminées, qui se propagent dans la cavité, sont favorisées tandis
que d'autres sont atténuées.
 Les ondes favorisées portent le nom de modes longitudinaux.

Spectre d’un laser semi-conducteur Fabry-Pérot

(Plusieurs modes apparaissent)
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 Les lasers à semi-conducteurs
Cavité Fabry Pérot (FP)
 Cavité la plus simple: deux miroirs plans parallèles.

 Pour diminuer les pertes d’une cavité FP, il faut augmenter sa longueur L.
 La résonance se produit lorsque la longueur du guide, L, est un multiple entier de la demi-
longueur d’onde (soit λ/2n dans le matériau d’indice n), ce qui sélectionne les modes
longitudinaux de longueur d’onde:
λp =2Ln/p
avec p entier, d’où un espacement entre raies:
δλ = λ2/2LN
avec N=n- λ dn/dλ indice de réfraction de groupe, très voisin de n.
En général, p était grand, plusieurs longueurs d’onde susceptibles d’être amplifiées vérifient cette
relation.
 Si la cavité est courte. il faut des miroirs à très grande réflectivité pour limiter les pertes.

Communications optiques 14
 Les lasers à semi-conducteurs
Cavité Fabry Pérot (FP)
Le spectre d’un laser Fabry Pérot est représenté par la figure ci-dessous.

Spectre d’un laser Fabry Pérot

 Le spectre du laser Fabry Pérot contient plusieurs raies, ce spectre est dit
multimodes longitudinaux. La largeur spectrale n’est pas nulle, ce qui est
acceptable à 1300 nm mais pas acceptable à 1550 nm, à cause de la dispersion
chromatique.

Communications optiques 15
 Les lasers à semi-conducteurs
Laser DFB
 La structure d’une diode laser à contre réaction distribuée (laser DFB) est
schématisée par la figure suivante:

Structure d'un laser DFB.

 Pour obtenir un spectre monomode en intégrant le long du guide un réseau de

diffraction de pas Λ. Cette perturbation périodique va entrainer une réflexion
distribuée de la longueur d’onde définie par les paramètres physiques du réseau
de diffraction neff et Λ :
lB=2neffΛ

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 Les lasers à semi-conducteurs
Laser DFB
 Pour changer lB, il faut modifier soit le pas du réseau, soit l’indice effectif du
matériau. Dans les semi-conducteurs, le pas du réseau de diffraction est inscrit
définitivement, il est donc nécessaire de faire varier l’indice effectif neff pour faire
varier la longueur d’onde d’émission. La modification de l’indice effectif peut être
achevée par injection de courant ou par application d’un champ électrique
 Le spectre d’un laser DFB est représenté par la figure suivante:

Le spectre d’un laser DFB

 Le spectre du laser DFB est alors monomode longitudinal. Pour garder une
longueur d’onde précise et stable, il faut asservir le courant et la température du
laser.

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 Les lasers à semi-conducteurs
 Les lasers FP, DFB et VCSEL ont généralement une petite taille, une bonne qualité
spectrale, une faible consommation énergétique et une longueur d’onde ajustable
compatible avec les fenêtres de transmission des fibres optiques (autour de 850
nm, 1310 nm et 1550 nm).
 Les lasers DFB sont des sources fiables, considérées comme monochromatiques,
certaines caractéristiques d'un laser DFB commercialement disponibles sont
données dans le tableau suivant.

Exemple de spécifications d.une diode laser à

semi-conducteurs de type DFB

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 Les lasers à semi-conducteurs
Influence de la température
 Les performances des lasers varient en fonction de la température.
 Le courant de seuil du laser augmente avec la température. Il passe typiquement
de 15 mA à 20°C à 23 mA à 50°C.

 La pente de la caractéristique de puissance en fonction du courant est plus faible,

le rendement de puissance en fonction du courant est moindre.
 La longueur d ’onde d ’émission augmente avec la température. Valeur typique de
la variation de λ :
 pour un DFB 0.1 nm.°C-1.
 pour un laser à cavité externe 0.015 nm°.C-1.
 Il est souvent nécessaire de réguler la température des lasers.

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