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    TP Amplificateur À Transistor Bipolaire

    Transféré par

    Mohammed El Monady
    Ce document décrit un amplificateur à transistor bipolaire monté en émetteur commun. Il présente l'étude théorique du montage, notamment son fonctionnement statique et dynamique, et le calcul de ses principaux paramètres comme le gain en tension, l'impédance d'entrée et l'impédance de sortie.

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    TP Amplificateur À Transistor Bipolaire

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    Description originale:

    AOP

    Titre original

    TP Amplificateur à Transistor Bipolaire

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    TP Amplificateur À Transistor Bipolaire

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    Amplificateur à transistor Bipolaire

    But :
    Nous allons, au cours de ce TP étudier un amplificateur à transistor monté en émetteur
    commun. Après avoir le transistor. Nous allons étudier le comportement du montage lorsqu'on
    l'attaque par des signaux à basses fréquences, autour de ce point de polarisation ct ensuite
    déterminer sa bande passante.

    Etude théorique
    1. Montage amplificateur émetteur commun
    Le montage réaliser est le suivant :
    On considère le montage ci-contre,
    avec E = 15V
    Le transistor utilisé est le BC547A

    2. Etude statique
    On considère le montage ci-dessous de régime statique :

    On désire placer le point de repos au milieu de la droite de charge, sachant qu'on désire
    avoir un courant collecteur de 4.5mA Et que le RE est de 1800Ω
    1. Calcule de RC et VCEO
    Equation de la droite de charge :
    𝐸 = 𝑅𝑐 𝐼𝑐 + 𝑉𝑐𝑒 + 𝑅𝑒 𝐼𝑒 avec Ie ≈ 𝐼𝑐
    Puisqu’on désire de placer le point de repos au milieu de la droite de charge :
    𝐸
    𝑉𝑐𝑒𝑜 = et Ico = 4,5mA
    2
    𝐸
    𝐸− 2
    D’où 𝑅𝑐 = − 𝑅 AN: 𝑅𝑐 = 1.49𝐾Ω
    𝐼𝑐𝑜
    2. A partir du document constructeur du transistor on trouve :
     La valeur typique du 𝛽 = 200
     La valeur typique du IB0 = 22,5𝜇𝐴
     La valeur typique du VBE0 = 0,7𝑉
    3. On désire avoir un courant IB négligeable devant le courant du pont deviseur IP (dans
    RI et R2) telle que IP≥ 5IBO Ceci permet d'avoir un potentiel VB insensible aux
    variations de IBO.
    𝐸 5 1
    - Calcule de la valeur R1+R2 : On a IP=5IBO → =5IBO → IBO
    𝑅1+𝑅2 𝐸 𝑅1+𝑅2
    𝐸
    Alors : 𝑅1 + 𝑅2 = AN : 𝑅1 + 𝑅2 = 133,33 𝐾Ω
    5 IBO
    - Calcule de la valeur R2 :
    D’après l’équation de la droite d’attaque :
    𝑉𝐵𝐸0 + 𝑅𝑒𝐼𝑐
    𝑅2 𝐼𝑝 = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑅𝑒 𝐼𝑐 → 𝑅2 =
    5𝐼𝐵0
    AN : 𝑅2 = 13,42 𝐾Ω
    - Calcule de la valeur R1 :
    On a 𝑅1 + 𝑅2= 133,33 𝐾Ω et 𝑅2 = 13,42 𝐾Ω
    D’où 𝑅1 = 133,33 − 𝑅2 → AN : 𝑅1 = 119,9 𝐾Ω

    3. Etude dynamique
    1. En négligeant h22 et h11 et on établit le schéma équivalent du montage en régime
    dynamique.
    En régime dynamique, l’alimentation E ainsi que toutes les capacités, sont considérées
    comme des circuits fermés à la fréquence du travail.
    Alors :
    - Avec Ce, la résistance Re sera court-circuitée en régime dynamique.
    - E est à la masse
    - R1 et R2 sont en parallèle (R1 // R2 = Rb)
    - Rc et Rcharge sont en parallèle (en cas de liaison une charge dans la sortie)
    Le montage ci-dessous représente le schémas équivalent du montage en régime
    dynamique émetteur commun :

    2. Calcule des paramètres caractéristiques de l'amplificateur :


    - Le gain en tension à vide Avo :
    𝑉𝑠 𝛽𝑖𝑏𝑅𝑐
    On a Ve = h11 ib et Vs = - 𝛽ib Rc Alors = −
    𝑉𝑒 ℎ11𝑖𝑏
    𝛽𝑅𝑐
    Avo= −
    ℎ11
    - L'impédance d'entrée Re :
    L’impédance d’entrée c’est l’impédance vue entre les bornes de l’entrée de
    𝑉𝑒
    l’amplificateur : Re= = Rb //h11
    𝑖𝑒
    𝑅𝑏ℎ11
    Re=
    𝑅𝑏+ℎ11

    - L’impédance de sortie Rs :
    L’impédance de sortie c’est l’impédance vue entre les bornes de la sortie de
    l’amplificateur en isolant la charge et en court-circuitant les sources de tension et ouvrant les
    sources de courant.

    Rs= 𝑅𝑐 (à vide)

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