ELE2302 Circuits lectroniques

Solutionnaire examen final - Automne 2006

COLE POLYTECHNIQUE DE MONTRAL

ELE2302 : CIRCUITS LECTRONIQUES
SOLUTIONNAIRE EXAMEN FINAL

Notes :
1. Documentation : Feuilles manuscrites autorises.
2. Calculatrice autorise.
3. Nombre de pages : 9 ( vrifier avant de commencer rpondre aux questions).
4. Justification des rponses : les rponses non justifies seront considres incompltes.
5. Justification des calculs : pour les questions dapplications numriques, les rsultats balancs sans
explication ne seront pas pris en compte.

Conseils :
1. Lire tous les exercices avant de commencer rpondre aux questions.
2. Bien rpartir votre temps en fonction du barme.
3. Pour les calculs numriques, donner toujours le calcul analytique avant de remplacer par les
valeurs numriques.

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A. Khouas
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1. Exercice 1 (4pt)
X

Rpondre brivement aux questions suivantes en justifiant vos rponses :

1.1

Dessiner un montage de polarisation dun transistor bipolaire NPN par une tension
base-metteur fixe. Pourquoi cette polarisation ne convient-elle pas pour une production
en srie ?

Le point de polarisation nest pas stable, il est sensible aux variations des paramtres du
transistor.
1.2

Dessiner un montage de polarisation dun transistor NMOS avec une tension grillesource et une rsistance de source. Quel est lavantage de cette polarisation ?

Le point de polarisation est moins sensible aux variations des paramtres du transistor.
1.3

Expliquer en utilisant un graphique linfluence de la valeur de la rsistance de collecteur

sur la polarisation dun transistor NPN.
Un choix adquat de la valeur de la rsistance de collecteur permet une grande plage de variation
de la tension de sortie. En gnral, on utilise la rgle de 1/3 pour choisir la rsistance de
collecteur.

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1.4

Pourquoi utilise-t-on les modles petits signaux des transistors ?

Pour simplification des calculs dans le cas de petit variations autour du point de polarisation.

2. Exercice 2 (8 pts)
X

On considre le montage metteur commun de la Figure 2-1. On suppose quon a VCC=15V, la

tension thermique VT = 25 mV, et que le transistor NPN a =100 et VA=100V. On suppose aussi
que toutes les capacits de couplage/dcouplage sont infinies (quivalentes des courtscircuits pour les frquences considres) et quon nglige les capacits internes du transistor.
X

Figure 2-1
2.1

On souhaite polariser cet amplificateur avec un courant de collecteur IC=1mA et les

tensions VCE=VE=VCC/3. Calculer les valeurs de toutes les rsistances.
On a : I C = 1mA I B = 0.01mA et I E = 1.01mA
VCC
= 5V VRC = 5V et VB = V E + 0.7 = 5.7V
3
5
= = 5k
1

VE = VCE =

2.2

RC =

VRC

RE =

VE
5
=
= 4.95k
I E 1.01

RB =

VCC VB 15 5.7
=
= 930k
IB
0.01

IC

Calculer les paramtres petits signaux (gm, r,, re, et ro) du transistor pour la polarisation
de la question 2.1.

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IC
1
=
= 40mA / V
Vt 0.025

gm =
r =
re =
ro =

gm

gm

100
= 2.5k
40

0.99
= 25
40

VA 100
=
= 100k
IC
1

2.3

Dessiner le circuit petit signal quivalent de lamplificateur en remplaant le transistor

par son modle petit signal en .

2.4

Dessiner le circuit petit signal quivalent de lamplificateur en remplaant le transistor

par son modle petit signal en .

2.5

En ngligeant la rsistance ro, donner lexpression et la valeur du gain en tension

Gv=vout/vin. Pour lapplication numrique, on prendra RL=10k.
Pour le calcul du gain on a le choix entre lutilisation du circuit quivalent avec le modle en T et
du circuit quivalent avec le modle en .
B

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En entre, on a : vin = r ib + RE ( + 1)ib = (r + RE ( + 1))ib

En sortie, on a : vout = ib ( RC // RL )
Gv

vout
( RC // RL )

=
=
( RC // RL )
vin
r + RE ( + 1)
r + RE ( + 1)

Application numrique :
10 5
 3.33k
10 + 5
r + RE ( + 1) = 2.5 + (101 5) = 502.45k

( RC // RL ) =

Gv  0.66V / V

2.6

Calculer la plage de variation permise de la tension dentre. On suppose que

Vce_sat=0.3V.
Il faut avoir :
vbe = r ib =

vbe 10mV

et Vce _ sat vOUT VCC

r
vin = 0.005vin
r + ( + 1) RE

vbe 10mV vin 2V

vOUT = vC = VC + vout = 5 + Gv vin = 5 0.66vin
0.3V vOUT 15V 0.3V 5 0.66vin 15V 7.6V vin 14.7V
Il faut donc avoir : vin 2V
2.7

On suppose maintenant quon a RC=RE=2.5k et RB=462k, calculer les courants (IB, IC,
et IE) et les tensions de polarisation (VB, VC, et VE).

On a : VCC = VRE + VBE + VRB = RE I E + 0.7 +

IE =

IE
R
+1 B

VCC 0.7
15 0.7
=
= 2.02mA
RB
462
RE +
2.5 +
+1
101

IE
= 0.02mA et I C = I B = 2mA
+1
VE = RE I E = 5.05V ; VC = VCC RC I C = 10V , VB = VE + 0.7V = 5.75V
IB =

2.8

Pour la polarisation de la question 2.7, calculer le pourcentage de variation du courant

de polarisation IC si on utilise un autre transistor ayant =75. Que peut-on conclure ?

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VCC 0.7
R
RE + B
+1
15 0.7
Pour , on a : I E =
= 1.66mA
462
2.5 +
76

On a : I E =

IC =

+1

I E = 1.64mA

% variation = 18%
==> Mauvaise polarisation pour une production en srie, car la polarisation est sensible .

2.9

Proposer une solution au problme de la question 2.8.

Pour diminuer la sensibilit du point de polarisation par rapport , il faut avoir :
RE >> RB/(+1)
Il faut donc diminuer la rsistance RB. Pour pouvoir diminuer RB tout en gardant le mme point
de polarisation, il faut diminuer la tension VB soit par lutilisation dune source de tension
diffrente de VCC ou par lutilisation de la mme source VCC, mais avec un diviseur en pont.

3. Exercice 3 (3 pts)
X

Soit le circuit de la Figure 3-1. On suppose quon a VDD=10V, et que le transistor NMOS a Vt=2V,
Kn=nCoxW/L=0,5mA/V2 et VA=100V.
X

Figure 3-1
3.1

Calculer les valeurs des rsistances RD et RG, pour polariser le circuit avec un courant
ID=1 mA.
La valeur de RG na pas dinfluence sur la polarisation, car le courant de grille est nul. Il faut
juste choisir une valeur trs grande (exemple : RG = 1M).
B

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On a : I D = 0.5K n (VGS Vt ) 2 (VGS Vt ) 2 =

ID
1
=
=4
0.5K n 0.25

VGS Vt = 2 VGS = 4V
VDD RD I D = VDS = VGS = 4V
RD =
3.2

VDD VGS 10 4
=
= 6k
1
ID

On suppose quon a RD=1k, calculer le courant de polarisation ID et les tensions VGS et

VDS.
On a : I D = 0.5K n (VGS Vt ) 2 = 0.25(VGS 2) 2 et VGS = VDS = VDD RD I D = 10 I D
B

I D = 0.25(10 I D 2) 2
I D 2 20 I D + 64 = 0 I D = 4mA
VGS = VDS = 10 I D = 6V
3.3

Quel est le rle des condensateurs de couplage/dcouplage dans un montage

damplification ?
Protger la polarisation.

3.4

Tracer et expliquer lallure du gain du montage en fonction de la frquence.

On a un gain en milieu de bande. Pour les basses frquence, le gain est attnu par les capacits
de couplage /dcouplage. Pour les hautes frquences, le gain est attnu par les capacits internes
du transistor.

4. Exercice 4 (2 pts)
X

On considre la technologie CMOS pour laquelle linverseur est ralis avec un transistor
PMOS ayant (W/L)p=4m/0.25m et un transistor NMOS ayant (W/L)n=1m/0.25m.
B

4.1

Donner le schma en transistors de la porte qui permet de raliser la fonction suivante :

Y = A + BCD

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4.2

Donner les dimensions des transistors qui permettent dobtenir dans les pires cas les
mmes dlais de propagation que linverseur.
Pour les transistors N, le pire cas correspond aux chemins QNAQNB, QNAQNC, etQNAQND, ces
transistors doivent donc tre 2 fois plus gros que le transistor N de Linverseur :
(W/L)NA = (W/L)NB = (W/L)NC = (W/L)ND = 2m/0.25m
B

Pour les transistors P, le pire cas correspond au chemin QPBQPCQPD, ces transistors doivent donc
tre 3 fois plus gros que le transistor P de Linverseur :
(W/L)PB = (W/L)PC = (W/L)ND = 12m/0.25m et (W/L)NA = 4m/0.25m
B

5. Exercice 5 (3 pts)
X

5.1

Dessiner le schma en transistors dun inverseur CMOS.

5.2

On suppose quon a un inverseur CMOS fonctionnant avec VDD=5V, et quon a Vtn=Vtp=1V, nCox=4pCox=1mA/V2 et (W/L)n=(W/L)p=1m/0.25m. Calculer les rsistances
RDSN (rsistance quivalente du transistor NMOS lorsquil conduit) et RDSP (rsistance
quivalente du transistor PMOS lorsquil conduit).
B

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5.3

RDSN =

1
= 62.5
nCox (W / L)n (VGS Vtn )

RDSP =

1
= 250
p Cox (W / L) p (VGS Vtp )

On suppose que linverseur de la question 5.2 est connect une capacit C=10pF, et que
lentre de linverseur varie instantanment de 0 VDD et de VDD 0. En remplaant le
transistor par sa rsistance quivalente, calculer le temps tPLH ncessaire la sortie pour
passer de 0 VDD/2 et le temps tPHL ncessaire la sortie pour passer de VDD
VDD/2.
Pour le calcul de tPLH, on a un circuit RC compos de la capacit C=10pF et la rsistance RDSP
=250, et pour le calcul de tPHL, on a un circuit RC compos de la capacit C=10pF et la
rsistance RDSN =62.5.
Pour t PLH , on a : p =RDSP C = 2.5ns

Vout (t ) = VDD (1 e
1 e

t PLH

t PLH

) et Vout (tPLH ) = DD = VDD (1 e p )

2

= 0.5 e

t PLH

= 0.5 t PLH = ln(0.5) p

t PLH = 0.69 p = 1.725ns

Pour t PLH , on a : n =RDSN C = 0.625ns
t PHL = 0.69 n = 431 ps
5.4

Quelle est la puissance dissipe par linverseur lorsque connect une capacit de 10pF
et fonctionnant la frquence de 100MHz.
Puissance dissipe = f*C*VDD2 = 25 mW

5.5

Pourquoi les temps tPLH et tPHL calculs la question 5.3 sont-ils diffrents? Que faut-il
faire pour avoir le mme temps de propagation ?
Pour avoir le mme temps propagation, il faut avoir RDSN = RDSP, et pour cela, il faut avoir
(W/L)p=4(W/L)n.
B

Bonne chance !

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