Electrocinétique Sup
Electrocinétique Sup
Electrocinétique Sup
Cours electrocinetique
sup TSI
plain
Lois g
en
erales dans le cadre de lapproximation des r
egimes quasi-permanents
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2
2
2
2
2
3
3
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3
3
4
4
4
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5
5
5
5
6
6
6
6
7
7
1/7
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
G
=0
t
1
1.1
D
efinitions
Approximation des regimes quasi-permanents A.R.Q.P
1.2
1.2.1
Courant
electrique
D
efinition
Types de courants
2/7
c Boukaddid
1.2.3
Cours electrocinetique
sup TSI
Effets de courants
Intensit
e du courant i(t)
i(t) =
dq
en amp`ere (A)
dt
Lois de Kirchhoff
2.1
Caract
eristiques dun circuit
electrique
A
R
UAB = UA UB
UAB est la difference de potentiel aux bornes du dipole
I Noeud : Borne commune `a plus de deux dipoles (N1 , N2 ..).
I Branche : portion de circuit entre deux noeuds consecutifs (N1 N2 ) .
I Maille : ensemble de branches successives definissant un circuit ferme qui passe
une seule fois par les noeuds rencontres (N1 , N2 , N3 ...).
N1
N2
D1
D5
D2
D4
D3
N4
N3
3/7
c Boukaddid
2.2
2.2.1
Cours electrocinetique
sup TSI
dq1
N
dq
dq2
k i k = 0
k=1
4/7
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
U1
N2
N1
D1
U3
D3
D2
U2
N3
VN3 VN1 + VN1 VN2 + VN2 VN3 = 0 U3 + U1 + U2 = 0
Generalisation : Loi de Kirchhoff relative a` une maille
X
k Uk = 0
3.1
3.1.1
Aspect
energ
etique
Convention alg
ebrique thermodynamique
Puissance
electrique P
5/7
c Boukaddid
3.1.3
Cours electrocinetique
sup TSI
Convention recepteur ou g
en
erateur
A iAB
D
UAB
UAB
convention recepteur
3.2
3.2.1
convention generateur
Caract
eristique tension courant dun dip
ole
D
efinition
u
uM
Caract
eristique statique ou dynamique
6/7
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
I Caracteristique dynamique : lensemble des points (u,i) obtenus en regime variable . En general elle ne correspond pas au deplacement du point de fonctionnement sur la caracteristique statique .
3.3
Dip
ole actif ou passif
3.4
Dip
ole lin
eaire
Un dipole est lineaire si la tension u(t) entre ses bornes et le courant qui le traverse
i(t) sont liees par une equation differentielle a` coefficients constants :
N
X
dn u(t) X dm i(t)
+
= F (t)
an
bm
dtn
dtm
n=0
m=0
En regime continu
a0 u + b 0 i = F
Cest une relation affine entre u et i la caracteristique statique dun dipole lineaire
est une droite .
Exemples :
I Ordre 0 : Resistance U (t) = R.i(t)
du(t)
I Ordre 1 : Condensateur i(t) = c
dt
di(t)
Bobine u(t) = L
dt
7/7
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
El
ements de circuits lin
eaires en regime continu ou quasi-permanent
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2
2
2
2
3
4
5
5
6
7
7
7
8
8
8
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3 Dip
oles actifs
3.1 Source de tension (source independante de tension) .
3.1.1 Source lineaire ideale . . . . . . . . . . . . . .
3.1.2 Mod`ele de Thevenin . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Source de courant (source independante de courant )
3.2.1 Source ideale . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.2 Mod`ele de Norton . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3 Equivalence Thevenin-Norton . . . . . . . . .
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9
9
9
9
9
9
10
10
4 Groupement de dip
oles actifs lineaires
4.1 Groupement serie : modelisation de Thevenin . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Groupement parall`ele : mod`ele de Norton . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
11
11
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1 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Dip
oles passifs lin
eaires fondamentaux : R,L,C
1.1
Conducteur ohmique ou r
esistor R
La resistance est constituee soit par un depot de carbone ou doxyde metallique sur un
isolant soit par un enroulementdun fil conducteur.
1.1.1
Loi dOhm
i
R
u
u
Les caracteristiques statiques et dynamiques sont confondues . Il sagit dun dipole
symetrique .
1.1.2
Mod`
ele microscopique
E = grad(V )
et
dV = E . dl
2 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
S
x
V(x+l)
V(x)
La loi dOhm local
E = . j
x+l
des constantes)
or i = j.s u = v1 v2 = R.i avec R = .
l
s
Resultat
Pout tout conducteur de section s constante on a :
R = .
l
s
avec R : resistance ()
: la resistivite (.m)
l : la longueur du conducteur (m)
s : la section du conducteur (m2 )
Remarque : La resistance dun conducteur metallique est une fonction croissante de
la temperature.
1.1.3
Aspect
energ
etiques
Le passage dun courant dans un resistor se manifeste par un echauffement du milieu conducteur, ce phenom`ene est appele effet Joule,qui sinterpr`ete par lechanges
energetiques entre les electrons mobiles (acceleres par le champ electrique) et les ions
fixes du reseau `a la suite des collisions.
La puissance consommee par le resistor secrit :
P =
u2
W
= u.i = R.i2 =
dt
R
3 / 13
c Boukaddid
1.1.4
Cours electrocinetique
sup TSI
Groupement de r
esistor
1. Groupement en serie
Ai
R2
R1
u1
Rn
un
u2
Req
u
u=
n
X
k
uk =
Req =
n
X
Rk
2. Groupement prall`ele
R1
i1
A i
Ai
Req
in
Rn
n
X
k
u
n
X
u
u
ik =
=
Rk
Req
k
n
X 1
1
=
Req
Rk
k=1
Application : Shunt
Un shunt est une resistance de faible valeur s que lon monte en parall`ele avec une
resistance R
u
i
R
s
i
4 / 13
c Boukaddid
i = Geq .u = (
Cours electrocinetique
sup TSI
1
1
1
1
+ )u or s << R
<<
R s
R
s
i
u
= i0
s
1.2
Condensateur
Un condensateur est constitue de deux armatures qui se font en face et qui portent des
charges opposees +q et q . La charge q est proportionnelle `a la tension u appliquee
entre les armatures :
q = C.u
C la capacite en F arad (F)
u
i
+q
-q
dq
du
= C.
dt
dt
Aspect
energ
etique
d 1
dEe
du
= ( C.u2 ) =
dt
dt 2
dt
1
Ee = C.u2
2
Ee represente lenergie emmagasinee dans un condensateur ideal . Cette energie est
continue par consequent la tension aux bornes du condensateur ideal (de meme pour
q) est toujours continue .
du
Remarque : En regime continue u = cte i = C.
= 0 le condensateur ideal se
dt
comporte comme un coupe circuit (circuit ouvert) .
Application : Caracteristique statique et dynamique dun condensateur
En statique i = 0, u
du
En regime harmonique : u(t) = Um cos(t) i = C.
= CUm sin(t)
dt
u 2
i
(
) +(
)2 = cos2 (t) + sin2 (t) = 1
Um
CUm
5 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
i
i
CUm
u
umin
Um
umax
caracteristique dynamique
caracteristique statique
1.2.2
1. Groupement serie
C1
Cn
C2
U1
U2
Ceq
B
Un
U
duk
du
= Ceq
le courant traversant ces condensateurs i = Ck
dt
dt
P
du P duk P i
i
= k
= k
=
Donc
u = k uk
dt
dt
Ck
Ceq
P 1
1
= k
Ceq
Ck
2. Groupement parall`ele
C1
i1
i
i2
C2
in
Cn
Ceq
B
U
i=
k ik
k (Ck
P
du
du
du
) = ( k Ck )
= Ceq
dt
dt
dt
6 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
Ceq =
1.3
sup TSI
Ck
Bobine
Cest un enroulement dun fil conducteur avec ou sans noyau , la bobine sans noyau
presnte une inductance L = cte
Pour une bobine
u = r.i + L
di
dt
di
dt
L
(L,r)
i
u
Bibine ideale
u
Bobine
1.3.1
Aspect
energetique pour une bobine ideale
di
d 1
dEm
= ( Li2 ) =
dt
dt 2
dt
1
Em = Li2
2
Em represente lenergie magnetique emmagasinee dans la bobine ideale . Le bilan
energetique exige la continuite de Em par consequent lintensite dun courant i traversant une bobine ideale reste toujours continue .
di
Remarque : En regime continu i = cte u = L = 0 donc la bobine ideale se
dt
comporte comme un court-circuit .
La cracteristique dynamique dune bobine est une ellipse .
1.3.2
1. Groupement serie
L1
L2
Leq
Ln
i
i
u1
u2
un
u
7 / 13
c Boukaddid
u=
Cours electrocinetique
uk =
k (Lk
sup TSI
P
di
di
di
) = ( k Lk ) = Leq
dt
dt
dt
P
Leq = k Lk
2. Groupement prall`ele
On montre que
P 1
1
= k
Leq
Lk
2
2.1
R1
i
u
u0
u
=
R1 + R2
R2
u0 =
2.2
R2
u
R1 + R2
Diviseur de courant
i
i1
i2
i3
u
R2
R1
R3
u
u
u
u
ik =
i1 =
, i2 =
, i3 =
Rk
R1
R2
R3
P
P
1
i = k ik = ( k Gk )u = Geq u avec G =
R
ik =
Gk
i
Geq
1
1
1
R1
R2
R3
Donc i1 =
i ;i2 =
i ;i3 =
i
1
1
1
1
1
1
1
1
1
+
+
+
+
+
+
R1 R2 R3
R1 R2 R3
R1 R2 R3
8 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Dip
oles actifs
3.1
3.1.1
Source lin
eaire ideale
Elle presente une force electromotrice constante e = cte quelque soit le courant
i
e
i
u=e
regime variable
3.1.2
u=e
regime continu
caracteristique statique
Mod`
ele de Thevenin
3.2
3.2.1
u = e Ri
Elle presente un courant constant quellque soit la tension u a` ses bornes i = = cte, u
9 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
i=
u
u
3.2.2
Mod`
ele de Norton
i=
3.2.3
u
= gu
r
Equivalence Thevenin-Norton
En general :
Les deux mod`eles obtenus sont equivalent et lon exploitera lun ou lautre suivant la
nature du circuit exterieur connecte.
10 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
A
dipole
lineaire
A
u0
i0
u0
i0
i0
u0
Groupement de dip
oles actifs lineaires
4.1
e1 e2
e2
r1 + r2
i
r1
r2
u = (e1 e2 ) (r1 + r2 )i
4.2
Groupement parall`
ele : mod`
ele de Norton
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
A
A
u
1
r1
geq = g1 + g2
eq = 1 2
r2
B
B
1
)
rk
donc pour un groupement de generateurs (k , gk )
P
P
i = k k k + ( k gk )u
P
eq = k k k
i = 1 g1 u 2 g2 u avec (gk =
geq =
gk =
P 1
k
rk
avec :
k =1 si k oriente suivant i
k = 1 dans le cas contraire
Application : modelisation dun groupement mixte
e
e
r
A
C
2r
r
2e
entre A et C les dipoles actifs sont en parall`ele on doit utiliser le mod`ele de Norton
12 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
=
sup TSI
e
r
e
r
2 =
2r
2e
r
3
3
e
C
r
3
= e
2
2
r
2
2r
2r
r
2
e
2
A
5
r
2
B
13 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Th
eor`
emes de base et mod
elisation des r
eseaux lineaires
2 R
eseau quelconque : Lois de kirchhoff
3 Potentiel de noeud-th
eor`
eme de Millman
3.1 Loi des noeuds en termes de potentiels . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Theor`eme de Millman . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3
3
4
4 Mod
elisation des r
eseaux lineaires : th
eor`
emes de bases
4.1 superposition des etats-theor`eme dHelmoltz . . . . . . . .
4.2 Theor`eme de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3 Theor`eme de Norton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4 Application : pont de Wheatston . . . . . . . . . . . . . .
4.4.1 Modelisation du pont par le generateur de Thevenin
4.4.2 Modelisation de Norton . . . . . . . . . . . . . . .
5
5
7
7
7
8
9
. . . . . .
. . . . . .
. . . . . .
. . . . . .
(eeq , Req )
. . . . . .
.
.
.
.
.
.
1/9
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Un reseau electrique est un syst`eme de dipoles electrocinetiques,reliees entre eux par des
fils conducteurs de resistance negligeable . Ce reseau est dit lineaire lorsquil ne fait intervenir que des dipoles actifs (source de tension ou de courant) et passifs (resistances...)
lineaires .
R
eseau `
a une maille : Loi de Pouillet
r1
u1
e2
R
u
+
u2
r2
e1 e2
R + r1 + r2
R
eseau quelconque : Lois de kirchhoff
k uk = 0
2/9
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Rc
R1
C
B
C
B
iB
iB
iB
rB
uc
E
R2
RE
rB
iB
uc
E
Rc
iE
e
R1
R2
RE
M
La loi des Noeuds au point E : iE = iB + iB = ( + 1)iB
La maille ABEM A : e = rB iB + RE iE = [rB + ( + 1)RE ]iB
uc = iB Rc
uc =
3
3.1
Rc
e
rB + ( + 1)RE
Potentiel de noeud-th
eor`
eme de Millman
Loi des noeuds en termes de potentiels
3/9
c Boukaddid
Cours electrocinetique
i1
sup TSI
i3
i2
e1
r3
r2
2
r1
A1
A3
A2
k = +1 si ek ou k oriente vers N .
3.2
Th
eor`
eme de Millman
IlX
sagit duneX
variante de la loi deX
des noeuds en terme de potentiel
(
gk )VN =
gk (Vk + k ek ) +
k k
k
P
VN =
gk (Vk + k ek ) +
P
k gk
k k
k = 1 si ek ou k orientes vers N
En pratique les points Ak sont relies a` la masse Vk = 0 donc le theor`eme de Millman
devient :
P
P
ek + k k k
k gk kP
VN = VN Vmasse =
k gk
Application
Exprimer lintensite i traversant la resistance de charge R en fonction des composantes
du reseau
4/9
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
N
R1
R1
e1
R2
R3
e2
Theor`eme de Millman u = VN VM
e1
e2
+
2R1 R2
= Ri
=
1
1
1
1
+
+
+
2R1 R2 R3 R
e1
e2
+
1
2R1 R2
i=
1
1
1
R 1
+
+
+
2R1 R2 R3 R
Mod
elisation des r
eseaux lineaires : th
eor`
emes de
bases
4.1
superposition des
etats-th
eor`
eme dHelmoltz
Letat electrique dun reseau lineaire comportant une distribution quelconque de sources
(tension ou courant) est obtenu en superposant les etats associes a` chaque source supposee seule dans le reseau .
I lintensite du courant circulant dans une branche est la somme des intensites
produites par chaque source supposee seule (on eteint les autres sources) .
I la tension aux bornes dun dipole est la somme des tensions produites par chaque
source supposee seule .
Remarque : En pratique on eteint une source independante (libre) de mani`ere suivante :
I source de tension est remplacee par un court circuit (fil conducteur)
I source de courant est remplacee par un circuit ouvert(coupe-circuit)
Application
Exprimer lintensite i du courant circulant dans la resistance R en superposant deux
etats electriques du reseau .
I Etat 1 (e1 = 0, 2 ) correspond au courant i1
I Etat 2 (e1 , 2 = 0) correspond au courant i2
i = i1 + i2
5/9
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
e1
r2
R
r1
B
si on eteint la source e1 on obtient un diviseur de courant
2
i1
2
r2
r1
1
R
i
i1 =
1
1
1
+ +
R r1 r2
pour letat 2 on utilise le mod`ele de Norton
1
i2
i2
r1
e1
r2
1 =
e1
r1
r1
r2
1
e1
R
i2 =
1
1
1 r1
+ +
R r1 r2
6/9
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Donc
1
e1
R
i = i1 + i2 =
( + 2 )
1
1
1 r1
+ +
R r1 r2
4.2
Th
eor`
eme de Thevenin
Un reseau dipolaire lineaire,entre deux bornes A et B,peut etre modelise par une source
de tension ou generateur de Thevenin .
I de f.e.m eeq egale a` la tension en circuit ouvert entre A et B : eeq = (uAB )0
I de resistance interne egale a` la resistance equivalente Req du reseau dipolaire
passif (apres extinction des sources) entre A et B .
4.3
Th
eor`
eme de Norton
Un reseau dipolaire lineaire,entre A et B,peut etre modelise par une source de courant
ou generateur de Norton :
I de C.e.m eq egale au courant de court-circuit,entrant en B dans le reseau,A et
B etant reliees par un fil conducteur.
1
(Req en parall`ele avec la source libre ) .
I de conductance Geq =
Req
4.4
i3
i1
B
i2
i4
R
C
Le pont de Wheatston est dit equilibre lorsque le courant i qui circule dans le galvanom`etre de resistance r est nul .
7/9
c Boukaddid
4.4.1
Cours electrocinetique
sup TSI
Mod
elisation du pont par le g
en
erateur de Thevenin (eeq , Req )
i
uAC
eeq
r
Req
C
I Calcul de eeq eeq = (uAC )0 le circuit est ouvert entre A et C (en enl`eve la branche
AC)
i2 = i4 et i1 = i3
e = (P + X)i1 = (Q + R)i2
P
XQ RP
Q
)=e
cest la f.e.m de
eeq = P i1 + Qi2 = e(
Q+R
P +X
(Q + R)(P + X)
Thevenin
I Calcul de Req
P
Q
B
D
X
PX
RQ
Req = (P//X) + (Q//R) Req =
+
P +X R+Q
eeq
Le courant i =
loi de Pouillet
Req + r
lequilibre du pont exige i = 0 Req = 0 donc
XQ = P R
Utilite du pont : le pont permet de determiner la valeur de la resistance X inconue
8/9
c Boukaddid
4.4.2
Cours electrocinetique
sup TSI
Mod
elisation de Norton
eq
eq =
eeq
Req
Req
C
eeq
Req + r
i = 0 XQ = P R
i=
9/9
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
R
egime transitoire
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
2
2
2
2
3
4
4
4
5
5
6
2 R
egime transitoire dun circuit RL
2.1 Reponse dun circuit RL a` un echelon de tension . . . . . . . . . . . . .
2.2 Regime libre du circuit RL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6
6
8
.
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.
.
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.
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.
3 R
egime libre dun circuit RLC
3.1 Conditions initiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Equation differentielle - Facteur de qualite - Pulsation
3.3 Divers regimes de variation . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1 Regime aperiodique . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.2 Regime critique . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.3 Regime pseudo-periodique . . . . . . . . . . .
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.
9
9
9
10
10
11
11
4 R
eponse dun circuit RLC s
erie `
a un
echelon de tension
4.1 Regime transitoire-Regime libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Aspect energetique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
13
13
13
. . . .
propre
. . . .
. . . .
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1 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
1
1.1
Circuit RC s
erie soumis `
a un
echelon de tension
Echelon de tension
Il sagit dun signal electrique produit par une source libre de tension de la forme :
u0 , t > 0
u(t) =
0, t < 0
On peut realiser cet echelon de tension par un basculement de linterrupteur K a` t = 0
u(t)
K
u0
u(t)
t
1.2
1.2.1
q
C
u(t)
E
R
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
du
donc
dt
du
+u=E
dt
du
+u=E
dt
u2 = cte u2 = E
donc
t
u(t) = k exp( ) + E
i(t) = C
du
E
t
= exp( )
dt
R
E
R
E
0,63E
0, 37
E
R
t
3 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
R
egime transitoire-temps de relaxation
tn = 2, 3n
: de lordre de grandeur du regime transitoire est appelee temps de relaxation
ordre de grandeur
R = 103 , C = 0, 1F = 104 s
1.2.4
Temps de mont
e
E
0, 9E
0, 1E
t
t1
tm
t2
t1
t1
u(t1 ) = E(1 exp( )) = 100 /0 E = 0, 1E exp( ) = 0, 9 t1 = 0, 1
t2
u(t2 ) = E(1 exp( )) = 900 /0 E = 0, 9E t2 = 2, 3
tm = t2 t1 = 2, 2
1.2.5
Aspect
energ
etique
u + Ri = E en multipliant par i = C
du
dt
d 1 2
( Cu ) + Ri2 = Ei
dt 2
4 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
1.3
1.3.1
D
echarge dun condensateur - R
egime libre
R
egime libre dun circuit R,C
(1)
k
(2)
u
a` t < 0 k se trouve dans la position (1) qui permet la charge du condensateur .Apres
quelques u atteint la valeur de E
a` t = 0 k bscule vers la position (2) , le circuit RC se trouve dans le regime libre
la continuite de u aux bornes de C : u(0+ ) = u(0 ) = u0 = E
du
et u + Ri = 0
i=C
dt
u+
du
=0
dt
avec = RC
t
la solution de cette equation secrit sous la forme u(t) = k exp( ) , avec u(0) = E = k
donc
t
u(t) = E exp( )
i=C
du
E
t
= exp( )
dt
R
5 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
0, 37
0, 37E
t
continuite de u en t = 0
1.3.2
E
R
E
R
discontinuite de i en t = 0
Aspect
energ
etique
wJ =
0
1
Ri2 dt = CE 2
2
Le condensateur restitue ,au cours de la decharge ,sous forme deffet Joule lenergie
quil avait emmagasinee pendant la charge .
2
2.1
R
egime transitoire dun circuit RL
R
eponse dun circuit RL `
a un
echelon de tension
(1) K
(2)
L
Pour t < 0,le courant circulant dans le circuit RL est suppose nul .
k est place en position (1) a` t = 0
6 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
E
di
=
dt
R
L
avec =
temps de relaxation
R
la solution de cette equation secrit sous la forme
i(0) = 0 k =
i(t) =
E
t
+ k exp( )
R
i(t) =
E
t
(1 exp( ))
R
E
R
u(t) = L
t
di
= E exp( )
dt
iM =
E
R
0, 63iM
Aspect energetique
di
En multipliant E = Ri + L par idt
dt
1 2
2
Eidt = Ri dt + d( Li )
Z
Z 2
Z
1
2
Eidt =
Ri dt + d( Li2 )
2
0
0
1
wg = wJ + Li2M
2
E
avec : iM =
R
wg : lenergie fournie par le generateur
wJ : lenergie dissipee par effet Joule dans la resistance
7 / 14
c
S.Boukaddid
2.2
Cours electrocinetique
sup TSI
R
egime libre du circuit RL
(1)
i
(2)
E
dans le
a` t < 0 k est dans la position (1),on attend letablissement du courant iM =
R
circuit .
a` t = 0 on bascule linterrupteur k vers la position (2) , le circuit se trouve a` t > 0
dans le regime libre .
La continuite du courant en 0 : i(0 ) = i(0+ ) = iM .
di
di
L
u + Ri = L + Ri = 0 + i = 0, =
dt
dt
R
t
i(t) = k exp( ) avec i(0) = iM = k
t
i(t) = iM exp( )
u=L
di
t
= RiM exp( )
dt
iM
RiM
Bilan energetique
di
1
Multiplions L + Ri = 0 par idt on obtient d( Li2 ) + Ri2 dt = 0
dt
2
par integration entre t = 0 et t1 >> :
1
wJ = Li2M
2
Lenergie electromagnetique initiale dans la bobine est totalement dissipee par effet
Joule dans la resistance .
8 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
R
egime libre dun circuit RLC
3.1
Conditions initiales
Pour resoudre les equations dun circuit RLC il es necessaire dutilser les conditions
initiales et les deux conditions suivantes :
I La continuite du courant i (circulant dans la bobine)
I La continuite de la tension u aux bornes du condensateur
3.2
Equation diff
erentielle - Facteur de qualit
e - Pulsation
propre
R
uR
L
uL
uc
C
q
di
du
+ Ri + u = 0; i = c
dt
dt
1
d2 u R du
+
+
u=0
dt2
L dt
Lc
d2 u
du
+
2
+ 02 u = 0
dt2
dt
R
: Coefficient damortissement
2L
1
0 =
: pulsation propre
Lc
On definit le facteur de qualite du circuit RLC par
=
1
1
L0
=
=
Q=
R
Rc0
R
L
c
d2 u 0 du
+
+ 02 u = 0
2
dt
Q dt
de meme lequation en charge q : q = cu
d2 q 0 dq
+
+ 02 q = 0
dt2
Q dt
9 / 14
c
S.Boukaddid
3.3
Cours electrocinetique
sup TSI
Divers r
egimes de variation
0
2Q
1
1)
4Q2
R
egime ap
eriodique
r
L
1
Pour un amortissement eleve > 0 > 0 Q < R > 2
2
c
q
r1,2 = 2 02 donc
0
q
q
2
2
u(t) = exp(t)(a exp( 0 t) + b exp( 2 02 t))
Portrait de phase
du
en fonction de u(t) .
Cest la representation de
dt
Pour un signal sinusoidal le portrait de phase est un ellipse
du
dt
u(t)
u
Q1 > Q2 > Q3
Q3
Q1
Q2
t
Les trajectoires de phase montrent un retour sans oscillation vers le point attracteur `a
lorigine .
10 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
p
+ 2 02
1
p
=
=
02
2 02
La duree du regime libre est de quelques varie avec le facteur de qualite Q .
3.3.2
R
egime critique
r
1
L
= 0, c = 0 , Qc = , Rc = 2
2
c
0
c =
1
0
du
dt
Qc =
1
2
Qc =
t
Portrait de phase
Le syst`eme tente encore `a contourner lorigine dans le sens horaire mais ne peut y
parvenir : il echoue rapidement au point o .
3.3.3
R
egime pseudo-p
eriodique
r
1
L
Pour un amortissement faible : 0 < 0; < 0 ; Q > ; R < 2
2
c
q
2
r1,2 = i 0 2 = i
11 / 14
1
2
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
=
sup TSI
q
02 2
: pseudo-pulsation
la solution est :
u(t) = a exp(t) cos(t + )
a; sont des constantes dintegration
0
=
2Q
r
= 0
1
< 0
4Q2
Pseudo-periode T
la periode propre T0 =
la pseudo-periode :
2
0
T =
T0
2
=r
> T0
1
1
4Q2
Decrement logarithmique
u(t + T ) = exp(T )u(t)
= T =
2
T
0
r 0
=p
2Q
1
4Q2 1
1
4Q2
= ln[
u(t)
]
u(t + T )
1
2Q
=
Portrait de phase
12 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
R
eponse dun circuit RLC s
erie `
a un
echelon de
tension
4.1
R
egime transitoire-R
egime libre
R
lequation differentielle :
d2 u 0 du
+
+ 02 u = 02 E
dt2
Q dt
la solution de cette equation secrit sous la forme :
u(t) = u1 (t) + E
avec :
I E : solution particuli`ere
I u1 (t) : solution generale
u1 (t) correspond au regime libre (aperiodique-critique-pseudo-periodique) . Pendant
la duree de lexistence du regime libre le circuit RLC se trouve en regime transitoire
,cependant au bout de quelques on parvient a` un regime etabli independant du temps
u1 = 0; u = E .
Le regime etabli ne depend pas des conditions initiales (i0 , u0 ) car u1 (t) 0 lorsque
t.
4.2
Aspect
energ
etique
di
En multipliant lequation E = L + Ri + u par idt = cdu
dt
1 2 1 2
2
Eidt = d( Li + cu ) + Ri dt = dE + wJ
2
2
lintegration entre t = 0 et t =
13 / 14
c
S.Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Z
1 2
1 2
2
2
Ri2 dt
dq = L(i i(0) ) + c(u() u(0) ) +
E
2
2
0
q(0)
avec : q(0) = u(0) = i(0) = 0 et q() = cE ;u() = E ; i() = 0
Z
q()
1
1
cE 2 = cE 2 + wJ wJ = cE 2
2
2
I La bobine nintervient pas dans le bilan energetique globale de la charge du
condensateur .
I Lenergie fournie par le generateur se repartit a` egalite entre la resistance (effet
Joule) et le condensateur .
14 / 14
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
R
egime sinusoidal forc
e dun circuit RLC
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2
2
3
3
4
2 M
ethode des grandeurs complexes-Imp
edance complexe
2.1 Notation complexe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1 Preliminaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.2 proprietes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.3 Application a` une grandeur alternative sinusoidale .
2.1.4 Derivee et primitive en notation complexe . . . . .
2.2 Lois de Kirchhoff en notation complexe . . . . . . . . . . .
2.3 Impedance complexe-Admittance complexe . . . . . . . . .
2.3.1 Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.2 Dipoles fondamentales R,L,C . . . . . . . . . . . .
2.4 Groupement serie de dipoles passifs . . . . . . . . . . . . .
2.4.1 Impedance equivalente . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4.2 Cas du RLC serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5 Groupement parall`ele de dipoles passifs . . . . . . . . . . .
.
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5
5
5
6
6
7
7
7
7
8
8
8
8
9
.
.
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.
3 Th
eor`
emes g
en
eraux
4 R
esonance dun circuit RLC
4.1 resonance en intensite . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1 Intensite efficace du circuit . . . . . . . . . .
4.1.2 Resonance . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.3 Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.4 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Resonance en tension aux bornes du condensateur .
4.2.1 Tension efficace aux bornes du condensateur
4.2.2 Resonance en tension . . . . . . . . . . . . .
4.2.3 Aspect graphique . . . . . . . . . . . . . . .
.
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.
10
10
10
10
11
11
12
12
13
13
1 / 13
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
Diagramme de Fresnel
1.1
D
efinitions
t +
X
O
H la projection de P sur OX
OH = OP cos(t + ) = Vm cos(t + )
Resultat : a` toute grandeur sinusoidale on peut faire correspondre un vecteur de
Fresnel .
v(t) = Vm cos(t + ) OP tq :
2 / 13
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
P
P2
P1
X
O
I Derivee et primitive dune grandeur sinusoidale
v(t) = Vm cos(t + ) OP
dv(t)
= Vm sin(t + ) = Vm cos(t + + ) OP1
dt
2
dv
Resultat : la grandeur
est en quadrature avance par rapport `a v(t)
dt
Z
Vm
Vm
vdt =
sin(t + ) =
cos(t + ) OP2
2
Z
Resultat : la grandeur
P1
P2
1.2
1.2.1
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
Um
cos(t)
I Resistance pure : u(t) = Um cos(t) = Ri(t) i(t) =
R
En prenant comme axe de reference la tension,nous obtenons un diagramme tres
simple .
=0
Im
Um
Z=R
I Bobine pure
di(t)
Um
: u(t) = L
= Um cos(t) i(t) =
dt
L
Z
cos(t)dt =
Um
sin(t)
L
Um
Um
i(t) =
cos(t ) Im =
; = ; Z = L
L
2
L
2
Um
Im
Z = L
=
2
Resultat : Le courant est en quadrature retard par rapport `a la tension .
q(t)
= Um cos(t)
I Condensateur : u(t) =
C
dq
i(t) =
= CUm sin(t) = CUm cos(t + )
dt
2
On deduit : Im = CUm et = +
2
Im
2
Um
+
Z=
=
1
C
Groupement R,L,C
4 / 13
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
u1
sup TSI
C
u3
u2
u
u3 (t) =
cos(t ) = U3m cos(t )
C
2
2
U2m
Im
axe de reference
U1m
U3m U2m
Um
U3m
1
L)2 ]i2m
C
r
1
Z = R2 + (
L)2
C
2
2
Um
= U1m
+ (U3m U2m )2 = [R2 + (
tan =
1
C
cos =
2
2.1
2.1.1
L
R
R
Z
M
ethode des grandeurs complexes-Imp
edance complexe
Notation complexe
Pr
eliminaire
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
b
r
u
Y
O
u
X
r=
a2 + b 2
tan =
2.1.2
b
a
propri
et
es
I z1 = z2 a1 = a2 ; b1 = b2 r1 = r2 ; 1 = 2
I z = z1 z2 r = r1 r2 ; = 1 + 2
r1
z1
r = ; = 1 2
I z=
z2
r2
I z = a + jb z = a jb; z = (r, )
Application `
a une grandeur alternative sinusoidale
c Boukaddid
2.1.4
Cours delectrocinetique
D
eriv
ee et primitive en notation complexe
i(t) = I m exp jt
Z
i(t)dt =
di
= jI m exp jt
dt
di
= ji(t)
dt
1
I exp jt
j m
Z
i(t)dt =
2.2
sup TSI
1
i(t)
j
k i k = 0
k uk = 0
2.3
2.3.1
Imp
edance complexe-Admittance complexe
D
efinitions
i
D
u
c Boukaddid
2.3.2
Cours delectrocinetique
sup TSI
Dip
oles fondamentales R,L,C
1
R
I Bobine pure
di(t)
di
u(t) = L
u = L = jLi
dt
dt
Z L = jL; Y L =
1
jL
2.4
1
; Y = jc
jc c
(quadrature avance)
2
Groupement s
erie de dip
oles passifs
2.4.1
Imp
edance
equivalente
Z2
Z1
u1
u2
ZN
Z eq
uN
u
u=
Z k i = Z eq i
Z eq =
Zk
2.4.2
Cas du RLC s
erie
i
u
i(t) = Im cos(t + ) et u(t) = Um cos(t + )
en utilisant les impedances complexes :
Z = ZL + ZR + Zc
8 / 13
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
Z = R + j(L
Im =
sup TSI
1
)
c
Um
Um
=r
|Z|
1
R2 + (L )2
c
L
tan =
1
c
2.5
Groupement parall`
ele de dip
oles passifs
D1
i
DN
u
i=
X
k
ik =
Y ku
Y eq =
X
k
Y k ; Z eq =
1
Y eq
Th
eor`
emes g
en
eraux
Les lois de kirchhoff et les theor`emes generaux qui decoulent de la linearite du syst`eme
se generalisent au regime sinusoidal dans le cadre de la representation complexe . Tout
les theor`emes vu precedement restent valables a` condition de remplacer chaque dipole
par son impedance complexe ou son admittance complexe .
9 / 13
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
R
esonance dun circuit RLC
4.1
4.1.1
r
esonance en intensit
e
Intensit
e
efficace du circuit
c
u(t)
u(t) = U 2 cos t
i(t) = I 2 cos(t + )
En notation
complexe
u = U 2 exp jt
i = I 2 exp(jt + ) = I 2 exp jt
1
u = Z.i avec Z = R + j(L )
c
I exp j =
1
R + j(L )
c
On definit :
1
c
L
et () = arctan
1
I Pulsation propre du circuit : 0 =
Lc
L0
1
I Facteur de qualite du circuit : Q =
=
R
RC0
I(X) = r
1
1 + Q2 (X )
X
(X) = arctan (Q(X
4.1.2
1
))
X
R
esonance
c Boukaddid
4.1.3
Cours delectrocinetique
sup TSI
Bande passante
1
+4
Q2
1
+4
Q2
1
Q
R
0
=
Q
L
La bande passante est dautant plus etroite que le facteur de qualite est plus eleve .
4.1.4
Aspect graphique
11 / 13
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
I
Imax
Imax
X
1
X1
X2
2
4
X
4.2
4.2.1
R
esonance en tension aux bornes du condensateur
Tension
efficace aux bornes du condensateur
i
uc
uc (t) =
Uc 2 cos(t + )
i(t) = I 2 cos(t + )
u(t) = U 2 cos t
Z
u
uc = c u =
1
Z
jc[R + j(L )]
c
12 / 13
c Boukaddid
Uc exp j =
Cours delectrocinetique
U
U
Uc = p
2
1 Lc + jRc
(1 Lc 2 )2 + R2 c2 2
Uc = s
(1 X 2 )2 +
4.2.2
sup TSI
X2
Q2
R
esonance en tension
Dephasage : U cm =
I cm =
jc
2
La courbe representant en fonction de se deduit directement `a partir de la courbe
Aspect graphique
Uc
Q = 1, 5
Q=1
Q = 0, 5
13 / 13
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
Puissance en r
egime sinusoidal
2
2
2
2 Puissance moyenne
2.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Puissance moyenne dun resistor - grandeurs efficaces . . . . . . . . . .
2.3 Puissance moyenne en regime sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . .
2
2
3
3
4
4
5
1/5
c Boukaddid
1
1.1
Cours electrocinetique
sup TSI
Puissance instantan
ee
Expression
D
u
Dans le cadre de la convention recepteur la puissance consommee par un dipole electrocinetique
(D) est definie par :
P (t) = u(t).i(t)
En regime sinusoidal u(t) = Um cos t et i(t) = Im cos(t + )
Um .Im
[cos + cos(2t + )]
P (t) = Um Im cos t. cos(t + ) =
2
Donc la puissance P (t) est une fonction periodique de pulsation p = 2
2
T
La periode Tp =
= =
p
1.2
Aspect graphique
P
Um .Im
cos
2
t
Tp
2
2.1
Puissance moyenne
D
efinition
c Boukaddid
Cours electrocinetique
Z
1
Pm =
T
sup TSI
P (t)dt en watt : w
0
2.2
En regime continu (I = cte) la puissance moyenne consommee par effet Joule secrit
Pm = U.I = R.I 2
En regime
moyenne consommee :
Z variable la puissance
Z
1 T
1 T 2
Pm =
P (t)dt =
Ri (t)dt
T 0
T 0
Definition : On appelle intensite efficace I la valeur de lintensite du courant continu
qui produirait le meme effet Joule quen regime periodique .
Pm = R.I 2 donc lintensite efficace est :
1
I =
T
2
i2 (t)dt
2.3
Puissance moyenne en r
egime sinusoidal
Um .Im
cos
2
avec Um = U 2 et Im = I 2
Pm = U.I cos
I La puissance moyenne represente la puissance active consommee
I Le produit U.I designe la puissance apparente (V.A) du dipole
3/5
c Boukaddid
Cours electrocinetique
sup TSI
uR
uL
uc
u
u = uR + uL + uc
Pm = PR + PL + Pc = PR = RI 2
La seule energie consommee lest par effet Joule dans la resistance .
3.1
D
efinition
4/5
c Boukaddid
3.2
Cours electrocinetique
sup TSI
Adaptation dimp
edance
i
Zg
u
D
loi de Poouillet : i =
Zg + Z
Rg + R + j(Xg + X)
(Rg + R)2 + (Xg + X)2
RE 2
Pm =
(Xg + X)2 + (Rg + R)2
Pm = f (R, X)
Pm
Pm
)Xf ixe = 0 et (
)Rf ixe = 0
Pm est maximale : (
R
X
Pour simplifier les calculs on utilise la derivee logarithmique
1 Pm
ln Pm
2(Xg + X)
)R = (
)R =
= 0 donc X = Xg
(
Pm X
X
(Rg + R)2 + (Xg + X)2
ln Pm
1
2(Rg + R)
Rg R
1 Pm
(
)X = (
)X =
=
= 0 donc
2
2
Pm R
R
R
(Rg + R) + (Xg + X)
R(Rg + R)
R = Rg
Resultat :
Pm est maximum si
Z = Zg R = Rg ; X = Xg
5/5
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
.
.
.
.
.
.
2
2
2
3
3
3
3
.
.
.
.
.
4
4
4
4
4
5
3 Filtre dordre un
3.1 Filtre passe bas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Filtre passe haut . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Dephaseur ou filtre passe tout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5
5
6
7
. . . .
. . . .
. . . .
. . . .
force .
. . . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
4 Filtres dordre 2
4.1 Filtre passe bas . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . .
4.2 Filtre passe haut . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.1 Fonction de transfert . . . . . . . . . .
4.2.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . .
4.3 Filtre passe bande dordre deux : resonance en
4.3.1 Fonction de transfert . . . . . . . . . .
4.3.2 Aspect graphique . . . . . . . . . . . .
4.4 Filtre coupe bande . . . . . . . . . . . . . . .
4.5 Dephaseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
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8
8
8
9
11
11
12
12
12
13
14
15
5 Filtres actifs
5.1 Probl`eme des filtres passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
15
16
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
. . . . .
intensite
. . . . .
. . . . .
. . . . .
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.
1 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
1
1.1
e(t)
s(t)
Du fait de la linearite du syst`eme les signaux e(t) et s(t) sont reliees par une equation
differentielle de type :
a0 s + a1
dn s
de
dm e
ds
+ ... + an n = b0 e + b1 + ... + bm m
dt
dt
dt
dt
e(t)
e(t) = us + Rc
1.2
us
dus
d2 us
+ Lc 2 circuit dordre 2
dt
dt
ue (t)
Circuit
lineaire
us (t)
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
H(j) =
sup TSI
us
ue
1.3
1.3.1
b0 + b1 j + ... + bm (j)m
a0 + a1 j + ... + an (j)n
Stabilit
e dun circuit lin
eaire
D
efinition
un circuit est dit stable lorsque sa reponse s(t) , a` un signal dentree e(t) restant
borne,ne diverge pas quelque soient les pram`etres du signal dentree et les conditions
initiales du syst`eme .
1.3.2
Crit`
ere de stabilit
e en r
egime sinusoidal forc
e
N (j)
b0 + jb1 + ... + (j)m bm
b0 + b1 p + ... + bm pm
=
=
D(j)
a0 + ja1 + ... + (j)n an
a0 + a1 p + ... + an pn
Crit`
ere de stabilit
e en r
egime libre
ds
a0
= 0 s(t) = k exp( t)
dt
a1
Lorsque t le signal diverge si a0 et a1 ont des signes contraires .
En regime libre : a0 s + a1
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
2.1
Gain en d
ecibel
2.2
2.2.1
p1
)
p2
Diagramme de Bode
D
efinition
4 / 16
c Boukaddid
2.2.3
Cours delectrocinetique
sup TSI
Diagramme asymptotique-diagramme r
eel
3
3.1
Filtre dordre un
Filtre passe bas
H(j) =
1+j
1 + ( )2
c
= arctan(
)
c
Exemples
R
ue
us
us
zc
=
ue
zR + zc
1
1
1
H(j) =
=
donc c =
1 + jRc
Rc
1+j
c
H(j) =
1
G() =
1 + R 2 c2 2
1
Gmax
G(0) = Gmax = 1 et G(c ) = =
2
2
Gmax
la bande passante du filtre passe bas tq : 6 G() 6 Gmax
2
donc la bande passante est [0, c ]
1
c
us
dus
Si >> c H(j) =
j = u dt = c ue
e
1+j
c
5 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
Z
us = c
ue dt
Resultat : En haute frequence le filtre passe bas du premier ordre se comporte comme un
integrateur
Diagramme de Bode
1
1
pour x +,
2
G(dB)
log x
3dB
log x
20dB /decade
3.2
1+j
G= r
1
1+(
c 2
)
Gmax
1
G() = 1 = Gmax et G(c ) = =
2
2
la bande passante du filtre passe haut est : [c , ]
u
Pour << c H(j) j = s
c
ue
6 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
us =
sup TSI
1 due
c dt
Resultat : En basse frequence le filtre passe haut du premier ordre se comporte comme
un derivateur
Exemple
C
us
ue
1
us
jcR
=
c =
=
ue
1 + jcR
Rc
1+j
c
Diagramme de Bode
1
1
= 10 log(1 + 2 )
G(dB) = 20 log r
x
c
1 + ( )2
x G(dB) 0
x 0 G(dB) 20 log x
= arctan x
2
x0
2
x0
H(j) =
G(dB)
log x
20dB/decade
log x
3.3
D
ephaseur ou filtre passe tout
7 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
c
H(j) =
1+j
c
1j
G() = |H(j)| = 1
donc le dephaseur naffecte pas lamplitude quelque soit la frequence f .
= arg H(j) = 2 arctan
= 2 arctan x
c
x00
x
log x
4
4.1
4.1.1
Filtres dordre 2
Filtre passe bas
D
efinition
La fonction de transfert dun filtre passe bas dordre 2 secrit sous la forme :
H(j) =
02
0
(j)2 + (j) + 02
Q
02
1
=
x
0
p2 + p + 02
1 + j + (jx)2
Q
Q
0
Exemple
avec x =
8 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
L
ie
us
ue
1
jc
us
1
1
=
=
=
x
2
1
ue
1 + jRc Lc
1 + j + (jx)2
+ jL + R
Q
jc
1
L0
1
0 =
et Q =
=
R
Rc0
Lc
H(j) =
4.1.2
Aspect graphique
Consid`erons lequation p2 +
=
0
p + 02 = 0 avec p = j
Q
02
2
2 1
4
=
( 2 4)
0
0
Q2
Q
1
2
0
0
+
p1 =
2Q
2
1
4
Q2
0
0
p2 =
2Q
2
1
4
Q2
On pose
p1 = 1 ; p2 = 2
On verifie que
1 .2 = 02
H(j) =
02
1
=
(j + 1 )(j + 2 )
(1 + j )(1 + j )
1
2
G(dB) = 20 log r
1 + ( )2
1
+ 20 log r
1 + ( )2
2
= G1 + G2
() = arctan(H(j)) = 1 + 2
9 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
G(dB)
log
1
0
log
2
0
log
log x
20dB/decade
log
2
0
log x
40dB/decade
I Deuxi`eme cas : = 0 Q =
1
0
1
2
1
H(j) =
(1 + j
2
)
0
G(dB) = 20 log
1+(
G(dB)
log x
log x
40dB/decade
1
2
1
1( ) +j
0
Q 0
1
1
G(dB) = 20 log r
= 20 log s
1
x2
(1 ( )2 )2 + 2 ( )2
2 )2 +
(1
x
0
Q 0
Q2
<< 0 ; G 0 asymptote horizontal
>> 0 ; G 40 log
asymptote de pente 40dB /decade
0
d
x2
1
G presente un maximum si : [(1 x2 )2 + 2 ] = 0 x2r = 1
dx
Q
2Q2
r
1
= 0 1
2Q2
10 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
1
Q 0
= arctan
1 ( )2
0
<< 0 0
>> 0
G(dB)
1
Q1 >
2
Q2 > Q1
log x
log x
40dB/decade
4.2
4.2.1
p2
0
p2 + p + 02
Q
(jx)2
H(j) =
=
0 =
x
02
1 0
02 2 + j
1
+
j
+ (jx)2
1 2 j
Q
Q
Q
1
G(dB) = 20 log
1(
En remplacant
0 2
1 0
) + 2 ( )2
0
par
on retrouve le G du filtre passe bas .
0
11 / 16
c Boukaddid
4.2.2
Cours delectrocinetique
sup TSI
Aspect graphique
G(dB)
log x
1
Q<
2
log x
Le filtre passe haut dordre deux presente en basse frequence une attenuation de
40dB/decade
4.3
4.3.1
p = j
H(j) =
1
2 02
1 + jQ
0
Exemple
ie
ue
us
=
ue
us
1
L
1
1+j
+
R
jRc
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
0
1
La pulsation propre 0 =
Lc
1
L0
=
Le facteur dr qualite Q =
R
Rc0
La pulsation reduite x =
H(jx) =
G= r
1
1
1 + jQ(x )
x
Usm
RIm
=
Uem
Uem
1
1 + Q2 (x )2
x
Il se produit le phenom`ene de resonance en intensite lorsque Im passe par un maximum
quelque soit le facteur de qualite .
1
r
xr
= 0 xr =
= 1 r = 0
xr
0
Bande passante
La bande passante correspond `a lintervalle [1 , 2 ] tq :
1
1
1
0
=
x =
x
Q
0
Q
=
4.3.2
R
0
=
Q
L
Aspect graphique
1
G(dB) = 20 log G = 10 log[1 + Q2 (x )2 ]
x
x
asymptote de pente 20dB/decade
Q
x G(dB) 20 log(xQ) asymptote de pente 20dB/decade
les asymptotes se coupent en x = 1 G(dB) = 20 log Q
Q < 1 : La courbe se trouve au dessous des asymptotes
Q > 1 : La courbe se trouve au dessus des asymptotes
x 0 G(dB) 20 log
1
= arctan[Q(x )] = (filtre passe bas)+
x
2
13 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
G(dB)
log x
log x
(1)
(2)
pente de 20dB
par decade
pente de 20dB
par decade
Q1 < 1 : courbe au dessous des asymptotes
Q2 > 1 : courbe au dessus des asymptotes
4.4
p2 + 02
0
p2 + p + 02
Q
1
H(j) =
1+j
1 0
Q 02 2
1
G(dB) = 20 log r
1
0 2
1 + 2( 2
)
Q 0 2
= (passe bas)+ arg(02 2 )
0 = ; G
<< 0 ; G 0 (p.b)
>> 0 ; G 0 (p.b) +
14 / 16
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
G(dB)
2
log x
log x
4.5
D
ephaseur
0
p + 02
Q
H(p) =
0
p2 + p + 02
Q
p2
log x
5
5.1
Filtres actifs
Probl`
eme des filtres passifs
c Boukaddid
Cours delectrocinetique
sup TSI
5.2
Exemple
R
R
B
A
C
vs
ve
r
r
Millman en A et B
1
vs
vB = v+ = v =
1+
0
Q
H(j) = k
0
+ 02
(j)2 + j
Q
j
2
2
1+
0 =
;Q =
;k =
Rc
4
4
16 / 16
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
Amplificateur op
erationnel en r
egime lin
eaire
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
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2
2
2
2
3
3
3
4
4
5
5
5
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5
5
5
6
6
6
7
7
7
3 Montages usuels `
a AO ideal
3.1 Suiveur de tension . . . .
3.2 Amplificateur inverseur . .
3.3 Sommateur de tension . .
3.4 Soustracteur de tension . .
3.5 Integrateur simple . . . . .
3.6 derivateur simple . . . . .
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8
8
9
9
10
10
12
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1 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
1
1.1
AO r
eel - AO id
eal
Description de lAO
8
1 : reglage de loffset
2 : Entree inverseuse (-)
3 : Entree non inverseuse (+)
4 : Polarisation negative (Vcc = 15V )
5 : Reglage de la tension de decalage (offset)
6 : Sortie
7 : Polarisation positive (+Vcc = 15V )
8 : Borne non connectee
Exemples : TL081 , CA741 , A741
Shematiquement on represente AO par
(3)
E
(2)
(6)
s
(6)
+
(3)
(2)
E + : Entree non inverseuse
E : Entree inverseuse
1.2
1.2.1
Fonctionnement lin
eaire dun AO
Syst`
eme lin
eaire du premier ordre
us
2 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
dus
+ us =
dt
1
=
avec 0 =
1+j
0
1.2.2
Cas du r
egime continu
1.3
1.3.1
+0
Usat
saturation basse
En pratique Usat = Vsat = 15V
Pour > M : saturation haute (phenom`ene non lineaire)
Pour < M : saturation basse
Dans le cas dun signal sinusoidal us (t) damplitude Usm superieur `a Usat
3 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
us
saturation
+Usat
Usat
Usat
104 V
Conclusion : En regime lineaire dun AO reel,la tension est tres faible < M .
1.3.2
Dans la structure des AO,il existe une vitesse limite de variation de tension us dite
vitesse de balayage notee avec
|
dus
| 6 0, 5V.s1
dt
us
t
augmente t diminue
us
us
t
pas de limitation en frequence
t
t
limitation en frequence
4 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
1.4
1.4.1
AO id
eal en r
egime lin
eaire
AO id
eal
Propri
et
e fondamentale
Usat
Remarque
I La puissance fournie en entree est nulle :
i+ = i = 0 P + = U + .i+ = 0, P = U .i = 0
I Lenergie consommee par la charge et par les composantes internes de lAO est
preleve des sources dalimentation (+Vcc et Vcc )
2
2.1
2.1.1
Un operateur qui amplifie la tension dentree (us > ue ) sans prelever denergie en entree
est appele amplificateur ideal de tension .
us
Gain de lamplificateur G0 =
>1
ue
5 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
ie = 0
us
ue
2.1.2
G0 ue
Amplificateur r
eel-R
esistance dentr
ee et de sortie
ie
Rs
ue
2.1.3
us
Re
Gue
Cas dun r
egime sinusoidal
ie
zs
ue
us
ze
H.ue
2.2
r
ve
e
R
i = 0
vs
Ru
ve0
R
i
operateur amplification
6 / 12
c S.Boukaddid
2.3
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
Stabilisation du montage
dvs
+ vs =
dt
ie = i+ = i = 0 , ve = ve0 + = e rie = e ,ve0 = R0 i =
lequation devient
R0
R0
v
on
pose
=
s
R + R0
R + R0
dvs vs
e
+ (1 + ) =
dt
2.3.1
Amplificateur id
eal de tension
R0
ve
Gve
vs
Operateur damplification
2.3.2
Amplificateur `
a AO r
eel en r
egime sinusoidal
En regime sinusoidal lAo se comporte comme un filtre passe bas de fonction de transfert
h=
vs
1
=
avec 0 =
1+j
0
G
ve
+
+ +j
1+j
h G
G
0
0 ( + G)
vs
0
=
ve
1+j 0
0
avec 0 =
G
0 ( + G)
et 00 =
+G
G
7 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
0 .00 = .0 = cte
Ce facteur est appele facteur de merite ou le produit gain x bande passante
Resultat : Le produit gain x bande passante est le meme pour un AO en boucle ferme
ou en boucle ouverte .
3
3.1
Montages usuels `
a AO ideal
Suiveur de tension
=0
vs
Rc
ve
AO ideal : i = i+ = 0, = 0 v + = v = ve or v = vs ve = vs
ve = vs
donc on peut modeliser le suiveur par un amplificateur ideal de tension de gain 1,dimpedance
dentree infini et dimpedance de sortie nulle .
ve = e
vs
Suiveur
La puissance delivree a` la resistance de charge Rc est
Ps =
vs2
e2
=
= Pmax
Rc
Rc
8 / 12
c S.Boukaddid
3.2
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
Amplificateur inverseur
R
ie
R
ie
-
ue
us
ue us
+ 0
+
R
R =0
v = v = 0 et v =
1
1
+ 0
R R
G=
us
R0
=
ue
R
supposons que R0 > R donc on peut modeliser lamplificateur inverseur par le montage
ue
amplificateur non ideal de tension de gain G et de resistance dentree R =
ie
ie
ue
us
R
Gue
3.3
Sommateur de tension
R
R
ie
R
ve1
vs
ve2
9 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
vs ve1 ve2
+
+
R
R =0
v + = v = 0 et v = R
1
1
1
+ +
R R R
vs = (ve1 + ve2 ) sommateur inverseur
3.4
Soustracteur de tension
R
vs
ve2
ve1
R
vs ve2
+
R
AO ideal : v + = v avec v + =
et v = R
1
1
1
1
+
+
R R
R R
v = v + vs + ve2 = ve1
ve1
R
vs = ve1 ve2
3.5
Int
egrateur simple
k
uc
ie
R
+
ve
vs
10 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
sup TSI
Z
ve dt
+
= 0 vs = e zc = e
v =v =
1
1
R
jRc
+
z c ZR
Z
1
1
donc v s =
v e dt vs (t) =
ve (t)dt
Rc
Rc
Remarque : En pratique , il se produit le phenom`ene de derive en tension du aux
courants de polarisation dun AO reel,donc on realise le montage pseudo-integrateur
R
uc
ie
R
+
ve
vs
vs
v
+ e
0
v
1
z //R
R
v = v+ = c
=0 s =
1
1
ve
R(zc //R0 )
+
z c //R R
R0
jc
z c //R0 =
R0 +
1
jc
R0
1 + jR0 c
R0
R0
v
R
R
donc s =
=
ve
1 + jR0 c
1+j
0
1
vs
R0 1
Si >> 0 = 0
Rc
ve
R j
0
11 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 2 delectronique
1
vs =
Rc
3.6
sup TSI
Z
v e dt
d
erivateur simple
R
C
ie
ie
+
ve
vs
due
ue
due
= us = Rc
dt
R
dt
ve vs
+
R
zc
R
+
v =v =0=
v s = v e = jRcv e
1
1
zc
+
zc R
ie = c
dv e
dt
En pratique on utilise le montage pseudo-derivateur
v s = Rc
R
ie
ie
+
ve
vs
ve
v
+ s
R
jRc
+ zc
R
v = v+ = 0 =
vs =
ve =
v
1
1
1
1 + jR0 c e
0+
+
R
z c + R0 R
jc
1
dv
si << 0 = 0 v s = jRcv e = Rc e
Rc
dt
dv
v s = Rc e
dt
R0
12 / 12
c S.Boukaddid
TP-Cours 3 delectronique
sup TSI
Amplificateur op
erationnel en r
egime non lin
eaire
.
.
.
.
.
2
2
3
3
3
3
2 Multivibrateur astable
2.1 Montage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Etude theorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4
4
5
. . . . . . .
de schmitt .
. . . . . . .
. . . . . . .
. . . . . . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
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.
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.
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.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
1/6
c S.Boukaddid
TP-Cours 3 delectronique
sup TSI
Comparateur `
a AO
1.1
Cet operateur a` AO va permettre de comparer une tension ve (t) appliquee sur une
entree (+) (par exemple) et une tension de reference vr sur lautre entree .
+
ve
vr
vs
= v + v = ve vr
si ve > vr > 0 saturation haute
si vr > ve < 0 saturation basse
vs
vr
ve
Remarque : Si lon permute les deux entrees,le comparateur est dit inverseur .
En pratique la caracteristique de transfert est visualise en mode X Y de loscilloscope
.
2/6
c S.Boukaddid
1.2
1.2.1
TP-Cours 3 delectronique
sup TSI
ve
vs
i
R1
R2
vr
On pose
=
R1
R1 + R2
vr0 = (1 )vr =
1.2.2
R2
vr
R1 + R2
Stabilisation du montage
Pour montrer linstabilite du montage on consid`ere que lAO est reel tq vs et sont
relies par lequation : on suppose que vr = 0
v + = R1 i =
dvs
+ vs =
dt
R1
vs = vs et = vs ve
R1 + R2
dvs
+ (1 )vs = ve
dt
Comparateur `
a hyster
esis
v + = vr + R1 i = vr + R1
vs vr
= vr + (vs vr ) = vs + vr0
R1 + R2
= v + v = vs + vr0 ve
c S.Boukaddid
TP-Cours 3 delectronique
sup TSI
A2
A0
ve1
ve
ve2
vr0
A00
Vsat
A1
2
2.1
ve1 + ve2
= vr0
2
Multivibrateur astable
Montage
i = 0
i
vc
i+ = 0
R2
i1
vs
R1
i1
Le signal de sortie Vsat fournie par le trigger de schmitt,est integre par un circuit RC
Ce syst`eme (non lineaire) `a deux etats instables correspondant aux basculement de vs
4/6
c S.Boukaddid
TP-Cours 3 delectronique
sup TSI
2.2
Etude th
eorique
R1
R1
, = RC et v + = R1 i1 =
vs = vs
R1 + R2
R1 + R2
on choisit comme origine du temps t = 0 linstant o`
u vs bascule de +Vsat a` Vsat
vs (0 ) = Vsat et vs (0+ ) = Vsat ,(0 ) = v + (0 ) v (0 ) = 0
vc (0 ) = vs (0 ) = Vsat
La continuite de la tension aux bornes du condensateur
vc (0+ ) = vc (0 ) = Vsat
(0+ ) = v + (0+ ) v (0+ ) = vs (0+ ) vc (0+ ) = Vsat Vsat = 2Vsat
on deduit que
vc = v , =
1
dvc
t t1
a` vs = +Vsat : vc +
= Vsat vc = k exp(
) + Vsat
dt
t t1
vc (t+
)]
1 ) = vc (t1 ) = Vsat vc = Vsat [1 (1 + ) exp(
+
(t
2 ) = 0, vc (t2 ) = Vsat = v (t2 )
t2 t1
1
)=
exp(
1+
t2 = t1 + ln(
1+
) = 2t1
1
5/6
c S.Boukaddid
TP-Cours 3 delectronique
sup TSI
Vsat
Vsat
vc (t)
t1
t2
Vsat
Vsat
T = 2t1 = 2 ln(
2R1 + R2
1+
) = 2Rc ln(
)
1
R2
T = 2Rc ln(1 + 2
R1
)
R2
6/6