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Effet
Photovoltaïque
Présentation

Décembre 2000

Apex BP Solar
1, rue du Grand Chêne
34270 Saint-Mathieu-de-Tréviers
FRANCE
Téléphone 33 (0) 499 622 622
Fax 33 (0) 499 622 623
Web http://www.apex-france.com
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Découvert en 1839 par Henry Becquerel, l’effet photovoltaïque permet la transformation de

l'énergie lumineuse en électricité. Il repose sur la technologie des semi-conducteurs

1. LES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

Les semi-conducteurs intrinsèques, éléments

de la quatrième colonne du tableau périodique
des éléments constituent des cristaux qui
Energie peuvent devenir conducteurs sous certaines
conditions. Pour expliquer ce phénomène, il
convient dans un premier temps de décrire la
structure électronique des atomes. Les
Bande de électrons occupent les bandes énergétiques
conduction les plus basses dans leur état normal. Ces
différentes bandes d'énergie accessibles sont
Bande séparées par des bandes énergétiques
Ec
interdite interdites appelées « gap » qui constituent de
véritables barrières énergétiques :
Ev Bande de ∆E=Ec-Ev≅1eV
valence En outre on appelle bande de valence la
occupée bande la plus élevée en énergie occupée
par les électrons et bande de conduction,
la bande énergétique accessible située au
dessus de la bande de conduction.
Lorsqu'il y a apport d'énergie, comme c'est
Bandes énergétiques au sein de l’atome le cas avec un rayon lumineux incident,
les électrons de la bande de valence sont
susceptibles de traverser la bande
interdite et de passer dans la bande de
conduction. Dès lors, ces électrons
deviennent libres et sont capables de se
déplacer à l'intérieur du cristal.

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1.1. Dopage d'un semi-conducteur

La technique du dopage d'un cristal semi-conducteur consiste en l'appauvrissement ou
l’enrichissement du nombre d'électrons au sein de ce cristal.
Pour ce faire, on introduit au sein de la structure tétravalente du cristal semi-conducteur un
atome accePteur ou doNneur d'électrons.

Réalisation d’un semi-conducteur dopé P

On fabrique ici un semi-conducteur déficitaire en électron. Dans ce but, on introduit au sein

d'un cristal semi-conducteur un atome de la troisième colonne du tableau périodique des
éléments, par exemple le bore possédant 3 électrons de valence sans modifier la structure
tétravalente du cristal. De ce fait, une des liaisons réalisées avec les quatre voisins semi-
conducteurs de cet atome se trouve constituée par la mise en commun d’un unique électron
au lieu de deux. Un trou, ou site laissé vacant par un électron, est ainsi créé.

Réalisation d’un semi-conducteur dopé N

On fabrique ici un semi-conducteur excédentaire en électrons en introduisant cette fois au sein du

cristal un atome de la cinquième colonne du tableau périodique des éléments par exemple le
phosphore possédant 5 électrons de valence sans encore modifier la structure
initial. De ce fait, une des liaisons réalisées avec les quatre voisins semi-conducteur de cet atome se
trouve constituée par la mise en commun de trois électrons au lieu de deux. Un électron excédentaire
capable de se déplacer au sein du cristal est ainsi créé.

dopant

Cristal initial Cristal

dopé

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1.2. Création de la jonction P-N

Une jonction P-N résulte de la mise en contact 2 deux cristaux semi-conducteurs, l’un dopé
fig 1). Sous l'effet d’un gradient de charge, les électrons excédentaires
de la zone N vont avoir tendance à migrer vers la zone P déficitaire en électrons et
inversement pour les trous de la zone P (fig 2). Cependant, tous les électrons migrateurs ne
possèdent pas une énergie suffisante pour recouvrir tous les trous de la zone P. Certains de
ces électrons vont donc rester du côté P et de même pour certains trous ayant migré du côté
N. Il en résulte une recombinaison des charges au niveau de la zone de contact et la
création d’une DDP locale au niveau de la zone de contact. C’est une barrière de potentiel.
En effet, cette DDP ne permet plus la migration d’éventuels électrons libres de N vers la
zone P et de trous de la zone P vers la zone N (fig 3). Ils sont au contraire repoussés vers
les bords de leur zone d’appartenance. La jonction PN est ainsi réalisée.

Illustration de la création de la jonction P-N

Zone dopée N Zone dopée Zone dopée N Zone dopée

P P
Fig 1 : Mise en contact de 2 Fig 2 : Migration sous l’effet
semi-conducteurs dopés du gradient de charge

Fig 3 : Création de la barrière de

potentiel au niveau de
la zone de contact

Zone dopée N Zone dopée

P

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2. L’EFFET PHOTOVOLTAÏQUE

Sous l'effet d’un rayonnement lumineux incident, les électrons des bandes de valence du
semi-conducteur vont pouvoir passer dans la bande de conduction et devenir libres. Ce
phénomène va engendrer au sein de la structure du semi-conducteur la création de paire
électron-trou. Ceux-ci, sous l’effet de la barrière de potentiel, vont s’accumuler sur chacune
des faces extérieures des zones P et N. Ainsi, une ddp entre les faces extérieures de la
jonction est créée : la photopile est prête à fonctionner (fig 4).

Rayonnement
solaire hν

Fig 4 : Sous l’effet de la barrière de

potentiel, les porteurs de charge
excités sont repoussés sur les bords
de la jonction, ce qui entraîne
la création d’une tension à
l’extérieur de la jonction

Zone dopée N Zone dopée

P

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