Dispositivos de Estado Solido

Electrónica Industrial
Ingeniería Electrónica
Universidad Benito Juárez

M.I. Enrique Tlachi Cuanenemi
Dispositivos que se han sustituido
Dispositivos de estado solido Dispositivos sustituidos
Diodo Rectificador de arco de mercurio

Transistor de silicio Rectificador de tanque metálico
Transistor de disparo o Tiristor Rectificador de tubo al alto vacío
MOSFET (válvula electrónica o tubo al vacio)
Transistores BJT Bulbos de vacío
GTO Ignitron
SIT Fanotron
TRIAC Tiratron
LASCR
IGBT
SITH
Dispositivos de estado solido
Diodos de potencia Uso general, alta velocidad y schottky.
Parte del desarrollo del primer tiristor

tiristores Tiristores conmutados en línea y tiristores
(1958) conmutados de forma forzada
SCR Transistores bipolares de juntura de

potencia (BJT)
Rectificador Controlado de Silicio
MOSFET de potencia
Tiristor de. Conjugación forzada, tiristor

conmutado por línea, tiristor desactivado
por compuerta (GTO), tiristor de
Transistores bipolares de potencia aislada conducción inversa (RCT), tiristor de
(IGBT) y transistores de inducción inducción estático (SITH), tiristor
estáticos (SIT) desactivado pr asistencia de compuerta
(GATT), rectificador controlado de silicio
fotoactivado (LASCR) y tiristores
controlados por MOS
clasificación
También se pueden clasificar por:
 Activación y desactivación sin control (diodo)
 Activación controlada y desactivación sin control (SCR)
 Activación y desactivación controladas (BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT,
SIT,MCT)
 Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SITH)
 Requisito de pulso en la conpuerta (SCR, GTO, MCT)
 Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO)
 Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT)
 Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT)
 Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT,
SITH, DIODO)
Características
• Diodo
o Esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia, tienen tiempos
de recuperación pequeños.
o Un diodo conduce cuando el voltaje de ánodo es mas alto q el del cátodo, con
caídas de voltaje directa muy bajas entre .5 y 1.2v
o Se puede colocar en polarización directa y polarización inversa.
• Tiristor
o Tiene 3 terminales: Ánodo, Cátodo y Compuerta.
o Este se activa al pasar una corriente pequeña de la compuerta hacia el cátodo.
o El tiristor conduce siempre y cuando la terminal del ánodo este a un potencial mas
alto que el del cátodo (generalmente la caída de voltaje directa es de .5 a2v).
o Tiristor conmutado en línea: se desactiva en razón de la naturaleza senoidal del
voltaje de entrada
o Tiristor conmutado en forma forzada: se desactiva mediante un circuito adicional.
• Transistores bipolares bipolares de juntura (BJT)
o Tiene 3 terminales: Base, Emisor y Colector.
o Se tienes del tipo NPN y PNP.
o Tienen distintas regiones de operación: activa, inversa, de corte y de saturación.
o Es un transistor muy útil como interruptor o amplificador.
• MOSFET de potencia (transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor)

o Se tienen 2 tipos: MOSFET de canal N y MOSFET de canal P.
o Tiene 3 terminales: Gate (G), Drain (D) y Source (S).
o Según el modo de configuración del canal se clasifica en: enriquecimiento o de
acumulación.
o Se aplica una tención positiva o negativa para q entre en región de conducción a traves
de la terminal Gate, esto dependiendo el tipo de transistor.
o Utilizado en conmutación y amplificación de señales.
• Transistores bipolares de alta potencia

o Tiene 3 terminales: Base, Emisor y Colector.
o Se tienes del tipo NPN y PNP.
o Se tienen 3 configuraciones: Base común, emisor común y colector común.
o La caída directa de un transistor en conducción generalmente es de entre .5 a 1.5v.
Diodo
VRRM: tensión inversa máxima (tensión máxima que puede soprtar antes de entrar en ruptura
por avalancha.
VD: tensión de diodo (tensión apartir de la cual el diodo entra en estado de conducción en
polarización directa9).
La corriente en el diodo esta dada por la siguiente ecuacion (ecuacion característica):
Símbolo y modelos estáticos Curva característica del diodo

SCR
• El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de
material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
• Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la

corriente en un solo sentido, a partir de la aplicación de una tención en la compuerta.
• Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.

Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido
del SCR.
Diseño de un equipo de electrónica de
potencia
• Diseño de los circuitos de potencia.
• Diseño de los dispositivos de potencia.
• Determinación de la estrategia de control.
• Diseño de los circuitos lógicos y de mando.
En las primeras etapas del diseño resulta muy útil el análisis simplificado del
circuito (al suponer condiciones ideales) para comprender la operación del mismo y
establecer las características y estrategias de control.
Realizar la simulación del siguiente circuito en psim
R=50 ohms
C=1000 microF

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Diodo Rectificador de arco de mercurio

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SCR Transistores bipolares de juntura de

Tiristor de. Conjugación forzada, tiristor

• MOSFET de potencia (transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor)

• Transistores bipolares de alta potencia

La corriente en el diodo esta dada por la siguiente ecuacion (ecuacion característica):

Símbolo y modelos estáticos Curva característica del diodo

• Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la

• Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.

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