ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE

LOS MATERIALES

UNIDAD 3

MATERIALES
SEMICONDUCTORES
1
 PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE
LOS MATERIALES
Corriente eléctrica: Flujo de electrones (electrones en
movimiento).
 PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE
LOS MATERIALES

• Los materiales muestran mucha variación en su

capacidad de conducir la electricidad.
• El flujo de la corriente eléctrica involucra el
movimiento de portadores de carga (electrones,
iones, huecos).
 PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE
LOS MATERIALES

• El movimiento de los portadores de carga está

favorecido por la presencia de voltaje eléctrico, y se
oponen las características inherentes del material
(estructura atómica y los límites entre átomos y
moléculas).
 PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE
LOS MATERIALES

• Resistividad (r ó r): Propiedad que define la capacidad de

un material para oponerse al flujo de la corriente eléctrica.
Unidades W-m. Es inversa a la conductividad.
• No es constante ya que varía con la temperatura.

• Conductividad (c ó s): Capacidad de un material para

conducir la corriente eléctrica. Es el inverso de la
resistividad.
• Conductividad eléctrica = 1/resistividad = 1/r = s
• Unidades (W-m )-1
 PROPIEDADES ELÉCTRICAS
DE LOS MATERIALES

• Un material con una resistividad eléctrica alta

(conductividad eléctrica baja), es un aislante
eléctrico.
• Un material con una resistividad baja
(conductividad alta) es un buen conductor
eléctrico.
 TIPO DE MATERIALES SEGÚN
SUS PROPIEDADES ELÉCTRICAS

1. Conductores: Conducen corriente eléctrica.

2. Aislantes o dieléctricos: No conducen corriente
eléctrica.
3. Semiconductores: Pueden o no conducir corriente
eléctrica dependiendo de las condiciones de
operación.
 TIPO DE MATERIALES SEGÚN
SUS PROPIEDADES ELÉCTRICAS
1. Conductores: Tienen una resistividad baja. Los metales son
los mejores conductores de la electricidad, debido a sus enlaces
metálicos.

2. Aislantes o dieléctricos: Tienen resistividades elevadas. La

mayoría de las cerámicas y polímeros, cuyos electrones tienen
enlaces estrechos (covalentes o iónicos), son malos conductores
de electricidad.

3. Semiconductores: Son materiales cuya resistividad está entre

la de los aislantes y la de los conductores. El material
semiconductor más utilizado es el silicio.
 TIPO DE MATERIALES SEGÚN
SUS PROPIEDADES ELÉCTRICAS
RESISTIVIDAD
TIPO DE MATERIAL (W-m ) EJEMPLOS CARACTERÍSTICAS

Conducen corriente eléctrica, tienen

Metales
CONDUCTORES 10-6 – 10-8 resistividad baja
Aleaciones

Tienen una resistividad entre la de

los conductores y la de los aislantes
Silicio, Se pueden comportar como
SEMICONDUCTORES 10+1 – 105
germanio conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores

Caucho No son conductores de corriente

AISALANTES O
1012 – 1015 natural; directa
DIELÉCTRICOS
polietileno
 TIPO DE MATERIALES SEGÚN
SUS PROPIEDADES ELÉCTRICAS
 CONDUCTORES ELÉCTRICOS

• Un conductor eléctrico es un material que

ofrece poca resistencia al movimiento de la
carga eléctrica.
• En un conductor, sus átomos tienen pocos
electrones en su capa de valencia, por lo que
no se necesita mucha energía para que estos
se muevan de un átomo a otro.
• Son materiales cuya resistencia al paso
de la electricidad es muy baja.
 CONDUCTORES ELÉCTRICOS

Conductor: Los electrones de sus átomos se pueden

mover fácilmente de un átomo a otro.

Aislante: Los electrones de sus átomos no se pueden

mover o es muy difícil conseguir moverlos de
un átomo a otro.
 CONDUCTORES ELÉCTRICOS

• Los mejores conductores eléctricos son

metales, como el cobre, el oro, el hierro, la
plata y el aluminio, y sus aleaciones, aunque
existen otros materiales no metálicos que
también poseen la propiedad de conducir la
electricidad, como el grafito (C) o las
disoluciones y soluciones salinas (por
ejemplo, el agua del mar) o cualquier
material en estado de plasma.
 SEMICONDUCTORES

Semiconductores: Materiales que se comportan como conductores o como

aislantes en determinadas condiciones (a temperaturas bajas son aislantes;
a temperaturas altas son conductores de electricidad). Se dice que están en
un punto intermedio entre los conductores y los aislantes.
Factores que influyen en la conductividad de los semiconductores:
• Temperatura
• Presión
• Presencia de un campo magnético o eléctrico
• Radiación que le incide

14
 SEMICONDUCTORES

Semiconductores: A temperaturas bajas se comportan como aislantes pero a

temperaturas más altas son conductores de electricidad. La razón de esto es
que los electrones de valencia están ligeramente ligados a sus respectivos
núcleos atómicos, pero no lo suficiente, pues al añadir energía elevando
la temperatura son capaces de abandonar el átomo para circular por la red
atómica del material. En cuanto un electrón abandona un átomo, en su lugar
deja un hueco que puede ser ocupado por otro electrón que estaba circulando
por la red.

15
 SEMICONDUCTORES

Importancia de los semiconductores: Fabricación de componentes

electrónicos: diodos, transistores, termisores, etc.

transistor

16
 SEMICONDUCTORES

13 elementos semiconductores

17
 SEMICONDUCTORES

• Los semiconductores elementales se

encuentran en el grupo 4A de la tabla
periódica (Ge, Si).

• El Boro se clasifica como semiconductor (su

conductividad varía con la temperatura; a
temperatura bajas es aislante, pero a
elevadas es conductor).
 SEMICONDUCTORES

Materiales más utilizados para fabricar semiconductores: Silicio y Germanio.

El material semiconductor
más utilizado actualmente
es el silicio, debido a su
abundancia en la naturaleza,
bajo costo y facilidad de
procesamiento.

19
SEMICONDUCTORES

Estructura del silicio puro

20
 SEMICONDUCTORES

La mayoría de los metales son buenos

conductores de electricidad, debido a que
contienen concentraciones grandes de
electrones libres o móviles. Los electrones son
móviles en el sentido de que no están
vinculados a los átomos del metal, sino que
pueden moverse libremente por el volumen de
éste.
 SEMICONDUCTORES

Los electrones de valencia de los átomos de un

semiconductor no pueden en su mayor parte,
moverse libremente por el interior del
semiconductor. En lugar de ello, participan en los
enlaces covalentes que mantienen unidos los
átomos del semiconductor constituyendo una
distribución cristalina periódica. Cada átomo de
cristal tiene cuatro vecinos más próximos con los
que comparte sus electrones de valencia.
SEMICONDUCTORES
 Teoría del orbital molecular
Teoría del orbital molecular (TOM):
En esta teoría los orbitales de los átomos que se enlazan en un enlace covalente
se solapan dando lugar a una serie de orbitales extendidos a toda la molécula
(orbitales moleculares). El proceso de solapamiento, por tanto, no sólo afecta a
la capa de valencia sino a todas las capas de los átomos enlazados.
Al igual que en la teoría del enlace de valencia, la extensión del solapamiento
está relacionada con la intensidad del enlace y, además, dependiendo de que se
produzca frontal o lateralmente, se formarán orbitales moleculares de tipo
sigma o pi. Cada pareja de orbitales atómicos que se solapen formará una
pareja de orbitales moleculares, uno enlazante y otro antienlazante, que
pueden contener hasta dos electrones con espines opuestos.
 Teoría del orbital molecular

Teoría del orbital molecular (TOM):

 TOM aplicada a
los metales
• Según la TOM, dos orbitales atómicos originan dos orbitales
moleculares y tres orbitales atómicos originan tres orbitales
moleculares; en general, un gran número de orbitales atómicos
de la misma energía originan un gran número de orbitales
moleculares de energías muy parecidas, es decir, una banda de
energía.

Por ejemplo, de la interacción de un mol de átomos de sodio (la

interacción de 6,022x1023 orbitales atómicos 3s) producirá
6,022x1023 orbitales moleculares muy poco espaciados.
Configuración electrónica del Na: 1s22s22p63s1
 TOM aplicada a
los metales
Conforme aumenta el número de átomos aumenta el número de
"orbitales moleculares”, la mitad de éstos serán de menor energía
(orbitales enlazantes) y la otra mitad de mayor energía que los
orbitales atómicos (orbitales antienlazantes) pero la diferencia de
energías entre ellos se hace cada vez menor.
En lugar de los pocos orbitales moleculares con energías
ampliamente espaciadas típicas de moléculas pequeñas, la
inmensa cantidad de orbitales en un metal hace que estén tan
cerca entre sí en energía que forman una banda casi continua.
 Construcción de una banda

Construcción de bandas para el metal sodio: Na: 1s22s22p63s1

Construcción de una banda
 Construcción de una banda

Se forma una banda, en donde la diferencia de energía entre un

orbital y el siguiente es mínima.
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:
• Está basada en la Mecánica Cuántica y procede de la teoría del
orbital molecular (TOM).
• En esta teoría se considera el enlace metálico como un caso
extremo del enlace covalente, en el que los electrones de
valencia son compartidos de forma conjunta y simultánea con
todos los cationes. Desaparecen los orbitales atómicos y se
forman orbitales moleculares con energías muy parecidas, tan
próximas entre ellas que todos en conjunto ocupan una franja
de energía que se denomina “banda de energía”.
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:
• Aunque los electrones van llenando los orbitales moleculares
en orden creciente de energía, estas son tan próximas que
pueden ocupar cualquier posición dentro de la banda.
• La banda ocupada con los electrones de valencia se llama
banda de valencia, mientras que la banda formada por los
orbitales moleculares vacíos se llama banda de conducción. A
veces, ambas bandas se solapan energéticamente hablando.
• Este modelo explica bastante bien el comportamiento eléctrico
de las sustancias conductoras, semiconductoras y aislantes.
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:
Los electrones dentro de un átomo se pueden encontrar en 3 tipos
de bandas diferentes:

a. Banda de Valencia

b. Banda Prohibida

c. Banda de conducción
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:

Para que exista flujo de electrones en un material, los electrones

de valencia tienen que abandonar la capa o nivel de energía en
donde están localizados para que salgan completamente del
átomo (tienen que abandonar la capa de valencia). Esta capa se
denomina banda de conducción. Sería esa capa de conducción a la
que tendría que saltar un electrón de la última capa para hacerle
abandonar por completo el átomo.
 Teoría de bandas
a. Banda de valencia: Es la banda de menor energía y contiene a
los electrones de valencia; es una banda de orbitales moleculares
llenos.
c. Banda de conducción: La otra banda que tiene los niveles más
altos de energía; es una banda vacía o parcialmente llena de
orbitales moleculares.
• La teoría de bandas, explica que según el tipo de sustancia, las
bandas de valencia y de conducción pueden o no estar
separadas por bandas de energía de valores prohibidos (gap).
Para los cristales no metálicos, la representación gráfica incluye
una banda prohibida. Esta banda prohibida implica una
diferencia energética muy grande para que los electrones la
puedan superar y así poder llegar a la banda de conducción.
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:

a. Banda de Valencia: Intervalo energético donde están los

electrones de la última órbita del átomo. Conjunto de energía que
poseen los electrones de valencia.

b. Banda Prohibida: Energía que ha de adquirir un electrón de la

banda de valencia para poder moverse libremente por el material
y pasar a la banda de conducción.
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:
c. Banda de conducción: Intervalo energético donde están
aquellos electrones que pueden moverse libremente ya que están
libres de la atracción del núcleo del átomo. Conjunto de energía
que poseen los electrones para desligarse de sus átomos.
Es el intervalo de energías electrónicas que, estando por encima
de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir
aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico externo y,
por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas. Los
electrones de un semiconductor pueden alcanzar esta banda
cuando reciben suficiente energía, generalmente debido a la
excitación térmica.
 Teoría de bandas y
conductividad eléctrica
• La conductividad eléctrica es consecuencia del movimiento
de los electrones a lo largo de las bandas. Además da
argumentos para racionalizar por qué algunos sólidos son
conductores, otros aislantes y otros semiconductores.
 Teoría de bandas y
conductividad eléctrica
Un sólido tiene carácter metálico porque:

tiene una banda de energía

parcialmente llena

Energía
hay más orbitales moleculares en
la banda que los que se Banda
parcialmente
necesitan para alojar todos los
llena
electrones de la estructura

Por tanto, un electrón excitado puede pasar

fácilmente al orbital cercano más alto
 Teoría de bandas y
conductividad eléctrica
En los metales, las bandas de valencia se superponen a las de
conducción y los electrones de las primeras pueden pasar a las
segundas y moverse libremente. Por eso conducen la electricidad
tanto los metales que tienen las bandas de valencia parcialmente
llenas (ejemplo el Na) como aquéllos que las tienen totalmente
llenas (ejemplo el Mg).
 Conductores, semiconductores
y aislantes

La conductividad depende de la separación de la Banda

de Valencia (BV) y la Banda de Conducción (BC)
 Teoría de Bandas
Ilustración de como serían las bandas de un material si fuera
conductor, aislante o semiconductor:
 Teoría de Bandas
• En los aislantes un electrón de la capa de valencia no podríamos pasarlo a la
de conducción, es demasiado difícil o ancha.

• En los conductores no hay capa prohibida, los electrones de valencia pasarían

muy fácilmente a la de conducción.

• En los semiconductores tienen una dificultad intermedia para pasar los

electrones de valencia a la banda de conducción. En la mayoría de ellos es
necesario suministrarles energía en forma de calor, por ejemplo, para que
pasen de la capa de valencia a la de conducción. Es decir, convertirlos en
materiales conductores. Un semiconductor se caracteriza por tener una
banda prohibida, entre la de conducción y la de valencia, pero no muy

ancha.
Teoría de Bandas
 Teoría de Bandas
Para que los electrones de valencia abandonen la capa
de conducción, hay que suministrar energía.
Materiales conductores: Tienen una banda de
conducción pequeña y es muy fácil hacer que los
electrones salten esta capa (que pasen de la capa de
valencia a la de conducción).
Materiales aislantes: Su capa o banda de conducción es
muy grande y a los electrones les cuesta mucho
abandonar el átomo, incluso estando en la última
capa o banda.
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:
• En los materiales conductores, la banda de valencia se solapa
energéticamente con la banda de conducción que está vacía,
disponiendo de orbitales moleculares vacíos que puedan
ocupar una mínima energía, es decir, que los electrones están
casi libres pudiendo conducir corriente eléctrica.
• En los materiales semiconductores y aislantes, la banda de
valencia no se solapa con la de conducción. Hay una zona
intermedia llamada banda prohibida o gap (salto).
 Teoría de Bandas
Teoría de Bandas:
• En los semiconductores, como el Si o el Ge, la anchura de la
banda no es muy grande y los electrones con suficiente
energía cinética pueden pasar a la banda de conducción. Por
esta razón los semiconductores conducen mejor la electricidad
en caliente.
• En los aislantes, la banda prohibida es tan ancha que ningún
electrón puede saltarla. La banda de conducción está siempre
vacía.
TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES
 TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES

• El Si y el Ge tienen una conductividad

eléctrica fácilmente controlable y, cuando se
combinan apropiadamente, pueden actuar
como interruptores, amplificadores o
dispositivos de almacenamiento.
 TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES

• El Si es un elemento tetravalente y todos los

electrones se reagrupan para completar la
capa exterior de electrones de los átomos
circundantes, creando enlaces covalentes.
• La banda de valencia se llena como en los
aislantes, pero la energía de enlace es
menor, y la brecha de energía (gap) sólo es
de 1.14 eV.
 TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES

• Cuando se suministra energía externa, un

número de electrones puede adquirir
energía suficiente para liberarse (brincar
hacia la banda de conducción), por lo tanto,
la resistividad de los semiconductores
disminuye con el aumento de la
temperatura.
 TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES

• El Si puro es un conductor pobre porque a

temperatura ambiente sólo un electrón en
1013 tiene la probabilidad de adquirir
suficiente energía para brindar la separación;
de ahí que, la conductividad del Si sea baja.
• El Si y el Ge puros se comportan como
semiconductores intrínsecos.
 TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES

• No se puede controlar con precisión el

comportamiento de un semiconductor
intrínseco, en vista de que las ligeras variaciones
en la temperatura cambian la conductividad. Sin
embargo, al agregar de manera intencional un
pequeño número de átomos de impureza en el
material (método conocido como dopado) se
puede producir un semiconductor extrínseco.
 TIPOS Y CARACTERÍSTICAS DE
SEMICONDUCTORES

• Las propiedades del Si se alteran

drásticamente al introducir cantidades muy
pequeñas, del orden de 1 ppm de elementos
extraños, impurezas, también llamadas
inoculantes o dopantes.
 Dopaje del silicio
Dopaje del silicio: Incorporación de átomos de impurezas al silicio para mejorar su
conductividad. Este proceso produce semiconductores extrínsecos.

Hay dos formas de dopar al silicio o al germanio:

1. Dopaje tipo P: Se usa un elemento con 3 electrones de valencia (grupo III), como
el aluminio, el indio o el galio. Forman los semiconductores extrínsecos tipo P.
2. Dopaje tipo N: Se usa un elemento que tenga 5 electrones de valencia (grupo V)
como el arsénico o el fósforo. Forman los semiconductores extrínsecos tipo N.

55
 Dopaje del silicio
Dopaje del silicio: Pares electrón-hueco
En un semiconductor cuando un electrón pasa de la capa de valencia a la
capa de conducción se generan pares electrón-hueco (pares e-h) lo que
quiere decir que existe un átomo que está cargado ya que su electrón ha
pasado a conducir, en el material los huecos pueden "moverse", es decir
que pueden saltar de un átomo a otro y así conducen electricidad, por
ende los huecos son conductores positivos.

56
 Dopaje del silicio
Producción de pares electrón-hueco
Cuando un electrón sale del átomo rompe el enlace covalente de pares de electrones
y dejará un hueco vacío. Este hueco lo ocupará otro electrón que hubiera abandonado
otro átomo cercano a él. Así que se van generando huecos y estos huecos se van
rellenando por otros electrones de otros átomos. Así es como pasa la corriente por los
semiconductores, pares electrón-hueco.
Se dice que en la conducción de los semiconductores interviene el par electrón-hueco.
 Dopaje del silicio
Dopaje N: Se inserta un material que tiene un electrón más en la capa de
valencia que el semiconductor.
Ejemplo: A una red de silicio se le agrega fósforo, en consecuencia queda
un enlace (electrón) libre el cual podemos excitar fácilmente (aumentando
la temperatura por ejemplo) lo que generaría una par electrón hueco, aquí
al del silicio intrínseco el número de electrones es diferente al número de
huecos, y en este caso la cantidad de electrones es mayor entonces se dice
que la conducción electrónica es mayoritaria y la de huecos minoritaria.

58
 Dopaje del silicio
Dopaje P: Se agrega al material semiconductor otro elemento que tenga
menos enlaces.
Ejemplo: Al silicio se le agrega boro que tiene sólo tres enlaces de
valencia; en este caso se incrementan el número de huecos, en este caso
hay abundancia de huecos, y estos se mueven en el material conduciendo
positivamente.

59
 Tipos de semiconductores

Tipos de semiconductores
La mayoría de los materiales usados para fabricar semiconductores
contienen impurezas, ya que trabajar con materiales
puros requiere procesos muy costosos.

Por la cantidad de impurezas que posean, los semiconductores se

pueden clasificar en:

1. Semiconductores Intrínsecos
2. Semiconductores extrínsecos

60
 Tipos de semiconductores

1. Semiconductores Intrínsecos: Son los que prácticamente

carecen de impurezas; existe 1 átomo de impureza por
cada 1010 ó 1011 átomos de semiconductor. Son semiconductores
casi puros formados por cristales de silicio y germanio.

61
 Tipos de semiconductores
1. Semiconductores Intrínsecos:
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energías
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1.14 eV y 0.67 eV para el silicio
y el germanio respectivamente.

En estos semiconductores la conducción se realiza por pares electrón-hueco,

producido por generación térmica, de modo que cuanto mayor es el calor,
mayor es la cantidad de portadores de carga libre generados (electrones-huecos)
y menor su resistividad, siendo esta a temperatura ambiente (27ºC) de:

- Resistividad del Germanio (Ge) = 60 ohmios por centímetro.

- Resistividad del Silicio (Si) = 150.000 ohmios por centímetro.

62
 Tipos de semiconductores
1. Semiconductores Intrínsecos:
El Germanio tiene un ancho de banda prohibida de 0,72 eV (electrón voltios) y
el Silicio de 1,14 eV.

Los semiconductores intrínsecos se usan como elementos sensibles a la

temperatura, por ejemplo una termoresistencia (PTC o NTC).

Semiconductores intrínsecos: Son los que poseen una conductividad

eléctrica fácilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta,
pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento.

63
 Tipos de semiconductores
2. Semiconductores Extrínsecos: Son los que poseen un átomo de
impureza por cada 107 átomos de semiconductor. Además de que
estos átomos de impurezas son más numerosos que en los
semiconductores intrínsecos, suelen tener 3 o 5 electrones de
valencia, con el fin de que les sobre o les falte un electrón para
completar los enlaces covalentes con los átomos del material
semiconductor.

64
 Tipos de semiconductores
2. Semiconductores Extrínsecos: Al tener portadores independientes de
la generación térmica, la resistividad de estos es menor que la de los
semiconductores intrínsecos. Este tipo de semiconductores no se suelen
usar para conducción por calor, para eso están los intrínsecos.
- Germanio = 4 ohmios por centímetro.
- Silicio = 150 ohmios por centímetro.

La conductividad de este tipo de semiconductores, será mayor cuanto

mayor sea el número de portadores libres y, por tanto aumentará
con el número de impurezas.

65
 Tipos de semiconductores

2. Semiconductores Extrínsecos: Los átomos de impurezas suelen tener 3 o 5

electrones de valencia, lo que permite subdividir a estos semiconductores
extrínsecos en dos tipos diferentes: Tipo N y Tipo P.

2.1. Semiconductores extrínsecos Tipo N: Los átomos de impurezas tienen

5 electrones de valencia.

2.2. Semiconductores extrínsecos Tipo P: Los átomos de impurezas

tienen 3 electrones de valencia.

66
 Tipos de semiconductores
Semiconductor extrínseco tipo “n” Semiconductor extrínseco tipo “p”

• Los elementos pentavalentes (del • Los elementos trivalentes (del grupo

grupo V da la tabla periódica), tales III de la tabla periódica), tales como
como N, P, As o Sb, se introducen el B, Al, Ga o In, también forman
para formar una solución sólida soluciones sólidas, pero ahora hay
sustitucional en el Si. un electrón faltante en la banda de
• Ahora el excedente será un electrón valencia.
por átomo, disponible para conducir • Un espacio como ése se puede
electricidad; por ello a éstos se les considerar portador de carga
llama elementos donantes. positiva, así que se habla de
• Como el electrón es un portador de semiconductores extrínsecos de tipo
carga negativa, se habla de un p.
semiconductor extrínseco tipo n. • El hueco puede aceptar un electrón;
por lo tanto, los elementos
trivalentes también se llaman
captadores.
 Tipos de semiconductores

Semiconductor extrínseco tipo “n” Semiconductor extrínseco tipo “p”

 Tipos de semiconductores
2. Semiconductores Extrínsecos: Tipo N y Tipo P.

69
 Tipos de semiconductores
2.1. Semiconductores extrínsecos Tipo N: Tienen impurezas con 5 electrones
de valencia. Los átomos de impurezas son donadores de electrones porque
proporcionan electrones. En la formación de enlaces covalentes les sobra
un electrón. Los portadores son los electrones proporcionados por lo átomos
de la impureza.
Impurezas del tipo N: Átomos de Arsénico, antimonio, fósforo, etc.

2.2. Semiconductores extrínsecos Tipo P: Tienen impurezas de 3 electrones de

valencia. Las impurezas son aceptadores de electrones porque proporcionan
huecos; al tener solo 3 electrones que puedan formar enlace, el enlace
se queda con un hueco. Como los huecos atraen a los electrones, se
pueden considerar como carga positiva. Los portadores son los huecos
proporcionados por lo átomos de la impureza.
Impurezas del tipo P: Átomos de aluminio, boro, galio, etc.

70
 Tipos de semiconductores
Semiconductores Extrínsecos:

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo N Estructura de bandas de un semiconductor de tipo P

Los círculos negros representan los electrones en Los círculos negros representan los electrones en la
la banda de conducción (naranja), mientras que los banda de conducción (naranja), mientras que los
blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul).
La imagen muestra que los electrones son los portadores La imagen muestra que los huecos son los portadores
de carga mayoritarios. de carga mayoritarios

71
 Tipos de semiconductores
La mayoría de los componentes electrónicos que se usan en electrónica
se construyen uniendo semiconductores del tipo P con los del tipo N.

• En la imagen, los círculos amarillos

representan el núcleo del semiconductor puro
(Si o Ge) que tienen 4 electrones de valencia
que pueden formar enlaces covalentes.
• El material semiconductor N de la izquierda
está dopado con impurezas de un material que
tiene 5 electrones de valencia.
• El material semiconductor P de la derecha
está dopado con impurezas de un material
formado por átomos con 3
electrones de valencia.

72
 Tipos de semiconductores

Un hueco atraerá siempre que pueda un electrón de un átomo

próximo para rellenarlo y tener todos los enlaces hechos. Por
eso podemos suponer que los huecos tienen carga positiva, al
contrario que los electrones que tienen carga negativa.
Tanto el material N como el P son eléctricamente neutros por
que la cantidad de protones en total es igual a la cantidad de
electrones. Antes de la unión son neutros, después no.

73
 Semiconductor

Semiconductor Tipo
“n”
Favorecer la aparición de electrones

Se ha dopado al Si con elementos

pentavalentes (As, P o Sb) que tienen 5
electrones en la última capa.

Al formarse la estructura cristalina, el 5to

electrón no estará ligado en ningún enlace
covalente.

Con muy poca energía (sólo térmica, 300

K) el 5to electrón se separa del átomo y
pasa la banda de conducción.
 Semiconductor

Semiconductor Tipo
“p”
Favorecer la aparición de huecos

Cuando se sustituye un átomo de Si por un

átomo como (B, Ga) que tienen 3 electrones en
la última capa.

Al formarse el cristal, los tres electrones forman

el enlace covalente con los átomos de Si, pero
queda un hueco (un enlace vacante)

A ese hueco se pueden mover otros electrones

que dejarán a su vez otros huecos en la Banda
de Valencia.
Semiconductor
 Unión PN
• Cuando a un material semiconductor se le
introducen impurezas de tipo “p” por un lado
e impurezas tipo “n” por otro, se forma una
unión PN.
• Debido a la diferencia de sus concentraciones,
las vacantes o huecos se transfieren del lado
“p” al “n” y los electrones se difunden del
lado “n” al “p”.
 Unión PN

• Como resultado, existe una doble capa de

carga en la unión, siendo negativo el lado “p”
y positivo el “n”.
 Unión PN

• La región de la unión se llama región de

agotamiento porque está desprovista de
portadores de carga.
Unión PN

Para lograr una unión PN, se pone en contacto un material semiconductor N

con otro material semiconductor tipo P y, además, deben tener contacto eléctrico.

La suma de las cargas de los dos cristales, antes de la unión será neutra (en la zona
N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en espera de ser
rellenados por electrones).

80
Unión PN
Si ahora los unimos, los electrones del material N, que están más cerca de la franja de la
unión, serán atraídos por los huecos de la zona P que están también más cerca de la
unión. Estos electrones pasarán a rellenar los huecos de las impurezas más cercanos
a la franja de unión.
Un átomo de impureza de la zona P, que era neutro, ahora tiene un electrón más llegado
de la zona N para formar enlace en el hueco que tenía. Este átomo de impureza ahora
quedará cargado negativamente (un electrón más) y se convertirá en un anión (X-n).
Así mismo un átomo de impureza de la zona N quedará cargado positivamente por que
se le ha ido un electrón y se convertirá un catión (X+n).
Esto provoca que en la franja de la unión PN tengamos por un lado carga negativa y por
el otro positiva. Negativa en la zona P, que antes de la unión era neutra y positiva en
la zona N, que antes también era neutra.

Esta franja con cationes y aniones se llama región de agotamiento o zona de

difusión.

81
Unión PN

82
Unión PN
Llega un momento que un nuevo electrón de la zona N intente pasar a la zona P y se
encontrará con la carga negativa de la región de agotamiento en P (los iones negativos
formados), que le impedirán el paso (cargas iguales se repelen). En este momento se
acabará la recombinación electrón-hueco y no habrá más conducción eléctrica.
Además la zona N que antes era neutra ahora tendrá carga positiva, ya que han se han
ido de ella electrones, y la zona P, que antes también era neutra, ahora será negativa, ya
que ha recogido los electrones que abandonaron la otra zona. La unión PN deja de ser
eléctricamente neutra.

83
Unión PN
Aún así la parte N, fuera de la región de agotamiento, seguirá teniendo electrones
libres que no formaron enlaces con átomos de semiconductor puro, y la parte P
seguirá teniendo huecos (por eso en la imagen se ve el signo menos en la zona N
como el más abundante y el signo + en la P como más abundante (portadores
mayoritarios)).
En la región de agotamiento habrá cationes y aniones, es decir un potencial
positivo a un lado y un potencial negativo al otro, por lo que entre N y P habrá
una diferencia de potencial (ddp) o tensión ya que la unión ahora ya no es
eléctricamente neutra.

84
 Unión PN
• El diodo es un componente electrónico que consiste
simplemente en la unión de dos cristales
semiconductores extrínsecos, uno tipo “n” y otro tipo
“p”.
Unión PN
Podemos imaginar el conjunto de la unión PN como una pila de unos 0,3V o 0,6V
dependiendo si el semiconductor puro son átomos de germanio o silicio respectivamente.
Esta supuesta "pila" tendrá su carga positiva en la zona N y la carga negativa en la zona P.
A esta unión se llama diodo, que es como se conoce en electrónica.
Para que más electrones de la zona N puedan pasar a la zona P se necesita suministrarles
energía suficiente para que atraviesen la región de agotamiento, es decir energía para
que sean capaces de saltar esa barrera o superar la tensión producida o vencer la fuerza
de repulsión de los iones negativos de la zona P, de lo contrario, no habrá conducción.
Vamos a suministrar esta energía conectando la unión o el diodo a una fuente de energía,
por ejemplo una pila o fuente de alimentación.

Polarizar, en general, es aplicar a los extremos de un componente una tensión

continua, por ejemplo mediante una fuente de alimentación o pila.

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 Unión PN –
Polarización Directa
• Cuando la terminal (+) de la batería se conecta al lado
“p” de la unión como se muestra en la figura, se dice
que la unión está sometida a una polarización directa.
• Este tipo de polarización disminuye el potencial a
través de la unión.
 Unión PN –
Polarización Directa
• La transferencia de electrones y vacantes se
incrementa, por tanto, en un intento de restablecer
el equilibrio, dando lugar a una corriente en el
circuito. En éste caso el diodo conduce.
 Unión PN –
Polarización Inversa
• Si la terminal (+) de la batería se conecta al lado
“N” de la unión, como se muestra en la figura,
se dice que la unión está inversamente
polarizada.
 Unión PN –
Polarización Inversa
• La polarización inversa tiende a incrementar la
diferencia de potencial a través de la unión,
inhibiendo, por tanto, la transferencia posterior.
• En éste caso el diodo no conduce.
 Unión PN
• Dependiendo de la forma en que sea aplicado el
voltaje y alimentada la corriente electrónica, las
uniones PN se pueden polarizar en forma directa o
inversa.
 Unión PN

• Un diodo es tal que permite el paso de la corriente

en un sentido (cuando tiene polarización directa) y
no lo permite en el otro sentido (polarización
inversa).
Unión PN
 Unión PN
Los diodos tienen múltiples aplicaciones:
• La más evidente, y que se desprende
directamente de nuestra discusión anterior, es
la conversión de la corriente alterna en
continua, proceso que se llama rectificación.
• Otras aplicaciones de interés son las células
solares, que convierten la energía luminosa en
energía eléctrica.
 Unión PN
Los diodos tienen múltiples aplicaciones:
• Y los diodos emisores de luz (LEDs) que se utilizan
corrientemente en las pantallas de relojes digitales
y calculadoras.
• Fotodiodo. Al incidir luz sobre el diodo, se
incrementa la circulación de corriente en inversa.
• Diodos Zener. Es un diodo especialmente diseñado
para trabajar siempre en inversa. Se usa para
estabilizar la tensión.
 Unión PN - Transistor

• El transistor es un dispositivo utilizado para

producir una señal de salida en respuesta a una
señal de entrada.
• Una de las formas más simples que puede
adoptar un transistor se consigue uniendo tres
piezas de material semiconductor. Estos
materiales pueden ser tanto “npn” como “pnp”.
 Unión PN - Transistor
Ambos tipos conforman lo que se denomina un
transistor de unión bipolar, que consiste
esencialmente de tres regiones distintas llamadas:
• Emisor
• Base
• Colector
Entre las aplicaciones del transistor bipolar podemos
mencionar su uso como amplificador de corriente.
 Semiconductores

• El Si y el Ge son los únicos elementos que tienen aplicaciones

prácticas como semiconductores. Sin embargo, gran número de
compuestos cerámicos e intermetálicos presentan este mismo
efecto.

• Ejemplos de cerámicos con propiedades semiconductoras:

óxidos sinterizados de Mn, Ni, Fe, Co y Cu. Para obtener el rango
necesario de conductividad eléctrica con la temperatura se
utiliza la combinación de soluciones sólidas de estos óxidos. Se
usan como termisores (medición y control de la temperatura).
 Semiconductores

Los principales semiconductores dentro de la electrónica son:

Tipos de semiconductores Ejemplos
Semiconductores simples Si, Ge
Semiconductores compuestos IV-IV SiC, SiGe
GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs,
Semiconductores compuestos III-V
InP, InSb

Semiconductores compuestos II-VI ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe

AlxGa1–xAs, GaAs1–xPx, Hg1–xCdxTe,

Aleaciones
GaxIn1–xAs1–yPy

99
 Semiconductores

Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos

Se han desarrollado muchos dispositivos electrónicos, haciendo uso de sus

propiedades de transporte, algunos de estos semiconductores son:

• Termistores: Su conductividad depende de la temperatura que alcance.

100
 Semiconductores

Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos

• Transductores de presión: Cuando aplicamos presión a este tipo de
semiconductor, sus átomos se cierran, el gap de energía se estrecha y esto
conlleva a que su conductividad aumente considerablemente.

101
 Semiconductores

Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos

• Rectificadores (dispositivos de unión del tipo p-n): Se producen uniendo los

semiconductores del tipo n y p, formando una unión del tipo p-n, cuándo
ocurre esto los electrones se concentran en la unión del tipo n y los huecos
en la unión p, este desequilibrio electrónico crea un voltaje mediante la unión.

102
 Semiconductores

Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos

• Transistores de unión bipolar: Este transistor (dispositivo que regula el flujo

de corriente o de tensión actuando como interruptor o amplificador para señales
electrónicas ) se utiliza en unidades de procesamiento central de las computadoras
por la eficiencia en dar una respuesta rápida a la conmutación.

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 Semiconductores

Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos

• Transistores de efecto de campo: Son utilizados frecuentemente para

almacenar información en la memoria de los ordenadores.

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