Apendices
Apendices
Apendices
a) De cuatro bandas
La tolerancia dada por el fabricante indica el porcentaje de variación que puede llegar a tener el
valor óhmico de la resistencia, en relación con el valor nominal indicado por el código de colores.
Sea una resistencia con el siguiente código de colores: rojo, violeta, naranja, plata. Acorde
a la tabla A.1, esto significa que el primer dígito a leer es 2 y el segundo dígito corresponde a 7.
El multiplicador es 103, lo que es igual a 1,000. Por lo tanto, el valor nominal de la resistencia
viene dada por:
R = 27 × 1000 = 27 kΩ
Con base en la tabla A.2, el cuarto color indica la tolerancia, que en este caso es de ±10%.
Esto implica que:
R = 27 kΩ ± 10%
Finalmente, para este ejercicio en particular el valor de la resistencia dada por el fabricante
podrá oscilar entre un valor mínimo de 24.3 kΩ y un valor máximo de 29.7 kΩ.
Ejemplos:
b) De cinco bandas
Las resistencias con cinco bandas también son conocidas como resistencias de precisión.
Considérese una resistencia que presente el siguiente código de colores: violeta, naranja,
rojo, dorado, café. Con base en la tabla A.4, esto implica que el primer dígito es 7, el segundo
dígito es 3 y que la tercera cifra significativa es 2. El multiplicador es 10 ─1, lo que es igual a
0.1. Por lo tanto, el valor nominal de la resistencia es:
El quinto color indica la tolerancia, que en este caso es de ± 1% según la tabla A.5. Esto
significa que:
R = 73.2 Ω ± 1%
Finalmente, en esta ocasión, el valor de la resistencia dada por el fabricante, oscilará entre
un valor mínimo de 72.468 Ω y un valor máximo de 73.932 Ω.
Ejemplos:
El código de colores empleado para identificar el valor nominal de las resistencias es de-
terminado por la Comisión Electrotécnica Internacional (CEI); o bien, por la International
Electrotechnical Commission (IEC).
Esta comisión se encarga de establecer las normas internacionales que son aplicables a
las áreas eléctrica-electrónica y demás relacionadas, así como de realizar servicios de los
sistemas de evaluación de conformidad.
Para quien manifieste interés y deseos de conocer más sobre el tema, se agrega una
dirección electrónica donde se podrá hallar mayor información sobre la CEI (por sus siglas
en español): http://www.iec.ch/about/brochures/pdf/about_iec/welcome_to_the_iec-s.pdf.
Cuando se analiza el transistor de unión bipolar en corriente directa se manejan los mode-
los eléctricos de gran señal. Estos modelos dan información sobre el punto de operación
del transistor. Propiamente, se busca la corriente de colector y la caída de tensión entre
el colector y el emisor. Estos dos datos definen el punto de operación Q (de la palabra en
inglés quiescent, que significa reposo). Se invita al lector a revisar la información de estos
modelos en los libros 6, 7, 8 y 9 que se citan en la bibliografía.
Dado que el transistor puede operar en la región de corte, en la región lineal o en la
región de saturación, se tiene un circuito eléctrico equivalente por cada una. En la figura
C.1 se detallan estos modelos simples para el transistor tipo NPN.
a) b) c)
Figura C.1 Circuito eléctrico equivalente del transistor de unión bipolar tipo NPN:
a) Región de corte, b) Región lineal, c) Región de saturación.
En la figura C.2 se muestran los modelos simples para el transistor tipo PNP.
Por otra parte, al realizar el análisis del transistor de unión bipolar en corriente alterna se
manejan los modelos eléctricos llamados pequeña señal. En esta parte, se puede considerar
354 APÉNDICE C. CIRCUITO ELÉCTRICO EQUIVALENTE DEL TRANSISTOR BIPOLAR
a) b) c)
Figura C.2 Circuito eléctrico equivalente del transistor de unión bipolar tipo PNP:
a) Región de corte, b) Región lineal, c) Región de saturación.
una amplia variedad de modelos en función de la frecuencia (baja, media y alta); o bien, si
se desea modelar la ganancia de corriente, la ganancia de voltaje o la transconductancia del
transistor. Se invita al lector a revisar la información de estos modelos en los libros 6, 7, 8 y
9 que se citan en la bibliografía.
Cuando se realiza este tipo de análisis para un transistor se busca información sobre la
ganancia de voltaje, la ganancia de corriente, la impedancia de entrada y la impedancia de
salida. A su vez, esto implica que sólo es de interés hacer operar al transistor en la región
lineal, ya que es la zona en la cual se hace el trabajo de amplificación por parte del mismo.
Para efectos del presente libro, se trabaja con el modelo re aproximado, como se mues-
tra en la figura C.3. Se invita al lector a revisar el libro 9 que se cita en la bibliografía.
a) b)
Figura C.3 Circuito eléctrico equivalente del transistor BJT de pequeña señal:
a) Considerando el efecto de r0, b) Aproximado.
Donde:
Siendo IE el valor de la corriente del emisor que se obtiene durante el análisis en CD.
a) b)
Figura D.1 Circuito eléctrico equivalente del transistor MOSFET incremental canal N:
a) Región de corte, b) Región lineal y región de saturación.
Se observa en la figura D.1b que el mismo esquema eléctrico se emplea para dos re-
giones de operación. La diferencia estriba en la expresión matemática que relaciona
los voltajes de compuerta a fuente, de drenaje a fuente y el voltaje de umbral con la
corriente de drenaje.
356 APÉNDICE D. CIRCUITO ELÉCTRICO EQUIVALENTE DEL TRANSISTOR MOSFET...
VGS > VT
Mientras que en la región lineal, triodo u óhmica, la expresión de la corriente de drenaje es:
VGS > VT
Se observa que si VDS = VGS VT, el transistor puede ser considerado que opera tanto en la
región de saturación como en la región lineal.
Por otra parte, al realizar el análisis del transistor MOSFET en corriente alterna, se manejan los
modelos eléctricos llamados de pequeña señal. En esta parte se puede considerar una amplia
variedad de modelos en función de la frecuencia (baja, media y alta); o bien, si se desea modelar la
ganancia de corriente, la ganancia de voltaje o la transconductancia del transistor. Se invita al lec-
tor a revisar la información de estos modelos en los libros 6, 7, 8 y 9 que se citan en la bibliografía.
Cuando se realiza este tipo de análisis para un transistor, se busca información preferen-
temente sobre la ganancia de voltaje, la ganancia de corriente, la impedancia de entrada y la
impedancia de salida. Esto implica a su vez que sólo es de interés hacer operar al transistor en
la región de saturación, ya que es la zona en la cual se hace el trabajo de amplificación por parte
del mismo.
En la figura D.2 se muestra el modelo aproximado de pequeña señal al ser usado (consultar
el libro 9 que se cita en la bibliografía).
a) b)
Figura D.2 Circuito eléctrico equivalente del transistor MOSFET de pequeña señal:
a) Considerando el efecto de rd, b) Aproximado.
Por lo general, el valor de rd suele ser mayor que el de la resistencia externa conectada a la
terminal de drenaje; razón por la cual, al realizar el análisis en CA se suele despreciar a rd,
hay que recordar que el resultado del paralelo de una resistencia grande en valor con una
resistencia pequeña en valor, tiende a ser la resistencia de menor magnitud.
La transconductancia gm viene dada por:
Siendo VGS el valor del voltaje de compuerta a fuente que se obtiene durante el análisis en CD.