Transistor BJT en su región de amplificación, análisis y

configuraciones de los circuitos electrónicos

CARLOS VELEZ, ANDRES CASTILLO, OSCAR PACHECO

1. Marco Teórico

Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)

El transistor BJT (Transistor Bipolar de Unión) es un dispositivo semiconductor de tres

terminales: base (B), colector (C) y emisor (E). Funciona como un interruptor o
amplificador de corriente. El BJT se divide en dos tipos: NPN y PNP, dependiendo de la
polaridad de las uniones.

Operación del BJT:

 Modo de Corte: El transistor está apagado (no hay corriente entre colector y
emisor). Ocurre cuando V BE es menor que el voltaje umbral, y V CE es mayor que
V BE.
 Modo de Saturación: El transistor está completamente encendido, con V BE más
grande que V CE . Aquí, tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están
polarizadas directamente.
 Modo Activo (Región de Amplificación): El transistor opera como un
amplificador. La unión base-emisor está polarizada directamente, mientras que la
unión base-colector está polarizada inversamente. En esta región, I C ≈ β I B donde β
es la ganancia de corriente del transistor.

Región de Amplificación del BJT

La región activa es crucial en aplicaciones de amplificación. En esta región, el transistor

puede amplificar señales pequeñas aplicadas en la base, produciendo una señal amplificada
en el colector. Es importante mantener el transistor en la región activa para evitar que entre
en saturación o corte, lo que afectaría negativamente el funcionamiento del circuito
amplificador.

Configuraciones del BJT

Existen tres configuraciones básicas del BJT, cada una con características de amplificación
diferentes:

1. Emisor Común (EC):

o Características: Alta ganancia de voltaje, fase invertida.
o Aplicaciones: Amplificadores de audio y de señales.
o Parámetros Importantes: V CE , I C, β.
 2. Base Común (BC):
o Características: Ganancia de corriente menor, no invierte la fase.
o Aplicaciones: Amplificadores de alto ancho de banda.
o Parámetros Importantes: I E , V CB .
3. Colector Común (CC) (Seguidor de Emisor):
o Características: Ganancia de voltaje aproximadamente igual a 1, alta
impedancia de entrada.
o Aplicaciones: Buffers, etapas de adaptación de impedancia.
o Parámetros Importantes: V CE , I C.

2. Planteamiento del Problema

El transistor BJT es fundamental en el diseño de circuitos electrónicos para amplificación.

Sin embargo, para optimizar su desempeño, es crucial entender cómo funciona en la región
activa y cómo las diferentes configuraciones afectan su comportamiento. Este experimento
se plantea con el objetivo de estudiar la región de amplificación del transistor BJT, medir
sus parámetros operacionales, y analizar su rendimiento en diferentes configuraciones de
circuito.

3. Objetivos

 Objetivo General:
o Analizar el comportamiento del transistor BJT en su región de amplificación
y entender cómo las diferentes configuraciones afectan su rendimiento.
 Objetivos Específicos:
o Diseñar y construir un circuito de emisor común, base común y colector
común utilizando un transistor BJT.
o Medir los parámetros clave del BJT, como I B, I C, V CE y calcular β.
o Comparar los resultados obtenidos en las diferentes configuraciones y
analizar el impacto en la amplificación y la ganancia.

4. Plan de Investigación

 Diseño de Circuito:
o Diseñar circuitos para cada una de las configuraciones del transistor BJT
(emisor común, base común, y colector común). Se establecerán las
resistencias adecuadas para asegurar que el transistor opere en la región
activa.
 Simulación y Cálculos Teóricos:
o Realizar cálculos teóricos para predecir el comportamiento del transistor en
cada configuración. Esto incluye determinar I B, I C, V CE y β esperado.
  Medición y Análisis:
o Después de armar los circuitos, realizar mediciones de los parámetros
mencionados y compararlos con los valores teóricos. Se prestará especial
atención a los efectos de las diferentes configuraciones en la ganancia de
corriente y voltaje.

5. Procedimiento

1. Preparación:
o Buscar las hojas de datos del transistor BJT 2N2222 para obtener los valores
típicos de β y otros parámetros.
2. Montaje del Circuito:
o Armar el circuito en la configuración de emisor común. Conectar la fuente
de alimentación y ajustar los valores de las resistencias para mantener el
transistor en la región activa.
3. Mediciones:
o Usar un multímetro para medir I B, I C, V CE y V E.
IC
o Calcular β= .
IB
4. Repetir para Otras Configuraciones:
o Repetir los pasos 2 y 3 para las configuraciones de base común y colector
común.
5. Análisis de Datos:
o Comparar los valores medidos con los valores teóricos. Analizar cómo las
diferentes configuraciones afectan la amplificación y la ganancia del
transistor.

6. Materiales y Equipos

 Materiales:
o Transistor BJT 2N2222
o Resistencias variadas (según diseño del circuito)
o Protoboard para ensamblar el circuito
o Cables de conexión

 Equipos:
o Multímetro.
o Fuente de alimentación DC.
Datos proporcionados:
I C =11mA

V CEQ =11V

V E=O , 1∗V CC

β=243
V BE ≈ O , 7 V

V EE=OV

Para el diseño asumí R2=1 kΩ , por estabilidad, consumo, simplicidad y

adaptabilidad del circuito.

1. Determinar el valor de VCC:

Para maximizar la excursión simétrica en la salida:

V CC
V CEQ =
2

Dado que V CEQ =11V , entonces:

V CC =2∗V CEQ=2∗11V =22 V

2. Calcular RC:

El voltaje en el colector V C se obtiene de:

V C =V CC−I C∗R C

El punto Q debe estar centrado, lo que implica:

V CEQ =V C −V E
Sabemos que V CEQ =11V −V E y V E=0 , 1∗V CC=0 ,1∗22V =2 ,2 V .

Entonces:

V C =V CEQ +V E=11V +2 , 2V =13 , 2V

Resolviendo para RC:

V CC −V C 22V −13 ,2 V 8 ,8 V
RC = = = =800 Ω
IC 11mA 11mA

3. Calcular RE:

Sabemos que:

V E=I E∗R E

Donde I E ≈ I C (asumiendo I B pequeño en comparación con I C).

Entonces:

V E 2,2V
R E= = =200 Ω
I E 11 mA

4. Verificar la relación β∗R E ≥ 10∗R 2:

La relación dada es:

β∗R E ≥ 10∗R 2

Sustituyendo los valores:

243 * 200Ω ≥ 10 * 1k

48600Ω ≥ 10000Ω

Esta relación se cumple, lo que significa que la configuración es adecuada para garantizar
la estabilidad y un correcto punto de operación.

5. Calcular R1:

El voltaje en la base V B es:

 V B=V E +V B E=2.2V +0.7 V =2.9 V

Utilizando la ecuación del divisor de tensión:

V CC∗R 2
V B=
R1 + R2

Sustituyendo los valores conocidos:

22V ∗1 K Ω
2,9V=
R1 +1 K Ω

Resolviendo para R1:

2 , 9 V∗( R 1+1 K Ω )=22V ∗1 K Ω

2 , 9 V∗R1 +2 , 9 K V =22 K V

(22 KV −2 , 9 K V )
R 1=
2,9V

19 , 1 KV
R 1= =6 , 59 K Ω
2 ,9 V

6. Valores finales:

Los valores finales de las resistencias que cumplirían con la polarización adecuada y
maximizarían la excursión simétrica son:

 R1 ≈ 6.59 kΩ
 R2=1 kΩ
 RC =800 Ω
 R E=200 Ω

Este diseño cumple con todas las condiciones necesarias para un funcionamiento óptimo
del amplificador emisor común con máxima excursión simétrica, dado