LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

2025-1

Laboratorio de
Dispositivos y Circuitos
Electrónicos
División: Ingeniería Eléctrica Departamento: Electrónica

Cuestionario

Previo #9

Transistor de Campo:
Caracterización

Profesor: Ing. Javier López Velázquez

Semestre 2024-2

Nombre completo del alumno Firma

Alarcón Fuertes Ricardo Rodrigo

N° de brigada: 5 Fecha de elaboración: 13 de Octubre 2024 Grupo: 4

ING. JAVIER LÓPEZ VELÁZQUEZ

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TRABAJO PREVIO A LA PRÁCTICA 9

EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
CARACTERIZACIÓN

Caracterizar un MOSFET, para identificar cada una de sus regiones de operación

1. ¿Que es un transistor de efecto de campo?

Un transistor de efecto de campo, comúnmente conocido como FET (por sus siglas
en inglés, Field-Effect Transistor), es un dispositivo electrónico que se utiliza para
controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito. Los FET son uno de los tipos
más importantes de transistores y se utilizan en una amplia variedad de
aplicaciones, incluyendo amplificadores, conmutadores y dispositivos de regulación
de señales.

2. Mencione los tipos de transistores de efecto de campo existentes.

1. Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET): Los JFET son transistores

que funcionan utilizando una unión pn (unión de material semiconductor tipo
p y tipo n) y controlan el flujo de corriente a través de la unión mediante la
variación de la tensión aplicada a la puerta.

2. Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET):

Los MOSFET son transistores de efecto de campo que se basan en una
estructura de metal-óxido-semiconductor. Hay dos tipos principales de
MOSFET: los MOSFET de Canal N (NMOS) y los MOSFET de Canal P
(PMOS). Los MOSFET se utilizan ampliamente en la electrónica moderna,
especialmente en circuitos integrados, debido a su eficiencia y capacidad de
conmutación rápida.

3. Dibuje el símbolo esquemático y el nombre de las terminales de un

transistor de efecto de campo MOS (MOSFET) de enriquecimiento.
Describa su construcción y funcionamiento.

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Estructura de MOSFET enriquecimiento canal N y canal P.

Las terminales de un MOSFET de enriquecimiento son:

1. D (Drain o drenaje): La terminal de drenaje es donde fluye la corriente

desde la fuente de alimentación hacia el dispositivo que se está controlando
(por ejemplo, un componente en un circuito).
2. S (Source o fuente): La terminal de fuente es donde la corriente fluye hacia
fuera del dispositivo hacia la tierra o el punto de referencia del circuito.
3. G (Gate o puerta): La terminal de puerta es la que controla el flujo de
corriente entre el drenaje y la fuente. Al aplicar una tensión adecuada en la
puerta, se modula la conductividad entre el drenaje y la fuente.

4. ¿Qué es el voltaje de umbral para un transistor MOSFET?

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje umbral de puerta o voltaje

umbral de encendido (Vth), es un parámetro importante en los transistores
MOSFET. Representa el nivel de tensión en la terminal de la puerta (G) que debe
aplicarse para que el MOSFET comience a conducir una corriente significativa
desde el drenaje (D) hasta la fuente (S).

El voltaje de umbral es un valor crítico en la operación de un MOSFET y se utiliza

para controlar cuándo el transistor está "apagado" y "encendido". En un MOSFET
de canal N, cuando la tensión en la puerta supera el voltaje de umbral, el MOSFET
se enciende y permite que fluya corriente desde el drenaje hacia la fuente. En un
MOSFET de canal P, el proceso es similar, pero la polaridad de la tensión es
inversa.

El valor específico del voltaje de umbral puede variar según el diseño del MOSFET
y el fabricante, y se expresa típicamente en voltios.

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5. Dibuje las curvas características de un transistor efecto de campo MOS de
enriquecimiento y en ella indique las regiones de operación.

Comportamiento de un MOSFET Enriquecimiento.

Comportamiento de un MOSFET Empobrecimiento.

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6. Simule el siguiente circuito para poder llenar la tabla correspondiente
utilizando el transistor BS170

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VG S
VDS
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3
0.3 9.9 16.
0.2 0 0
5
1.85 4.07 6.17 8.13
6
11.7 13.3 14.8
3
17.7 18.9
0.3 16. 29.
0.4 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.3
2
19.9 23.4 26.6
7
32.5 35.3
0.3 18. 39.
0.6 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
24.3 29.8 35
9
44.4 48.8
0.3 18. 46.
0.8 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 39.7
6
53.1 59.2
0.3 18. 49.
1.0 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
6
58.2 66.3
0.3 18. 49.
1.2 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 69.7
0.3 18. 49.
1.4 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49.
1.6 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49.
1.8 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49.
2.0 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49. I
2.2 0 0 1.85 4.46 8.13 12.8 25 32.4 40.7 59.5 70
5 4 7 D
0.3 18. 49.
2.4 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49.
2.6 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49.
2.8 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70
0.3 18. 49.
3.0 0 0
5
1.85 4.46 8.13 12.8
4
25 32.4 40.7
7
59.5 70

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7.- Obtenga la hoja de especificaciones de los transistores BS170

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Bibliografía

• Torres, H. (2018, January 12). JFET vs MOSFET Transistor comparativa. HeTPro-

Tutoriales. https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-mosfet/
● Garcia, V. (n.d.). Los Mosfets, transistor Mosfet, teoría ya práctica.
https://www.hispavila.com/total/3ds/atmega/mosfets.html
● Carmenate, J. G. (2022, January 13). Transistor MOSFET con Arduino y ESP8266.
Programar fácil con Arduino. https://programarfacil.com/blog/arduino-
blog/transistor-mosfet-arduino-esp8266/

ING. JAVIER LÓPEZ VELÁZQUEZ