DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS
TEMA: Semiconductores
extrínsecos

Docente: Heberson Ramos Conde

SESIÓN: 01
Utilidad :

Los conductores extrínsecos son

fundamentales en la ingeniería debido a
su capacidad para modificar y mejorar
las propiedades de los materiales, lo
que permite el desarrollo de una amplia
variedad de dispositivos y aplicaciones
en campos tan diversos como la
electrónica, la óptica, la química y la
biomedicina.

Datos/Observaciones
¿QUÉ VEREMOS HOY?

 Materiales eléctricos
 Materiales semiconductores
 Tipos de semiconductores
 Trabajo grupal
 Conclusiones

Datos/Observaciones
 RECORDANDO:
1 Un semiconductor se caracteriza por tener una banda prohibida, entre la 4 La banda del Intervalo energético donde están aquellos electrones
de conducción y la de valencia muy ancha. que pueden moverse libremente y están libres de la atracción del
Verdadero átomo se llama....
Falso Semibanda
Banda prohibida
Banda de conducción
Banda de valencia
2 Los semiconductores tienen una dificultad intermedia
para pasar los electrones de valencia a la de conducción. Los semiconductores intrínsecos se usan como elementos
Verdadero
5
sensibles a la temperatura.
Falso Verdadero
Falso

3 Todos los semiconductores son materiales que tienen sus

6 Alrededor del núcleo del átomo tenemos girando...
átomos unidos por enlaces
Metálicos
átomos
Iónicos
Protones
No tienen enlaces
Electrones
Covalente
neutrones

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 RECORDANDO:
7 Los dos materiales que más se usan para fabricar semiconductores son ... 10 Los electrones de la última capa se les llama electrones
de...
Germanio y silicio
Aluminio y boro La última capa
Antimonio y boro Electrones aislados
Germanio y aluminio Semiconductores
De valencia
8 Los semiconductores están en un punto intermedio entre los conductores y los
aislantes porque......
11 Los semiconductores intrínsecos son los que...
Tienen alta resistencias
Son aislantes siempre
Tienen muchas impurezas
Son conductores siempre
Carecen de huecos
Se comportan como conductores, solo en determinadas condiciones
Carecen de impurezas
Carecen de electrones

9 Se dice que en la conducción de los semiconductores interviene el par...

Hueco – hueco
Electrón – electrón
Electrón _hueco

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Semiconductores extrínsecos
Para hacer que la red de átomos de silicio se comporte como un Para el silicio :
conductor agregaremos impurezas, a este proceso se le denomina dopaje,
convirtiéndose en semiconductores de tipo P (aceptadores) o tipo N Donadores
(donadora). En las impurezas aceptadoras que se agregan al átomo de
silicio son del grupo IIIA como el Boro, Aluminio, Galio y Indio y las Aceptadores
impurezas aceptadoras que se agregan al átomo de silicio son del grupo
IVA como el fosforo, Arsénico y Antimonio
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
Cuando se sustituye un átomo de Donadores
Cuando se sustituye un fosforo con un átomo de silicio, se son los
átomo de boro por un portadores
generaría por cada átomo de mayoritario
átomo de silicio, se fosforo un exceso de un electrón
formaría un enlace vacante
que no se enlazara debido que el
debido a que el boro
fosforo tiene 5 electrones de
presenta 3 electrones de
valencia ya que tanto el fosforo y
valencia y no se cumpliría
el silicio solo requieren de 4
la regla del octeto cuando electrones de valencia para que
se enlaza covalentemente se cumpla la regla del octeto,
con el silicio quedando un dicho electrón pasara a la banda
hueco, a dicho material que de conducción, a dicho material
se dopa con huecos se le #h(vacíos)=Na=concentración de #e(liberados)= Nd=concentración de átomos
que se dopa con electrones se
denomina semiconductor átomos aceptadores(cm-3) donadores (cm-3) convirtiéndose en atomos
denominara semiconductor tipo N
tipo P (impureza ionizados Nd+
(impureza donadora)
aceptadora)
Datos/Observaciones
Datos/Observaciones
Datos/Observaciones
Ejercicio # 1
Halla la concentración de huecos en el silicio puro a 300 K

solución:
Debido a que no hay impurezas es un
semiconductor intrínseco se cumple:
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖
𝑛 = 𝑝 = 1,5𝑥1010
∴ 𝑝 = 1,5𝑥1010 𝑐𝑚−3

Datos/Observaciones
Ejercicio # 2
Halla la concentración de electrones en el silicio puro a 500 K

solución:
3 −𝐸𝑔
𝑛𝑖 = 𝐵𝑇 2 𝑒 2𝐾𝑇
3 −1,1
−6
𝑛𝑖 = 5,23𝑥1015 𝑥4002 𝑥𝑒 2𝑥86𝑥10 (400)

𝑛𝑖 = 4,76354𝑥1012 𝑐𝑚−3
Debido a que no hay impurezas es un semiconductor intrínseco se cumple:
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖
𝑛 = 𝑝 = 4,76𝑥1012
∴ 𝑛 = 4,76𝑥1010 𝑐𝑚−3

Datos/Observaciones
Ejercicio # 3
En una muestra de germanio a 300K con una concentración de átomos donantes, ND = 2·1014 cm-3 y
una concentración de aceptores, NA = 3·1014 cm-3. Determinar la concentración de electrones, la
concentración de huecos ni = 2.5 x 1013 cm-3

Datos/Observaciones
 PRACTICA
Ejercicio # 4 Ejercicio # 5 Ejercicio # 6
Determinar la concentración de Determinar la concentración de Una oblea de silicio esta dopada con
huecos en una muestra de electrones en una muestra de donadores con una concentración de
germanio a 300K para germanio a 300K para una ND = 1015cm-3, determine la
concentraciones de donantes y concentración de donantes de concentración de electrones.
aceptores iguales a 2x1015cm-3 y 1016cm-3 y una concentración de
menciones el tipo. aceptores 1014 cm-3.

Ejercicio # 7 Ejercicio # 8
Una oblea de silicio esta dopada con Halla la concentración de electrones
donadores con una concentración de y huecos en el silicio A 300 K
ND = 2x1015cm-3, determine la dopado con arsénico en una
concentración de huecos. Si ni = concentración de 5·1020 m-3.
1020 cm-3
 ENERGÍA DE FERMIN
La "energía de Fermi" es un concepto fundamental en la física de la materia condensada y en la teoría de
los sólidos. Se refiere a la energía máxima que pueden tener los electrones en un material a temperatura
cero (absolutamente frío). Esta energía marca el límite entre los estados de energía ocupados y
desocupados en un material, y es crucial para entender cómo se comportan los electrones en los sólidos

ENERGIA DE FERMI EN SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

La energía de Fermi es como En los semiconductores intrínsecos la energía de Fermi (Ef) se ubica
el último escalón ocupado en aproximadamente entre la energía del mayor nivel de la banda de
esta escalera imaginaria. valencia (Ev) y la energía del menor nivel de la banda de conducción
Todos los escalones por (Ec).
debajo de la energía de Fermi
están llenos de electrones, La energía de Fermi en un semiconductor intrínseco se puede
mientras que todos los calcular utilizando la ecuación de Fermi-Dirac:
escalones por encima de ella la masa efectiva del electrón es una masa ficticia que un
están vacíos a temperaturas electrón tendría si se moviera en un cristal de la misma
muy bajas. A medida que manera que un electrón libre se mueve en el vacío. En
lugar de tener una masa constante, la masa efectiva
aumenta la temperatura, puede variar dependiendo del material y de la dirección
algunos electrones pueden Donde:
de movimiento del electrón en el cristal
absorber suficiente energía
para pasar al siguiente Si las masas efectivas son iguales el nivel de energía de
escalón por encima de la Fermi está a la mitad de la región de la banda prohibida
energía de Fermi

https://materialfisicadesemiconductoresu1.blogspot.com/p/energia-de-fermi-intri.html
Ejercicio:
Ejercicio:
 ENERGÍA DE FERMI EN SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

El objetivo de añadir pequeñas impurezas a los semiconductores puros es para modificar el comportamiento eléctrico al alterar la densidad de
portadores de carga libres. Estas impurezas se llaman dopantes, en función del dopante obtendremos semiconductores tipo p y tipo n.

En una muestra de Silicio se introduce una concentración 5·1016cm-

3 de átomos de boro. Calcular la posición del nivel de Fermi con
respecto a la banda de valencia (kt a 300k =0,0258eV y
tipo p tipo n.
Nv(si)=1,04x 1019

𝑁𝑉
𝐸𝐹 = 𝐸𝑉 + 𝐾𝑇𝑥𝑙𝑛( )
𝑁𝐴
1,04x 1019
𝐸𝐹 = 𝐸𝑉 + 0,0258𝑥𝑙𝑛( )
5 · 1016

𝐸𝐹 = 𝐸𝑉 + 0,377𝑒𝑣
PRACTICA

Ahora pon en practica tu conocimiento

mediante el siguiente reto de manera
grupal

Tiempo : 30 min

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 PRACTICA:
1 ¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener 3 En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel
semiconductores de silicio tipo n, donadores?: prohibido de energía, Ed, necesaria para activar
térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es:
a) Fósforo, P
b) Aluminio, Al
a) Inferior a Eg
c) Boro, B
b) Superior a Eg.
d) Germanio, Ge
c) Igual a Eg
d) Depende de la concentración de dopante

2 Un semiconductor que contiene elementos químicos 4 En los semiconductores, los agentes activos de
con la capa electrónica de valencia diferente a la de conducción son
los del semiconductor se denomina:

a) Los electrones de la banda de valencia

a) Extrínseco. b) Los huecos de la banda de valencia
b) Intrínseco. c) Los electrones de la banda de conducción
c) Débilmente extrínseco d) Electrones y huecos
d) No recibe ningún nombre especial

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

 RECORDANDO:
5 La estructura electrónica de los semiconductores está 7 La diferencia entre la estructura electrónica de un
formada por: metal y un semiconductor radica en:
a) Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos
b) Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción
c) Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de
energía
d) Bandas de valencia y conducción coincidentes
a) La diferencia de población electrónica en la banda de
conducción
b) La inexistencia de una banda de energía prohibida en el
6 El campo eléctrico acelera los electrones de un metal metal separando las bandas de valencia y conducción
que están situados en: c) Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor
que en el metal.
d) La inexistencia de banda de valencia en los metales
a) La banda de valencia
b) La banda de conducción
c) Fuera del átomo
d) Es independiente de la banda en la que estén situados

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