Diseño de Amplificador BJT

DISEÑO DE AMPLIFICADOR BJT
Vamos a diseñar un amplificador en configuración emisor común (el amplificador

por excelencia) como el de la figura, suponiendo que debemos hacer el diseño
para cumplir con una ganancia de voltaje Av y una ganancia de corriente Ai
específicas. Y partiendo del hecho que conocemos el valor de la fuente de
polarización Vcc, la ganancia de corriente en directa del transistor β y el valor de
la resistencia de carga RL.
1. Para máxima transferencia de potencia se selecciona RC=RL.
2. El valor de Re podemos calcularlo a partir de la ecuación de ganancia de

voltaje del amplificador. Para esto hacemos uso del modelo equivalente
hibrido del BJT y del análisis del circuito en AC, veamos:
Circuito equivalente de AC aplicando el modelo equivalente hibrido del BJT.
Encontremos la ecuación para la ganancia de tensión de este circuito.

V hfeib( Rc || RL ) hfe( Rc || RL )
AV = o = − =−
Vi ib(hie + hfeRe ) (hie + hfeRe )
Si dividimos esta expresión por hfe tanto en el numerador como en el
denominador obtenemos:
( Rc || RL )
AV = −
hib + Re
Aquí debemos hacer la consideración de que hib  Re , con lo que la
ecuación de ganancia de tensión finalmente queda:
( Rc || RL )
AV = −
Re
En esta ecuación la única incógnita es Re, por lo tanto, despejamos para
determinar su valor.
3. Para obtener Máxima Excursión Simétrica a la salida del amplificador,

determinemos el valor de la corriente de punto de operación del
transistor a partir de la siguiente ecuación:
VCC
I CQ =
Rca + Rcd
Donde Rca y Rcd son las resistencias totales en la malla Colector-Emisor
aplicando condiciones de CA y CD respectivamente.
Rca: Rcd:
Rca = ( Rc || RL ) + Re Rcd = Rc + Re
4. Determinemos el valor de RB (la resistencia equivalente en la base del

transistor) haciendo uso de la ecuación de ganancia de corriente del
amplificador.
i i i
Ai = 0 = 0 b
ii ib ii
Desarrollando esta expresión tenemos:
hfeib Rc i hfeRc
i0 = − , de donde 0 = −
Rc + RL ib Rc + RL
ii R B i RB
ib = , de donde b =
hie + hfe Re ii hie + hfe Re
Con estos dos términos, la expresión para Ai queda:
hfeRc RB
Ai = −
Rc + RL hie + hfe Re
Donde la única incógnita es RB, por lo tanto la despejamos para determinar su
valor.
Nota: Si no hubiéramos tenido un requerimiento de ganancia de corriente, para

determinar el valor de RB se podría utilizar la ecuación:
RB = 0.1*  * Re , que garantiza estabilidad del punto de operación con la
temperatura.
5. Conocidos los valores de ICQ y RB, podemos utilizarlos para encontrar el
voltaje de polarización necesario en la base del transistor.
Recordemos que la malla de entrada del amplificador en condiciones de

corriente directa la podemos representar mediante el siguiente circuito
equivalente:
Donde RB y VBB están dados por:

R1R 2 VccR 2
RB=R1||R2= VBB=
R1 + R 2 R1 + R 2
Planteando una ecuación de voltaje alrededor de la malla de entrada

obtenemos:
VBB=IBRB+VBE+ICRe, que se puede escribir como:
R 
VBB=Ic  B + Re  + VBE
  
6. Como ya hemos determinado los valores de RB y VBB, podemos utilizar las
ecuaciones que los definen para encontrar los valores adecuados de R1 y
R2. esto es, resolvemos el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas
dado por:
R1R 2 VccR 2
RB= VBB=
R1 + R 2 R1 + R 2
VccR B
Resolviendo para R1 obtenemos: R1 =
VBB
RB
Y para R2 obtenemos: R 2 =
V
1 − BB
VCC
7. Como ya hemos encontrado todos los valores de los resistores que satisfacen
nuestro diseño, nos queda únicamente conseguir los valores comerciales
más cercanos a los calculados y hacer al análisis del circuito para darnos
cuenta que no cambia demasiado el punto de operación del transistor debido
a la diferencia entre los valores teóricos y prácticos.
EJEMPLO:
Diseñar un amplificador en emisor común como el de la figura X para obtener

una ganancia de voltaje de -10 y una ganancia de corriente de -10, si el β del
transistor es de 100, el voltaje de polarización es de 12V y se desea excitar una
carga de 1,5KΩ.
Aplicación de los pasos de diseño
1. Seleccionando RC=RL tenemos RC=1,5KΩ.
2. Para calcular Re recordemos que la ecuación de ganancia de voltaje está

( Rc || RL )
dada por: AV = − .
Re
Como nuestro requerimiento implica una ganancia de voltaje de -10, la
ecuación nos queda:
(1.5 K || 1.5 K)
− 10 = −
Re
Despejando para Re obtenemos Re=75Ω
3. Ahora calculamos Rca y Rcd para poder determinar el valor de ICQ.
Recordemos que Rca = ( Rc || RL ) + Re y Rcd = Rc + Re .
Reemplazando los diferentes valores obtenemos:
Rca = (1.5K || 1.5K) + 75 = 825

Rcd = 1.5K + 75 = 1.575K
12
I CQ = = 5mA
825 + 1575
4. Ahora podemos calcular el valor de la resistencia de base RB, recordemos

que la ecuación de la ganancia de corriente es:
hfeRc RB
Ai = −
Rc + RL hie + hfe Re
Si observamos bien la ecuación nos damos cuenta que debemos encontrar

primero el á valor de hie. Recordemos que hie está dado por:
25mV  
hie =
I CQ
Reemplazando los valores de β e ICQ obtenemos hie=500Ω.
Y despejando para RB obtenemos RB=1600Ω
5. Ahora calculemos el valor del voltaje de polarización en la base del transistor

haciendo uso de la ecuación:
R 
VBB=Ic  B + Re  + VBE
  
Reemplazando cada uno de los términos de la ecuación obtenemos VBB=1.2V
6. Ahora calculemos los valores necesarios de R1 y R2. Recordemos:
VccR B RB
R1 = y R2 =
VBB V
1 − BB
VCC
Reemplazando cada uno de los términos obtenemos:
R1=16KΩ y R2=1.77KΩ
Finalmente, nuestro amplificador queda con los valores teóricos mostrados en la

figura.

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Vamos a diseñar un amplificador en configuración emisor común (el amplificador

1. Para máxima transferencia de potencia se selecciona RC=RL.

2. El valor de Re podemos calcularlo a partir de la ecuación de ganancia de

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1. Seleccionando RC=RL tenemos RC=1,5KΩ.

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Rca = (1.5K || 1.5K) + 75 = 825

4. Ahora podemos calcular el valor de la resistencia de base RB, recordemos

Si observamos bien la ecuación nos damos cuenta que debemos encontrar

Y despejando para RB obtenemos RB=1600Ω

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