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    1 Problemas Electronica

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    Juanisa Medina
    El documento presenta una serie de problemas sobre conceptos básicos de diodos semiconductor como carga neta de átomos, clasificación de materiales como conductores o semiconductores, polarización directa e inversa de diodos y su comportamiento, y cómo acelerar un ordenador basándose en estos conceptos.

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    Juanisa Medina
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    El documento presenta una serie de problemas sobre conceptos básicos de diodos semiconductor como carga neta de átomos, clasificación de materiales como conductores o semiconductores, polarización directa e inversa de diodos y su comportamiento, y cómo acelerar un ordenador basándose en estos conceptos.

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    1 Problemas electronica

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    Juanisa Altagracia A00109026

    PROBLEMAS.

    2-1. ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones?


    La carga es neta es -3.

    2-2. ¿Cuánto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus
    electrones de valencia? La carga neta es +4.

    2-3. Clasifique cada uno de los siguientes como un conductor o


    semiconductor:

    a) Germanio: semiconductor.
    b) Plata: conductor.
    c) Silicio: Semiconductor.
    d) Oro: conductor.

    2-4. Un diodo está polarizado en directa. Si la corriente es 5 mA a través


    del lado n, ¿cuál es la carga a través de cada uno de los siguientes:

    a) Lado p: una carga positiva.

    b) Cables de conexión externos: Tendrá carga positiva para el lado


    conectado en p, y negativo para el lado conectado en n.

    c) Unión: la carga aumenta a medida que se cerca a la unión.

    2-5. Clasifique cada uno de los siguientes como un semiconductor tipo n


    o tipo p:

    a) Dopado por un átomo aceptado: tipo p.

    1
    b) Cristal con impurezas pentavalentes: tipo n.

    c) Los portadores mayoritarios son huecos: tipo p.

    d) Se añadieron átomos donadores al cristal: tipo n.

    e) Los portadores minoritarios son electrones: tipo p.

    2-6. Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas


    de 0 °C a 75 °C. ¿Cuáles serán los valores mínimo y máximo de la
    barrera de potencial?

    Vmax: (-2x10-3) (0°C - 25°C)


    Vmax: 50 Mv
    Vb: 0,7v+ 0,05v=0,75v

    Vmin: (-2x10-3) (75°C - 25°C)


    Vmin: -100vm
    Vb= 0,7.0, 1=0,6v

    2-7.Un diodo de silicio tiene una corriente de saturación de I0 nA a 25 °C.


    Si debe funcionar en el rango de 0 °C a 75 °C, ¿cuáles serán los valores
    máximos y mínimos de la corriente de saturación?

    2
    2- 8.Un diodo presenta una corriente superficial de fugas a IO nA
    cuando su tensión inversa es de 10 V. ¿Cuál será su corriente superficial
    de fugas si la tensión inversa crece hasta 50 V?

    ISL=50v/10v (10 nA)= 50nA

    3
    PROBLEMAS DE MAYOR DIFICULTAD.

    2-9. Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de 5 PA a 25 °c y 100


    PA a 100 °c. ¿Cuáles son los valores de la corriente de saturación y la
    corriente superficial de fugas a 25 °C?
    LI= 5MA - 25°C
    LIS= 100NA a 100 °C

    1 de saturación a 25°C… 0.53MA


    1 de superficial a 25°C… 4,47MA

    2-10. Los dispositivos con uniones pn se utilizan para fabricar


    ordenadores. La velocidad de un ordenador depende de lo rápido que se
    pueda «encender» y «apagar» un diodo. Basándose en lo que ha
    aprendido sobre polarización inversa, ¿qué puede hacer para acelerar un
    ordenador?
    La mejor manera de acelerar un ordenador es amplificando la polarización
    directa, ya que cuando el diodo se encuentra polarizado inversamente este se
    comporta como un circuito abierto por lo que no pasa corriente por el circuito.
    Es decir, la corriente circula con facilidad en un diodo polarizado en directo,
    mientras que en una polarización inversa La corriente es aproximadamente
    cero.

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