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    Electrónica Industrial I

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    El documento describe un circuito PWM que utiliza un MosFET IRFZ44N para controlar un motor DC a través de la modulación del ancho de pulso. El objetivo es armar el circuito y medir la frecuencia de conmutación, el ciclo de trabajo, las rpm del motor y comprender el funcionamiento del MosFET.

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    El documento describe un circuito PWM que utiliza un MosFET IRFZ44N para controlar un motor DC a través de la modulación del ancho de pulso. El objetivo es armar el circuito y medir la frecuencia de conmutación, el ciclo de trabajo, las rpm del motor y comprender el funcionamiento del MosFET.

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    Electrónica Industrial I

    Trabajo Práctico Nº 1:
    Aplicaciones de MosFET
    Modulador por ancho de pulso (PWM)
    Control de motor DC.

    Apellido y nombre: Picca Valentina


    Curso: 6° “B”
    Fecha: 19 de marzo de 2024
    Profesor: Ing. Suarez, Pablo.
    Objetivos:
     Armar un circuito PWM para control de motor de DC de 12 [v].
     Realizar mediciones frecuencia de conmutación, ciclo de trabajo, rpm y
    determinar su funcionamiento.
     Deducir el funcionamiento, con la ayuda del profesor, del MosFET en el
    circuito.
     Lectocomprensión de la hoja de datos.
     Familiarizarse con el funcionamiento del dispositivo.

    Fundamentación:
    Los transistores MosFET son ampliamente usados en la electrónica de potencia
    como llaves de estado sólido para conmutar grandes cargas eléctricas, como ser
    motores, calefactores, etc. Su baja corriente de excitación para ponerlo en corte o
    saturación los hace muy recomendable para ser usados directamente con circuitos
    lógicos de baja corriente.
    Un PWM (Modulación por ancho de pulso) convierte una señal digital en una
    señal analógica, cambiando la cantidad de tiempo que se mantiene el ciclo de
    trabajo, siendo usado con varios objetivos, como tener el control de la energía
    que se proporciona a una carga o llevar a cabo la transmisión de datos. En este
    caso lo utilizaremos para hace funcionar de manera eficiente un motor DC.

    Actividad a desarrollar:
    Elementos necesarios:
     Osciloscopio.
     IRFZ44N.
     LM555.
     Motor DC de 12 [v].
     Fuente de alimentación regulable.
     Resistores varios.
     Capacitores varios.
     Potenciómetro.
     Cables.
     Programa de diseño de circuitos impresos (Proteus).

    1. Buscar la hoja de dato del IRFZ44N, traducir su descripción, copiar


    símbolo, distribución de terminales, relevar los siguientes valores y
    traducir su significado si lo tiene.
    DESCRIPCION MOSFET
    Los MosFET de potencia utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para
    lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este
    beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutado y el diseño robusto
    del dispositivo por el que son bien conocidos los MosFET, proporciona al
    diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una
    amplia variedad de aplicaciones.
    El empaquetado TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones
    en niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50[v].
    a) VDS (Drain to source voltage: voltaje drenaje a surtidor): 55 [v]
    b) ID (on): 49 [A]
    c) VGS (Gate to Source Voltage: voltaje del Gate al surtidor):
    ±20 [v]
    d) PD (Power dissipation: Potencia de disipación):94 [w]
    e) VGS (TH) (Gate Threshold Voltage: voltaje de umbral): 4.0[v]
    f) V(Br)DSS (drain to source breakdown voltage: voltaje de
    ruptura de drenaje a surtidor): 55[V];
    g) rDS (on) (Static Drain to Source on Resistance: Resistencia
    estática de drenaje a surtidor): 17.5 [mΩ];
    2. Diseñar el PCB del siguiente circuito PWM:
    Ciclo de trabajo (D):
    t (on)
    D=
    t ( on ) +t (off )

    0.005
    D=
    0.005+ 0.005

    0.005
    D=
    0.010

    D=0.5[ ]

    Los componentes utilizados en este trabajo son:


     Una batería de 12[V].
     Tres diodos: D1=1N4148; D2=1N4148; y D3=1N4007.
     Un potenciómetro de 100[kΩ].
     Resistencias de: R1= 1[kΩ] y R2=10[kΩ].
     Capacitores no polarizados de: C1=100[nF], C2=100[nF] y C3=1[nF].
     Un capacitor electrolítico de: C4=100[uF].
     Integrado LM555.
     MosFET IRFZ44N.
     Un motor DC.

    Conclusión:
    Los MosFET tienen una amplia gama de aplicaciones en la electrónica moderna,
    desde amplificadores de señal, PWM y flip-flops, hasta circuitos integrados y
    dispositivos de almacenamiento de energía.
    Su alta eficiencia, velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes los hacen
    fundamentales en la electrónica, además se le suma su versatilidad y rendimiento.

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