ELECTRÓNICA ANÁLOGA I, INFORME 2, 7 DE DICIEMBRE DE 2022 1

Diodos: Modelamiento y caracterı́sticas

Daniel Mauricio Rivero Lozada1 . Ingenierı́a Mecatrónica. [email protected]
Julián Leonardo Robles Cabanzo1 . Ingenierı́a Electrónica. [email protected]
Tomás Santiago Rodrı́guez Mina1 . Ingenieria Eléctrica. [email protected]
1
Electrónica análoga I, Universidad Nacional de Colombia, Sede Bogotá, Bogotá, Colombia.

Resumen—En el presente informe se hizo un análisis metódico

de las propiedades de los diodos. A partir de gráficas y tablas se
describió la curva caracterı́stica de un diodo, el comportamiento
ante cambios de temperatura, resistencia dinámica y tiempo de
recuperación en inversa.
Palabras clave—Diodo, corriente, tensión, semiconductor, tem-
peratura, tiempo de recuperación, operación, resistencia dinámi-
ca.

I. I NTRODUCCI ÓN

L OS diodos tienen un amplio campo de aplicación, su

descubrimiento como material semiconductor, y sus pro-
piedades a la hora de implementarlo en circuitos, permitió Figura 2: Tensión VS Corriente en el diodo a temperatura
al humano tener un control considerable de nuevos inventos ambiente
electrónicos. Entre las caracterı́sticas y aplicabilidades más
importantes del diodo está la capacidad de rectificar, recortar,
sujetar y multiplicar señales de tensión. A la hora de diseñar un A partir de la regresión lineal de la curva 2se llegó a obtener
circuito con considerable tasa de aplicación el uso de diodos la ecuación que describe el comportamiento exponencial de la
garantiza la efectividad del circuito ecuación de la corriente en el diodo:
Se logró en este informe caracterizar y afianzar los conoci-
Id = (4,98 × 10−11 ) e26,8 Vd (1)
mientos teóricos acerca del diodo, haciendo uso del laboratorio
y competencias adquiridas en laboratorios anteriores. Y a partir de dicha ecuación, es posible obtener el valor de
la corriente inversa de saturación Is , del cual se obtuvo un
II. S IMULACIONES , GR ÁFICAS , TABLAS Y F ÓRMULAS valor de 498 nA.
Además de el valor anterior, se despejó el valor del voltaje
II-A. Simulaciones térmico en el diodo con el fin de hallar el coeficiente de
El circuito para la caracterización del diodo 1N 4004 se emisión η.
muestra a continuación: 1,38 × 10−23 J/K · 292,15 K
VT =
1,6 × 10−19 C (2)
= 25,20 mV
Y finalmente al despejar η se obtuvo:

1
= 26,8
ηVT
1 (3)
η=
26,8 · 25,20 × 10−3
η = 1,48
Figura 1: Circuito de caracterización del diodo Posteriormente, al variar la temperatura a 280C se realizó
la misma toma de datos de tensión y corriente en el diodo,
A partir del circuito de 1 se realizaron gráficas a partir para obtener la curva caracterı́stica en el diodo. De manera
de la toma de datos de los valores de tensión y corriente, que los valores obtenidos se encuentran en la Figura 3.
incrementando cada 2 V la tensión en la fuente. La curva se describe con la ecuación 4
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Tabla I: Diodo 1N 4004 bajo temperatura ambiente

Fuente de tensión (V) Tensión (V) Corriente (mA)

0,5 0,046 0,05
1,0 0,578 0,79
3,0 0,663 4,48
5,0 0,693 8,28
7,0 0,710 12,15
10,0 0,727 18,05
13,0 0,739 24,20
15,0 0,744 28,03
17,0 0,748 32,77
20,0 0,755 39,76
23,0 0,757 46,89

Figura 3: Tensión VS Corriente en el diodo a temperatura

elevada

Id = (2,02 × 10−4 ) e14,4 Vd (4)

La ecuación se obtuvo un valor Is de 0,202 mA. El voltaje

térmico del diodo a 280 C se calculó utilizando la ecuación
??, reemplazando el valor de la temperatura. A partir de lo
anterior el resultado fue VT = 47,71 mV .
A partir del resultado anterior se obtuvo el valor de η a
partir de la ecuación 3 con los resultados que se obtuvieron Figura 5: Curva caracterı́stica diodo 1N4004 (temperatura
del exponente en la ecuación y la magnitud del voltaje térmico, ambiente)
lo cual dió como resultado el valor de 1,46 para η.

Teniendo en cuenta, que a la hora de realizar la práctica,

habı́a una temperatura de 292,15 K, se obtuvo la tensión
térmica del diodo en ese instante:
1,38 × 10−23 J/K · 292,15 K
VT =
1,6 × 10−19 C (5)
= 25,20 mV

En base a la lı́nea de tendencia exponencial extraı́da a partir

de la curva mostrada en la figura 5, se pudo determinar la
Figura 4: Circuito de señal alterna para el diodo ecuación de la curva caracterı́stica de la figura 5:

Al realizar la simulación del circuito de la figura 4, en el Id = (2 × 10−5 ) e9,3556 V d (6)

cuál se midió la tensión en la resistencia con el fin de hallar
el tiempo de recuperación en inversa del diodo 1N 4004 y el Teniendo en cuenta la ecuación del comportamiento estático
diodo 1N 4148 a partir de una señal de onda cuadrada alterna del diodo, y la ecuación 6, se puede encontrar el valor de η:
a diversas frecuencias. De esta manera. A partir de los valores
1
obtenidos del diodo 1N 4004, el comportamiento del tiempo de = 9,3556
recuperación en inversa permaneció constante, por medio de la ηVT
1 (7)
media aritmética se llegó al valor del tiempo de recuperación η=
de 2,54µ s. Y para el diodo 1N 4148 se realizó el mismo 9,3556 · 25,20 × 10−3
procedimiento con resultados de 2,12 ns η = 4,24

Al subirle la temperatura al diodo 1N 4004, se obtuvieron

II-B. Resultados de laboratorio los siguientes valores, para las mismas condiciones de tensión
Los datos obtenidos al variar la tensión desde 0 V en la en la fuente mostradas en la tabla I:
fuente DC del circuito de la figura 1, en una temperatura Dados los valores mostrados en la tabla II, se encontró la
normal para el diodo 1N 4004, fueron: curva caracterı́stica para dicha configuración de diodo:
Teniendo en cuenta los datos de la tabla I, se pudo obtener Tomando el valor del coeficiente de emisión del diodo como
la curva caracterı́stica del diodo 1N 40004: 2, debido a que el diodo 1N 4004 es compuesto de silicio,
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Tabla II: Diodo 1N 4004 bajo alta temperatura

Fuente de tensión (V) Tensión (V) Corriente (mA)

0,5 0,308 0,38
1,0 0,371 1,23
3,0 0,456 4,97
5,0 0,489 8,82
7,0 0,506 12,73
10,0 0,530 18,70
13,0 0,541 24,90
15,0 0,548 29,19
17,0 0,552 33,67
20,0 0,555 40,56
23,0 0,558 47,69

Figura 7: Curva caracterı́stica y lı́nea de carga 1N4004

(Temperatura ambiente)

En base a la intersección de la curva tangente y el eje x

(figura 7), se determinó a la tensión umbral como:

Vt = 0,72 V (11)

Posteriormente, teniendo en cuenta el diodo 1N 4004 en una

temperatura de 312,93 K, realizando el mismo proceso que
Figura 6: Curva caracterı́stica diodo 1N4004 (alta para la temperatura normal, se obtuvo la siguiente lı́nea de
temperatura) carga junto a su curva caracterı́stica:

entonces, debido a su lı́nea de tendencia exponencial, mostrada

en la figura 6, se obtuvo la siguiente tensión térmica:
1
= 18,528
ηVT
1 (8)
VT =
18,528 · 2
VT = 26,99 mV
Debido a la tensión térmica de la ecuación 8, la temperatura
del diodo 1N 4004 cuya curva caracterı́stica se representa en
la figura 6, es:
VT · q Figura 8: Curva caracterı́stica y lı́nea de carga 1N4004
T =
K (Temperatura alta
(26,99 × 10−3 V )(1,6 × 10−19 C) (9)
=
1,38 × 10−23 J/K
Mediante la pendiente, se puede determinar la resistencia
= 312,93 K dinámica como:
Teniendo en cuenta que para el diodo 1N 4004 en tempe- 1
ratura ambiente, se tiene una corriente y tensión máximas Rd = = 1,16 Ω (12)
0,86 S
de 0,047 A y 23 V , respectivamente, en base a la tabla I,
mediante estos datos, se determinó la lı́nea de carga para el En base a la intersección de la curva tangente y el eje x
diodo y, mediante una recta tangente a la curva caracterı́stica (figura 7), se determinó a la tensión umbral como:
y dicha lı́nea de carga se puede determinar la conductancia en
el circuito, como la pendiente de dicha recta tangente, como Vt = 0,53 V (13)
se evidencia en la figura 7:
Mediante la pendiente, se puede determinar la resistencia Los tiempos de recuperación inversa basados en el circuito
dinámica como: de la figura ??, fueron los siguientes:
1 Cambiando el valor de la resistencia de 1 kΩ por 510 Ω, se
Rd = = 2,38 Ω (10) obtuvieron los siguientes datos:
0,42 S
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Tabla III: Tiempos de recuperación inversa (Diodo 1N 4004) Al poner la fuente en 25v, la resistencia supera su barrera
de potencia disipada, por lo cual la resistencia comienza a
Frecuencia (Hz) Tiempo de recuperación inversa (µs)
10 7,4
disipar calor en exceso, tornándose negra y produciendo
50 6,6 un olor a cortocircuito.
100 6,5
500 6,5 ¿Qué cambio obtuvo al variar la temperatura en el
5000 5,8
10000 5,8 diodo? ¿Este cambio era predecible? Justifique su
25000 5,8 respuesta
50000 4,5 La principal consecuencia al subir la temperatura del
75000 4,2
100000 4,0 diodo, fue el incremento del flujo de corriente a través del
mismo, esto se debe a que el campo eléctrico generado
por la zona de agotamiento en el diodo se reduce y
Tabla IV: Tempos de recuperación inversa (Diodo 1N 4004 permite más flujo de corriente en el diodo.
con resistencia de 510 Ω)
Según el modelo ideal del diodo (Vd = 0), ¿Cómo
Frecuencia (Hz) Tiempo de recuperación inversa (µs) considera que el diodo funciona ante bajas tempera-
10 6,2
50 6,0 turas? ¿Más o menos cerca del comportamiento ideal?
100 5,8 Justifique su respuesta.
500 5,8 El diodo a bajas temperaturas se comporta de manera ale-
5000 5,6
10000 5,6 jada al modelo ideal (Vd = 0), la justificación empı́rica de
25000 5,4 la pregunta anterior permite concluir que al presentarse
50000 4,5 temperaturas bajas en el diodo, menor será la capacidad
75000 3,9
100000 3,5 de fluir corriente por el mismo.

¿Cuáles son las consecuencias de cambiar de polari-

dad la fuente que alimenta el circuito de la Figura 2?
III. A N ÁLISIS DE RESULTADOS ¿En este caso, se debe tener alguna restricción en la
A partir de lo obtenido en las simulaciones y las pruebas tensión para el correcto funcionamiento del diodo?
realizadas en el laboratorio se pueden observar relación entre Al cambiar la polaridad de la fuente en la figura 2, se
el comportamiento de ambos diodos respecto a los datos del presenta evidentemente un cambio en la dirección de la
laboratorio y las diversas simulaciones. La corriente inversa corriente en el circuito. El diodo en inverso no conduce
de saturación aumenta a medida que la temperatura se incre- y al ser un circuito sencillo esta proposición se cumple.
menta. Además de esto, el valor de el coeficiente de emisión En el mercado actual el valor de tensión en inverso de
permanece prácticamente constante en el caso de temperatura un diodo oscila entre 100 V y 400 V en operación, en
ambiente y de temperatura elevada. Lo anterior coincide con valores superiores es muy probable que el circuito no se
la descripción teórica del comportamiento del semiconductor comporte de manera esperada.
y la dependencia del diodo de unión hacia el valor de la
¿Por qué es necesario alimentar el circuito de la
temperatura.
Figura 3 con una señal cuadrada?
Con los resultados experimentales a cerca del voltaje y la Al alimentar el circuito de la figura 3. con una señal
corriente en el diodo, se evidencia un valor de resistencia cuadrada, permite ver el comportamiento de un diodo
dinámica pequeño que es caracterı́stico del diodo. con señales A.C. Se presenta una rectificación de la onda
Para los valores del tiempo de recuperación en inversa frente cuadrada y es fácil a partir del uso del osciloscopio, de-
a una señal alterna de onda cuadrada, se obtuvieron valores del terminar el tiempo de recuperación en el diodo 1N4004.
tiempo del orden de los microsegundos y los nanosegundos,
para los diodos 1N 4004 y 1N 4148 respectivamente, de los ¿Qué pasa con los tiempos de recuperación inversa si
cuales, en el caso del primer diodo se obtuvieron los valores se varı́a la resistencia R1 ?
permitieron estaban descritos por la curva caracterı́stica del
tiempo de recuperación en inverso, sin embargo, en el caso ¿Los tiempos de recuperación inversa concuerdan con
del diodo 1N 4148 tanto para el simulador, como para el osci- los valores suministrados por el fabricante? ¿Si no
loscopio la curva describió un comportamiento con un tiempo concuerdan, a qué se debe este fenómeno?
de recuperación casi imperceptible dado que su magnitud es Las mediciones tomadas en el laboratorio tienen un
del orden de los nanosegundos. amplio espectro de error, algunos como el uso de cables
jumper que genera ruido, calidad de los materiales, error
humano asociado, incertidumbre generada por los apara-
IV. R ESPUESTA A LAS PREGUNTAS SUGERIDAS
tos de medida, etc. Por lo cual los valores presentados
En el circuito de la Figura 2, ¿Qué ocurre con la por los fabricantes de los dados, no es el mismo.
resistencia cuando circula la corriente máxima (con
la fuente en 25 V)?
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C ONCLUSIONES
A partir de la práctica y los resultados obtenidos, se con-
cluye los siguiente:
Los diodos tienen un comportamiento que depende de la
temperatura en la que se encuentre, por lo tanto en ambientes
demasiado frı́os, la tensión y la corriente tendrá un valor
pequeño.
El tiempo de recuperación de inversa de un diodo permite
estabilizar el valor de la corriente en inversa del diodo, y eso
puede darse en tiempos demasiado pequeños, lo cual implica
un uso de frecuencias demasiado altas para llegar a caracterizar
el comportamiento del diodo en inversa.
Los diodos presentan una mı́nima resistencia y capacitancia
que pueden afectar al comportamiento del circuito en algunos
aspectos, por lo tanto es importante tener en cuenta estas
caracterı́sticas.
Para un diodo es indispensable manejar un ambiente con-
trolado ya que son diversas las variables que influyen en
el comportamiento de un circuito que tiene presente este
componente electrónico, por lo tanto conocer las especifica-
ciones de componente y la previa simulación del circuito se
vuelve fundamental para obtener resultados favorables en la
aplicación de un diodo.

R EFERENCIAS
[1] A. S. Sedra y K. C. Smith.: Circuitos Microelectrónicas: Cuarta Edición,
México, DF, Ed Oxford, 1999.
[2] M. Clifford: Microphones: How they work and how to use them, Blue
Ridge Summit, Tab Books Inc.1999.
[3] R. C. Dorf y J. A. Svoboba.: Circuitos Eléctricos: Introducción al
análisis y diseño, México, DF, Ed. Alfaomega, 1999 .