Tarea 1.2 Polarización Con Transistores FET.

Tarea 1.2 Polarización con transistores FET.
Electrónica
Fernando Javier Ríos Ramírez
Tlaquepaque
Junio del 2023

Índice:
Introducción…………………………………………………………………..3
Desarrollo de la investigación………………………………………………4
Ejercicios……………………………………………………………………..9
Conclusión……………………………………………………………………10
Bibliografía……………………………………………………………………11
Introducción
En esta actividad hablaremos de los transistores de efecto de campo que son los FET, agregaremos su
descripción, como imágenes de los transistores, así como las aplicaciones que tiene.
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE (Source),
DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuente a
través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta.
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se
introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos
básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un
transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las
corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo.
Desarrollo de la investigación
Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el
transistor está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la región
de base muy delgada (< 1µm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En
esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la
figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se verifica que y
Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales
del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones
generales que para un transistor NPN, son:
donde IES y ICS representan las corrientes de saturación para las uniones emisor y colector,
respectivamente, αF el factor de defecto y αR la fracción de inyección de portadores minoritarios. En un
transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:
Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parámetros están relacionados mediante el teorema de
reciprocidad
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes
en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y
transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por
tensión con una alta impedancia de entrada (1012Ω). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos
digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus características eléctricas son
similares, aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes.
Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012Ω).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un C1.
5) Los FET se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir
su utilización como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET:

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales
se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1.10.a se describe un
esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de
un JFET de canal P.
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un JFET de
canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de
corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para
que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura
1.11.
Ejercicios:
Conclusión
Con esta actividad nos deja una visión mas clara de lo que son los transistores
actuales, en este caso el transistor FET vemos la forma en que funcionan, sirven
para polarizar y por lo regular son usados en circuitos integrados, una buena
ventana es que: no consumen casi nada en el circuito de activación del
transistor.
Bibliografía:
JFET transistores de campo
https://www.areatecnologia.com/electronica/jfet.html
2023

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Ventajas del FET:

Desventajas que limitan la utilización de los FET:

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