Report e 6 Caf Arroyo Villegas

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Escuela Superior Politécnica del Litoral

Reporte de Práctica:
6

Estudiantes:
- Carlos Fernando Arroyo Barrera
- Germán David Villegas Espinales

Materia:
Circuitos de Alta Frecuencia y Microondas

Paralelo:
101

Docente:
Maricela Freire Barba
INTRODUCCIÓN
Un amplificador de RF básicamente se representa caracterizando el elemento activo como una
matriz de parámetros de dispersión en una red de dos puertos ubicado entre sus redes de adaptación
de entrada y salida. Del esquema de análisis de un amplificador de microondas se deduce que su
diseño consiste en calcular los valores de las impedancias de entrada y salida, e implementar
adecuadamente la red de polarización que mantenga al transistor en el punto de operación
seleccionado. El parámetro 𝑆11 representa la potencia de la onda incidente en la entrada del puerto
1 y 𝑆22 es la porción de onda reflejada por la carga hacia la entrada del puerto 2. Estas dos
magnitudes están directamente relacionadas con los coeficientes de reflexión en la entrada 𝑆11 y
coeficiente de transmisión 𝑆21, que a su vez están relacionados con los coeficientes de reflexión
de entrada y salida. Por lo tanto, la relación entre estas magnitudes permite calcular los valores de
impedancias de entrada y salida que posibiliten la máxima transferencia de potencia, ganancia y
ancho de banda adecuados

FET
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de estos se
controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos
en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador
suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.
Características generales:
• Por el terminal de control no se absorbe corriente.
• Una señal muy débil puede controlar el componente.
• La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

Ilustración 1 Amplificador de microondas


Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de
campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS
respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la
encontramos en los circuitos integrados.
Los amplificadores de potencia de RF son usualmente la última etapa de un sistema de
comunicación inalámbrico justo antes de las antenas, al ser este un dispositivo electrónico es
mayoritariamente el que condiciona la potencia de transmisión, consumo de energía y tamaño
físico del equipo, de allí la constante importancia en el desarrollo de técnicas para mejorar el
rendimiento de este tipo de dispositivos.
Para la realización del diseño se comienza por la elección del transistor de acuerdo con las
especificaciones del transmisor, al transistor se lo modela como una red de dos puertos
caracterizada por su matriz de parámetros de dispersión, luego se calcula la estabilidad de la red y
la máxima ganancia de potencia disponible en el rango de frecuencias de trabajo y Del esquema
de análisis de un amplificador de microondas se deduce que su diseño consiste en calcular los
valores de las impedancias de entrada y salida, e implementar adecuadamente la red de
polarización que mantenga al transistor en el punto de operación seleccionado.
RESULTADOS
1. Diseño de amplificador de pequeña señal

Ilustración 2 Punto de operación del transistor

Se puede visualizar en la imagen anterior que el transistor se encuentra correctamente polarizado.

Ilustración 3 Parámetros Stab del transistor

Se visualiza que la medición de estabilidad y la constante de estabilidad aún no son las deseadas para el
diseño del amplificador,
Ilustración 4 Parámetros S del transistor

En la ilustración 4 se observan los parámetros S del circuito alrededor de la frecuencia de diseño del
amplificador, esta vez es de 900MHz

Ilustración 5 Nuevos parámetros stab del transistor

Se han corregido los parámetros de estabilidad mediante un circuito de estabilidad añadido al circuito
original.
Ilustración 6 Parámetros S finales

Finalmente con la ayuda de la carta de Smith, se acopla un circuito de estabilidad que también permite
mejore los parámetros S del amplificador alrededor de la frecuencia de diseño.
PREGUNTAS
1. ¿Cuál es la función fundamental de un amplificador?

La función más básica de un amplificador es aumentar el nivel de una señal, incrementando


la amplitud de una señal de entrada mediante corrientes de polarización, es decir, mediante
un voltaje positivo y negativo en un arreglo de transistores.

2. ¿En qué campo son más utilizados los amplificadores?

En telecomunicaciones, los amplificadores de señal son muy útiles para los operadores
móviles. Amplificar una señal es incrementar su potencia de entrada y, en consecuencia,
de salida. En ese sentido, un amplificador de señal de telefonía móvil es un dispositivo
capaz de extender su alcance a través de antenas de recepción.

3. ¿Cuándo decimos que un amplificador microondas es estable?

La estabilidad de un elemento se define como la oposición de este a oscilaciones, esta


característica fundamental en un amplificador queda definida por la ecuación:

1−|𝑆11 |2 −|𝑆22 |2 +|∆|2


𝑘= >1
2|𝑆12 𝑆21 |

Es decir, si esta condición se cumple significa que el amplificador es estable. Y El hecho


de tener estabilidad incondicional en el rango de diseño nos permite construir redes de
acoplamiento que consigan la máxima transferencia de potencia y ganancia.

4. ¿Cuándo se puede concluir que un amplificador microondas es inestable?

K, denominado factor de estabilidad de Rollet. El simultáneo cumplimiento de ambas


condiciones indica que la red es estable, caso contrario la red sería potencialmente inestable
para valores fuera de este rango.

5. ¿Qué tipo de acoplamiento podemos realizar además del tipo L?

- Acoplamiento directo
-Acoplamiento capacitivo
-Acoplamiento inductivo
-Acoplamiento por transformador
CONCLUSIONES
- Cuando se utiliza un sensor o cualquier fuente de señal en general, se debe calcular su
impedancia de salida para un acoplamiento óptimo al circuito de procesamiento de la señal.
- Se le permite al BJT trabajar en su zona lineal, por lo que el mejor modelo para estudiar la
función del transistor es el de parámetros híbridos, esto gracias a que se pueden utilizar
ecuaciones lineales y simples.
- Se debe considerar el tipo de fuente. de alimentación que se utiliza para alimentar el circuito
debido a que su estabilidad depende en gran medida de su estabilidad especialmente para
lograr la frecuencia deseada

RECOMENDACIONES
- Antes de proceder a realizar la simulación en ADS, es recomendable revisar la
fundamentación teórica para despejar cualquier tipo de dudas con el docente encargado.
Además, una vez obtenidos los resultados con el simulador, de ser posible, contrastar
dichos resultados con cálculos teóricos para saber qué tanto se asemejan entre sí.

- Al momento de configurar los parámetros de diseño del transistor que se va a usar en la


simulación es importante fijarse en las unidades de ciertos parámetros, ya que si esto no es
tomado en cuenta se pueden obtener gráficas erradas lo cual generará dificultadas al
momento de analizar los resultados obtenidos.

- Se recomienda que, al momento de trazar las gráficas con el simulador, se configure una
gráfica para cada parámetro deseado. Esto ayudará a tener una mejor visualización de la
curva y por ende brindará más información al estudiante.

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