U.M.S.A.

– FACULTAD DE INGENIERÍA FORMULARIO TERCER PARCIAL

-CIRCUITOS EN CORRIENTE DIRECTA (DC):
CURSO BÁSICO ELABORADO POR:
-Corriente Eléctrica: -Resistencia Eléctrica: -LEY DE OHM: FÍSICA BÁSICA II AUX: UNIV. JUAN REYNALDO
𝚫𝑸 (FIS-102) Q. CALLISAYA
𝑰= 𝝆𝑳 𝑽 = 𝑰𝑹
𝚫𝒕 𝑹=
𝑨
ELECTRICIDAD
𝑹
-Potencia Eléctrica: -Energía Eléctrica:
𝑽 -ELECTROSTÁTICA:
𝒒 = 𝑵𝒆
Estudia a las cargas eléctricas y su comportamiento en reposo.

𝑽𝟐
𝑷 = 𝑰𝑽 = 𝑰𝟐 𝑹 =
𝑹
𝑬 = 𝑷𝒕
𝑰 FUERZA ELÉCTRICA:
|𝒒𝟏 ||𝒒𝟐 | 𝟏 ⃗
𝒖
-Ley de Coulomb: 𝑭=𝑲 𝑲= ̂=
𝒖
𝒓𝟐 𝟒𝝅𝝐𝟎 𝒖
-Resistencias en SERIE: -Resistencias en PARALELO:

𝒒𝟏 𝒒𝟐
⃗𝑭 = 𝑲 ̂
𝒖 Donde:
𝒓𝟐 F: Fuerza Eléctrica [N]
r: distancia [m]
q: carga eléctrica [C]
̂ representa un
𝒖 e: electrón (-1,602x10-19[C])
vector unitario
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝑹𝒆𝒒 = 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 + 𝑹𝟑 + ⋯ + 𝑹𝒏 = + + + ⋯+ CAMPO ELÉCTRICO:
𝑹𝒆𝒒 𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝑹𝟑 𝑹𝒏 ⃗𝑭
⃗𝑬 =
𝒒𝟎
𝑰 = 𝑰𝟏 = 𝑰𝟐 = ⋯ = 𝑰𝒏
𝑰 = 𝑰𝟏 + 𝑰𝟐 + 𝑰𝟑 + ⋯ + 𝑰𝒏

𝑽𝒕𝒐𝒕 = 𝑽𝟏 + 𝑽𝟐 + 𝑽𝟑 + ⋯ + 𝑽𝒏 ⃗𝑭 = 𝒒𝟎 ⃗𝑬
𝑽𝟏 = 𝑽𝟐 = 𝑽𝟑 = ⋯ = 𝑽𝒏
LEYES DE KIRCHHOFF:
-2da Ley (Mallas): 𝒒 𝒒
-1ra Ley (Nodos): ⃗ =𝑲
𝑬 ̂
𝒖 𝑬=𝑲
𝒓𝟐 𝒓𝟐

-Cargas Distribuidas: Donde:

K: constante de Coulomb
𝒒 𝒅𝒒 (9x109[Nm2/C2])
𝝀= = ]
𝑳 𝒅𝑳 ε 0: permitividad del vacío
∑ 𝑰𝒆𝒏𝒕𝒓𝒂𝒏 = ∑ 𝑰𝒔𝒂𝒍𝒆𝒏 (8,85x10 [C / Nm2])
-12 2

E: campo eléctrico [N/C]

∑ 𝑽𝒃𝒊𝒑𝒐𝒍𝒐𝒔 𝒂𝒄𝒕𝒊𝒗𝒐𝒔 = ∑ 𝑽𝒃𝒊𝒑𝒐𝒍𝒐𝒔 𝒑𝒂𝒔𝒊𝒗𝒐𝒔 𝒒 𝒅𝒒 𝒅𝒒 𝝀: densidad lineal de carga
Donde:
𝝈= = 𝒅𝑬 = 𝑲
𝑨 𝒅𝑨 𝒓𝟐 [C/m]
I: corriente [A]; P: potencia [W] 𝝈: densidad superficial de carga
Diseñado por: Aux: Univ. Juan Reynaldo Q. Callisaya
R: resistencia [𝛀]; A: área [m2] [C/m2]
t: tiempo [s]; L: longitud [m] 𝝆: densidad volumétrica de
𝒒 𝒅𝒒
𝝆: resistividad [𝛀𝐦] 𝝆= = carga [C/m3]
V: voltaje [V]; Q: carga [C] 𝑽 𝒅𝑽

4 1
-Campo Eléctrico en un alambre -Campo Eléctrico en una placa -CAPACITANCIA:
infinito: infinita:
-Capacitor de placas paralelas:
𝝀
𝑬= 𝝈
𝟐𝝅𝒙𝜺𝟎 𝑬= 𝑸
𝟐𝜺𝟎 𝑪= 𝑪 = 𝒌𝑪𝟎 𝝐 = 𝒌𝝐𝟎
∆𝑽

𝝐𝑨 𝒌𝝐𝟎 𝑨
-Flujo Eléctrico: -LEY DE GAUSS: 𝑪= 𝑪=
𝒅 𝒅

𝒒𝒆𝒏𝒄
⃗ ∘ 𝐝𝑨
𝝓𝑬 = ∮ 𝑬 ⃗ = -Capacitor Cilíndrico: -Capacitor Esférico:
𝝐𝟎

𝝓𝑬 representa el
flujo eléctrico
𝒍
𝑪𝟎 =
POTENCIAL ELÉCTRICO: 𝑹
𝟐𝑲 𝒍𝒏 ( 𝒓 )
∆𝑼 𝑾𝑨→𝑩
𝚫𝑽 = 𝚫𝑽 =
𝒒𝟎 𝒒𝟎 𝑹𝒓
𝑪𝟎 =
𝑲(𝑹 − 𝒓)
𝑩 Donde:
⃗ ∘ 𝐝𝒍
𝚫𝑽 = − ∫ 𝑬 C: capacitancia [F]; K: ctte de Coulomb
𝑨 k: constante dieléctrica; A: área [m2] -Energía en un capacitor:
V: diferencia de potencial [V]
d: distancia de separación entre placas [m] 𝟏 𝟐 𝟏 𝑸𝟐 𝟏
𝑩 ϵ: permitividad del material 𝑼= 𝑪𝑽 = = 𝑸𝑽
𝚫𝑽 = − ∫ 𝑬𝒅𝒓 𝚫𝑽 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑨 R,r: radio mayor, menor [m]
𝟐 𝟐 𝑪 𝟐
𝑨

-Capacitores en PARALELO:
𝒒 𝒅𝒒 -Capacitores en SERIE:
𝑽=𝑲 𝒅𝑽 = 𝑲 Donde:
𝒓 𝒓 V: potencial eléctrico [V]
U: Energía Potencial [J]
-Criterio de Gradiente de W: trabajo [J]
Potencial: r: distancia [m]
q0: carga de prueba [C] 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
K: Constante de Coulomb = + + + ⋯+ 𝑪𝒆𝒒 = 𝑪𝟏 + 𝑪𝟐 + 𝑪𝟑 + ⋯ + 𝑪𝒏
𝝏 𝝏 𝝏 𝑪𝒆𝒒 𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝑪𝟑 𝑪𝒏
⃗ = −𝛁𝑽 = − ( 𝒊̂ ,
𝑬 𝒋̂ , 𝒌̂) 𝑽 q: carga [C]
𝝏𝒙 𝝏𝒚 𝝏𝒛 ]
𝒒𝟏 = 𝒒𝟐 = 𝒒𝟑 = ⋯ = 𝒒𝒏 𝒒𝒕𝒐𝒕 = 𝒒𝟏 + 𝒒𝟐 + 𝒒𝟑 + ⋯ + 𝒒𝒏
Unidades de conversión:
1 [C]=3x109[statcoulomb]=6,24x1018 e Prefijos de unidades:
K=1[din cm2/u.e.q.2] Mili “m”= 10-3 ; Micro “𝝁”= 10-6
1[u.e.q.]=1 statcoulomb=1 franklin nano “n”= 10-9 ; pico “p”= 10-12 𝑽𝒕𝒐𝒕 = 𝑽𝟏 + 𝑽𝟐 + 𝑽𝟑 + ⋯ + 𝑽𝒏 𝑽𝟏 = 𝑽𝟐 = 𝑽𝟑 = ⋯ = 𝑽𝒏
2 3