Actividad de Electronica Analogica

UNIVERSIDAD DEL AZUAY
DEPARTAMENTO DE POSGRADOS
MAESTRIA EN SISTEMAS DE PROPULSION

ELECTRICA
Ing. Hugo Torres. PhD.
Realizado por:
Mateo Chalco Orellana
Tema: Electrónica Analógica

1.- Si se conecta un condensador de 35nF a una diferencia de potencial de 5V, calcular la
carga eléctrica que acumula. Que sucede con la carga eléctrica si su diferencia de
potencial es de 24V.
2.- Un condensador está formado por un dieléctrico de mica con una permeabilidad
relativa de 7, y con un espesor de 0,2mm. Las placas tienen una medida de 14mm por
30cm. Calcular su capacidad.
3. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en
qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio.
4.- Explicar con sus propias palabras el funcionamiento de un rectificador trifásico de
media onda y onda completa y realizar su respectiva simulación graficando los valores de
los voltajes de ingreso y salida.
1. Rectificador trifásico de media onda, posee un diodo a la salida de cada una de
las tres fases las cuales se unen en un punto común, cada diodo se activa cuando
el voltaje de la fase es mas alto que las otras 2 fases.
2. El rectificador de onda completa se puede obtener la rectificación con dos
diodos y un puente de graetz la componente negativa mediante un puente de
graetz se hace positiva mediante la disposición de los 4 diodos en el puente.
Imagen relación a la explicación 1

Imagen relación a la explicación 2.
5. Explique las condiciones con respecto a tensión y corriente que debe tener un circuito
para que un diodo Zener funcione como estabilizar
• La corriente debe estar entre Iz min y una Iz max. La corriente inversa (Ir)
permanece extremadamente pequeña.
• La tensión que le llega al diodo Zener tiene que ser mayor.
• El Diodo Zener para que haga su función como estabilizador debe estar
polarizado inversamente.
6. Para la polarización del transistor de la figura se pide realizar las siguientes actividades
A) Calcular los valores de 𝐼𝐵𝑄, 𝐼𝐶𝑄 𝑦 𝑉𝐶𝐸𝑄
B) Realizar la simulación y completar la siguiente tabla
C) Analizar los valores calculados y simulados y dar sus respectivas conclusiones
𝐼𝐵𝑄 𝐼𝐶𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄
29.328µA 2.828 µA 8.927V

Valores medidos
29.20 µA 2.920mA 8.61V

Valores calculados
Se puede observar que hay una ligera diferencia entre el valor calculado como el simulado pero en
si los valores se aproximan.
7.- Para la configuración por medio de divisor de voltaje realizar las siguientes
actividades:
A) Calcular 𝐼𝐵𝑄, 𝐼𝐶𝑄 𝑦 𝑉𝐶𝐸𝑄, 𝑉𝐶, 𝑉𝐸, 𝑉𝐵

B) Realizar la simulación y completar la siguiente tabla
C) Analizar los valores calculados y simulados y dar sus respectivas conclusiones
𝐼𝐵𝑄 𝐼𝐶𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄
29.328µA 2.828µA 8.927v

Valores medidos
29.20µA 2.920mA 8.61v

Valores calculados
Se puede observar que hay una ligera diferencia entre el valor calculado como el simulado pero en
si los valores se aproximan.
8.- Para el siguiente circuito realizar las siguientes actividades:
A) Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un relé. Se ha
dispuesto para ello del circuito de adaptación que se muestra en la figura.
Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos transistores trabajan
siempre en corte o saturación sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensión de base
emisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensión entre 0 para
el “0” lógico y 5V para el “1” lógico.
B) Con los valores calculados de R1 y R2 realizar las respectivas simulaciones para
valores de tensión de 0V y 5V y concluir comparando entre los simulados y
calculados.
Se puede definir que el sistema funciona cuando el digital funciona cuando se pone en 5v.
9.- En el siguiente circuito de doble mando se pide realizar las siguientes actividades:
A) Si los valores del circuito son: 𝑉𝑐𝑐 = 12𝑉, 𝛽𝑇1 = 𝛽𝑇2 = 110, 𝛽𝑇3 = 40 calcular
todos los valores de resistencia y completar la tabla adjunta
A B Estado del 𝑉𝑐𝑒𝑇1 𝑉𝑐𝑒𝑇2 𝑉𝑐𝑒𝑇3 𝐼𝑐1 𝐼𝑐2 𝐼𝑐3 𝑉𝑟𝑒𝑙é
relé
Activado 11v 11v 1v 0mA 0 40.74 11v

A y B a masa 0 0 mA
Desactivado 1.5v 1.5v 12v 9mA 0 0 0
A a Vcc y B a 1 0
masa

A a masa y B a 0 1
Vcc

A y B a Vcc 1 1
B) Implementar el circuito en Multisim o cualquier otro simulador del ejercicio
anterior y completar la misma tabla
A B Estado VceT1 VceT2 VceT3 Ic1 Ic2 Ic3 V relé

Relé
AyB 0 0 ON 6v 6v 0.1v 0 0 39.5mA 12v
masa
A a Vcc 1 0 OFF 2.5v 2.5v 10.7v 6.35mA 0 39.3 A 11.7v

yBa
masa
Aa 0 1 OFF 2.5v 2.5v 10.7v 0 6.35mA 39.3 A 11.7v
masa y
B a Vcc
AyBa 1 1 OFF 192.4mV 192.4mV 12v 4.92mA 4.92mA 0A 0v
Vcc
C) Realizar una conclusión en función de los valores calculados y simulados.
Los valores calculados y los valores medidos difieren en ciertos valores de voltajes y
amperajes debido al componente en este caso transistores y relé, pero su
funcionamiento es el mismo, tanto en cálculos con en la simulación. El relé se activa
únicamente cuando A y B están masa.
10.- Completar la siguiente tabla en relación a todos los elementos con sus respectivos
tipos que se ha estudiado en el capítulo de electrónica analógica, por ejemplo, el transistor
BJT son de dos tipos NPN y PNP.
Nombre Símbolo Función Donde

del se
compone aplic
nte a
Transistor Puede Puede aplicar
(NPN) BJT funcionar en como un
modo activo, interruptor
modo, modo controlado
de corte y electrónicamen
modo de te o como un
saturación amplificador
Transistor Su función es Se aplica como

(PNP) BJT en modo interruptor, o
activo, corte, como
saturación amplificador
Transistor Puede Equipos de

JFET (canal n) controlar el medida,
paso de una Resistor
cierta cantidad variable de
de corriente voltaje,
haciendo Amplificadores
variar el operacionales
voltaje que
existe entre la
compuerta y la
fuente.
Transistor La función de Sintonizadores
JFET (canal p) un Fet de canal FM, equipo
P es para
complementari comunicacione
a a la de un s, Aislador o
FET de canal sepador
N, todos los (buffer)
voltajes y Amplificador
corrientes son con CAG.
en sentido Receptores de
contrario señales.
Transistor Los MOSFET El MOSFET
MOSFET de tipo
(Empobrecimie empobrecimeint empobrecimien
nto) (canal N) o poseen un to puede
canal conductor amplificar
en su estado de
señales
reposo, que se
hace pequeñas de la
desaperecer misma forma
aplicando en que lo hace
tension electrica elJFET los
Transistor en la compuerta, amplificadores
MOSFET lo cual ocaciona con MOSFET
(Empobrecimie una disminucion son similares a
nto) (canal P) de la cantidad los
de portadores de amplificadores
carga y por con JFET y
tanto una
por
disminucion de
la conductividad consiguiente
la diferencia puede
entre MOSFET aplicarse la
de mayor parte
empobrecimient del análisis de
o canal N y P es CA.
que las
polaridades de
voltaje y
direcciones de
corriente se
invierten.
Transistor Crean un canal Se aplican en
MOSFET entre el drenaje la
(Enriquecimie y la fuente, al conmutación
nto) (canal N) aplicar una de cargas de
tension en la alta velocidad,
Transistor
puerta. La
MOSFET dado su tiempo
tension de la
(Enriquecimie puerta atrae de respuesta
nto) (canal P) portadores mínimo. Se
minoritarios utilizan para el
hacia el canal de control digital
manera que se de cargas de
forma una mayor
region de corriente y
inversion, es mayor voltaje
decir una region que los valores
de dopado. El nominales que
termino
puede soportar
enrequecimiento
hace referencia un
al incremento de microcontrola
la conductividad dor.
electrica debido
al aumento de la
cantidad de
portadores de
carga.
Fototransistor La sensibilidad El
de un fototransistor
fototransistor en el automóvil
es superior a la se puede
de un diodo, ya aplicar en la
que la pequeña activación
corriente automática de
fotogenerada luces.
es multiplicada Activación
por la ganancia automática de
del transistor. limpiaparabris
El as. Sensores de
fototransistor giro y posición
puede trabajar del cigüeñal.
de dos
maneras:
Modo común,
modo de
iluminación.
Transistor Tiene Su aplicación
Bipolar de características se puede
puerta aislada de un encontrar en
(IGBT) transistor control de
bipolar y de motores,
un MOSFET sistemas de
la alimentación
característica interrumpido,
de salida es la sistemas de
de un bipolar, soldadura,
pero se iluminación
controla por de baja
tensión y no frecuencia
por corriente. (menos de 100
Tiene alta kHz) y alta
capacidad de potencia.
manejar
corriente.

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MAESTRIA EN SISTEMAS DE PROPULSION

Ing. Hugo Torres. PhD.

Mateo Chalco Orellana

Tema: Electrónica Analógica

Imagen relación a la explicación 1

C) Analizar los valores calculados y simulados y dar sus respectivas conclusiones

𝐼𝐵𝑄 𝐼𝐶𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄

29.328µA 2.828 µA 8.927V

29.20 µA 2.920mA 8.61V

A) Calcular 𝐼𝐵𝑄, 𝐼𝐶𝑄 𝑦 𝑉𝐶𝐸𝑄, 𝑉𝐶, 𝑉𝐸, 𝑉𝐵

C) Analizar los valores calculados y simulados y dar sus respectivas conclusiones

𝐼𝐵𝑄 𝐼𝐶𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄

29.328µA 2.828µA 8.927v

29.20µA 2.920mA 8.61v

Activado 11v 11v 1v 0mA 0 40.74 11v

Desactivado 1.5v 1.5v 12v 9mA 0 0 0

Desactivado 1.5v 1.5v 12v 9mA 0 0 0

A B Estado VceT1 VceT2 VceT3 Ic1 Ic2 Ic3 V relé

A a Vcc 1 0 OFF 2.5v 2.5v 10.7v 6.35mA 0 39.3 A 11.7v

C) Realizar una conclusión en función de los valores calculados y simulados.

Nombre Símbolo Función Donde

Transistor Su función es Se aplica como

Transistor Puede Equipos de

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