Materiales Semiconductores

Estructura del átomo

Cómo es bien sabido, el átomo está compuesto de un núcleo que contiene sub-
partículas tales como el protón (con carga positiva) y los neutrones sin carga. En su
periferia, orbitando alrededor del núcleo están los electrones con mucha menor masa
que las partículas del núcleo (unas 2000 veces menor).

Estos electrones pueden ser de dos tipos:

1. Electrones ligados al núcleo: orbitan capas interiores del átomo, cerca de este y
muy difícilmente pueden escapar del mismo.

2. Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del átomo, en niveles superiores

de energía y pueden escapar en determinadas condiciones del átomo. Del mismo
modo, el átomo acepta en tales niveles electrones externos. Los electrones de valencia
determinan las propiedades químicas de los materiales.

Son los electrones de valencia los que determinan también las propiedades eléctricas de
un material
1. Materiales conductores (metales): Los metales tienen estructura cristalina, esto
es, los núcleos de los átomos que componen un metal están perfectamente ordenados
y los electrones de valencia de los mismos están tan débilmente atados a sus
respectivos átomos que cada uno de ellos es compartido por todos los átomos de la
estructura. Es por ello que en el metal se forma una nube electrónica cuyos electrones
son compartidos por toda la estructura y ninguno de ellos está atado particularmente
alguno de los átomos.

2. Material aislante: Los electrones de valencia están ligados fuertemente a sus

respectivos núcleos atómicos. Los electrones de uno de sus átomos no son
compartidos con otros átomos.

3. Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan como aislantes a

bajas temperaturas, pero a temperaturas más altas se comportan como conductores.
La razón de esto es que los electrones de valencia están ligeramente ligados a sus
respectivos núcleos atómicos, pero no lo suficiente, pues al añadir energía elevando la
temperatura son capaces de abandonar el átomo para circular por la red atómica del
material. En cuanto un electrón abandona un átomo, en su lugar deja un hueco que
puede ser ocupado por otro electrón que estaba circulando por la red.

Los materiales semiconductores más conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge),
los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su último nivel. Por otra parte, hay
que decir que tales materiales forman también estructura cristalina. Hay que destacar
que, para añadir energía al material semiconductor, además de calor, también se
puede emplear luz.

Teoría de bandas

Esta teoría explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente

desde una perspectiva más científica.

 Banda de Valencia (BV) al conjunto de energía que poseen los electrones de

valencia.
 Banda de Conducción (BC) al conjunto de energía que poseen los electrones
para desligarse de sus átomos. Los electrones que estén en esta banda pueden
circular por el material si existe una tensión eléctrica que los empuje entre dos
puntos.
 En los semiconductores y en los aislantes, la banda de valencia no se solapa con
la de conducción. Hay una zona intermedia llamada banda prohibida.
Conductor

En este caso la Energía de la banda de valencia es mayor que la de los

electrones de la banda de conducción. Así pues, las bandas se superponen y muchos
electrones de valencia se sitúan sobre la de conducción con suma facilidad y, por lo
tanto, con opción de circular por el medio.

Aislante

En este caso la energía de la banda de conducción es mucho mayor que la

energía de la banda de valencia. En este caso, existe una brecha entre la banda de
valencia y la de conducción de modo que, los electrones de valencia no pueden
acceder a la banda de conducción que estará vacía. Es por ello que el aislante no
conduce. Sólo a temperaturas muy altas, estos materiales son conductores.

Semiconductores

En este caso, la banda de conducción sigue siendo mayor que la banda de

valencia, pero la brecha entre ambas es mucho más pequeña, de modo que, con un
incremento pequeño de energía, los electrones de valencia saltan a la banda de
conducción y puede circular por el medio. Cuando un electrón salta desde la banda de
valencia a la de conducción deja un hueco en la banda de valencia que, aunque
parezca extraño, también se considera portador de corriente eléctrica.

En los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente eléctrica:

 Los electrones: con carga negativa

 Los huecos con carga positiva.
 El prefijo “Semi” es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos límites.

Por lo tanto, un semiconductor es un material que tiene un nivel de

conductividad situado entre los casos extremos de un aislante y un conductor.

Conducción Intrínseca

Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que se han refinado

con todo cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una
pureza tan alta como la que puede obtenerse con la tecnología moderna).

A los materiales semiconductores puros se les conoce como semiconductores

intrínsecos.

Los electrones libres en el material que se deben sólo a causas naturales se

conocen como portadores intrínsecos. A la misma temperatura, el material de
germanio intrínseco tendrá cerca de 2.5 x 1013 portadores libres por centímetro
cúbico. La proporción del número de portadores en el germanio con relación a los de
silicio es mayor que 103 e indicaría que el primero es mucho mejor conductor a
temperatura ambiente. Esto quizá sea cierto, pero ambos se siguen considerando
malos conductores en el estado intrínseco.

La resistividad difiere también por una proporción de 1000:1, teniendo el silicio

el valor mayor. Desde luego, éste debe ser el caso, ya que la resistividad y la
conductividad se relacionan de manera inversa.

Un ascenso en la temperatura de un material semiconductor puede incrementar

en forma considerable el número de electrones libres del material.

A medida que la temperatura aumenta desde el cero absoluto (0°K), un número

creciente de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica para romper el
enlace covalente y contribuyen al número de portadores libres como se describió
antes.

Este número incrementado de portadores aumentará el índice de conductividad

y como resultado se producirá un nivel menor de resistencia.
 La resistencia de la mayor parte de los conductores se incrementa con la
temperatura. Esto se debe al hecho de que el número de portadores en un conductor
no aumentará en forma considerable con la temperatura, pero su patrón de vibración
por encima de un punto fijo hará cada vez más difícil el paso de los electrones. Por
consiguiente, un aumento en la temperatura produce un nivel incrementado de
resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.

Conducción Extrínseca

Un material extrínseco es un material semiconductor que se ha sujetado a un

proceso de dopaje.

Material tipo “N”

El tipo “N” se crea añadiendo todos aquellos elementos de impureza que tengan
cinco electrones de valencia (pentavalentes), como antimonio, arsénico y fósforo,
(empleando antimonio como impureza en silicio base). Los cuatro enlaces covalentes
aún están presentes. Sin embargo, hay un quinto electrón adicional debido al átomo
de impureza, el cual no está asociado con algún enlace covalente particular. Este
electrón sobrante, unido débilmente a su átomo padre (antimonio), se puede mover
más o menos con cierta libertad dentro del material tipo n recién formado. Puesto que
el átomo de impureza insertado ha donado a la estructura un electrón relativamente
"libre".
 Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan
átomos donadores. Es importante reconocer que aun cuando un gran número de
portadores "libres" se hayan establecido en el material tipo n, éste siga siendo
eléctricamente neutro, porque idealmente el número de protones con carga positiva en
el núcleo se mantiene igual al número de electrones "libres" y orbitales con carga
negativa en la estructura.

Los electrones "libres", resultado de las impurezas añadidas, se ubican en este

nivel de energía y no tienen ninguna dificultad para absorber una cantidad suficiente
de energía térmica para moverse hacia la banda de conducción a temperatura
ambiente. El resultado es que, a esa temperatura, hay un gran número de portadores
(electrones) en el nivel de conducción y la conductividad del material aumenta de
manera importante. A temperatura ambiente, en un material de “Si” intrínseco existe
aproximadamente un electrón libre por cada 1012 átomos (1 en 109 para el Ge). Si
nuestro nivel de dosificación fuera de 1 en 10 millones (107), la proporción (1012/107 =
105) indicaría que la concentración de portadores se ha incrementado en una
proporción de 100.000:1.

Material tipo “P”

El material tipo “P” se forma dopando un

cristal puro de germanio o silicio con átomos
de impureza que tengan tres electrones de
valencia. Los elementos que se emplean con
mayor frecuencia para este propósito son el
boro, el gallo y el indio. El efecto de uno de
estos elementos (el boro) sobre una base de
silicio.

Ahora hay un número insuficiente de

electrones para completar los enlaces
covalentes de la red recién formada. La
vacante que resulta se denomina hueco y se presenta por medio de un pequeño
círculo o signo positivo, debido a la ausencia de carga negativa.

Puesto que la vacante resultante aceptará de inmediato un electrón "libre", Las

impurezas difundidas con tres electrones de valencia reciben el nombre de átomos
aceptores.

El material tipo “P” resultante es eléctricamente neutro, por las mismas razones
que las del material tipo “N”.
Flujo de electrones versus flujo de
huecos

Si un electrón de valencia adquiere

suficiente energía cinética para romper su
enlace covalente y llenar la vacante creada
por un hueco, se creará una vacante o
hueco en el enlace covalente que liberó a
ese electrón.

En consecuencia, hay una

transferencia de huecos hacia la izquierda
y de electrones hacia la derecha.

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en el Ge o el Si se debe

sólo a aquellos pocos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente
energía de fuentes térmicas o luminosas para romper el enlace covalente o las pocas
impurezas que podrían no haberse eliminado. Las vacantes que se quedan atrás en la
estructura del enlace covalente representan nuestro muy limitado suministro de
huecos. En un material tipo “N”, el número de huecos no ha cambiado de manera
significativa a partir de este nivel intrínseco.

El resultado, por lo tanto, es que el número de electrones excede en demasía al

número de huecos. Por esta razón:

En un material tipo “N” el electrón se denomina portador mayoritario y el hueco,

portador minoritario.

Y en el material tipo “P”, el número de huecos supera ampliamente al número de

electrones.

Por lo tanto:

En un material tipo “P” el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el

portador minoritario.

Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona al átomo padre, el

átomo que permanece adquiere una carga positiva neta, a esto se debe el signo
positivo en la representación ion donador. Por razones similares, el signo negativo
aparece en el ion receptor.