Reporte2 Medicines Equipo

Mediciones eléctricas
Integrantes
Jesús Rosario Gil Cota
Juan Miranda Vazquez
Alejandro Guillen Salomon
Grupo: B Hora: 9 A 10
RESUMEN
Esta investigación se centra en el comportamiento del centro de carga de los

instrumentos de mediciones, se nos muestra cómo se usan los diferentes equipos,
para hacer mediciones de dichos componentes, los cuales son: diodos, bobinas,
resistencias, capacitores, entre otros.
Se mostrará cómo se hacen los circuitos para medir los componentes con los
equipos correctos para dicha tarea, por ejemplo, para medir las bobinas utilizamos
el equipo de: Uso del puente LCR para la medición de parámetros Inductancia y
capacitación, los circuitos fueron hechos en el programa multisim.
INTRODUCCION
Para la elaboración de las practicas se utilizó en programa multisim, para dar inicio
con la primera práctica, debemos conocer primero el uso de generador de funciones
el cual se mostrará en la siguiente imagen:
Este aparato tiene la funcionalidad de producir ondas senoidales, cuadradas y

triangulares, así como crear también señales TTL (transistor-transistor logic), este
aparato sirve para hacer pruebas o calibración de sistemas de audio.
En este caso queremos hacer frecuencias con periodo de diferentes formas de
ondas, también veremos cómo actúa con cada frecuencia, se utilizará el
osciloscopio junto con el generador de onda para poder cambiar la forma de esta, se
tomará la frecuencia de cada canal, puesto que utilizaremos un osciloscopio de 5
salidas, para poder ver la variación de cada una al mismo tiempo.
El osciloscopio es básicamente un dispositivo de visualización gráfica que muestra
señales eléctricas variables en el tiempo. El eje vertical, a partir de ahora
denominado Y, representa el voltaje; mientras que el eje horizontal, denominado X,
representa el tiempo.
Para la siguiente practica sen necesita un puente LCR
Este aparato electrónico es un medidor LCR (Inductancia (l), Capacitancia (C) y

Resistencia (R)) es un instrumento usado para medir la inductancia, capacitancia y
resistencia de un componente, sensor u otro dispositivo cuyo funcionamiento
depende de la capacitancia, inductancia o resistencia.
En el cual obtendremos los datos de las inductancia, capacitancia y resistencia de
diferentes transistores y bobinas, con el fin de saber cómo medirlos correctamente
de una forma eficaz, debido a la pandemia no fue posible hacer las prácticas en los
laboratorios por lo que solo conocimos estos aparatos electrónicos de mediciones
por medio de imagines y simulaciones.
Por lo que solo interactuamos con estos dispositivos de forma simulada, la siguiente
practica medimos las potencias y la energía mediante fórmulas de manera teórica:
P=I ^2*r
P= V*I
P=V^2/R
Se nos explica que la energía o potencia, entregada o disipada por un dispositivo
eléctrico se mide en watts o vatios, menciona que necesitamos un instrumento
electrónico llamado vatímetro, por lo que nosotros utilizaremos un multímetro con
capacidad de medir corrientes y voltajes en C.D y C.A.
Así es como luce un wattmeter analógico

Su utilización es muy simple. Basta con enchufarlo a una toma de corriente y
después conectar el aparato que quieres comprobar a la toma del vatímetro. Si
quieres comprobar el consumo de varios aparatos al mismo tiempo, puedes añadir
una regleta. Algunas asociaciones prestan este instrumento de manera gratuita. Por
lo general un multímetro ya cuenta con esta funcionalidad por lo que es más sencillo
de utilizarlo.
Ley De Watt
La ley de watt, o ley de la potencia eléctrica dice que si a un cuerpo se le agrega

determinado voltaje, se producirá dentro de cierta corriente eléctrica. dicha corriente
será mayor o menor, dependiendo la resistencia de dicho cuerpo, este consumo
genera que la fuente de energía este entregando cierta cantidad de potencia
eléctrica, o sea, el cuerpo está consumiendo energía, o potencia, esa potencia se
mide en watts, EJ. Una lámpara eléctrica de 40 watts consume 40 watts de potencia
eléctrica para calcular la potencia eléctrica, se debe multiplicar el voltaje mas la
corriente que atraviesa el cuerpo la fórmula para dicha operación es:
P = V.I
Donde P: es potencia o power, V es voltaje, y la I es amperaje, o sea Watt es igual a Voltaje por
Amperaje.
Deja el significado de esta ley para poder entender mas sobre los watts
Para nuestra ultima practica utilizaremos un Analizador de Semiconductores de
HP4145B en cual luce de esta manera
Este dispositivo electrónico nos permitirá analizar de una manera eficaz los
componentes como diodos rectificadores, transistores, también podremos ver sus
curvas características, Para llevar a cabo la simulación del análisis de un BJT y ver
sus características principales, primero debemos conocer sus características
básicas. El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones.
Practica 3.1
En esta práctica utilizamos un generador de funciones el cual se debió cambiar su señal senoidal a
7Vpp y poner una frecuencia de 100 Hz
Se utilizo un diodo 1B4B42
Un capacitor de 100 mF
2 resistencias de 1.0 Kohm y 5 Kohm
Un osciloscopio
Lo primero fue encontrar los componentes en el programa multisim, para luego mostrar el circuito
mostrado en la imagen, se nos pide conectar el osciloscopio en paralelo con el generador de
funciones, esto en el primer canal, mientras que el segundo canal lo conectáramos en paralelo con la
R2, esto se debía hacer en acoplamiento DC, el tercer canal se posiciono en paralelo con el capacitor.
(C1), al hacer esto debimos graficar las señales en el osciloscopio con una onda senoidal, para hacer
las mediciones en los diferentes canales debíamos adaptar las ondas, por lo que en el osciloscopio
primero oprimíamos el botón measure , esto nos mostraba los canales para después adaptar cada
uno a las mediciones especificaciones que nos daba el profesor
Practica 3.2
Para realizar esta práctica se necesitaron 5 transistores y 5 bobinas de diferentes tolerancias
Pero como teníamos algunos errores de repetición de bobinas los tuvimos que cambiarlas cuales
eran las bobinas 2 y 3
También se utilizó el XLV para sacar dichas mediciones, como se muestran en las siguientes tablas de
valores
Bobinas
NUMERO VALOR F(Hz) R(ohm) Xc(ohm) IZ(ohm)

NOMINAL
1 178uH 1000 -4.99873x10^-9 1.11841 1.11841
2 180uH 1000 -4.99872x10^-9 1.13097 1.13097
3 12uH 1000 -4.99998x10^-9 0.07553982 0.07553982
4 197uH 1000 -4.99872x10^-9 1.13097 1.13097
5 192uH 1000 -4.99855x10^-9 1.20637 1.20637
Transistores
NUMERO VALOR F(Hz) r(ohm) Xc(ohm) IZ(ohm)

NOMINAL
1 110mF 60 -4.41851x10^-9 -24.1144 24.1144
2 120mF 60 -4.51137x10^- -22.1049 22.1049
3 130mF 60 -4.58365x10^-9 -20.4045 20.4045
4 150mF 60 -4.68729x10^-9 -17.6839 17.6839
5 160mF 60 -4.72514x10^-9 -16.5786 16.5786
Practica 3.3
Para la realización de esta práctica se necesitaron los componentes siguientes:
3 resistencias de 500 ohm
Fuente de voltaje directo
1 resistencia de 1 kohm
Tierra
1 wattmeter XWM
La realización de esta práctica fue primero sacar los valores teóricos con las fórmulas :
𝑃=𝐼2∗𝑅 𝑃=𝑉∗𝐼 𝑃=𝑉2𝑅

Ejemplo del primer de 5 v, como nuestra resistencia era de 500 ohm, los 5 v lo dividimos
entre la resistencia 5/500 que da como resultado 0.01
Para luego sacar “p” , multiplicando el 0.01^2 por la resistencia que es 500ohm los que nos
da 0.05 watts , así se hiso para cada voltaje y resistencia, los valores simulados nos
apoyamos con puntas de watts para sacarlo a cada resistencia
Voltaje directo
Valores Teorico Valores simulados

Fuente pr1 pr2 pr4 pr1 pr2 pr4
5v 0.05w 0.025w 0.025w 12.5mW 3.12mW 6.25mW
8v 0.0128w 0.064w 0.128w 32.0mW 8.00mW 16.0mW
12v 0.288w 0.144w 0.288w 72.0mW 18.8mW 36.0mw
En cambio, para en otro inciso se hiso el mismo circuito, pero en vez de una fuente de corriente
directa se utilizó un generador de corriente alterna, con una señal senoidal, con frecuencia de 1KHz
Para los voltajes pico a pico se debió cambiarlos a voltaje pico, para realizar las formulas para
obtener los watts ejemplo 5vpp se cambio a 2.5 vp esto se dividió entre la resistencia de 500 ohm
para luego el resultado 0.005 elevarlo al cuadrado y multiplicarlo por 500 ohm, el resultado resulta
en 0.0125 watts
ALTERNO
Valores Teorico Valores simulados

Fuente pr1 pr2 pr4 pr1 pr2 pr4
3vpp 4.5x10^-3w 2.25x10^-3w 4.5x10^-3w 564uW 141uW 282uW
5vpp 0.0125w 0.0245w 0.1025w 1.57mW 391uW 780uW
7vpp 0.0245w 0.006125w 0.00615w 3.08mW 767uW 1.54mW
Práctica 3.4
Para esta práctica se necesitó 5 transistores
También un analyzer bjt para cada transistor
Note que por cada corriente de base que se inyecta, se genera una curva, donde el eje “Y”
nos indica la magnitud de la corriente de colector que fluye a través del BJT y el eje “X” nos
muestra el voltaje que existe entre las terminales colector -emisor. En la misma grafica se
muestras las tres regiones de operación que se tienen en un BJT, estas se denominan;
En esta práctica se nos pide comparar el analyzer BJT con el XIV para ver sus variaciones,
para mi es más fácil utilizar el xiv ya que se adapta solo al componente claro en el simulador,
aunque el bjt siento que das más datos , a continuación imágenes de las comparaciones
Transistor 2n2294
Transistor 2N4401
Transistor 2N4402
Transistor 2N5365
BJT Polaridad Sweep Vce I_B Sweep
2N3394 Positiva 0 a 10V 0.001 a 0.0016 incremento 0.002
2N4401 Positiva 0 a 5V 0.001 a 0.016 incremento 0.002
2N4402 Negativa 0 a 10V 0.001 a 0.010 incremento 0.002
2N5365 Negativa 0 a 8V 0.001 a 0.010 incremento 0.002

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La ley de watt, o ley de la potencia eléctrica dice que si a un cuerpo se le agrega

Se utilizo un diodo 1B4B42

2 resistencias de 1.0 Kohm y 5 Kohm

Para realizar esta práctica se necesitaron 5 transistores y 5 bobinas de diferentes tolerancias

NUMERO VALOR F(Hz) R(ohm) Xc(ohm) IZ(ohm)

NUMERO VALOR F(Hz) r(ohm) Xc(ohm) IZ(ohm)

Para la realización de esta práctica se necesitaron los componentes siguientes:

3 resistencias de 500 ohm

Fuente de voltaje directo

𝑃=𝐼2∗𝑅 𝑃=𝑉∗𝐼 𝑃=𝑉2𝑅

Valores Teorico Valores simulados

Valores Teorico Valores simulados

Para esta práctica se necesitó 5 transistores

También un analyzer bjt para cada transistor

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