INGENIERIA ELECTRONICA Y AUTOMATIZACION

LABORATORIO DE
ANALOGICA
TEMA: ANALISIS DE CARACTERÍSTICA DE UN DIODO A SILICIO
PRÁCTICA N° FECHA INTEGRANTES

Juan Diego Maita - [email protected]

5 13-11-2019
Josué Contreras - [email protected]

TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Luis Abad C.

Resumen— El presente informe trata sobre el 2.- METODO

Diodo, un semiconductor del cual conoceremos  Demostración del docente en la utilización y
sus principales características de corriente y manejo de los dispositivos para la práctica.
voltaje para conducción directa e inversa,
comportamiento variando la frecuencia y
3.- EQUIPOS Y MATERIALES
finalmente unas aplicaciones de cálculo en dc.
Las herramientas que se van a usar en el laboratorio:
INTRODUCCIÓN
 Generador de funciones
A lo largo de este informe vamos a analizar y  Osciloscopio
comprender como se comporta en polarización directa  Multímetro
e inversa, y como resulta su curva característica.  Sondas
También analizaremos los distintos circuitos  Banco de trabajo
aplicando voltaje dc, midiendo el voltaje en cada diodo  Diodos
cuando estos se encuentran en diferentes  Transformador
configuraciones como en serie y paralelo.
4.- MARCO TEORICO
En el laboratorio verificaremos la curva
Diodo
característica del diodo y con el multímetro los voltajes
Un diodo es un componente electrónico
en distintos puntos del circuito.
semiconductor de dos terminales que permite la
1.- OBJETIVOS circulación de la corriente eléctrica a través de él en
un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente
1.1 Objetivo general:
circula en sentido contrario. Esto hace que el diodo
 Analizar, verificar y comprobar el tenga dos posibles posiciones: una a favor de la
funcionamiento del diodo y sus valores corriente (polarización directa) y otra en contra de la
característicos. corriente (polarización inversa).

1.2 Objetivo específico:

 Armar el circuito, tomar nota de IAK, VAK para

conducción directa e inversa.

 Obtener la curva característica y comprobar

visualizando en el osciloscopio

 Analizar el comportamiento a diferentes

frecuencias.

 Analizar los voltajes dc en los circuitos

propuestos.

1
 El diodo 1N4007 es uno de los diodos de una serie
muy utilizados en infinidad de equipos electrónicos.
Se utiliza principalmente para convertir la corriente
alterna en directa. Su encapsulado es de tipo DO-
41.

 Tensión inversa de pico máximo: 1KV

(VRRM)max.
 Tensión máxima en un circuito rectificador de
media onda con carga capacitiva: 500 V (Vef).
 Rango de temperatura: - 65 ºC a +125 ºC.
 Caída de tensión: 1,1 V (VF)max.
 Corriente en sentido directo: 1 A (If).
 Corriente máxima de pico: 30 A (Ifsm)max.

Valores Nominales Máximos

Los valores máximos de voltaje soportados son:

F
ig.1. Curva Característica  1N4001 35V.
El diodo polarizado directamente permite el flujo a  1N4002 70V.
través de él de los electrones, o lo que es lo mismo  1N4003 140V.
permite el paso de la corriente eléctrica. En  1N4004 280V.
polarización inversa no permite el paso de los  1N4005 420V.
electrones por él.  1N4006 560V
 1N4007 700V.
Transformador
El transformador en este caso sirve para trabajar DIODO 1N4148
con baja tensión alterna, mas o menos 12Vac y con
una particularidad especial de aislar el primario del Características eléctricas
secundario y hacer que los canales Ch1 y Ch2 del
El diodo 1N4148 es un pequeño y rápido
osciloscopio no estén conectados a la referencia del
componente electrónico fabricado de silicio, de alta
primario.
conductividad, usado en el procesamiento y detección
de señales de radiofrecuencias de manera muy eficaz,
con un tiempo de recuperación inversa de no más de
4 ns, su nombre sigue la nomenclatura JEDEC, se
encuentra generalmente en un encapsulado de vidrio
de tipo DO-35.

 Tensión máxima inversa repetitiva: 100 V

(Vrm).
 Corriente de salida rectificada: 200 mA (Io).
 Disipación de energía: 500 mW (Ptot).
Fig.2. Transformador
 Tiempo de recuperación inverso: < 4nseg
(Trr).
5.- PROCEDIMIENTO
5.1 Análisis de características. Valores Nominales Máximos

5.1.1.- Consultar los manuales y transcribir las La amplitud está por encima del umbral de
características más importantes de los diodos conducción hacia adelante de silicio (en torno a 0.7V)
1N4007, 1N4148. El 1N4148 tiene una corriente continua máxima de
200 miliamperios y una máxima intermitente de 450
DIODO 1N4007 miliamperios.

Características eléctricas

2
5.1.2.- Utilizando el multímetro identifique los 0,00  0v 0  0 ∞
terminales de cada tipo de diodo disponible y de paso
compruebe que están en buen estado, determinando 0.25  0v 0.24  0 ∞
el voltaje umbral.
0.5 0v 0.46 0  1.53kΩ
Polarización 1N4007 1N4148
0.75  0.20 0.53 0.2mA 2.3kΩ
Directa  0.562 V 0.550 V
1,00 0.42 0.57 0.42mA 1.35kΩ
Inversa. 0 0
1.25  0.65 0.58 0.65mA 890Ω
Tabla 1
1.5  0.88 0.6 0.89mA 670Ω
5.1.3.- Aplique calor al diodo (Aplastar fuertemente
con dos dedos la parte plástica) y observe el nuevo 2,00  1.37 0.62 1.37mA 450Ω
valor que muestra el multímetro
2.5  1.85 0.63 1.85mA 340Ω

3,00 2.34 0.64 2.34mA 270Ω

Polarización 1N4007 1N4148
3.5 2.84 0.65  2.84mA 220Ω
Directa 0.542 V 0.529 V
4,00 3.33 0.66 3.33mA 190Ω
Inversa. 0 0
5,00 4.32 0.67 4.32mA 150Ω
Tabla 2

5.1.4.- Realizar el circuito de la fig.3 llenar la siguiente 6,00 5.31 0.68 5.31mA  120Ω
tabla de valores mediante lecturas de VR, VD(VA-K)
con el multímetro digital, para el diodo 1N4007. 8,00 7.30 0.69 7.3mA 92Ω
R
+ VD 10,00 9.28 0.7 9.28mA 74Ω
1k A
Tabla 3
V dc 1N 4007

K 5.1.5.- Con los datos obtenidos en la tabla, trace la

_
respectiva curva de ID = f (VD), y saque sus
conclusiones.
Fig 3: Circuito Diodo
ID=f(VD)
Calcular 9

Corriente Resistencia 7
Vdc VR (V) VD(VA-K) Diodo estática
5

ID = VR/R RD = VD/ID 3

1
-5,00  0v -4.99 0 ∞
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 -1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
-4,00  0v -3.99  0 ∞
Fig. 4. Curva característica del diodo

-3,00  0v -2.99  0 ∞ 5.1.6.- Modificar el circuito según fig. 5 y obtenga a

través del osciloscopio la característica de ID = f (VD).
-2,00  0v -1.99  0 ∞ Utilizar un transformador de 110Vac/12Vac, el
osciloscopio en modo XY e invertir en el osciloscopio
-1,00  0v -0.99  0 ∞ la señal de Ch1,( Menú inversión On).

3
 Fig.5. Circuito diodo

Fig.9.Simulación forma de onda del diodo 60Hz

Fig.6. osciloscopio Curva característica del diodo

5.1.7.- Volver a la fig 1, aplicar al circuito mediante el

generador de funciones Vac = 10 Vp-p onda senoidal.
Observar y tomar nota de la forma de onda Vi (Ch1) y
VA-K diodo (Ch2), para f = 60 Hz y 1Kz, observe que la
forma de onda de ingreso y salida no tiene retardo, es
imperceptible cuando se trabaja a bajas frecuencias..

Fig.10.Oscilosocpio Forma de onda diodo 1Khz.

Diodo 1N4007: Vemos en esta figura que
aparentemente no hay retardo, están en fase el
ingreso con respecto a la salida. El valor del retardo es
insignificante con respecto periodo.

Fig.11.Simulación forma de onda del diodo 1KHz

5.1.8.- Aplique f = 20KHz luego 100KHz. Observar,

capturar la imagen y anotar cuánto vale el retardo de
recuperación inversa del diodo que se hace más
notorio al aumentar la frecuencia. Determinar además
Fig.8.Oscilosocpio Forma de onda diodo a 60Hz. para cada diodo, más o menos a que frecuencia ya no
responde

Diodo 1N4007: Tiene un retardo de 4.4us para 20K.

4
 Fig.15.Os
Fig.12.Oscilosocpio Forma de onda diodo 20Khz cilosocpio Forma de onda diodo 100Khz (Maxima
frecuencia que puede soportar).
Diodo 1N4007: Tiene retardo de 2.4us para 100Khz.
5.2 Análisis en tensión dc: Tipo serie, paralelo,
OR.

5.2.1.- Para cada circuito por separado, calcular los

voltajes en cada nodo y sus respectivas corrientes.
Aplicar Vi=10Vdc, medir con el multímetro los voltajes
en cada nodo con respecto a tierra, con estos valores,
determinar las corrientes y comparar con los valores
calculados y simulados.

D1 D2 D3 D1
A B C A
+ +
R2 D2

V i = + 10V c c R1 Vo V i = + 10V c c
Fig.13.Oscilosocpio Forma de onda diodo 100Khz 10 k 1 k D3

_ _
Fig.13.Esque
ma medición 1
Formas de onda para el Diodo 1N4148:
Calculado [V] Medido[V]
Vi 10 10
VA 9.43 9.28
VB 8.8 8.58
VC 8.16 7.87
Vo 8.16 7.87
Tabla 3: Mediciones

D1 D2 D3 D1 D4 D1
A B C A B
+ + + 15V c c
R2 D2
D2
V i = + 10V c c 10 k
R1
1 k
Vo V i = + 10V c c D3
R1
1 k
Vo + 5V c c
Fig.14.Oscilosocpio Forma de onda diodo 20Khz.
_ _ _

Fig.14.Esquema medición 2

Calculado [V] Medido[V]

Vi 10 9.9
VA 9.3 9.33
VB 8.5 8.63
Vo 8.5 8.6
5
 Tabla 4: Mediciones

D4 D1
A B
+ 15V c c
D2
R1
1 k
Vo + 5V c c
R1
1 k
Vo
_

Fig.15.Esquema medición 3 Resultados de simulación de Fig.14.

XMM3 XMM2
Calculado [V] Medido[V]
Vi 15 14.9
Vo 14.26 14.26
Tabla 5: Mediciones D2

1N4007
5.- SIMULACIONES: D3

XMM3 XMM2 1N4007

V1
XMM1 15V
V2 R2
5V 1kΩ

D2 D3 D1

1N4007 1N4007 1N4007

V1 R1 R2
10V 1kΩ
10kΩ
Simulación de Fig.15.

Simulación de Fig.13.

Resultados de Simulación de Fig.15.

Resultados de simulación de la Fig.13.
XMM3 XMM2
6.- ANEXOS.

7.- CONCLUSIÓNES
D2 D1

1N4007 1N4007
D3 8.- BIBLIOGRAFIA.
V1
1N4007 R2 [1] Boylestad Robert, Nashelski Louis, Teoría de
D4
10V 1kΩ circuitos y dispositivos electrónicos,10ma
1N4007 edición, Prentice Hall, Mexico, 2009.
[2] Area, T. (2000). Diodo Semiconductor.
http://www.areatecnologia.com/electronica/el-
diodo.html.

Simulación de Fig.14.