Prac 01

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO CIRCUITOS ELÉCTRICOS
Fecha: 31/10/2022 INDUSTRIALES
CARACTERIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA

MOSFET E IGBTs
Práctica 1
Leonardo David Lugmaña Chulca
[email protected]
Wilman Fernando Paucar Paucar
[email protected]
RESUMEN: En este Practica se dará a conocer La resistencia estado activo rDS(enc) del mosfet
sobre características técnicos acerca transistores entre la conexión de drenaje y la fuente aumenta
de potencia Mosfet y IGBT, para conocer sus rápidamente conforme al voltaje nominal de
cualidades básicas de funcionamiento. bloqueo del dispositivo. En un área por unidad la
resistencia del estado activo como función del
PALABRAS CLAVE: características, mosfet, voltaje nominal de bloqueo BVDSS se expresa
IGBT, potencia. como:
1. OBJETIVOS r DS(enc) =k BV DSS (1)

1
1.1 Objetivo General PS = V d I O F S ( t c (enc ) +t c (apag ) ) (2)
2
Observar las características y diferencias de
funcionamiento de los transistores de potencia dónde k es una constante que depende de la
IGBT Y MOSFET. geometría del dispositivo. Por eso, sólo están
disponibles dispositivos con voltajes nominales
pequeños, los cuales tienen una baja resistencia
1.2 Objetivos Específicos
del estado activo y, por tanto, pérdidas de
conducción pequeñas.
Caracterizar el funcionamiento de los
transistores de potencia IGBT.
Caracterizar el funcionamiento de los

transistores de potencia MOSFET.
2. MARCO TEÓRICO
2.1 Transistores de efecto de
campo de metal-oxido-semiconductor.
El símbolo de circuito de un MOSFET de canal

n se muestra en la figura1. Se trata de un
dispositivo controlado por tensión, como lo indica
en las características i-v que se muestran en la
figura2. El dispositivo esta por completo encendido
y se parce a un interruptor cerrado cuando la
tensión de fuente de puerta esta debajo del valor
umbral VGS(th). Las características idealizadas del
dispositivo en operación como interruptor se
muestran en la figura3. [1] [1]
Figura 1. Mosfet
Los transistores de efecto de campo de metal-
oxido-semiconductor requieren la aplicación Sin embargo, debido a una gran velocidad de
continua de tensión puerta-fuente correspondiente conmutación, las pérdidas por conmutación
a fin de estar en el estado activo. No hay flujo de pueden ser pequeñas en comparación con la
corriente de puerta, excepto durante las ecuación 2. Desde el punto de vista de pérdida de
transiciones de encendido a apagado, o viceversa, energía total, los mosfet de 300-400v compiten
cuando la capacitancia de la puerta se está con transistores bipolares solo si la frecuencia de
cargando o descargando. Los tiempos de conmutación sobrepasa los 30 a 100 khz. Sin
conmutación son muy cortos y se encuentran en el embargo, no se puede afirmar nada definitivo
rango de unas cuantas decenas de nanosegundos acerca de la frecuencia de cambio porque
a unos cientos de nanosegundos lo que depende depende de las tensiones de operación, donde las
del tipo de dispositivo. tensiones bajas favorecen al mosfet.
[1] [2]
1
Los transistores de efecto de campo de metal ejemplo, V(enc) pis de 2 a 3 V en un dispositivo de

óxido semiconductor están disponibles en voltajes 1000 V). Parecidos al GTO, los IGBT se pueden
nominales de más de 100 voltios, pero con diseñar para bloquear tensiones negativas, como
corrientes nominales pequeñas y hasta 100 A con lo indican sus características de conmutación
voltajes nominales pequeños. el máximo de voltaje idealizadas que se muestran en la figura 6.
de puerta fuente es de ±20 v, aunque hay [3]
disponibilidad de mosfet controlables por señales
de 5 voltios. Y los transistores bipolares de puerta aislada
tienen tiempos de conexión y desconexión en el
Puesto que su resistencia de estado activo orden de 1us, y están disponibles módulos en
tiene un coeficiente de temperatura positivo, los rangos de hasta 1700V y 1200A. están previstos
mosfet se pueden conectar fácilmente en paralelo. rangos de tensión de hasta 2 a 3 kV.
Esto causa que el dispositivo que conduce la
corriente más alta se caliente y de este modo la
obliga a compartir en forma igualitaria su corriente
y los demás mosfet en paralelo.
[1]
Figura 4. IGBT
[1]
Figura 2. Características I-V
[1]
Figura 5. Características i-v del IGBT
[1]
Figura 3. Características Ideales I-V
2.2 Transistores bipolares de

puerta aislada IGBT.
El símbolo de circuito para un IGBT Se
muestra en la figura 4 y sus características de i-v [1]
en la figura 5. Los IGBT tienen algunas de las Figura 6. Características ideales del IGBT
ventajas de los mosfet, bjt y gto combinados.
Parecido al mosfet, el IGBT tiene una puerta de 3. MATERIALES Y EQUIPO
alta impedancia que sólo requiere una pequeña
cantidad de energía para conmutar al dispositivo.  PE-5310-1 Módulo DC POWER SUPPLY
Igual quién es BJT, el IGBT Tiene un voltaje de (±15V)
estado activo pequeño, incluso en dispositivos con  PE-5310-5E Módulo MOSFET – IGBT
grandes voltajes nominales de bloqueo (por SET
2
 PE-5310-2B Módulo Differential Amplifier

 Osciloscopio GDS-2102ª
 Multímetro Fluke
 Cables Banana-Banana
 Cable de fuente de110[V] y 220 [V]
4. DESARROLLO Y
PROCEDIMIENTO
5. ANÁLISIS Y RESULTADOS
6. CONCLUSIONES
El MOSFET sirve para aplicaciones de bajo
voltaje y conmutación rápida, mientras que el IBJT
se utiliza en aplicaciones de alto voltaje y
conmutación lenta. Determinado al IBJT
propiedades tanto del MOSFET como el BJT.
7. RECOMENDACIONES
Se recomienda utilizar fusibles de protección
para evitar quemar los equipos de laboratorio. Los
mismos que son pedidos con anticipación por la
docente.
Tener conocimiento para utilizar

adecuadamente el osciloscopio para poder
manipular de manera adecuada las señales que
se van a determinar.
8. REFERENCIAS
[1] Mohan, N. (2012). Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y

diseño (3a. ed.).. McGraw-Hill España.
https://bibliotecas.ups.edu.ec:3488/es/lc/bibliotecaups/titulos/36572
[2] https://www.geeknetic.es/MOSFET/que-es-y-para-que-sirve#:~:text=Las%20siglas
%20MOSFET%20vienen%20de,de%20campo%20metal%2D%C3%B3xido
%20semiconductor.
[3] https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par
%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento.
3

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CARACTERIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA

1. OBJETIVOS r DS(enc) =k BV DSS (1)

Caracterizar el funcionamiento de los

El símbolo de circuito de un MOSFET de canal

Los transistores de efecto de campo de metal ejemplo, V(enc) pis de 2 a 3 V en un dispositivo de

2.2 Transistores bipolares de

 PE-5310-2B Módulo Differential Amplifier

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[1] Mohan, N. (2012). Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y

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