PE - Práctica#2 Diodos Caracteristicas y Aplicaciones

Laboratorio de Principios de Electrónicas
PRÁCTICA # 2
DIODOS - CARACTERÍSTICAS Y APLICACIONES
OBJETIVOS
• Analizar el efecto de la frecuencia en la selección de un diodo.
• Identificar la configuración de circuitos recortadores y sujetadores.
MATERIALES Y HERRAMIENTAS.
✓ Fuente DC ✓ Pot= 5 [kΩ]
✓ Multímetro ✓ R= 100 [Ω]
✓ Generador de funciones ✓ R= 1 [kΩ]
✓ Osciloscopio ✓ R= 4.7 [kΩ]
✓ D= 1N4007 ✓ R= 39 [kΩ]
✓ Z= 1N4733 ✓ Cables Banana-Banana
INTRODUCCIÓN.
Un diodo semiconductor de estado sólido es un componente electrónico fabricado a partir
de un material base semiconductor sobre el que se difunde una unión P-N, donde el terminal
correspondiente a la zona P se denomina ánodo (A) y el correspondiente a la zona N cátodo
(K). En la figura adjunta queda reflejada la constitución de una unión P-N y el símbolo
genérico utilizado para representar un diodo, así como la curva característica del mismo.
Fig. 1: Símbolo y curvas características de los diodos de Silicio y Germanio.
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Los diodos pueden trabajar con polarización directa y polarización inversa, en la
polarización directa el diodo conduce de ánodo a cátodo, en este caso la corriente
atraviesa al diodo comportándose de forma ideal como un cortocircuito. En el caso
de polarización inversa el diodo se comporta de forma ideal como un circuito
abierto, siempre que no se supere el voltaje inverso pico VIP que soporte el diodo.
Por otra parte, los diodos zener aprovechan el voltaje inverso pico como zona de
trabajo principal, esto quiere decir que trabajan con polarización inversa de cátodo
a ánodo para comportarse de forma ideal como una fuente de voltaje, los mismo se
fabrican desde 2 a 200 voltios típicamente, en polarización directa se comportan
igual que un diodo normal.
Fig. 2: Curva característica del diodo zener 1N4733.
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PRE - PRÁCTICA # 1
DIODOS - CARACTERÍSTICAS Y APLICACIONES
NOMBRE: ……………………………………………………….....
PARALELO: ……………………………………………………….
PROCEDIMIENTO.
Tiempo de recuperación inverso.
1. Armar el circuito en el tablero universal para verificación de tiempo de
recuperación inverso mostrado en la figura.
D1
1N4007
V1
VOFF = 0 R1
VAMPL = 10 1k
FREQ = 60
AC = 1
0 0
Fig. 3: Circuito para verificación de tiempo de recuperación inverso.
2. Configurar el generador de funciones.

3. Alimentar el circuito.
4. Verificar en el osciloscopio las señales de entrada y salida colocando las puntas de
prueba de la siguiente manera:
Ch1 – Vi Ch2 – Vo
5. Realizar cambios en la frecuencia de entrada y observar en el osciloscopio las
formas de onda.
Recortador de señales.
1. Armar el circuito en el tablero universal para verificación de tiempo de
recuperación inverso mostrado en la figura.
R1
Vi Vo
4.7k D1
1N4007
V1 R2
VOFF = 0 39k
VAMPL = 10 V2
FREQ = 100
AC = 1 2V
0 0 0
Fig. 4: Circuito recortador.
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2. Configurar el generador de funciones.
3. Alimentar el circuito.
4. Verificar en el osciloscopio las señales de entrada y salida colocando las puntas de
prueba de la siguiente manera:
Ch1 – Vi Ch2 – Vo
formas de onda.
Recortador de señales.
1. Del circuito anterior, reemplazar el resistor de 4.7kΩ por un capacitor de 1uF

de tal manera que se obtenga el circuito sujetador mostrado en la figura.
C1
Vi Vo
1u
D1
1N4007
V1 R2
VOFF = 0 39k
VAMPL = 10 V2
FREQ = 100
AC = 1 2V
0 0 0
Fig. 5: Circuito sujetador.
2. Repita los mismos pasos del experimento anterior.

formas de onda.
Limitador de voltaje.
1. Arme en el tablero universal el circuito limitador de voltaje mostrado en la figura.
R1
Vi Vo
1k
R2
100
V1 D1
1N4733 R3
15V
5K
0 0 0
Fig. 6: Limitador de voltaje.
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2. Configurar la fuente DC.
3. Variar el potenciómetro mientras se verifica con el multímetro el voltaje de salida.
4. Observe las lecturas que presenta el multímetro a variar el potenciómetro.
VÍDEO.
Vea el siguiente vídeo de la implementación de la presente práctica en el canal de YouTube
del Laboratorio (PE Práctica #1), adicional a esto, verifique con el proceso anterior.
Después de ver el vídeo correspondiente a la Práctica # 2, llene las tables y conteste la
sección de preguntas.
TABLAS DE RESULTADOS.
Circuito 1
Frecuencia a la que el diodo empieza a
conducir en el semiciclo negativo
Circuito 2
Voltaje de recorte en Vo con Vdc = -2 V
Voltaje de recorte en Vo con Vdc = 2 V
Circuito 3
Vo pico-pico con f = 25 Hz
Circuito 4
Voltaje de encendido del diodo 1n4733
Voltaje Vo máximo con el diodo conectado
Voltaje Vo máximo con el diodo desconectado
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PREGUNTAS.
1. ¿Qué es el tiempo de recuperación inverso?
2. ¿A qué frecuencia en el circuito del procedimiento # 1 se pierde la

rectificación de media onda?
3. ¿Cuál es la diferencia entre un circuito recortador y un sujetador?
4. ¿A qué se denomina circuito limitador de voltaje?
5. Diseñe un circuito multiplicador de voltaje que entregue hasta cinco veces

el voltaje de entrada.
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Fig. 1: Símbolo y curvas características de los diodos de Silicio y Germanio.

Fig. 2: Curva característica del diodo zener 1N4733.

Fig. 3: Circuito para verificación de tiempo de recuperación inverso.

2. Configurar el generador de funciones.

1. Del circuito anterior, reemplazar el resistor de 4.7kΩ por un capacitor de 1uF

2. Repita los mismos pasos del experimento anterior.

Fig. 6: Limitador de voltaje.

2. ¿A qué frecuencia en el circuito del procedimiento # 1 se pierde la

3. ¿Cuál es la diferencia entre un circuito recortador y un sujetador?

4. ¿A qué se denomina circuito limitador de voltaje?

5. Diseñe un circuito multiplicador de voltaje que entregue hasta cinco veces

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