PRACTICA DE LABORATORIO 1 – DIDIO DE UNIÓN P-N y MULTISIM ONLINE

Integrante 1(Castillo Valle, Roberto Carlos, CV200168)

[email protected]
Integrante 2 (Iraheta Torres, Andrés Fernando, IT191807)
[email protected]
Integrante 3 (Durán Tejada, Walter Daniel, DT191406)
[email protected]
Grupo de Laboratorio # 02

RESUMEN: 3 DESCRIPCION DEL DESARROLLO

En la electrónica es demasiado importante conocer Posterior a la explicación teórica del docente, se
dos tipos de polarizaciones principales: polarización procede a hacer el análisis de los diodos
inversa y directa. Los materiales semiconductores, 3.1 Comprobación de Diodos
conducen la corriente, o no, según las condiciones 1. Verificar que el entrenador PU-2000 se
externas. En un circuito eléctrico mediante la encuentran apagados, y que los controles
polarización de sus terminales: ánodo y cátodo. Los
estén ajustados a su posición mínima.
materiales base para la construcción de los
2. Se verifica visualmente si posee algunas de
semiconductores son Silicio y Germanio.
En esta práctica también se hace uso de NI las características físicas relevantes y
MULTISIM, que es un programa de simulación que es anotarlas. Posteriormente verificar el estado
parte de un conjunto de programas de diseño, de los diodos uno por uno con el multímetro.
simulación y captura de circuitos. 3. Repetir el proceso con D2, D3 y D4.
PALABRAS CLAVE: Ánodo, cátodo, circuito 4. Se apaga el multímetro y el PU-2000
eléctrico.
3.2 Características de los Diodos –
Polarización Directa.
1 INTRODUCCIÓN 1. Dentro de la placa DEGEM EB-11, se identificó
el circuito que contiene el diodo D1, y utilizar
Al desempeñarse en el campo de la electrónica, es un puente para conectar R1 Y D1.
muy importante tener la capacidad de identificar si un 2. El canal 1 del Osciloscopio se conecta al
componente está dañado o no. Para el caso de los circuito, para medir la tensión directa del diodo
diodos, una de las maneras más fáciles es mediante 3. Se ajusta la sensibilidad a 0.1 Voltios/División
la aplicación del multímetro, o “tester”. para empezar.
El multímetro con la escala del diodo se polariza
4. El trazo horizontal del osciloscopio, debe
utilizando (usando la batería del multímetro), tanto en
colocarse en la última línea de la pantalla con
directa como en inversa. De conectarse de manera
directa, el multímetro mostrará el valor del voltaje de el control Y-POS, y se utilizará el acople DC.
umbral de dispositivo; mientras que, en el caso de 5. Se enciende el equipo, y la fuente PS-1 debe
conexión inversa, mostrará una indicación de circuito ajustarse para que la tensión aplicada al diodo
abierto. sea de 0.1 V, medido en el osciloscopio
6. Tomar el valor de la corriente que circula por el
circuito y repetir los pasos anteriores con los
2 OBJETIVOS otros valores.
2.1 OBJETIVO GENERAL 7. Apagar el PU-2000 y desconectar el
amperímetro.
Analizar y comprobar el funcionamiento del diodo P-N
mediante la utilización de multímetros, y aplicar el 3.3 Características de los Diodos –
conocimiento teórico a los softwares de simulación. Polarización Inversa
1. El voltaje PS-2 debe estar ajustado en cero,
2.2 OBJETIVO ESPECÍFICOS girando totalmente hacia la izquierda en el
potenciómetro respectivo
- Verificar el estado de un diodo 2. Las conexiones deberán ser de manera
- Trazar la curva característica I D vrs . V D a contraria a cómo se conectó en la polarización
partir de datos experimentales directa
- Realizar la simulación de varios circuitos con 3. Se mide la corriente del circuito, y se anota los
diodos en NI MULTISIM. datos obtenidos. Repetir los procesos
mencionados con los otros valores.
4 RESULTADOS DE LA 7 SIMULACIÓN EN NI MULTISIM
IMPLEMENTACION 7.1 Polarización Directa
Diodo Medición en Medición Coeficiente de emisión N=1
(Número) directa en inversa Estado Polarización Directa
Escala MΩ Ω V D (mV ) I (mA )
D1 (N4007) 634 3.3 - - BUENO 0 0
D2 15. 50 59e-6
722 - - BUENO
(ZENER) 5 100 4.61e-6
D3 200 22.8e-3
715 14 - - BUENO
(ZENER) 300 1.09
D4 (LED) 1464 - - -3.3 BUENO 310 1.6
Tabla 1 320 2.37
330 3.49
Polarización Directa
340 5.12
V D (V ) I (mA ) Tabla 5
0 0 Circuito:
0.1 0 https://www.multisim.com/content/
0.2 0 3URsfX4K4M2WAGZtqW8RBh/diodo-polarizacion-
0.3 0 directa/
0.4 0.05
0.45 0.11 Coeficiente de emisión N=2
0.5 0.21 Polarización Directa
0.55 0.35 V D (mV ) I (mA )
0.6 0.51 0 0
0.65 0.64 50 16.3e-6
0.7 0.82 80 36.9e-6
Tabla 2 100 59.1e-6
150 171.3e-6
Polarización Inversa 200 464.5e-6
V D (V ) I (mA ) 300 3.1e-3
0 0 450 60e-3
-1 0 525 257e-3
-5 0 600 1.09
-10 0 725 12.2
Tabla 3 Tabla 6
Circuito:
https://www.multisim.com/content/xqEh2fTx5jisPPyM
5 ECUACIONES s7a6BK/diodo-polarizacion-directa-2/

Ecuación de Shockley Voltaje Térmico 7.2 Polarización Inversa

( ) kT
VD Coeficiente de emisión N=1
nVT V T=
I D =I S e −1 q Polarización Directa
V D (V ) I (nA)
6 COMPONENTES ELECTRÓNICOS 0 0
 1 computadora 1 10.002
 1 diodo 1N4001 (D1) 2 10.004
 1 diodo 1N4148 (D2) 5 10.01
 1 diodo LED (D3) 10 10.02
 1 diodo 1N34 (D4) 20 10.04
 1 placa DEGEM EB-111 40 10.08
70 10.14
 2 cables de conexión para osciloscopio
100 10.2
 2 cables de conexión para multímetro
150 10.3
 4 cables de 2mm de conexión para PU 2000
200 10.4
 1 osciloscopio de doble trazo (Picoscope)
Tabla 7
 1 unidad PU-2000 con PU-2200
Circuito:
https://www.multisim.com/content/9k7ZJUZdYV9ZKF
BUEwLnpM/diodo-polarizacion-inversa/
Coeficiente de emisión N=2
Polarización Directa
V D (V ) I (nA)
0 0
1 10.002 PARTE II:
2 10.004
5 10.01
10 10.02
ID vs VD
n=2
20 10.04 15
40 10.08
70 10.14 10
n=1

I(mA)
100 10.2
5
150 10.3
200 10.4 0
Tabla 7 0 100 200 300 400 500 600 700 800
Circuito: V(mV)
https://www.multisim.com/content/zfKpRvt73KsztSNJ
qVNP3k/diodo-polarizacion-inversa-2/
Figura 8.3: Simulación de la polarización directa
8 ANÁLISIS DE RESULTADOS

8.1 Gráficas de relación I D vrs V D ID vs VD

15
PARTE I:
10
I(nA)

5
0
0 50 100 150 200 250
V (v)

Figura 8.4: Simulación de la polarización inversa

8.2 Curva característica

Figura 8.1: Polarización Directa

VD ID
0 0
0.1 4.48E-10
0.2 2.10E-08
0.3 9.06E-07
0.4 4.40E-05
0.45 2.98E-04
0.5 2.00E-06
Figura 8.2: Polarización Inversa
0.55 0.014
0.6 0.092
0.65 0.624
0.7 4.22
 edición. PRENTICE HALL 1999.

Figura 8.5: Curva característica del diodo utilizando la

ecuación de Shockley
8.3 Comparación de datos obtenidos
(Laboratorio – MULTISIM)
Los datos simulados y obtenidos en la práctica son
similares, sin embargo, debido a que el multímetro no
es exacto, hacía que en algunos casos midiera a
cero.

8.4 Diodos de Silicio (Laboratorio vs

MULTISIM)

Figura 8.6: Gráfico comparativo de los resultados del

diodo de Silicio del laboratorio y simulación.

9 BIBLIOGRAFÍA
[1] Hayt, W. – Kemmerly, J. “Análisis de circuitos en
ingeniería”, séptima edición, MCGRAW HILL
2007.
[2] DEGEM SYSTEMS “Curso EB-111 Fundamentos
de los semiconductores I”, Segunda edición. I.T.S
Inter Training Systems Ltd 1993.
[3] Boylestad, R - Nashelsky, L, “Electrónica: Teoría
de Circuitos y dispositivos electrónicos”, sexta