6.1. - Transistores FET
6.1. - Transistores FET
6.1. - Transistores FET
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El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias
aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT descritas en los capítulos
2 anteriores. Aun cuando existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, también
hay muchas semejanzas.
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, como se ilustra en la figura (a), en tanto
que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se muestra en la figura (b).
• La variación de la corriente de entrada, en general, es mucho mayor para los BJT que
para los FET con el mismo cambio del voltaje aplicado.
• Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores
que para los FET.
• Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más pequeños
que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI).
Tipos de FET
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❖ El transistor de efecto de campo de unión (JFET)
❖ El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET).
Su estabilidad térmica y otras características generales hacen que sean
extremadamente populares en el diseño de circuitos de computadora. Sin embargo,
por ser un elemento discreto confinado en un contenedor acoplado, requiere un manejo
cuidadoso
El nivel de VDS que establece la condición de estrangulamiento se conoce como voltaje de estrangulamiento y
lo denota Vp, como se muestra en la curva ID vs VDS. En realidad, el término estrangulamiento es un nombre
incorrecto en el sentido de que sugiere que la corriente ID se reduce a 0 A. Según la curva ID vs VDS; ID
mantiene un nivel de saturación definido como IDSS..
En realidad sigue existiendo un canal muy pequeño, con una corriente muy alta.
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Una vez que VDS > Vp, el JFET tiene las características de una fuente de
corriente. Como se muestra en la figura, la corriente se mantiene fija en el
valor ID =IDSS, pero la carga aplicada determina el voltaje VDS (para
niveles > Vp).
En la mayoría de las hojas de especificaciones el
9 voltaje de estrangulamiento se especifica como
VGS(off) en lugar de Vp.
A medida que VGS se vuelve más y más negativo, la pendiente de cada curva se
hace más horizontal, lo que corresponde a una resistencia cada vez más grande.
Resistor controlado por voltaje La región a la izquierda del lugar geométrico del estrangulamiento
en la figura se conoce como región óhmica o de resistencia
controlada por voltaje.
10 En esta región el JFET en realidad se puede emplear como un
resistor variable (posiblemente para un sistema de control de
ganancia automático) cuya resistencia la controla el voltaje aplicado
de la compuerta a la fuente.
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RELACIONES
IMPORTANTES
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La línea punteada entre el drenaje (D) y la fuente (S) se selecciona para reflejar el hecho
de que no existe un canal entre los dos en condiciones sin polarización.
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22 Polarización de los FET
La variable de control de entrada para un transistor BJT es un nivel de corriente, en tanto que
para el FET la variable de control es un voltaje.
En ambos casos, BJT o FET, la variable controlada en el lado de salida es un nivel de corriente
que también define los niveles de voltaje importantes del circuito de salida.
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CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
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clear all
syms VGS
IDss=0.008
Vp=-6
ID = IDss*(1-VGS/Vp)^2
ezplot(ID)
xlim([-6,0])
ylim([0,0.008])
grid
clear all
31 syms VGS
IDss=0.008
Vp=-6
ID = IDss*(1-VGS/Vp)^2
figure
hold on
%curva del FET
ezplot(ID)
% recta de carga
% configuracion autopolarizacion
Rs=1000
ID=-VGS/Rs
ezplot(ID)
xlim([-6,0])
ylim([0,0.008])
xlabel('VGS')
ylabel('IDss')
legend('FET','RECTA CARGA')
title('Determinacion del punto Q')
grid
hold off
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https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnTPTwRo&list=PLDA-p-_qQzAx37rRW
kqWjYnHeKiBbQwXZ
https://www.youtube.com/watch?v=XyrdtzHON5g
https://www.youtube.com/watch?v=t7JFf9NVGbY&list=PLDA-p-_qQzAx37rRWk
qWjYnHeKiBbQwXZ&index=4
https://www.youtube.com/watch?v=NZfDLnJ9VwQ
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Divisor de voltaje
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Taller
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MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los MOSFET tipo
57 empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET tipo enriquecimiento son muy
diferentes de cualesquiera otras obtenidas hasta ahora.
Para niveles de VGS > VT, la corriente de drenaje está relacionada con el
VGS aplicada por la siguiente relación no lineal:
61 En primer lugar, se traza un línea horizontal por ID = 0 mA desde VGS = 0 V hasta VGS = VT
A continuación se selecciona un nivel de VGS mayor que VT, y se sustituye en la ecuación para determinar el nivel
resultante de ID
Por último, se seleccionan niveles adicionales de VGS y se obtienen los niveles de ID resultantes.
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Para la línea de polarización de la red
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MOSFET tipo enriquecimiento.
Configuración de polarización por medio del divisor de voltaje
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Determinamos la recta de carga
Para el análisis sólo se requiere que primero abordemos el dispositivo que proporcionará un
nivel de corriente o voltaje en las terminales.
En general luego se abre la puerta para calcular otras cantidades y concentrarse en las
incógnitas restantes.
Las ecuaciones y relaciones utilizadas son las que se emplearon en más de una ocasión; no se
requiere desarrollar métodos nuevos de análisis.
La configuración del divisor de voltaje(para el BJT) es aquella en la que se puede
aplicar la técnica aproximada
ID=IE
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entonces se cumple que:
Se puede determinar VB utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada.
MANEJO DEL MOSFET
La delgada capa de SiO2 (dióxido de silicio) entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de
71 proporcionar una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo, pero su manejo se dificulta por su capa
extremadamente delgada, lo que no sucedía con los transistores BJT o JFET.
A menudo se acumula suficiente carga estática (captada de los alrededores) para establecer una diferencia de potencial a
través de la delgada capa que puede destruirla y establecer conducción a través de ella. Es por consiguiente imperativo
dejar la envoltura de embarque (o anillo) de cortocircuito (o conducción) conectando los cables entre sí hasta que el
dispositivo se vaya a insertar en el sistema.
El anillo de cortocircuito evita que se aplique un potencial a través de dos terminales cualesquiera del dispositivo. Con el
anillo, la diferencia de potencial entre dos terminales cualesquiera se mantiene a 0 V. En el último de los casos siempre
tocan tierra para
que se descargue la carga estática acumulada antes de manipular el dispositivo y siempre toca al transistor por su
cápsula.
A menudo existen valores transitorios (cambios agudos de voltaje o corriente) en una
72 red cuando se quitan o insertan elementos si la energía está conectada. Los niveles
transitorios a menudo pueden ser mayores que los que el dispositivo puede manejar y
por consiguiente la energía siempre deberá estar desconectada cuando se hagan
cambios en la red.
Una de las desventajas del MOSFET típico son los niveles de manejo de potencia reducidos (en general,
73 menores que 1 W) comparados con los transistores BJT.
Esta deficiencia para un dispositivo con tantas características positivas se puede mitigar si se cambia el modo
de construcción de naturaleza plana como el de la figura 1 a una estructura vertical como se muestra en la
figura 2
figura 1 figura 2
En general los VMOS, comparados con los MOSFET planos comercialmente disponibles, los VMOS
FET tienen niveles de resistencia de canal reducidos y valores de potencia y corriente más altos.
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Adicionalmente los VMOS:
1.- Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura positivo, el cual combate la posibilidad de
desbordamiento térmico.
2.- Los niveles almacenados de carga reducidos aceleran los tiempos de conmutación para la
construcción de VMOS, comparados con los de la construcción plana convencional.
3.- Los dispositivos VMOS en general tienen tiempos de conmutación de menos de la mitad que los
transistor BJT típico.
CMOS
Se puede establecer un dispositivo lógico muy efectivo construyendo un MOSFET de canal p y uno de
75 canal n en el mismo sustrato como se muestra en la figura
La configuración se conoce como una disposición de MOSFET complementaria (CMOS); tiene gran aplicación en el diseño de lógica
de computadora. La relativa alta impedancia de entrada, las rápidas velocidades de conmutación y los bajos niveles de potencia de
operación de la configuración CMOS, han dado por resultado una disciplina totalmente nueva conocida como diseño de lógica
CMOS.
Un uso muy efectivo de la configuración complementaria es un inversor, como se muestra en la figura (CMOS inversor)
LOS MESFET
Es importante tener en cuenta, que el canal debe ser de material tipo n en un MESFET. La
movilidad de los huecos en GaAs es relativamente baja comparada con la de portadores de
carga negativa por lo que se pierde la ventaja de utilizar GaAs en aplicaciones de alta
velocidad. Los MESFET tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento se hacen con un
canal n entre el drenaje y la fuente y, por consiguiente, sólo los MESFET tipo n son
comerciales.
Taller
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Amplificadores con FET
Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia
81 de voltaje con la ventaja adicional de una alta impedancia de entrada. También son
configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen intervalo de frecuencia, y peso y
tamaño mínimos. Se pueden utilizar JFET, MOSFET de empobrecimiento y MESFET para
diseñar amplificadores con ganancias de voltaje semejantes. El circuito con MOSFET de
empobrecimiento, sin embargo, tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una
configuración con JFET similar.
Mientras un dispositivo BJT controla una gran corriente de salida (del colector) por medio
de una corriente de entrada (de la base) relativamente pequeña, el dispositivo FET controla
una corriente de salida (del drenaje) por medio de un pequeño voltaje de entrada.
En general, por consiguiente, el BJT es un dispositivo controlado por corriente y el FET es un
dispositivo controlado por voltaje. En ambos casos, sin embargo, observe que la corriente de
salida es la variable controlada. Por la alta característica de entrada de los FET, en ocasiones
un modelo equivalente de ca es un poco más simple que el que se emplea para los BJT.
Mientras que el BJT tiene un factor de amplificación β (beta) el FET tiene un factor de
transconductancia, gm.
Puede utilizar el FET como amplificador lineal o como dispositivo digital en circuitos lógicos.
De hecho, el MOSFET de tipo enriquecimiento es bastante popular en circuitos digitales, sobre
todo en circuitos CMOS que requieren un muy bajo consumo de potencia. Los dispositivos
FET también tienen mucho uso en aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de
memoria intermedia (interfaz).
MODELO DEL JFET DE SEÑAL PEQUEÑA
82 El análisis de ca de una configuración del JFET requiere el desarrollo de un modelo de ca de señal pequeña para el JFET.
Un componente importante del modelo de ca reflejará el hecho de que un voltaje de ca aplicado a las terminales de
entrada de la compuerta a la fuente controlará el nivel de corriente del drenaje a la fuente.
El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal) de un JFET.
El cambio en la corriente del drenaje que resultará de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente, se determina
mediante el factor de transconductancia gm
Un método alternativo para determinar gm emplea el método que se utilizó para determinar la
resistencia de ca de un diodo.
88 La impedancia de entrada de todos los JFET comerciales es lo bastante grande para suponer que
las terminales de entrada se aproximan a un circuito abierto.
La magnitud de la impedancia de salida de los JFET es parecida a la de los BJT convencionales. En hojas de
especificaciones de los JFET, la impedancia de salida en general aparece como yos con las unidades de mS.
El parámetro yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia donde el subíndice o indica que
se trata de un parámetro de la red de salida y s la terminal (fuente) a la cual está conectado en el modelo.
Definición de rd utilizando las características de drenaje del JFET.
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Con el circuito equivalente de JFET definido, puede investigar varias configuraciones del JFET de
93 señal pequeña fundamentales. El método es semejante al análisis de ca de amplificadores con BJT,
donde se determinan los parámetros importantes de Zi , Zo y Av para cada una de las configuraciones.
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