6.1. - Transistores FET

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Transistores de efecto de campo

1
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias
aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT descritas en los capítulos
2 anteriores. Aun cuando existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, también
hay muchas semejanzas.

El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, como se ilustra en la figura (a), en tanto
que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se muestra en la figura (b).

Así como hay transistores bipolares npn y pnp, también existen


transistores de efecto de campo de canal n y de canal p.

El transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo “bi” indica que el


nivel de conducción es una función de dos portadores de carga,
electrones y huecos.

El FET es un dispositivo unipolar que depende sólo tanto de la


conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos
(canal p).
Características del FET
3

• Tiene alta impedancia de entrada. (desde 1 M ohms a varios cientos de megaohms)

• La variación de la corriente de entrada, en general, es mucho mayor para los BJT que
para los FET con el mismo cambio del voltaje aplicado.

• Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores
que para los FET.

• Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más pequeños
que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI).
Tipos de FET
4
❖ El transistor de efecto de campo de unión (JFET)
❖ El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET).
Su estabilidad térmica y otras características generales hacen que sean
extremadamente populares en el diseño de circuitos de computadora. Sin embargo,
por ser un elemento discreto confinado en un contenedor acoplado, requiere un manejo
cuidadoso

➢ La categoría MOSFET se divide aún más, en dos tipos de empobrecimiento y de


enriquecimiento,

❖ MESFET, transistor de efecto de campo semiconductor metálico.


El MESFET aprovecha al máximo la ventaja de las características de alta velocidad del
GaAs como material semiconductor base. Aun cuando en la actualidad es la opción
más cara, el tema del costo a menudo es superado por la necesidad de mayores
velocidades en diseños de radiofrecuencia y de computadoras.
CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET
El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
5
Observe que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual
forma el canal entre las capas incrustadas de material p. La parte superior
del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico a un
material conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior del
mismo material está conectado mediante un contacto óhmico a una
terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo p están
conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G).

Sin potenciales aplicados, el JFET tiene dos


uniones p-n en condiciones sin polarización.
6
IDSS es la corriente de drenaje
máxima para un JFET y está
definida por la condición VGS=0V
7 y VDS > |Vp|.

La ruta reducida de conducción


(estrangulamiento fuerte) hace que la
resistencia se incremente. Cuanto más
horizontal sea la curva, más alta será la
resistencia, lo que indica que la
resistencia se está acercando a un valor
“infinito” de ohms en la región horizontal.
Si VDS se incrementa a un nivel donde
pareciera que las dos regiones de
empobrecimiento “se tocarán” como se
muestra en la figura, se tiene una
condición conocida como
estrangulamiento.

El nivel de VDS que establece la condición de estrangulamiento se conoce como voltaje de estrangulamiento y
lo denota Vp, como se muestra en la curva ID vs VDS. En realidad, el término estrangulamiento es un nombre
incorrecto en el sentido de que sugiere que la corriente ID se reduce a 0 A. Según la curva ID vs VDS; ID
mantiene un nivel de saturación definido como IDSS..
En realidad sigue existiendo un canal muy pequeño, con una corriente muy alta.
8

Una vez que VDS > Vp, el JFET tiene las características de una fuente de
corriente. Como se muestra en la figura, la corriente se mantiene fija en el
valor ID =IDSS, pero la carga aplicada determina el voltaje VDS (para
niveles > Vp).
En la mayoría de las hojas de especificaciones el
9 voltaje de estrangulamiento se especifica como
VGS(off) en lugar de Vp.

A medida que VGS se vuelve más y más negativo, la pendiente de cada curva se
hace más horizontal, lo que corresponde a una resistencia cada vez más grande.
Resistor controlado por voltaje La región a la izquierda del lugar geométrico del estrangulamiento
en la figura se conoce como región óhmica o de resistencia
controlada por voltaje.
10 En esta región el JFET en realidad se puede emplear como un
resistor variable (posiblemente para un sistema de control de
ganancia automático) cuya resistencia la controla el voltaje aplicado
de la compuerta a la fuente.

rd es la resistencia para un determinado VGS.

donde ro es la resistencia con VGS = 0 V

Ejemplo: Para un JFET de canal n con ro =10 k Ohm (VGS = 0 V, Vp = - 6 V).


La ecuación da rd= 40 k Ohm para VGS = - 3 V.
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Símbolos
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La ecuación de Shockley define la relación entre ID y VGS

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RELACIONES
IMPORTANTES
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La línea punteada entre el drenaje (D) y la fuente (S) se selecciona para reflejar el hecho
de que no existe un canal entre los dos en condiciones sin polarización.
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22 Polarización de los FET
La variable de control de entrada para un transistor BJT es un nivel de corriente, en tanto que
para el FET la variable de control es un voltaje.

En ambos casos, BJT o FET, la variable controlada en el lado de salida es un nivel de corriente
que también define los niveles de voltaje importantes del circuito de salida.

La ecuación de Shockley se aplica a los JFET, a Para los MOSFET tipo


los MOSFET tipo empobrecimiento y a los enriquecimiento y los MESFET, es
MESFET para relacionar sus cantidades de aplicable la siguiente ecuación:
entrada y salida:
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
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26
Taller

27
CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
28

Los capacitores pueden ser


reemplazados por “circuitos
abiertos” y el resistor RG
por un equivalente de
cortocircuito, puesto que
IG =0.
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30

clear all
syms VGS
IDss=0.008
Vp=-6
ID = IDss*(1-VGS/Vp)^2
ezplot(ID)
xlim([-6,0])
ylim([0,0.008])
grid
clear all
31 syms VGS
IDss=0.008
Vp=-6
ID = IDss*(1-VGS/Vp)^2
figure
hold on
%curva del FET
ezplot(ID)
% recta de carga
% configuracion autopolarizacion
Rs=1000
ID=-VGS/Rs
ezplot(ID)
xlim([-6,0])
ylim([0,0.008])
xlabel('VGS')
ylabel('IDss')
legend('FET','RECTA CARGA')
title('Determinacion del punto Q')
grid
hold off
32
33

https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnTPTwRo&list=PLDA-p-_qQzAx37rRW
kqWjYnHeKiBbQwXZ

https://www.youtube.com/watch?v=XyrdtzHON5g

https://www.youtube.com/watch?v=t7JFf9NVGbY&list=PLDA-p-_qQzAx37rRWk
qWjYnHeKiBbQwXZ&index=4

https://www.youtube.com/watch?v=NZfDLnJ9VwQ
34

observe que los niveles bajos de RS


acercan la línea de carga de la red al
eje ID, en tanto que los niveles
crecientes de RS la acercan al eje
VGS.
clear all
syms VGS
IDss=0.008
35 Vp=-6
ID = IDss*(1-VGS/Vp)^2
hold on
%curva del FET
ezplot(ID)
% recta de carga
% configuracion autopolarizacion
% cuando Rs=100
Rs=100
ID=-VGS/Rs
ezplot(ID)
% cuando Rs=10k
Rs=10000
ID=-VGS/Rs
ezplot(ID)
% cota para ejes
xlim([-6,0])
ylim([0,0.008])
xlabel('VGS')
ylabel('IDss')
legend('FET','RECTA CARGA
100','RECTA CARGA 10k')
title('Determinacion del punto Q')
grid
hold off
7.4 POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE
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7.5 CONFIGURACIÓN EN COMPUERTA COMÚN
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Como la curva de
transferencia de un
JFET cruzará el eje
vertical en IDSS la
corriente de drenaje
de la red se ajusta a
este nivel.
7.7 MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
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48

Antes de trazar la curva de la región positiva de VGS tenga en cuenta que ID se


incrementa muy rápido con los valores crecientes positivos de VGS. En este caso,
probamos 1 V como sigue:

el cual es lo suficientemente grande para finalizar el trazado.


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Divisor de voltaje
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55
Taller

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MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los MOSFET tipo
57 empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET tipo enriquecimiento son muy
diferentes de cualesquiera otras obtenidas hasta ahora.

La curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley


y la corriente de drenaje ahora es de corte hasta que el VGS alcance
una magnitud específica. En particular, el control de corriente en un
dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un voltaje positivo de
VGS en lugar de los voltajes negativos encontrados en los JFET de
canal n y en los MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

Para niveles de VGS > VT, la corriente de drenaje está relacionada con el
VGS aplicada por la siguiente relación no lineal:

El término k es una constante que es una función de la


construcción del dispositivo.
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MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO Para valores de VGS
menores que el nivel de
umbral (VT), la corriente de
60 drenaje de un MOSFET tipo
enriquecimiento es de 0 mA.

ID= 0mA para VGS <= VT


Ahora surge la pregunta sobre cómo graficar las características de transferencia dados los niveles de k y VT
incluidos a continuación para un MOSFET particular.

61 En primer lugar, se traza un línea horizontal por ID = 0 mA desde VGS = 0 V hasta VGS = VT
A continuación se selecciona un nivel de VGS mayor que VT, y se sustituye en la ecuación para determinar el nivel
resultante de ID

Por último, se seleccionan niveles adicionales de VGS y se obtienen los niveles de ID resultantes.

MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO


EJEMPLO Utilizando los datos proporcionados
en la hoja de especificaciones de la figura y un
voltaje de umbral promedio de VGS(Th) = 3 V,
62 determine:
a. El valor resultante de k para el MOSFET.
b. Las características de transferencia.

b. Las características de transferencia.


a. El valor resultante de k para el MOSFET.
MOSFET tipo enriquecimiento.

Configuración de polarización por realimentación.


63

Para el circuito de salida


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Trazo de la curva de transferencia :
Dos puntos se definen de inmediato como se muestra en la figura.

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Para la línea de polarización de la red

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MOSFET tipo enriquecimiento.
Configuración de polarización por medio del divisor de voltaje

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Determinamos la recta de carga

Con esta ecuación determinamos la


curva de operación del dispositivo
REDES COMBINADAS
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Con el análisis de cd de varias configuraciones de BJT y FET establecido, se presenta la


oportunidad de analizar redes con ambos tipos de dispositivos.

Para el análisis sólo se requiere que primero abordemos el dispositivo que proporcionará un
nivel de corriente o voltaje en las terminales.

En general luego se abre la puerta para calcular otras cantidades y concentrarse en las
incógnitas restantes.

Las ecuaciones y relaciones utilizadas son las que se emplearon en más de una ocasión; no se
requiere desarrollar métodos nuevos de análisis.
La configuración del divisor de voltaje(para el BJT) es aquella en la que se puede
aplicar la técnica aproximada

ID=IE
70
entonces se cumple que:
Se puede determinar VB utilizando la regla del divisor de voltaje en el circuito de entrada.
MANEJO DEL MOSFET

La delgada capa de SiO2 (dióxido de silicio) entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto positivo de
71 proporcionar una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo, pero su manejo se dificulta por su capa
extremadamente delgada, lo que no sucedía con los transistores BJT o JFET.

A menudo se acumula suficiente carga estática (captada de los alrededores) para establecer una diferencia de potencial a
través de la delgada capa que puede destruirla y establecer conducción a través de ella. Es por consiguiente imperativo
dejar la envoltura de embarque (o anillo) de cortocircuito (o conducción) conectando los cables entre sí hasta que el
dispositivo se vaya a insertar en el sistema.

El anillo de cortocircuito evita que se aplique un potencial a través de dos terminales cualesquiera del dispositivo. Con el
anillo, la diferencia de potencial entre dos terminales cualesquiera se mantiene a 0 V. En el último de los casos siempre
tocan tierra para
que se descargue la carga estática acumulada antes de manipular el dispositivo y siempre toca al transistor por su
cápsula.
A menudo existen valores transitorios (cambios agudos de voltaje o corriente) en una
72 red cuando se quitan o insertan elementos si la energía está conectada. Los niveles
transitorios a menudo pueden ser mayores que los que el dispositivo puede manejar y
por consiguiente la energía siempre deberá estar desconectada cuando se hagan
cambios en la red.

El voltaje máximo de la compuerta a la fuente normalmente viene en la lista de


valores máximos del dispositivo. Un método de asegurarse de que este voltaje no sea
excedido (tal vez por efectos transitorios) con cualquier polaridad es introducir dos
diodos Zener,
VMOS

Una de las desventajas del MOSFET típico son los niveles de manejo de potencia reducidos (en general,
73 menores que 1 W) comparados con los transistores BJT.

Esta deficiencia para un dispositivo con tantas características positivas se puede mitigar si se cambia el modo
de construcción de naturaleza plana como el de la figura 1 a una estructura vertical como se muestra en la
figura 2

figura 1 figura 2
En general los VMOS, comparados con los MOSFET planos comercialmente disponibles, los VMOS
FET tienen niveles de resistencia de canal reducidos y valores de potencia y corriente más altos.
74
Adicionalmente los VMOS:

1.- Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura positivo, el cual combate la posibilidad de
desbordamiento térmico.

2.- Los niveles almacenados de carga reducidos aceleran los tiempos de conmutación para la
construcción de VMOS, comparados con los de la construcción plana convencional.

3.- Los dispositivos VMOS en general tienen tiempos de conmutación de menos de la mitad que los
transistor BJT típico.
CMOS
Se puede establecer un dispositivo lógico muy efectivo construyendo un MOSFET de canal p y uno de
75 canal n en el mismo sustrato como se muestra en la figura

La configuración se conoce como una disposición de MOSFET complementaria (CMOS); tiene gran aplicación en el diseño de lógica
de computadora. La relativa alta impedancia de entrada, las rápidas velocidades de conmutación y los bajos niveles de potencia de
operación de la configuración CMOS, han dado por resultado una disciplina totalmente nueva conocida como diseño de lógica
CMOS.

Un uso muy efectivo de la configuración complementaria es un inversor, como se muestra en la figura (CMOS inversor)
LOS MESFET

El GaAs se ha utilizado durante varias décadas en la construcción de dispositivos semiconductores.


76
Desafortunadamente, los costos de fabricación y la baja densidad resultante en circuitos integrados así
como los problemas de producción evitaron que alcanzara un nivel prominente en la industria hasta
hace algunos años.

La necesidad de dispositivos de alta velocidad y de métodos de producción mejorados en años


recientes ha creado una fuerte demanda de circuitos integrados a gran escala de GaAs.

Al haber una unión de metal semiconductor, es la razón de que


los FET como esos se les llame transistores de efecto de campo
de metal semiconductor (MESFET).
77
El hecho de que las características de drenaje y transferencia del MESFET tipo empobrecimiento sean
similares a las del MOSFET tipo empobrecimiento, produce técnicas de análisis similares a las
aplicadas a MOSFET tipo empobrecimiento.
78
Las técnicas de análisis aplicadas a los MESFET tipo enriquecimiento son similares a los
empleados para los MOSFET tipo enriquecimiento.
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Es importante tener en cuenta, que el canal debe ser de material tipo n en un MESFET. La
movilidad de los huecos en GaAs es relativamente baja comparada con la de portadores de
carga negativa por lo que se pierde la ventaja de utilizar GaAs en aplicaciones de alta
velocidad. Los MESFET tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento se hacen con un
canal n entre el drenaje y la fuente y, por consiguiente, sólo los MESFET tipo n son
comerciales.
Taller

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Amplificadores con FET
Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia
81 de voltaje con la ventaja adicional de una alta impedancia de entrada. También son
configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen intervalo de frecuencia, y peso y
tamaño mínimos. Se pueden utilizar JFET, MOSFET de empobrecimiento y MESFET para
diseñar amplificadores con ganancias de voltaje semejantes. El circuito con MOSFET de
empobrecimiento, sin embargo, tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una
configuración con JFET similar.

Mientras un dispositivo BJT controla una gran corriente de salida (del colector) por medio
de una corriente de entrada (de la base) relativamente pequeña, el dispositivo FET controla
una corriente de salida (del drenaje) por medio de un pequeño voltaje de entrada.
En general, por consiguiente, el BJT es un dispositivo controlado por corriente y el FET es un
dispositivo controlado por voltaje. En ambos casos, sin embargo, observe que la corriente de
salida es la variable controlada. Por la alta característica de entrada de los FET, en ocasiones
un modelo equivalente de ca es un poco más simple que el que se emplea para los BJT.
Mientras que el BJT tiene un factor de amplificación β (beta) el FET tiene un factor de
transconductancia, gm.
Puede utilizar el FET como amplificador lineal o como dispositivo digital en circuitos lógicos.
De hecho, el MOSFET de tipo enriquecimiento es bastante popular en circuitos digitales, sobre
todo en circuitos CMOS que requieren un muy bajo consumo de potencia. Los dispositivos
FET también tienen mucho uso en aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de
memoria intermedia (interfaz).
MODELO DEL JFET DE SEÑAL PEQUEÑA

82 El análisis de ca de una configuración del JFET requiere el desarrollo de un modelo de ca de señal pequeña para el JFET.
Un componente importante del modelo de ca reflejará el hecho de que un voltaje de ca aplicado a las terminales de
entrada de la compuerta a la fuente controlará el nivel de corriente del drenaje a la fuente.

El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal) de un JFET.

El cambio en la corriente del drenaje que resultará de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente, se determina
mediante el factor de transconductancia gm

un voltaje de cd de la compuerta a la fuente


controla el nivel de la cd de drenaje mediante una
relación conocida como ecuación de Shockley
Determinación gráfica de gm

83 gm es en realidad la pendiente de las características en el punto de operación.


84
Definición matemática de gm

85 El procedimiento gráfico está limitado por la precisión de la curva de transferencia y el cuidado


con que se determinen los cambios de cada cantidad.

Un método alternativo para determinar gm emplea el método que se utilizó para determinar la
resistencia de ca de un diodo.

La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la recta tangente trazada


en dicho punto.

donde el subíndice 0 nos


recuerda que es el valor de
gm cuando VGS 0 V.

Donde |Vp| denota sólo magnitud, para


garantizar un valor positivo para gm.
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Gráfica de gm contra VGS Efecto de ID en gm


Impedancia de entrada Zi del JFET

88 La impedancia de entrada de todos los JFET comerciales es lo bastante grande para suponer que
las terminales de entrada se aproximan a un circuito abierto.

Impedancia de salida Zo del JFET

La magnitud de la impedancia de salida de los JFET es parecida a la de los BJT convencionales. En hojas de
especificaciones de los JFET, la impedancia de salida en general aparece como yos con las unidades de mS.
El parámetro yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia donde el subíndice o indica que
se trata de un parámetro de la red de salida y s la terminal (fuente) a la cual está conectado en el modelo.
Definición de rd utilizando las características de drenaje del JFET.

89 Observe el requisito al aplicar la ecuación para


rd de que el voltaje VGS permanezca siempre
constante. Esto se logra trazando una línea
recta que se aproxime a la línea VGS en el
punto de operación.
Luego se selecciona un VDS o ID y la otra
cantidad se lee para usarla en la ecuación.
EJEMPLO Determine la impedancia de entrada para el JFET de la figura para VGS = 0V
y VGS=2 V en VDS=8 V.
90 Solución: Para VGS =0 V, se traza una recta
tangente y se selecciona ΔVDS como 5 V, y
se obtiene un ΔID de 0.2 mA. Sustituyendo
obtenemos

Para VGS= - 2 V, trace una tangente y seleccione


ΔVDS como 8 V con lo que obtendremos un ΔID de
0.1 mA. Sustituyendo obtenemos

la cual muestra que rd sí cambia de una región de


operación a otra, con sus valores mínimos que
normalmente ocurren a valores bajos de VGS
(cerca de 0V).
Circuito equivalente de ca de un JFET

91

La impedancia de entrada está representada por el circuito abierto en las terminales de


entrada y la impedancia de salida por el resistor rd del drenaje a la fuente. Observe que el
voltaje de la compuerta a la fuente ahora está representado por Vgs (en subíndices de
letras minúsculas) para distinguirlo de los niveles de cd. Además, observe que los circuitos
de entrada y salida comparten la fuente, mientras que la compuerta y el drenaje sólo están
en “contacto” por conducto de la fuente de corriente controlada gmVgs.
Se puede ignorar rd ya que es grande
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CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

Con el circuito equivalente de JFET definido, puede investigar varias configuraciones del JFET de
93 señal pequeña fundamentales. El método es semejante al análisis de ca de amplificadores con BJT,
donde se determinan los parámetros importantes de Zi , Zo y Av para cada una de las configuraciones.
94

Relación de fase El signo negativo en la


ecuación resultante para Av revela con
claridad un desfasamiento de 180° entre los
voltajes de entrada y salida.
Ejemplo: Para el circuito de la figura determine:

95

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