Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

Facultad de ingeniería Electrónica y Eléctrica
EAP de Ingeniería Eléctrica

Curso: Laboratorio Circuitos Electrónicos II

Sección: L17 – Lunes (11:00 – 13:00 hrs)

Docente: Victor Alva Saldaña

Tema: Experiencia 2: Configuración Darlington

Estudiante: Flores Vargas, Brayan Diego

Código: 20190267

2022-I

30 de mayo del 2022

1
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

EXPERIENCIA N° 2
CONFIGURACIÓN DARLINGTON

I. OBJETIVOS

• Determinar las características de operación de un amplificador de

corriente transistorizado

II. EQUIPOS Y MATERIALES

• Osciloscopio
• Multímetro
• Generador de señales
• Fuente de poder DC
• Punta de prueba de osciloscopio
• 2 Transistores 2N2222
• Resistores de 1KΩ, 1.5KΩ, 2KΩ, 12KΩ, 7.5KΩ y 100KΩ
• Condensadores de 16V 22uF (2), 100uF
• Computadora con Multisim

III. INFORME PREVIO

1. Mencionar aplicaciones de la configuración Darlington y algunos códigos

de su versión de circuito integrado.

Las aplicaciones de la configuración Darlington se dan para el caso se requiera una

alta ganancia de corriente, por ejemplo: en reguladores de potencia, etapas de salida
de amplificadores de audio, controladores de motor, sensores táctiles y de luz y control
de relés. Es decir, se utiliza para, mediante corrientes pequeñas que serán
amplificadas, controlar cargas grandes.
Son usados por su alta ganancia de corriente, alta impedancia de entrada y fácil
configuración del circuito, pero se debe tener en cuenta que presentan una menor
velocidad de cambio y un alto voltaje de saturación, por lo que tendrán altos niveles de
disipación de energía.
Debido al amplio uso de la conexión Darlington, varios fabricantes ofrecen unidades
empaquetadas en las cuales los dos BJT se construyen en un solo chip en lugar de en
unidades BJT separadas[1], en estas unidades solo se proporcionan tres terminales,
estos son: la base del transistor Q1, el colector de Q1 y Q2, y el emisor de Q2
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

De los mismos, se encuentran disponibles para simulación los siguientes circuitos

integrados
Tipo 2N6 (NPN y PNP) 2N6038, 2N6387G, 2N6427
Tipo 2SC y 2SD (NPN) 2SD1379, 2SC4341, 2SD947
Tipos BC, BD, BS, BU (NPN) BCP49, BD675AG, BDW42G, BUB323ZG
Tipos BC, BD, BS (PNP) BD680G, BDW47G, BSP62
Tipo TIP (NPN) TIP112G, TIP101G, TIP141G
Tipo TIP (PNP) TIP106G, TIP125G, TIP147G
TIPO MJ Y MJD (PNP) MJ11021, MJD117RLG, MJH11021G

Por último, algunos códigos de versiones en circuitos integrados son

NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082,

NTE2083, NTE2087 y NTE2088

2. En el circuito de la figura 2.1 calcular los puntos de reposo.

Realizamos el análisis del amplificador en DC reemplazando los condensadores por

circuitos abiertos

Hallamos el equivalente Thévenin para determinar la polarización de la base

12𝑘
𝑉𝑇ℎ = 15 · = 9.23 𝑉
7.5𝑘 + 12𝑘
𝑅𝑇ℎ = 7.5𝑘 ∥ 12𝑘 = 4615.38 Ω
Se obtiene
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

Aplicando ley de voltajes en la malla de entrada

9.23 = 𝐼𝐵𝑄1 · 104.615𝑘 + 𝑉𝐵𝐸𝑄1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄2 + 𝐼𝐸𝑄2 · 1.5𝑘
Reemplazando los valores y considerando que ambos transistores tienen 𝛽 = 177[2]
𝐼𝐶𝑄1 𝐼𝐶𝑄1 𝐼𝐶𝑄1
9.23 = · 104.615𝑘 + 0.7 + 0.7 + ((𝐼𝐶𝑄1 + ) 177 + (𝐼𝐶𝑄1 + )) · 1.5𝑘
177 177 177

⇒ 𝐼𝐶𝑄1 = 29.097 𝜇𝐴
Valor simulado
𝐼𝐶𝑄1 = 27.5 𝜇𝐴
29.097 𝜇
⇒ 𝐼𝐶𝑄2 = 𝐼𝐸𝑄1 · 177 = (29.097 𝜇 + ) 177 = 5.18 𝑚𝐴
177
Valor simulado
𝐼𝐶𝑄2 = 5.31 𝑚𝐴
Aplicando ley de voltajes en la malla de salida de Q2
15 = 𝑉𝐶𝐸𝑄2 + 𝐼𝐸𝑄2 · 1.5𝑘
5.18 𝑚
15 = 𝑉𝐶𝐸𝑄2 + (5.18 𝑚 + ) · 1.5𝑘
177
⇒ 𝑉𝐶𝐸𝑄2 = 7.19 𝑉
Valor simulado
𝑉𝐶𝐸𝑄2 = 6.99 𝑉
Aplicando ley de voltajes en la malla de salida de Q1
15 = 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄2 + 𝐼𝐸𝑄2 · 1.5𝑘
5.18 𝑚
15 = 𝑉𝐶𝐸𝑄1 + 0.7 𝑉 + (5.18 𝑚 + ) · 1.5𝑘
177
⇒ 𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 6.49 𝑉
Valor simulado
⇒ 𝑉𝐶𝐸𝑄1 = 6.32 𝑉
Recta de carga de Q1

350

300

250
ICQ1 (μA)

200

150

100
Q (6.49, 29.10)
50

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCEQ1 (V)
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

Recta de carga de Q2
16
14
12

ICQ2 (mA) 10
8
Q (7.19, 5.18)
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCEQ2 (V)

Por lo tanto, ambos transistores se encuentran en zona activa.

3. Calcular la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de

entrada e impedancia de salida.

Análisis en CA, se reemplazan los condensadores por cortocircuitos

Se reemplaza los transistores por su modelo equivalente

𝑖𝐵𝑄1

𝑖𝐵𝑄2

Reemplazando los valores, asumiendo que

26 𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒1 = · 𝛽 = 158.16 𝑘Ω, ℎ𝑓𝑒1 = 88
𝐼𝐶𝑄1
26 𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒2 = · 𝛽 = 888.42 Ω, ℎ𝑓𝑒2 = 165
𝐼𝐶𝑄2
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

1. Aplicamos ley de voltajes en la malla de R3

𝑖𝐵𝑄1 · ℎ𝑖𝑒1 + 𝑖𝐵𝑄2 · ℎ𝑖𝑒2 = 𝑖𝑅3 · 𝑅3
Reemplazamos 𝑖𝐵𝑄2 = 𝑖𝐸𝑄1 = 𝑖𝐵𝑄1 + 𝑖𝐶𝑄1 = 𝑖𝐵𝑄1 (1 + ℎ𝑓𝑒1)
⇒ 𝑖𝐵𝑄1 · ℎ𝑖𝑒1 + 𝑖𝐵𝑄1 (1 + ℎ𝑓𝑒1) · ℎ𝑖𝑒2 = 𝑖𝑅3 · 𝑅3
(ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑖𝑒2(1 + ℎ𝑓𝑒1))
⇒ 𝑖𝑅3 = 𝑖𝐵𝑄1
𝑅3
(158161 + 888.42(1 + 88))
𝑖𝑅3 = 𝑖𝐵𝑄1 = 𝑖𝐵𝑄1 · 2.372
100𝑘
Valor simulado
𝑖𝑅3 76 𝑛𝐴
= =2
𝑖𝐵𝑄1 38 𝑛𝐴

2. Aplicamos ley de nodos en el nodo del voltaje de salida

𝑉𝑜 = (𝑖𝑅3 + 𝑖𝐵𝑄2 + 𝑖𝐵𝑄2 · ℎ𝑓𝑒2)(𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅4 ∥ 𝑅𝐿 )
Factorizando 𝑖𝐵𝑄2 y reemplazando los valores de 𝑖𝐵𝑄2 y 𝑖𝑅3

𝑉𝑜 = (𝑖𝐵𝑄1 · 2.372 + 𝑖𝐵𝑄1 (1 + ℎ𝑓𝑒1)(1 + ℎ𝑓𝑒2)) (𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅4 ∥ 𝑅𝐿 )

𝑉𝑜 = 𝑖𝐵𝑄1 (2.372 + (1 + ℎ𝑓𝑒1)(1 + ℎ𝑓𝑒2))(𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅4 ∥ 𝑅𝐿 )

⇒ 𝑉𝑜 = 𝑖𝐵𝑄1 (2.372 + (1 + 88)(1 + 165))(7.5𝑘 ∥ 12𝑘 ∥ 1.5𝑘 ∥ 12𝑘) = 𝑖𝐵𝑄1 · 1.529 · 107
Valor simulado
𝑉𝑜 492.5 𝑚𝑉
= = 1.296 · 107 Ω
𝑖𝐵𝑄1 38 𝑛𝐴

3. Aplicamos ley de voltajes en la malla de entrada

𝑉𝑔 = 𝑖𝑖 · 𝑅𝑓 + 𝑖3 · 𝑅3 + 𝑉𝑜
Reemplazamos 𝑖𝑖 = 𝑖𝐵𝑄1 + 𝑖𝑅3 y factorizamos 𝑖𝑅3
𝑉𝑔 = 𝑖𝐵𝑄1 · 𝑅𝑓 + 𝑖𝑅3 (𝑅3 + 𝑅𝑓 ) + 𝑉𝑜
Reemplazamos el valor de 𝑖𝑅3 , 𝑉𝑜 y factorizamos 𝑖𝐵𝑄1
𝑉𝑔 = 𝑖𝐵𝑄1 · 𝑅𝑓 + 𝑖𝐵𝑄1 · 2.372(𝑅3 + 𝑅𝑓 ) + 𝑖𝐵𝑄1 · 1.529 · 107
⇒ 𝑉𝑔 = 𝑖𝐵𝑄1 · 1𝑘 + 𝑖𝐵𝑄1 · 2.372(100𝑘 + 1𝑘) + 𝑖𝐵𝑄1 · 1.529 · 107
⇒ 𝑉𝑔 = 𝑖𝐵𝑄1 (1𝑘 + 2.372(100𝑘 + 1𝑘) + 1.529 · 107 )
⇒ 𝑉𝑔 = 𝑖𝐵𝑄1 · 1.553 · 107
Valor simulado
𝑉𝑔 0.5 𝑉
= = 1.316 · 107 Ω
𝑖𝐵𝑄1 38 𝑛𝐴

Entonces la ganancia de voltaje

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

𝑉𝑜 𝑖𝐵𝑄1 · 1.529 · 107

⇒ 𝐴𝑉 = = = 0.985
𝑉𝑔 𝑖𝐵𝑄1 · 1.553 · 107
Valor simulado
𝑉𝑜 492.5 𝑚𝑉
𝐴𝑉 = = = 0.985
𝑉𝑔 0.5 𝑉
La ganancia de corriente
𝑉𝑜 𝑖𝐵𝑄1 · 1.529 · 107
𝑖𝑜 𝑅𝐿 12𝑘 1.529 · 107
𝐴𝑖 = = = = = 377.73
𝑖𝑖 𝑖𝐵𝑄1 + 𝑖𝑅3 𝑖𝐵𝑄1 + 𝑖𝐵𝑄1 · 2.372 (1 + 2.372) · 12𝑘
Valor simulado
𝑖𝑜 41 𝜇𝐴
𝐴𝑖 = = = 364.44
𝑖𝑖 112.5 𝑛𝐴

Para la
impedancia de
entrada y salida,
del circuito
equivalente en
AC

La impedancia de entrada sería la resistencia entre los terminales de la señal de

entrada
𝑉𝑔 𝑖𝐵𝑄1 · 1.553 · 107 𝑖𝐵𝑄1 · 1.553 · 107 1.112 · 107
𝑍𝑖 = = = =
𝑖𝑖 𝑖𝐵𝑄1 + 𝑖𝑅3 𝑖𝐵𝑄1 + 𝑖𝐵𝑄1 · 2.372 1 + 1.389
𝑍𝑖 = 4.606 𝑀Ω
Valor simulado, aplicando el teorema de máxima transferencia de potencia[3], con una
señal de entrada al amplificador de 0.5 VPK

0.5 𝑉𝑃𝐾
𝑉𝑣𝑜𝑙𝑡 = √2 = 0.177 𝑉𝑅𝑀𝑆
2
𝑍𝑖 = 4.45 𝑀Ω

La impedancia de salida sería la resistencia de entre los terminales de la señal de

salida, colocamos en cero la fuente de tensión y retiramos RL

ℎ𝑖𝑒2 ℎ𝑖𝑒1 𝑅𝑓
𝑍𝑜 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅4 ∥ ((𝑅3 ∥ ( + )) + )
(
ℎ𝑓𝑒2 ℎ𝑓𝑒1 · 1 + ℎ𝑓𝑒2) 1 + ℎ𝑓𝑒1 · ℎ𝑓𝑒2
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

888.42 158161 1𝑘
𝑍𝑜 = 7.5𝑘 ∥ 12𝑘 ∥ 1.5𝑘 ∥ ((100𝑘 ∥ ( + )) + )
165 88 · 166 1 + 88 · 165

𝑍𝑜 = 16.047 Ω
Valor simulado, aplicando el teorema de máxima transferencia de potencia[3] con una
señal de entrada al amplificador de 0.5 VPK. Se mide la tensión de salida en vacío y se
conecta una resistencia variable, en lugar de la carga RL, hasta que se mida en la
salida una tensión igual a la mitad de la tensión en vacío, luego se mide el valor de la
resistencia variable con un ohmímetro.

0.4925 𝑉𝑃𝐾
𝑉𝑣𝑜𝑙𝑡 = √2 = 0.174 𝑉𝑅𝑀𝑆
2
𝑍𝑜 = 30.017 Ω
Para comprobar
Colocando en cero la fuente de tensión AC, aplicamos ley de corrientes en los tres
nodos, considerando que conectamos una fuente de corriente de 1 mA en los
terminales de salida del amplificador y medimos la tensión de salida. La impedancia de
salida se obtendrá mediante ley de Ohm.
𝑉𝑜 𝑉𝑜 − 𝑣1 𝑉𝑜 − 𝑣2
+ + − 𝑖𝐵𝑄2 · ℎ𝑓𝑒2 = 0.001 𝑣1
𝑅4 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 𝑅3 ℎ𝑖𝑒2
𝑣2 − 𝑉𝑜 𝑣2 − 𝑣1
+ − 𝑖𝐵𝑄1 · ℎ𝑓𝑒1 = 0
ℎ𝑖𝑒2 ℎ𝑖𝑒1
𝑣1 − 𝑣2 𝑣1 − 𝑉𝑜 𝑣1 𝑣2
+ + =0
{ ℎ𝑖𝑒1 𝑅3 𝑅𝑓
Reemplazando 𝑖𝐵𝑄2 y 𝑖𝐵𝑄1
𝑉𝑜 𝑉𝑜 − 𝑣1 𝑉𝑜 − 𝑣2 𝑣2 − 𝑉𝑜
+ + − · ℎ𝑓𝑒2 = 0.001
𝑅4 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 𝑅3 ℎ𝑖𝑒2 ℎ𝑖𝑒2
𝑣2 − 𝑉𝑜 𝑣2 − 𝑣1 𝑣1 − 𝑣2
+ − · ℎ𝑓𝑒1 = 0
ℎ𝑖𝑒2 ℎ𝑖𝑒1 ℎ𝑖𝑒1
𝑣1 − 𝑣2 𝑣1 − 𝑉𝑜 𝑣1
+ + =0
{ ℎ𝑖𝑒1 𝑅3 𝑅𝑓
Factorizando y reemplazando valores
1 1 1 + ℎ𝑓𝑒2 1 ℎ𝑓𝑒2 + 1 1 1 1 1 166 1 166
𝑉𝑜 ( + + ) − 𝑣1 ( ) − 𝑣2 ( ) = 10−3 𝑉𝑜 ( + + + + ) − 𝑣1 ( ) − 𝑣2 ( ) = 10−3
𝑅4 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 𝑅3 ℎ𝑖𝑒2 𝑅3 ℎ𝑖𝑒2 1.5𝑘 7.5𝑘 12𝑘 100𝑘 888.42 100𝑘 888.42
1 ℎ𝑓𝑒1 + 1 1 ℎ𝑓𝑒1 + 1 1 89 1 89
−𝑉𝑜 ( ) − 𝑣1 ( ) + 𝑣2 ( + )=0 = −𝑉𝑜 ( ) − 𝑣1 ( ) + 𝑣2 ( + )=0
ℎ𝑖𝑒2 ℎ𝑖𝑒1 ℎ𝑖𝑒2 ℎ𝑖𝑒1 888.42 158161 888.42 158161
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
−𝑉𝑜 ( ) + 𝑣1 ( + + ) − 𝑣2 ( )=0 { −𝑉𝑜 ( ) + 𝑣1 ( + + ) − 𝑣2 ( )=0
{ 𝑅3 ℎ𝑖𝑒1 𝑅3 𝑅𝑓 ℎ𝑖𝑒1 100𝑘 158161 100𝑘 1000 158161

Se obtiene[4]
𝑉𝑜 = 0.0160521 𝑉
𝑉𝑜 0.0160521
⇒ 𝑍𝑜 = = = 16.052 Ω
1 𝑚𝐴 0.001
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II EXPERIENCIA N° 2

4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1, R2, R3 y C2, en el circuito
de la figura 2.1
Las resistencias R1 y R2 actúan como divisor de voltaje para polarizar la base del par
Darlington y R3 disminuye la corriente de base DC para prevenir la saturación de los
transistores, debido a la alta ganancia de corriente.
Además, el condensador C2 y R3 aumentan la impedancia de entrada del amplificador,
lo que disminuye a corriente suministrada por la fuente y, por tanto, aumenta la
ganancia de corriente.

En la figura, de color amarillo la corriente alterna y, azul, la corriente directa.

Laboratorio de Circuitos Electrónicos II Experiencia N° 2 13

la entrada del amplificador. Varíe la amplitud de la señal

IV. PROCEDIMIENTO
hasta que se obtenga en la salida del amplificador la señal de
1. Realice la simulación del circuito de la figura 2.1 con mayor amplitud, no distorsionada
el fin de hallar el punto de reposo Q así como Av, Ai, Zi, y
ZO. Llene las celdas correspondientes de la tabla 2.1 Utilizando un divisor de voltaje con una resistencia variable
como fuente AC variable
Aplicando una señal de entrada de 0.5 Vpk y 1 kHz

Se obtiene que el máximo voltaje de entrada sin distorsión

es de
𝑉𝑔 𝑚𝑎𝑥 = 2.849 𝑉𝑅𝑀𝑆 = 4.029 𝑉𝑃𝐾

2. Mediante simulación halle fL, fH y BW. Llene las 6. Determine Zi, Av y AI luego de medir VO, Vg, IO e If.
celdas correspondientes de la tabla 2.3 Realice la simulación respectiva. Llene la tabla 1.2. Los
valores de Zi, Av y AI colóquelos en la tabla 2.1.
Utilizando el graficador de diagrama de Bode, para fH

𝑓𝐻 = 23.6 𝑀𝐻𝑧

para fL

𝑓𝐿 = 542.4 𝑚𝐻𝑧
TABLA 2.2
VO (mVpk) Vg (mVpk) IO (μApk) If (nApk)
Valor calculado 492.5 500 41.04 108.6
Valor simulado 491 499 40.95 112.5
Además, se indica que la ganancia a media banda es
𝑉𝑜
−0.135 𝑑𝐵 = 20 log10
0.5 𝑉
⇒ 𝑉𝑜 = 0.492 𝑉𝑃𝐾
El ancho de banda es
𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿 = 23.6 𝑀𝐻𝑧 − 542.4 𝑚𝐻𝑧 ≅ 23.6 𝑀𝐻𝑧

3. Implemente el circuito de la figura 2.1

4. Mida los puntos de reposo y llene los campos
correspondientes de la tabla 2.1

TABLA 2.1
VCE1 (V) VCE2 (V) IC1 (µA) IC2 (mA) Av Ai Zi (MΩ) ZO (Ω) Figura 2.1
Valor
6.49 7.19 29.10 5.18 0.985 377.7 4.61 16.05 7. Determine experimentalmente el ancho de banda. Para
calculado
Valor
6.32 6.99 27.5 5.31 0.985 364.4 4.45 30.02 ello determine las frecuencias de corte inferior, fL, y
simulado superior, fH.

5. Aplicar una señal sinusoidal de 1KHz de frecuencia en fL = 542.4 mHz fH = 23.6 MHz BW = 23.6 MHz
Laboratorio de Circuitos Electrónicos II Experiencia N° 2 14

3. ¿Qué modificaciones realizaría al circuito experimentado?

TABLA 2.3 ¿Por qué?
fL (kHz) fH (kHz) BW (kHz)
Valor simulado 0.0005424 23600 23599.9994576 No se realizarán modificaciones porque se tienen buenos
niveles de impedancia de entrada y salida y ganancia de
corriente elevada a un alto voltaje máximo sin distorsión.
V. CUESTIONARIO
4. De acuerdo al experimento, cuáles son sus conclusiones.
1. Compare sus datos teóricos con los obtenidos en la Un amplificador en conexión Darlington proporciona una
experiencia. ganancia de corriente muy elevada, a la vez que, el voltaje
de salida es inferior al de entrada debido únicamente a la
En todos los casos, los valores teóricos son cercanos a los caída de voltaje de base a emisor de la conexión.
simulados. Estas comparaciones se indican a medida que se
desarrolla el informe. Los valores de resistencia de entrada de los transistores
(ℎ𝑖𝑒) y de ganancia en DC (𝛽) y en señal (ℎ𝑓𝑒) son el
2. Dibuje algunos esquemas prácticos en donde se encuentra principal motivo de variación entre los valores medidos y
la configuración Darlington. simulados, pues varían según la polarización del transistor,
esto se observa principalmente en los cálculos de ganancia
Circuito buffer para cargas de baja impedancia[5]
de corriente e impedancias de entrada y salida.

VI. BIBLIOGRAFÍA
[1] Boylestand, R. L. y Nashelsky L. “Packaged Darlington Amplifier”. En:
Electronic devices and circuit theory, 2013, 11th ed., pág. 313. Pearson.
[2] Semtech Electronics LTD. “2N2222/2N2222A, NPN Silicon Epitaxial
Planar Transistor”. http://www.datasheet.es/PDF/1129135/2N2222-
pdf.html
[3] P.B. Zbar, A.P. Malvino y M.A. Miller. “Prácticas de electrónica”,
México, D.F., 7ª Ed. Glencoe/McGraw-Hill, 2001, págs. 100, 101.
Sirve para conectar una carga de baja impedancia a la salida [4] Solución de sistema de ecuaciones 4x4. WolframAlpha.
https://www.wolframalpha.com/input?i2d=true&i=x*%5C%2840%29D
de un amplificador emisor común. ivide%5B1%2C1500%5D%2BDivide%5B1%2C7500%5D%2BDivide
%5B1%2C12000%5D%2BDivide%5B1%2CPower%5B10%2C5%5D
Conexión Darlington como timer sencillo[6] %5D%2BDivide%5B166%2C888.42%5D%5C%2841%29-
y*%5C%2840%29Divide%5B1%2CPower%5B10%2C5%5D%5D%5C
%2841%29-
z*%5C%2840%29Divide%5B166%2C888.42%5D%5C%2841%29%3
DPower%5B10%2C%5C%2840%29-
3%5C%2841%29%5D%5C%2844%29+-
x*%5C%2840%29Divide%5B1%2C888.42%5D%5C%2841%29-
y*%5C%2840%29Divide%5B89%2C158161%5D%5C%2841%29%2
Bz*%5C%2840%29Divide%5B1%2C888.42%5D%2BDivide%5B89%
2C158161%5D%5C%2841%29%3D0%5C%2844%29+-
x*%5C%2840%29Divide%5B1%2CPower%5B10%2C5%5D%5D%5C
%2841%29%2By*%5C%2840%29Divide%5B1%2C158161%5D%2B
En este circuito, luego que se deja de presionar S1, el relé K Divide%5B1%2CPower%5B10%2C5%5D%5D%2BDivide%5B1%2C
1000%5D%5C%2841%29-
permanecerá activado durante un intervalo de tiempo que z*%5C%2840%29Divide%5B1%2C158161%5D%5C%2841%29%3D
depende de C1 y del resistor de 220kΩ (constante de tiempo 0&lang=en
𝜏 = (𝑅1 + 𝑍𝑖 )𝐶1 ). [5] M. Cain. “Chapter 6: BJT Amplifiers. Amplifier Operation”, min.
13:30. https://slideplayer.com/slide/7318945i
Conexión Darlington sensor de luz de alta potencia[7] [6] Timer sencillo (BC548).
https://www.forosdeelectronica.com/resources/timer-sencillo-bc548.74/
[7] Circuitos con Darlington de Potencia (ART172S), circuito 5.
http://www.incb.com.mx/index.php/articulos/9-articulos-tecnicos-y-
proyectos/944-circuitos-con-darlington-de-potencia-art172s

Este circuito permite activar un solenoide o relé a partir del

corte de la luz que incide en el LDR (también puede ser un
N/PTC), el potenciómetro permite que se ajuste el punto de
disparo.