Elect Dev Cir Capitulo 5 Part1.en - Es

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CONTENIDOS BREVES
Prefacio v
CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1
CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55
CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129
CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160
CAPÍTULO 5: Análisis BJT AC 253
CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378
CAPÍTULO 7: Polarización FET 422
CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481
CAPÍTULO 9: Respuesta de frecuencia BJT y JFET 545
CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607
CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653
CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683
CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722
CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751
CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783
CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales 811
CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841
Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones

gráficas y ecuaciones de conversión (exactas y
aproximadas) 879
ix
X CONTENIDOS BREVES Apéndice B: Cálculos de voltaje y factor de ondulación 885
Apéndice C: Gráficos y tablas 891
Apéndice D: Soluciones a problemas

impares seleccionados 893
Índice 901
CONTENIDO
Prefacio v
CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1

1.1 Introducción 1
1.2 Materiales semiconductores: Ge, Si y GaAs 2
1.3 Enlace covalente y materiales intrínsecos 3
1.4 Niveles de energía 5
1.5 norte-Tipo ypags-Tipo Materiales 7
1.6 diodo semiconductor 10
1.7 Ideal frente a práctico 20
1.8 Niveles de resistencia 21
1.9 Circuitos equivalentes de diodos 27
1.10Capacitancia de transición y difusión 30
1.11Tiempo de recuperación inversa 31
1.12Hojas de especificaciones de diodos 32
1.13Notación de diodo semiconductor 35
1.14Pruebas de diodos 36
1.15diodos zener 38
1.16La luz emite diodos 41
1.17Resumen 48
1.18Análisis informático 49
CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55

2.1 Introducción 55
2.2 Análisis de línea de carga 56
2.3 Configuraciones de diodos en serie 61
2.4 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 67
2.5 Y/O Puertas 70
2.6 entradas sinusoidales; Rectificación de media onda 72
2.7 Rectificación de onda completa 75
2.8 Tijeras 78
2.9 abrazaderas 85
2.10Redes con una fuente de CC y CA 88
xi
xi CONTENIDO 2.11diodos zener 91
2.12Circuitos multiplicadores de voltaje 98
2.13Aplicaciones prácticas 101
2.14Resumen 111
CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129

3.2 Construcción de transistores 130
3.3 Operación de transistores 130
3.4 Configuración de base común 131
3.5 Configuración de emisor común 136
3.6 Configuración de colector común 143
3.7 Límites de operación 144
3.8 Hoja de especificaciones de transistores 145
3.9 Pruebas de transistores 149
3.10Identificación de terminales y carcasas de transistores 151
3.11Desarrollo de transistores 152
3.12Resumen 154
CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160

4.2 Punto de operación 161
4.3 Configuración de polarización fija 163
4.4 Configuración de polarización del emisor 169
4.5 Configuración de polarización del divisor de voltaje 175
4.6 Configuración de retroalimentación del recopilador 181
4.7 Configuración de emisor-seguidor 186
4.9 Configuraciones misceláneas de sesgo 189
4.10Tabla de resumen 192
4.11Operaciones de diseño 194
4.12Múltiples redes BJT 199
4.13Espejos actuales 205
4.14Circuitos de fuente de corriente 208
4.15pnptransistores 210
4.16Redes de conmutación de transistores 211
4.17Técnicas de solución de problemas 215
4.18Estabilización de polarización 217
4.20Resumen 233
CAPÍTULO 5: Análisis BJT AC 253 CONTENIDOXIII

5.2 Amplificación en el dominio AC 253
5.3 Modelado de transistores BJT 254
5.4 losrmiModelo de transistores 257
5.5 Configuración de polarización fija de emisor común 262
5.6 Sesgo del divisor de voltaje 265
5.7 Configuración de polarización de emisor CE 267
5.8 Configuración de emisor-seguidor 273
5.10Configuración de retroalimentación del recopilador 279
5.11Configuración de retroalimentación de CC del colector 284
5.12Efecto deRLyRs 286
5.13Determinación de la ganancia actual 291
5.14Tablas de resumen 292
5.15Enfoque de sistemas de dos puertos 292
5.16Sistemas en cascada 300
5.17Conexión Darlington 305
5.18Par de comentarios 314
5.19El modelo equivalente híbrido 319
5.20Circuito equivalente híbrido aproximado 324
5.21Modelo equivalente híbrido completo 330
5.22HíbridopagsModelo 337
5.23Variaciones de los parámetros del transistor 338
5.24Solución de problemas 340
5.26Resumen 349
CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378

6.2 Construcción y características de los JFET 379
6.3 Características de transferencia 386
6.4 Hojas de especificaciones (JFET) 390
6.5 Instrumentación 394
6.6 Relaciones importantes 395
6.7 MOSFET tipo empobrecimiento 396
6.8 MOSFET de tipo mejorado 402
6.9 Manejo de MOSFET 409
6.10VMOS y UMOS Potencia y MOSFET 410
6.11CMOS 411
6.12MESFET 412
xivCONTENIDO 6.14Resumen 414
CAPÍTULO 7: Polarización FET 422

7.3 Configuración de autopolarización 427
7.4 Polarización del divisor de voltaje 431
7.5 Configuración de puerta común 436
7.6 Caso especialVSGq-0 V 439
7.7 MOSFET de tipo empobrecimiento 439
7.9 Tabla de resumen 449
7.10Redes combinadas 449
7.11Diseño 452
7.13pags-FET de canal 455
7.14Curva de polarización JFET universal 458
7.16Resumen 470
CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481

8.2 Modelo de señal pequeña JFET 482
8.4 Configuración de autopolarización 492
8.5 Configuración del divisor de voltaje 497
8.6 Configuración de puerta común 498
8.7 Configuración de fuente-seguidor (drenaje común) 501
8.8 MOSFET de tipo empobrecimiento 505
8.10Configuración de retroalimentación de drenaje E-MOSFET 507
8.11Configuración del divisor de voltaje E-MOSFET 510
8.12Diseño de redes de amplificadores FET 511
8.14Efecto deRLyRfirma 516
8.15Configuración en cascada 518
8.18Resumen 530
CAPÍTULO 9: Respuesta de frecuencia BJT y JFET 545 CONTENIDO XV
9.2 logaritmos 545
9.3 decibelios 550
9.4 Consideraciones generales de frecuencia 554
9.5 Proceso de normalización 557
9.6 Análisis de baja frecuencia: diagrama de Bode 559
9.7 Respuesta de baja frecuencia—Amplificador BJT conRL 564
9.8 Impacto deRsen la respuesta de baja frecuencia BJT 568
9.9 Respuesta de baja frecuencia: amplificador FET 571
9.10Capacitancia del efecto Miller 574
9.11Respuesta de alta frecuencia: amplificador BJT 576
9.12Respuesta de alta frecuencia: amplificador FET 584
9.13Efectos de frecuencia multietapa 586
9.14Pruebas de onda cuadrada 588
9.15Resumen 591
CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607

10.2 Circuito amplificador diferencial 610
10.3 Circuitos amplificadores diferenciales BiFET, BiMOS y CMOS Conceptos básicos del 617
10.4 amplificador operacional 620
10.5 Circuitos prácticos de amplificadores operacionales 623
10.6 Especificaciones del amplificador operacional: parámetros de compensación de CC 628
10.7 Especificaciones del amplificador operacional: parámetros de frecuencia 631
10.8 Especificaciones de la unidad del amplificador operacional 634
10.9 Operación diferencial y de modo común 639
10.10Resumen 643
CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653

11.1Multiplicador de ganancia constante 653
11.2Suma de voltaje 657
11.3Búfer de voltaje 660
11.4Fuentes controladas 661
11.5Circuitos de Instrumentación 663
11.6Filtros Activos 667
11.7Resumen 670
CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683

12.1Introducción—Definiciones y tipos de amplificadores 683
12.2Amplificador Clase A alimentado en serie 685
xviCONTENIDO 12.3Amplificador de clase A acoplado por transformador 688
12.4Operación del amplificador de clase B 695
12.5Circuitos amplificadores de clase B 699
12.6Distorsión del amplificador 705
12.7Disipador de calor del transistor de potencia 709
12.8Amplificadores Clase C y Clase D 712
12.9Resumen 714
CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722

13.1Introducción 722
13.2Operación de la unidad de comparación 722
13.3Convertidores digital-analógico 729
13.4Operación de la unidad IC del temporizador 732
13.5Oscilador controlado por voltaje 736
13.6Bucle de bloqueo de fase 738
13.7Circuito de interfaz 742
13.8Resumen 745
CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751

14.1Conceptos de retroalimentación 751
14.2Tipos de conexión de retroalimentación 752
14.3Circuitos prácticos de retroalimentación 758
14.4Amplificador de retroalimentación—Consideraciones de fase y frecuencia 763
14.5Operación del oscilador 766
14.6Oscilador de cambio de fase 767
14.7Oscilador de puente de Wien 770
14.8Circuito oscilador sintonizado 771
14.9Oscilador de cristal 774
14.10Oscilador Uniunión 777
14.11Resumen 778
CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783

15.2Consideraciones generales sobre filtros 784
15.3Filtro de condensador 786
15.4RCFiltrar 789
15.5Regulación de voltaje de transistores discretos 791
15.6Reguladores de voltaje IC 798
15.8Resumen 805
CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales 811 CONTENIDOxvii
16.2Diodos de barrera Schottky (portador caliente) 811
16.3Diodos Varactor (Varicap) 815
16.4Células solares 819
16.5Fotodiodos 824
16.6Células fotoconductoras 826
16.7Emisores de infrarrojos 828
16.8Pantallas de cristal líquido 829
16.9Termistores 831
16.10Diodos de túnel 833
16.11Resumen 837
CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841

17.2Rectificador controlado por silicio 841
17.3Operación básica del rectificador controlado por silicio 842
17.4Características y clasificaciones de SCR 843
17.5Aplicaciones SCR 845
17.6Interruptor controlado por silicio 849
17.7Interruptor de apagado de puerta 851
17.8SCR activado por luz 852
17.9diodo shockley 854
17.10diac 854
17.11Triac 856
17.12Transistor de unión única 857
17.13Fototransistores 865
17.14Opto-aisladores 867
17.15Transistor uniunión programable 869
17.16Resumen 874
Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones gráficas y

ecuaciones de conversión (exactas y aproximadas) 879
A.1 Determinación gráfica de lah-Parámetros 879
A.2 Ecuaciones de conversión exacta 883
A.3 Ecuaciones de conversión aproximadas 883
Apéndice B: Cálculos de voltaje y factor de ondulación 885

B.1 Factor de ondulación del rectificador Voltaje de ondulación del condensador 885
B.2 Relación de filtro deVcorriente continuayVmetropara ondularr Relación deVr(rms) yV 886
B.3 metropara ondularr Relación que conecta el ángulo de conducción, el porcentaje de 887
B.4 ondulación yIcima-Icorriente continuapara circuitos de filtro de condensador- 888
B.5 rectificador
889
xviiiCONTENIDO Apéndice C: Gráficos y tablas 891
Apéndice D: Soluciones a problemas

impares seleccionados 893
Índice 901
Análisis de CA BJT
5
-
OBJETIVOS DEL CAPÍTULO
- Familiarizarse con elrmi, híbrido e híbridopagsmodelos para el transistor BJT.

- Aprenda a usar el modelo equivalente para encontrar los parámetros de CA importantes para un amplificador.
- Comprender los efectos de una resistencia de fuente y una resistencia de carga en la ganancia general y las
características de un amplificador.
- Conozca las características generales de CA de una variedad de configuraciones
importantes de BJT.
- Comience a comprender las ventajas asociadas con el enfoque de sistemas de dos puertos para
amplificadores de una y varias etapas.
- Desarrolle cierta habilidad para solucionar problemas de redes de amplificadores de CA.
5.1 INTRODUCCIÓN
-
La construcción básica, la apariencia y las características del transistor se introdujeron en el Capítulo 3.
La polarización de CC del dispositivo se examinó en detalle en el Capítulo 4. Ahora comenzamos a
examinar la respuesta de CA del amplificador BJT al revisar lamodelosse usa con mayor frecuencia
para representar el transistor en el dominio sinusoidal de CA.
Una de nuestras primeras preocupaciones en el análisis de ca sinusoidal de redes de transistores
es la magnitud de la señal de entrada. Determinará sipequeña señalogran señalse deben aplicar
técnicas. No existe una línea divisoria establecida entre los dos, pero la aplicación y la magnitud de las
variables de interés en relación con las escalas de las características del dispositivo generalmente
dejarán bastante claro qué método es el apropiado. La técnica de señal pequeña se presenta en este
capítulo y las aplicaciones de señal grande se examinan en el Capítulo 12.
Hay tres modelos que se usan comúnmente en el análisis de CA de señal pequeña de redes
de transistores: elrmimodelo, el hibridopagsmodelo y el modelo híbrido equivalente. Este
capítulo presenta los tres, pero enfatiza elrmimodelo.
5.2 AMPLIFICACIÓN EN EL DOMINIO AC

-
En el capítulo 3 se demostró que el transistor puede emplearse como dispositivo amplificador. Es decir, la
señal sinusoidal de salida es mayor que la señal sinusoidal de entrada o, dicho de otro modo, la potencia de
ca de salida es mayor que la potencia de ca de entrada. Entonces surge la pregunta de cómo la potencia de
salida de CA puede ser mayor que la potencia de CA de entrada. La conservación de la energía dicta que con
el tiempo la producción total de energía,PAGSo, de un sistema no puede ser mayor que su potencia
253
254ANÁLISIS BJT CA aporte,PAGSI, y que la eficiencia definida porh =PAGSo>PAGSIno puede ser mayor que 1. El factor que falta en la
discusión anterior y que permite una salida de alimentación de CA mayor que la alimentación de CA de entrada es la
alimentación de CC aplicada. Es el principal contribuyente a la potencia de salida total, aunque parte de ella es
disipada por el dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, hay un "intercambio" de potencia de CC al
dominio de CA que permite establecer una potencia de CA de salida más alta. De hecho, uneficiencia de conversiónes
definido porh =PAGSo(C.A)>PAGSI(corriente continua), dondePAGSo(C.A)es la potencia de CA a la carga yPAGSI(corriente continua)
es la potencia de CC suministrada.
Quizá la mejor manera de describir la función de la fuente de CC sea considerar primero la red de
CC simple de la figura 5.1. La dirección de flujo resultante se indica en la figura con un gráfico de la
Icorriente continuaR
corrienteIcontra el tiempo Insertemos ahora un mecanismo de control como el que se muestra en
Icorriente continua
+ Figura 5.2. El mecanismo de control es tal que la aplicación de una señal relativamente pequeña al
mi mecanismo de control puede dar como resultado una oscilación sustancial en el circuito de salida.
–
Icorriente continua
Icorriente continua
Control IT R
IT IT=Icorriente continua+IC.A
mecanismo
I +
Icorriente continua IC mi
–
IT
IT 0 t
0 t
HIGO. 5.1 HIGO. 5.2

Corriente constante establecida por un Efecto de un elemento de control sobre el flujo en régimen permanente de la corriente eléctrica
suministro de CC. sistema de la figura 5.1.
Es decir, para este ejemplo,
Iac( p@p )WIC( p@p )

y se ha establecido la amplificación en el dominio ac. El valor pico a pico de la corriente de salida
supera con creces el de la corriente de control.
Para el sistema de la figura 5.2, el valor máximo de la oscilación en el circuito de salida está controlado
por el nivel de cd establecido. Cualquier intento de exceder el límite establecido por el nivel de CC dará como
resultado un "recorte" (aplanamiento) de la región de pico en el extremo alto y bajo de la señal de salida. Por
lo tanto, en general, el diseño de amplificación adecuado requiere que los componentes de CC y CA sean
sensibles a los requisitos y limitaciones de cada uno.
Sin embargo, es extremadamente útil darse cuenta de que:
El teorema de superposición es aplicable para el análisis y diseño de los componentes de

CC y CA de una red BJT, lo que permite separar el análisis de las respuestas de CC y CA
del sistema.
En otras palabras, se puede hacer un análisis de cd completo de un sistema antes de considerar la
respuesta de ca. Una vez que se completa el análisis de cd, la respuesta de ca se puede determinar utilizando
un análisis completamente de ca. Sucede, sin embargo, que uno de los componentes que aparecen en el
análisis de ca de las redes BJT estará determinado por las condiciones de cd, por lo que todavía existe un
vínculo importante entre los dos tipos de análisis.
5.3 MODELADO DE TRANSISTORES BJT

-
La clave para el análisis de señal pequeña de transistores es el uso de los circuitos equivalentes (modelos) que
se presentarán en este capítulo.
Un modelo es una combinación de elementos de circuito, elegidos adecuadamente, que mejor se aproxima al
comportamiento real de un dispositivo semiconductor bajo condiciones de operación específicas.
Una vez que se determina el circuito equivalente de ca, el símbolo esquemático del dispositivo se puede
reemplazar por este circuito equivalente y se aplican los métodos básicos de análisis de circuitos para
determinar las cantidades deseadas de la red.
En los años de formación del análisis de redes de transistores,red equivalente híbridafue empleado
con mayor frecuencia. Las hojas de especificaciones incluían los parámetros en su listado, y el análisis
era simplemente una cuestión de insertar el circuito equivalente con los valores listados.
Sin embargo, el inconveniente de usar este circuito equivalente es que esdefinido para un conjunto de TRANSISTOR BJT 255
condiciones operativas que podrían no coincidir con las condiciones operativas reales.En la mayoría de los MODELADO
casos, esto no es una falla grave porque las condiciones operativas reales son relativamente cercanas a las
condiciones operativas elegidas en las hojas de datos. Además, siempre hay una variación en los valores
reales de la resistencia y los valores beta del transistor dados, por lo que, como un enfoque aproximado, fue
bastante confiable. Los fabricantes continúan especificando los valores de los parámetros híbridos para un
punto de operación particular en sus hojas de especificaciones. Realmente no tienen otra opción. Quieren
darle al usuario una idea del valor de cada parámetro importante para que se puedan hacer comparaciones
entre transistores, pero realmente no conocen las condiciones operativas reales del usuario.
Con el tiempo el uso de larmimodelose convirtió en el enfoque más deseable porque un parámetro
importante del circuito equivalente estaba determinado por las condiciones de operación reales en lugar de
usar un valor de hoja de datos que en algunos casos podría ser bastante diferente. Desafortunadamente, sin
embargo, aún se deben consultar las hojas de datos para conocer algunos de los otros parámetros del
circuito equivalente. losrmiEl modelo tampoco incluyó un término de retroalimentación, que en algunos casos
puede ser importante, si no simplemente problemático.
losrmimodelo es realmente una versión reducida delhíbridopagsmodeloutilizado casi exclusivamente para
el análisis de alta frecuencia. Este modelo también incluye una conexión entre la salida y la entrada para
incluir el efecto de retroalimentación del voltaje de salida y las cantidades de entrada. El modelo híbrido
completo se presenta en el Capítulo 9.
A lo largo del texto larmimodelo es el modelo de elección a menos que la discusión se centre en la
descripción de cada modelo o una región de examen que predetermina el modelo que debe usarse.
Sin embargo, siempre que sea posible, se discutirá una comparación entre modelos para mostrar
cuán estrechamente relacionados están realmente. También es importante que una vez que ganes
competencia con un modelo, se trasladará a una investigación usando un modelo diferente, por lo
que pasar de uno a otro no será una tarea dramática.
En un esfuerzo por demostrar el efecto que tendrá el circuito equivalente de ca en el análisis que
sigue, considere el circuito de la figura 5.3. Supongamos por el momento que ya se ha determinado el
circuito equivalente de ca de pequeña señal para el transistor. Como sólo nos interesa la respuesta de
ca del circuito, todos los suministros de cd pueden reemplazarse por un equivalente de potencial cero
(cortocircuito) porque determinan solo el cd (nivel de reposo) del voltaje de salida y no la magnitud de
la tensión de salida. Oscilación de la salida de CA. Esto se demuestra claramente en la figura 5.4. Los
niveles de CC eran simplemente importantes para determinar elq-punto de operación. Una vez
determinados, los niveles de cd pueden ignorarse en el análisis de ca de la red. Además, los
condensadores de acoplamientoC1yC2y condensador de derivaciónC3
fueron elegidos para tener una reactancia muy pequeña a la frecuencia de aplicación. Por lo tanto, también pueden
ser reemplazados a todos los efectos prácticos por un camino de baja resistencia o un cortocircuito. Tenga en cuenta
que esto dará como resultado el "cortocircuito" de la resistencia de polarización de CCRmi. Recuerde que los
capacitores asumen un equivalente de “circuito abierto” en condiciones de estado estable de cd, lo que permite un
aislamiento entre etapas para los niveles de cd y las condiciones de reposo.
HIGO. 5.3
Circuito de transistores bajo examen en esta discusión introductoria.
256ANÁLISIS BJT CA
Io
+
II
Zo
+ Vo
ZI
VI
–
–
HIGO. 5.4
La red de la figura 5.3 después de retirar el suministro
de CC e insertar el equivalente de cortocircuito
para los condensadores.
A medida que avanza en las modificaciones de la red, es importante definir el equivalente de

CA que los parámetros de interés, comoZI,Zo,II, yIocomo se define en la Fig. 5.5 se lleve a cabo
correctamente. Aunque la apariencia de la red puede cambiar, debe asegurarse de que las
cantidades que encuentre en la red reducida sean las mismas definidas por la red original. En
ambas redes, la impedancia de entrada se define de base a tierra, la corriente de entrada como
la corriente base del transistor, la tensión de salida como la tensión del colector a tierra y la
corriente de salida como la corriente a través de la resistencia de carga.RC.
II Io
+ + II Io
VI Sistema Vo
ZI Zo + + + +
– – VI RI Ro Vo
– – – –
HIGO. 5.5 HIGO. 5.6

Definición de los parámetros importantes Demostrar la razón de lo definido
de cualquier sistema. direcciones y polaridades.
Los parámetros de la figura 5.5 se pueden aplicar a cualquier sistema, ya sea que tenga uno o mil
componentes. Para todo el análisis que sigue en este texto, las direcciones de las corrientes, las
polaridades de los voltajes y la dirección de interés para los niveles de impedancia son como aparecen
en la figura 5.5. En otras palabras, la corriente de entradaIIy corriente de salidaIoestán, por definición,
definidos para entrar en el sistema. Si, en un ejemplo particular, la corriente de salida sale del sistema
en lugar de entrar como se muestra en la figura 5.5, se debe aplicar un signo menos. Las polaridades
definidas para los voltajes de entrada y salida también son las que aparecen en la Fig. 5.5. Si Votiene la
polaridad opuesta, se debe aplicar el signo menos. Tenga en cuenta queZIes la impedancia que "mira
dentro" del sistema, mientras queZoes la impedancia "mirando hacia atrás" en el sistema desde el lado
de salida. Al elegir las direcciones definidas para las corrientes y los voltajes que aparecen en la figura
5.5, tanto la impedancia de entrada como la impedancia de salida se definen como valores positivos.
Por ejemplo, en la figura 5.6, las impedancias de entrada y salida de un sistema en particular son
resistivas. para la dirección deIIyIoel voltaje resultante a través de los elementos resistivos tendrá la
misma polaridad queVIyVo, respectivamente. SiIose hubiera definido como la dirección opuesta en la
Fig. 5.5, se tendría que aplicar un signo menos. para cada caso ZI=VI>IIyZo=Vo>Iocon resultados
positivos si todos tienen las direcciones definidas y la polaridad de la Fig. 5.5. Si la corriente de salida
de un sistema real tiene una dirección opuesta a la
de la Fig. 5.5 se debe aplicar un signo menos al resultado porqueVodebe definirse como aparece en la Fig. 5.5. LOSrmiTRANSISTOR 257
Tenga en cuenta la figura 5.5 cuando analice las redes BJT en este capítulo. Es una introducción importante al MODELO
"Análisis de sistemas", que se está volviendo tan importante con el uso ampliado de los sistemas de circuitos
integrados empaquetados.
Si establecemos un terreno común y reorganizamos los elementos de la figura 5.4,R1yR2será en
paralelo yRCaparecerá del colector al emisor como se muestra en la Fig. 5.7. Debido a que los
componentes del circuito equivalente de transistor que aparece en la figura 5.7 emplean
componentes familiares, como resistencias y fuentes controladas independientes, se pueden aplicar
técnicas de análisis como la superposición, el teorema de Thévenin, etc., para determinar las
cantidades deseadas.
II
B
ZI
HIGO. 5.7
Circuito de la figura 5.4 redibujado para análisis de ca de pequeña señal.
Examinemos más a fondo la figura 5.7 e identifiquemos las cantidades importantes que se
determinarán para el sistema. Como sabemos que el transistor es un dispositivo amplificador,
esperaríamos alguna indicación de cómo el voltaje de salidaVoestá relacionado con el voltaje de
entradaVI- losganancia de voltajeNote en la Fig. 5.7 para esta configuración que elganancia de
corrientees definido porAI=Io>II.
En resumen, por lo tanto, el equivalente de CA de una red de transistores se obtiene mediante:
1. Establecer todas las fuentes de CC a cero y reemplazarlas por un equivalente de cortocircuito

2. Sustitución de todos los condensadores por un equivalente de cortocircuito
3. Eliminación de todos los elementos puenteados por los equivalentes de cortocircuito introducidos por los pasos 1 y 2
4. Redibujar la red de una forma más conveniente y lógica

En las secciones siguientes, se presentará un modelo equivalente de transistor para completar el
análisis de ca de la red de la figura 5.7.
5.4 ELrmiMODELO DE TRANSISTORES
losrmiAhora se presentará el modelo para las configuraciones de transistor CE, CB y CC BJT con una
-
breve descripción de por qué cada una es una buena aproximación al comportamiento real de un
transistor BJT.
C
IB
Configuración de emisor común B
El circuito equivalente para la configuración en emisor común se construirá utilizando las ++

características del dispositivo y una serie de aproximaciones. Comenzando con el lado de entrada, VI mi
Vser
encontramos el voltaje aplicadoVIes igual al voltajeVsersiendo la corriente de entrada la corriente baseI Imi
––
Bcomo se muestra en la figura 5.8.
Recuerde del Capítulo 3 que debido a que la corriente a través de la unión polarizada directa del transistor
esImi, las características para el lado de entrada aparecen como se muestra en la Fig. 5.9a para varios niveles HIGO. 5.8
deVSER. Tomar el valor promedio de las curvas de la figura 5.9a dará como resultado la curva única de la Encontrar el circuito equivalente de entrada
figura 5.9b, que es simplemente la de un diodo con polarización directa. para un transistor BJT.
258ANÁLISIS BJT CA Imi Imi
Varios Promedio
valores valor
deVCB deVCB
0 0,7 V VSER 0 0,7 V VSER

(a) (B)
HIGO. 5.9
Definición de la curva promedio para las características de la figura 5.9a.
IC
IB Por lo tanto, para el circuito equivalente, el lado de entrada es simplemente un solo diodo con una corriente Imi,
como se muestra en la figura 5.10. Sin embargo, ahora debemos agregar un componente a la red que establecerá la
+
corrienteImide la figura 5.10 utilizando las características de salida.
Imi Si volvemos a dibujar las características del colector para que tengan una constanteBcomo se muestra en
Vser
la figura 5.11 (otra aproximación), todas las características en la sección de salida pueden reemplazarse por
–
una fuente controlada cuya magnitud es beta por la corriente de base, como se muestra en la figura 5.11.
Como ahora están presentes todos los parámetros de entrada y salida de la configuración original, en la
HIGO. 5.10 figura 5.12 se estableció la red equivalente para la configuración en emisor común.
Circuito equivalente para el lado de entrada
de un transistor BJT. IC
IB6
IB5
IC
IB4
+
IB3 βIB
β constante
IB
IB2
Vce
+ Imi
IB1
Vser
0 VCE – –
HIGO. 5.11 HIGO. 5.12

ConstanteBcaracteristicas Circuito equivalente BJT.
Puede ser complicado trabajar con el modelo equivalente de la figura 5.12 debido a la conexión
directa entre las redes de entrada y salida. Se puede mejorar reemplazando primero el diodo por su
resistencia equivalente determinada por el nivel deImi, como se muestra en la figura 5.13. Recuerde de
la Sección 1.8 que la resistencia del diodo está determinada porrD=26mV>ID. Usando el subíndicemi
porque la corriente determinante es la corriente del emisor dará como resultadormi=26mV>Imi.
VI Vser
βIB Ahora, para el lado de entrada: ZI= =
IB IB IB
Resolviendo paraVser: Vser=Imirmi= (IC+IB)rmi= (BIB+IB)rmi
++ Imi
= (segundo +1)IBrmi
ZI rmi
VIVser V (b +1)IBrmi
y ZI=ser =
–– IB IB
HIGO. 5.13
ZI= (segundo +1)rmi-Brmi (5.1)
Definición del nivel de ZI.
El resultado es que la impedancia que se ve “mirando hacia” la base de la red es una resistencia igual a beta LOSrmiTRANSISTOR 259
por el valor dermi, como se muestra en la figura 5.14. La corriente de salida del colector todavía está vinculada MODELO
a la corriente de entrada por beta como se muestra en la misma figura.
IB IC
B C
βrmi βIB
mi mi
HIGO. 5.14
Circuito equivalente BJT mejorado.
Por lo tanto, se definió el circuito equivalente para las características ideales de la figura 5.11, pero ahora
los circuitos de entrada y salida están aislados y solo conectados por la fuente controlada, una forma mucho
más fácil de trabajar cuando se analizan redes.
Voltaje temprano
Ahora tenemos una buena representación para el circuito de entrada, pero aparte de que la
corriente de salida del colector está definida por el nivel de beta yIB, no tenemos una buena
representación de la impedancia de salida del dispositivo. En realidad, las características no
tienen la apariencia ideal de la Fig. 5.11. Más bien, tienen una pendiente, como se muestra en la
figura 5.15, que define la impedancia de salida del dispositivo. Cuanto más pronunciada sea la
pendiente, menor será la impedancia de salida y menos ideal será el transistor. En general, es
deseable tener grandes impedancias de salida para evitar sobrecargar la siguiente etapa de un
diseño. Si la pendiente de las curvas se extiende hasta que alcanzan el eje horizontal, es
interesante notar en la figura 5.15 que todas se intersecarán a un voltaje llamado voltaje
temprano. Esta intersección fue descubierta por primera vez por James M. a principios de 1952.
A medida que aumenta la corriente de base, aumenta la pendiente de la línea, lo que da como
resultado un aumento en la impedancia de salida con un aumento en la corriente de base y de
colector.
-V VA+VCEq
ro= = (5.2)
-I ICq
IC(mamá)
1
Pendiente =
Ro1
ΔIC
ΔVCE
Pendiente =1 ICQ
Ro2
ΔIC
ΔVCE
VA 0 VCEQ VCE(V)
VA+VCEQ
HIGO. 5.15
Definición del voltaje inicial y la impedancia de salida de un transistor.
260ANÁLISIS BJT CA Sin embargo, típicamente, el voltaje temprano es lo suficientemente grande en comparación con el voltaje
aplicado de colector a emisor para permitir la siguiente aproximación.
VA
r o- (5.3)
ICq
Claramente, desdeVAes un voltaje fijo, cuanto mayor sea la corriente del colector, menor será la impedancia
de salida.
Para situaciones en las que el voltaje Early no está disponible, la impedancia de salida se puede encontrar a partir
de las características en cualquier base o corriente de colector utilizando la siguiente ecuación:
-y - IC 1
Pendiente = = =
-X - VCE r o
- VCE
y ro= (5.4)
- IC
Para el mismo cambio de voltaje en la figura 5.15, el cambio resultante en la corriente¢ICes significativamente
menor pararo2
quero,Resultando
1
enro 2 siendo mucho más grande quer.o1
En situaciones donde las hojas de especificaciones de un transistor no incluyen el voltaje temprano
o las características de salida, la impedancia de salida se puede determinar a partir del parámetro
híbridohoeque normalmente se traza en cada hoja de especificaciones. Es una cantidad que se
describirá en detalle en la Sección 5.19.
En cualquier caso, ahora se puede definir una impedancia de salida que aparecerá como una resistencia en
paralelo con la salida, como se muestra en el circuito equivalente de la figura 5.16.
HIGO. 5.16
rmimodelo para la configuración de transistor de emisor común
incluyendo efectos de ro.
El circuito equivalente de la figura 5.16 se utilizará a lo largo del análisis siguiente para la
configuración en emisor común. Los valores típicos de beta van de 50 a 200, con valores de Brmi
normalmente va desde unos pocos cientos de ohmios hasta un máximo de 6 k- a 7 k-. La resistencia de
salidarestá típicamente en el rango de 40 k- a 50 k-.
Configuración de base común
El circuito equivalente en base común se desarrollará de la misma manera que se aplica a la

configuración en emisor común. Las características generales del circuito de entrada y salida
generarán un circuito equivalente que se aproximará al comportamiento real del dispositivo. Recuerde
para la configuración de emisor común el uso de un diodo para representar la conexión de la base al
emisor. Para la configuración en base común de la figura 5.17a, la pnptransistor empleado presentará
la misma posibilidad en el circuito de entrada. El resultado es el uso de un diodo en el circuito
equivalente como se muestra en la figura 5.17b. Para el circuito de salida, si volvemos al Capítulo 3 y
revisamos la Fig. 3.8, encontramos que la corriente del colector está relacionada con la corriente del
emisor por alfaun.En este caso, sin embargo, la fuente controlada que define la corriente del colector
como se inserta en la figura 5.17b tiene una dirección opuesta a la de la fuente controlada de la
configuración de emisor común. La dirección de la corriente del colector en el circuito de salida ahora
es opuesta a la corriente de salida definida.
II Imi IC Io II Imi IC Io
ZI
(a) (B)
HIGO. 5.17
(a) Transistor BJT de base común; (b) circuito equivalente para la configuración de (a).
Para la respuesta de ca, el diodo se puede reemplazar por su resistencia de ca equivalente

determinada porrmi=26mV>Imicomo se muestra en la figura 5.18. Tome nota del hecho de que la
corriente del emisor continúa determinando la resistencia equivalente. Se puede determinar una
resistencia de salida adicional a partir de las características de la figura 5.19 de la misma manera que
se aplica a la configuración de emisor común. Las líneas casi horizontales revelan claramente que la
resistencia de salidarocomo se muestra en la figura 5.18 será bastante alto y ciertamente mucho más
alto que el de la configuración típica de emisor común.
Por lo tanto, la red de la figura 5.18 es un excelente circuito equivalente para el análisis de la
mayoría de las configuraciones en base común. Es similar en muchos aspectos a la configuración de
emisor común. En general, las configuraciones de base común tienen una impedancia de entrada muy
baja porque es esencialmente simplementermi. Los valores típicos se extienden desde unos pocos
ohmios hasta quizás 50 -. La impedancia de salidaronormalmente se extenderá en el rango de
megaohmios. Debido a que la corriente de salida es opuesta a la definidaIodirección, encontrará en el
análisis a seguir que no hay cambio de fase entre los voltajes de entrada y salida. Para la configuración
de emisor común hay un cambio de fase de 180°.
II Imi IC Io
+ +
ro
VI ZI Zo Vo
– –
HIGO. 5.18
Base común rmicircuito equivalente.
IC(mamá)
Pendiente =1
Ro
Imi=4mA
4
Imi=3mA
3
Imi=2mA
2
Imi=1mA
1
Imi=0mA
0 VCB
HIGO. 5.19
Definición de Zo.
261
262ANÁLISIS BJT CA Configuración de colector común
Para la configuración de colector común, normalmente se aplica el modelo definido para la
configuración de emisor común de la figura 5.16 en lugar de definir un modelo para la configuración
de colector común. En capítulos posteriores, se investigarán varias configuraciones de colector común
y el efecto de usar el mismo modelo se hará bastante evidente.
npnversuspnp
El análisis de cd denpnypnpconfiguraciones es bastante diferente en el sentido de que las corrientes
tendrán direcciones opuestas y los voltajes polaridades opuestas. Sin embargo, para un análisis de CA
donde la señal progresará entre valores positivos y negativos, el circuito equivalente de CA será el
mismo.
5.5 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA EN
-
EMISOR COMÚN
Los modelos de transistores que se acaban de presentar ahora se utilizarán para realizar un análisis
de CA de pequeña señal de varias configuraciones de red de transistores estándar. Las redes
analizadas representan la mayoría de las que aparecen en la práctica. Las modificaciones de las
configuraciones estándar serán relativamente fáciles de examinar una vez que se revise y comprenda
el contenido de este capítulo. Para cada configuración, se examina la integridad del efecto de una
impedancia de salida.
La sección de análisis por computadora incluye una breve descripción del modelo de transistor
empleado en los paquetes de software PSpice y Multisim. Demuestra el alcance y la profundidad de
los sistemas de análisis informático disponibles y lo relativamente fácil que es entrar en una red
compleja e imprimir los resultados deseados. La primera configuración que se analizará en detalle es
la de emisor común.polarización fijared de la figura 5.20. Tenga en cuenta que la señal de entradaVIse
aplica a la base del transistor, mientras que la salidaVoestá fuera del colector. Además, reconozca que
la corriente de entradaIIno es la corriente base, sino la corriente fuente y la corriente de salida Ioes la
corriente del colector. El análisis de CA de pequeña señal comienza eliminando los efectos de CC deVCC
y reemplazar los condensadores de bloqueo de CCC1yC2por equivalentes de cortocircuito, lo que da
como resultado la red de la figura 5.21.
VCC
RC
RB Io C Vo
C Vo
II II Io
C2 B
B VI
VI
RC
C1 Zo
Zo
RB mi
mi ZI
ZI
HIGO. 5.20 HIGO. 5.21

Configuración de polarización fija en emisor común. Red de la Fig. 5.20 después de la eliminación
de los efectos de VCC, C1, y C2.
Observe en la figura 5.21 que la tierra común de la fuente de CC y la terminal del emisor del
transistor permite la reubicación deRByRCen paralelo con las secciones de entrada y salida del
transistor, respectivamente. Además, tenga en cuenta la ubicación de los parámetros de red
importantesZI,Zo,II, yIoen la red redibujada. Sustituyendo elrmiEl modelo para la configuración
en emisor común de la figura 5.21 da como resultado la red de la figura 5.22.
El siguiente paso es determinarB,rmi, yro. La magnitud deBse obtiene típicamente de una
hoja de especificaciones o por medición directa utilizando un trazador de curvas o un transistor
EMISOR COMÚN263
II IB IC SESGO FIJO
CONFIGURACIÓN
+ ZI B C +
Io
VI Vo
RB βrmi βIB ro RC
– –
Zo
HIGO. 5.22
Sustituyendo la rmimodelo en la red de la figura 5.21.
instrumento de prueba El valor dermidebe determinarse a partir de un análisis de cd del sistema, y la

magnitud deronormalmente se obtiene de la hoja de especificaciones o características. Asumiendo
queB,rmi, yrose han determinado dará como resultado las siguientes ecuaciones para las importantes
características de dos puertos del sistema.
ZI La figura 5.22 muestra claramente que
ZI=RB7Brmi ohmios (5.5)
Para la mayoría de las situacionesRBes mayor queBrmipor más de un factor de 10 (recuerde del
análisis de elementos en paralelo que la resistencia total de dos resistencias en paralelo siempre es
menor que la más pequeña y muy cercana a la más pequeña si una es mucho más grande que la otra),
lo que permite la siguiente aproximación:
ZI-Brmi ohmios (5.6)

RBtu10Brmi
Zo Recuerde que la impedancia de salida de cualquier sistema se define como la impedanciaZo

determinado cuandoVI 0. Para la figura 5.22, cuandoVI 0,II=IB=0, lo que resulta en una apertura
Zo
equivalencia del circuito para la fuente de corriente. El resultado es la configuración de la figura 5.23.
ro RC
Tenemos
Zo=RC7ro ohmios (5.7)
Sirotu10RC, la aproximaciónRC7ro-RCse aplica con frecuencia y HIGO. 5.23

Determinando Zopara la red
Zo-RC (5.8) de la figura 5.22.
Rotu10RC
Av las resistenciasroyRCestán en paralelo y

Vo= -BIB(RC7ro)
VI
pero IB=
Brmi
VIB(RC7ro)
así que eso Vo= -Ba
Brmi
Vo (RC7ro)
y Av= =- (5.9)
VI rmi
Sirotu10RC, de modo que el efecto deropuede ser ignorado,
RC
Av= - (5.10)
rmi
rotu10RC
Obsérvese la ausencia explícita deBen ecuaciones (5.9) y (5.10), aunque reconocemos queBdebe
utilizarse para determinarrmi.
264ANÁLISIS BJT CA Relación de faseEl signo negativo en la ecuación resultante paraAvrevela que ocurre un cambio de
fase de 180° entre las señales de entrada y salida, como se muestra en la figura 5.24. es resultado del
hecho de queBIBestablece una corriente a través deRCque resultará en un voltaje a través RC, lo
contrario de lo definido porVo.
VCC
Vo
RC
RB
VI Vo 0 t
0 t VI
HIGO. 5.24
Demostración del cambio de fase de 180° entre las formas de onda de entrada y salida.
EJEMPLO 5.1Para la red de la figura 5.25:

un. Determinarrmi.
B. EncontrarZI(conro= - ).
C. CalcularZo(conro= - ).
D. DeterminarAv(conro= - ).
mi. Repita las partes (c) y (d) incluyendoro=50 k- en todos los cálculos y comparar resultados.
12 voltios
3 kΩ
470 kΩ
Io
II Vo
10 μF
VI
10 μF β=100 Zo
ro=50 kΩ
ZI
HIGO. 5.25
Ejemplo 5.1.
Solución:
un. Análisis de CC:
VCC-VSER 12 V - 0,7 V
IB= = =24.04metroA
RB 470 k-
Imi= (segundo +1)IB= (101)(24.04metroA) = 2.428mA
26mV 26mV
rmi= = =10.71-
Imi 2.428mA
B.Brmi= (100)(10.71 -) = 1.071 k-
ZI=RB7Brmi=470 k-71.071 k- =1.07k-
C.Zo=RC=3k-
R 3k-
D.Av= -C =- = -280.11
rmi 10.71 -
mi.Zo =r7oRC 7 =2,83k-vs 3 k-
=50 k- 3 k- BIAS DEL DIVISOR DE VOLTAJE265
ro7RC 2.83 k-
Av= - = = -264.24vs -280.11
rmi 10.71 -
-
5.6 BIAS DEL DIVISOR DE VOLTAJE
La siguiente configuración a analizar es ladivisor de voltajered de polarización de la figura 5.26. Recuerde que
el nombre de la configuración es el resultado de la polarización del divisor de voltaje en el lado de entrada
para determinar el nivel de cd deVB.
Sustituyendo elrmicircuito equivalente da como resultado la red de la figura 5.27. Nótese la ausencia deR
midebido al efecto de cortocircuito de baja impedancia del condensador de derivación,Cmi. Es decir, a la
frecuencia (o frecuencias) de operación, la reactancia del capacitor es tan pequeña en comparación conRmi
que se trata como un cortocircuito a travésRmi. CuándoVCCse pone a cero, coloca un extremo deR1yRCal
potencial de tierra como se muestra en la figura 5.27. Además, tenga en cuenta queR1y R2siguen siendo parte
del circuito de entrada, mientras queRCes parte del circuito de salida. La combinación paralela deR1yR2es
definido por
R12R
R =R17R2= (5.11)
R1+R2
ZI De la figura 5.27
ZI=R7Brmi (5.12)
VCC
Io
RC
R1
C Vo
II C2
B
VI
C1 Zo
mi
ZI R2
Rmi Cmi
HIGO. 5.26
Configuración de polarización del divisor de voltaje.
II
B IB C
+ Io +
ZI
VI R1 R2 βrmi βIB ro RC Vo
– mi mi Zo –
R'
HIGO. 5.27
Sustituyendo la rmicircuito equivalente en la red equivalente de ca de la figura 5.26.
266ANÁLISIS BJT CA Zo De la figura 5.27 conVIajustado a 0 V, resultando enIB=0metroun yBIB=0 ma,
Zo=RC7ro (5.13)
Sirotu10RC,
Zo-RC (5.14)
Rotu10RC
Av PorqueRCyroestán en paralelo,
Vo= -(BIB)(RC7ro)
VI
y I B=
Brmi
VIB(RC7ro)
así que eso Vo= -Ba
Brmi
Vo - RC7ro
y Av= = (5.15)
VI rmi
que notará es un duplicado exacto de la ecuación obtenida para la configuración de

polarización fija.
Pararotu10RC,
Vo RC
Av= VI - - (5.16)
rmi
rotu10RC
Relación de faseEl signo negativo de la Ec. (5.15) revela un cambio de fase de 180° entre V
oyVI.
EJEMPLO 5.2 Para la red de la figura 5.28, determine:
un.rmi.
B.ZI.
C.Zo(ro= - ).
D.Av(ro= - ).
mi. Los parámetros de las partes (b) a (d) siro=50 k- y comparar resultados.
22V
Io
6,8 kΩ
56 kΩ 10 μF
Vo
10 μF
VI β=90 Zo
II
8,2 kΩ
ZI 20 μF
1,5 kΩ
HIGO. 5.28
Ejemplo 5.2.
Solución: CE EMISOR-BIAS 267
CONFIGURACIÓN
un. CC: PruebasBRmi710R2,
(90)(1,5 k-)710(8,2 k-) 135 k-782
k- (satisfecho)
Usando el enfoque aproximado, obtenemos
R2 (8,2 k-)(22 V)
VB= VCC= =2,81 voltios
R1+R2 56 k- + 8,2 k-
Vmi=VB-VSER=2,81 V - 0,7 V = 2,11 V
Vmi 2,11 voltios
= Imi= =1,41 mA
Rmi 1.5 k-
26mV 26mV
rmi= = =18.44-
Imi 1,41 mA
B.R=R17R2= (56 k-)7 (8,2 k-) = 7,15 k-
ZI=R7Brmi=7.15 k-7 (90)(18.44 -) = 7.15 k-71.66 k-
=1.35k-
C.Zo=RC=6,8k-
RC 6.8 k-
D.A v= - =- = -368.76
rmi 18.44 -
mi.ZI=1.35k-
Zo=RC7ro=6.8 k-750 k =5,98k-vs 6.8 k-
RC7ro 5.98 k-
Av= - =- = -324.3vs -368.76
rmi 18.44 -
Hubo una diferencia medible en los resultados paraZoyAv, porque la condición rotu
10RCeranosatisfecho.
-
5.7 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN DEL EMISOR CE
Las redes examinadas en esta sección incluyen una resistencia de emisor que puede o no pasarse por
alto en el dominio de ca. Primero consideramos la situación no anulada y luego modificamos las
ecuaciones resultantes para la configuración anulada.
sin pasar por alto
La más fundamental de las configuraciones no puenteadas aparece en la figura 5.29. losrmimodelo

equivalente se sustituye en la figura 5.30, pero tenga en cuenta la ausencia de la resistenciaro. El
efecto deroes hacer el análisis mucho más complicado, y considerando el hecho de que en
VCC II
B C
IB
+ +
RC βrmi βIB
ZI Io
RB
Io
Vo ZB Zo
II C2 VI RB RC Vo
VI mi
C1 Imi= (β+1)IB
Zo Rmi
Rmi
– –
ZI
HIGO. 5.29 HIGO. 5.30

Configuración de polarización de emisor CE. Sustituyendo la rmicircuito equivalente en la red equivalente de ca de la figura 5.29.
268ANÁLISIS BJT CA la mayoría de las situaciones su efecto puede ser ignorado, no será incluido en el presente análisis. Sin
embargo, el efecto derose discutirá más adelante en esta sección.
La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al lado de entrada de la figura 5.30 da como resultado
VI=IBBrmi+ImiRmi
o VI=IBBrmi+ (segundo +I)IBRmi
y la impedancia de entrada mirando hacia la red a la derecha deRBes
V
ZB=I=Brmi+ ( segundo +1)Rmi
IB
El resultado que se muestra en la figura 5.31 revela que la impedancia de entrada de un transistor con una
resistencia no puenteadaRmiEsta determinado por
rmi β ZB=Brmi+ (segundo +1)Rmi (5.17)
PorqueBes normalmente mucho mayor que 1, la ecuación aproximada es

ZB
Rmi ZB-Brmi+BRmi
y ZB-B(rmi+Rmi) (5.18)
HIGO. 5.31
PorqueRmisuele ser mayor quermi, ecuación (5.18) se puede reducir aún más a
Definición de la impedancia de entrada de un
transistor con un bypass
resistencia del emisor. ZB-BRmi (5.19)
ZI Volviendo a la figura 5.30, tenemos
ZI=RB7ZB (5.20)
Zo ConVIpuesto a cero,IB=0, yBIBpuede ser reemplazado por un equivalente de circuito abierto. El

resultado es
Zo=RC (5.21)
Av
VI
IB=
ZB
y Vo= -IoRC= -BIBRC
V
= -Ba IBRC
ZB
Vo BRC
con Av= =- (5.22)
VI ZB
SustituyendoZB-B(rmi+Rmi) da
Vo RC
Av= VI - - (5.23)
rmi+Rmi
y para la aproximaciónZB-BRmi,
Vo RC
Av= -- (5.24)
VI Rmi
Nótese la ausencia deBde la ecuación paraAvdemostrando una independencia en la variación de

B.
Relación de faseEl signo negativo en la Ec. (5.22) nuevamente revela un cambio de fase de 180°
entreVoyVI.
Efecto dero Las ecuaciones que aparecen a continuación revelarán claramente la complejidad adicional CE EMISOR-BIAS 269
resultante de incluirroen el análisis. Tenga en cuenta, sin embargo, que en cada caso, cuando se cumplen CONFIGURACIÓN
ciertas condiciones, las ecuaciones vuelven a la forma que se acaba de derivar. La derivación de cada
ecuación está más allá de las necesidades de este texto y se deja como ejercicio para el lector. Cada ecuación
se puede derivar a través deCuidadoaplicación de las leyes básicas del análisis de circuitos, como las leyes de
tensión y corriente de Kirchhoff, las conversiones de fuentes, el teorema de Thévenin, etc. Las ecuaciones se
incluyeron para eliminar la pregunta persistente del efecto dero
sobre los parámetros importantes de una configuración de transistor.
ZI
(b +1) +RC>roDR 1 +
ZB=Brmi+C (R mi (5.25)
+R C mi)>ro
porque la proporciónRC>rosiempre es mucho menor que (segundo +1),
(b +1)Rmi
ZB-Brmi+
1 + (RC+Rmi)>ro
Pararotu10(RC+Rmi),
ZB-Brmi+ (segundo +1)Rmi
que se compara directamente con la Ec. (5.17).
En otras palabras, sirotu10(RC+Rmi), todas las ecuaciones derivadas del resultado anterior. Porque
segundo +1 -B,la siguiente ecuación es excelente para la mayoría de las aplicaciones:
ZB-B(rmi+Rmi) (5.26)
rotu10(RC+Rmi)
Zo
B(ro+rmi)
Zo=RC-£ro+ (5.27)
Brmi§
1+
Rmi
Sin embargo,roWrmi, y
B
Zo-RC-ro£1 +
§
Brmi
1+
Rmi
que se puede escribir como
1
Zo-RC-ro£1 +
1 rmi§
+
B Rmi
Típicamente 1>Byrmi>Rmison menores que uno con una suma generalmente menor que uno. El
resultado es un factor multiplicador pararomayor que uno. Parasegundo =100,rmi=10 -, yRmi=1 k-,
1 1 1
= = =50
1 rmi 1 10 - 0.02
+ +
B Rmi 100 1000 -
y Zo=RC751ro
que ciertamente es simplementeRC. Por lo tanto,
Zo-RC (5.28)
Cualquier nivel dero
que se obtuvo antes.

270ANÁLISIS BJT CA Av
BRC rmiD RC
- C1 + +
Vo ZB ro ro
Av= = (5.29)
VI RC
1+
ro
r
El radio miV1, y
ro
BRC RC
- +
Vo ZB ro
Av= -
VI RC
1+
ro
Pararotu10RC,
Vo- - BRC
Av= (5.30)
VI ZB rotu10RC
como se obtuvo anteriormente.
anulado
SiRmide la figura 5.29 es puenteado por un capacitor emisorCmi, El completormiSe puede sustituir el modelo
equivalente, lo que da como resultado la misma red equivalente que la figura 5.22. Por lo tanto, son
aplicables las ecuaciones (5.5) a (5.10).
EJEMPLO 5.3 Para la red de la figura 5.32, sinCmi(sin anular), determine:

un.rmi.
B.ZI. 20 voltios
C.Zo.
D.Av.
Io
2,2 kΩ
10 μF
470 kΩ
Vo
C2
10 μF Zo
VI β=120,ro=40 kΩ
II C1
ZI 0,56 kΩ Cmi
10 μF
HIGO. 5.32
Ejemplo 5.3.
Solución:
un. CORRIENTE CONTINUA:
VCC-VSER 20 V - 0,7 V
IB= = =35.89metroA
RB+ (segundo +1)Rmi 470 k- + (121)0,56 k-
Imi= (segundo +1)IB= (121)(35.89metroA) = 4,34mA
26mV 26mV
y rmi= = =5.99-
Imi 4,34mA
B. Probando la condiciónrotu10(RC+Rmi), obtenemos CE EMISOR-BIAS 271
CONFIGURACIÓN
40 k-tu10(2,2 k- + 0,56 k-)
40 k-tu10(2,76 k-) = 27,6 k- (satisfecho)
Por lo tanto,
ZB-B(rmi+Rmi) = 120(5.99 - + 560 -)

=67.92 k-
y ZI=RB7ZB=470 k-767.92 k-
=59.34k-
C.Zo=RC=2,2k-
D.rotu10RCEstá satisfecho. Por lo tanto,
Vo BRC (120)(2,2 k-)
Av= -- =-
VI ZB 67.92 k-
= -3.89
en comparación con -3.93 usando la ecuación. (5.20):Av- -RC>Rmi.
EJEMPLO 5.4Repita el análisis del ejemplo 5.3 conCmien su lugar.
Solución:
un. El análisis dc es el mismo, yrmi=5,99 -.
B.Rmies "cortocircuitado" porCmipara el análisis de ca. Por lo tanto,
ZI=RB7ZB=RB7Brmi=470 k-7 (120)(5.99 -)

=470 k-7718.8 - -717.70-
C.Zo=RC=2,2k-
R
D.Av= -C
rmi
2.2 k-
=- = -367.28(un aumento significativo)
5.99 -
EJEMPLO 5.5Para la red de la figura 5.33 (conCmino conectado), determine (usando las
aproximaciones apropiadas):
un.rmi.
B.ZI.
C.Zo.
D.Av.
16 voltios
Io
2,2 kΩ
90 kΩ
+
C2
VI β=210,ro=50 kΩ
II C1
Zo
Vo
ZI 10 kΩ
0,68 kΩ Cmi
–
HIGO. 5.33
Ejemplo 5.5.
272ANÁLISIS BJT CA Solución:
un. PruebasBRmi710R2,
(210)(0,68 k-)710 (10 k-)
142.8 k-7100 k- (satisfecho)
tenemos
R2 10 k-
VB= R1+R2 VCC= (16 V) = 1,6 V
90 k- + 10 k-
Vmi=VB-VSER=1,6 V - 0,7 V = 0,9 V
Vmi 0,9 V
Imi= = =1.324mA
Rmi 0,68 k-
26mV 26mV
rmi= = =19.64-
Imi 1.324mA
B. El circuito equivalente de ca se proporciona en la figura 5.34. La configuración resultante es diferente de la
figura 5.30 solo por el hecho de que ahora
RB=R=R17R2= 9 k-
II +
+ Io
Zo
ZI 2,2 kΩ Vo
VI 10 kΩ 90 kΩ
0,68 kΩ
– –
R'
HIGO. 5.34
El circuito equivalente de ca de la figura 5.33.
Las condiciones de prueba derotu10(RC+Rmi) yrotu10RCambos están satisfechos. Usando las

aproximaciones apropiadas se obtiene
ZB-BRmi=142.8 k- ZI=RB7ZB=9
k-7142.8 k-
=8.47k-
C.Zo=RC=2,2k- RC
2.2 k-
D.Av= - =- = -3.24
Rmi 0,68 k-
EJEMPLO 5.6Repita el Ejemplo 5.5 conCmien su lugar.
Solución:
un. El análisis dc es el mismo, yrmi=19.64-.
B.ZB=Brmi= (210)(19.64 -) - 4.12 k-
ZI=RB7ZB=9 k-74.12 k-
=2,83k-
C.Zo=RC=2,2k-
RC 2.2 k-
D.Av= - =- = -112.02(un aumento significativo)
rmi 19.64 -
En la figura 5.35 se muestra otra variación de una configuración de polarización de emisor. Para el análisis
de cd, la resistencia del emisor esRmi+Rmi,mientras
1
que
2
para el análisis de ca, la resistenciaRmien
las ecuaciones anteriores es simplementeRmi1 conRmipasado
2
por alto porCmi.
VCC EMISOR-SEGUIDOR 273
CONFIGURACIÓN
Io
RC
RB C2
Vo
C1
VI
II
Rmi1
Zo
ZI
Rmi2 Cmi
HIGO. 5.35
Una configuración de polarización de emisor con una
parte de la resistencia de polarización de emisor
anulado en el dominio ac.
5.8 CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR

-
Cuando la salida se toma de la terminal emisora del transistor, como se muestra en la figura
5.36, la red se denomina redemisor-seguidor.El voltaje de salida siempre es ligeramente menor
que la señal de entrada debido a la caída de la base al emisor, pero la aproximaciónAv-1 suele
ser bueno. A diferencia del voltaje del colector, el voltaje del emisor está en fase con la señal.VI.
Es decir, ambosVoyVIalcanzar sus valores máximos positivos y negativos al mismo tiempo. El
hecho de queVo“sigue” la magnitud deVIcon una relación en fase da cuenta de la terminología
emisor-seguidor.
VCC
RB C
II
B
VI
C1 C2
mi Vo
Io
ZI Rmi
Zo
HIGO. 5.36
Configuración emisor-seguidor.
La configuración de emisor-seguidor más común aparece en la figura 5.36. De hecho, debido a que
el colector está conectado a tierra para el análisis de CA, en realidad es uncolector común
configuración. Otras variaciones de la figura 5.36 que extraen la salida del emisor conVo-VIaparecerá
más adelante en esta sección.
La configuración de emisor-seguidor se usa con frecuencia para fines de igualación de impedancia.
Presenta una alta impedancia en la entrada y una baja impedancia en la salida, que es directamente
opuesta a la configuración estándar de polarización fija. El efecto resultante es muy similar al que se
obtiene con un transformador, donde la carga se adapta a la impedancia de la fuente para una
máxima transferencia de energía a través del sistema.
Sustituyendo elrmicircuito equivalente en la red de la figura 5.36 da como resultado la red de la
figura 5.37. El efecto derose examinará más adelante en la sección.
274ANÁLISIS BJT CA II
B C
IB
+
βrmi βIB
ZI
VI RB
mi
+
Io
ZB Zo Vo
Rmi
– Imi= (β+1)IB –
HIGO. 5.37
Sustituyendo la rmicircuito equivalente en la ca
red equivalente de la figura 5.36.
ZI La impedancia de entrada se determina de la misma manera que se describe en la sección anterior:
ZI=RB7ZB (5.31)
con ZB=Brmi+ (segundo +1)Rmi (5.32)
o ZB-B(rmi+Rmi) (5.33)
y ZB-BRmi RmiWrmi
(5.34)
Zo La impedancia de salida se describe mejor escribiendo primero la ecuación para la corrienteIB,

VI
IB=
ZB
y luego multiplicando por (segundo +1) establecerImi. Es decir,
V
Imi= (segundo +1)IB= (segundo +1)I
ZB
reemplazandoZBda
(b +1)VI
Imi= Brmi+ (segundo +1)Rmi
VI
o Imi= [Brmi>(segundo +1)] +Rmi
pero (b +1) -B
Brmi Brmi=r
y - mi
segundo +1 B
rmi
Vo
VI
+ Imi así que eso Imi- (5.35)
rmi+Rmi
VI Rmi
Zo
– Si ahora construimos la red definida por la Ec. (5.35), resulta la configuración de la figura
5.38.
Para determinarZo,VIse pone a cero y
HIGO. 5.38
Definición de la impedancia de salida
Zo=Rmi7rmi (5.36)
para la configuración emisor-seguidor.
PorqueRmisuele ser mucho mayor quermi, a menudo se aplica la siguiente aproximación: EMISOR-SEGUIDOR 275
CONFIGURACIÓN
Zo-rmi (5.37)
Av La figura 5.38 se puede utilizar para determinar la ganancia de voltaje mediante la aplicación de la regla
del divisor de voltaje:
RmiVI
Vo=
Rmi+rmi
Vo Rmi
y Av= = (5.38)
VI Rmi+rmi
PorqueRmisuele ser mucho mayor quermi,Rmi+rmi-Rmiy
Vo
Av= - 1 (5.39)
VI
Relación de faseComo lo revela la Ec. (5.38) y discusiones anteriores de esta sección,Vo

yVIestán en fase para la configuración emisor-seguidor.
Efecto dero
ZI
(b +1)Rmi
ZB=Brmi+ (5.40)
R
1 +mi
ro
Si la condiciónrotu10RmiEstá satisfecho,
ZB=Brmi+ (segundo +1)Rmi
que coincide con las conclusiones anteriores con
ZB-B(rmi+Rmi) rotu10Rmi
(5.41)
Zo
Brmi
Zo=ro-Rmi- (5.42)
(b +1)
Utilizandosegundo +1 -B,obtenemos
Zo=ro7Rmi7rmi
y porquéroWrmi,
Zo-Rmi7rmi Ningunaro
(5.43)
Av
(b +1)R>Zmi B
Av= (5.44)
R
1 +mi
ro
Si la condiciónrotu10Rmise satisface y usamos la aproximaciónsegundo +1 -B,encontramos

BRmi
Av-
ZB
276ANÁLISIS BJT CA Pero ZB-B(rmi+Rmi)
BRmi
así que eso Av-
B(rmi+Rmi)
Rmi
y Av- (5.45)
rmi+Rmi
rotu10Rmi
EJEMPLO 5.7Para la red emisor-seguidor de la figura 5.39, determine:

un.rmi.
B.ZI.
C.Zo.
D.Av.
mi. Repita las partes (b) a (d) conro=25 k- y comparar resultados.
12 voltios
RB 220 kΩ
10 μF
VI β=100,ro=∞ Ω
II 10 μF
Vo
Io
ZI Rmi 3,3 kΩ
Zo
HIGO. 5.39
Ejemplo 5.7.
Solución:
VCC-VSER
un.IB=
RB+ (segundo +1)Rmi
12 V - 0,7 V
= =20.42metroA
220 k- + (101)3,3 k- Imi= (
segundo +1)IB
= (101)(20.42metroA) = 2,062mA
26mV 26mV
rmi= = =12.61-
Imi 2.062mA
B.ZB=Brmi+ (segundo +1)Rmi
= (100)(12,61-) + (101)(3,3 k-) =
1.261 k- + 333,3 k- =334,56 mil- -
BRmi
ZI=RB7ZB=220 k-7334.56 k-
=132,72 mil-
C.Zo=Rmi7rmi=3.3 k-712.61 - =
12.56- -rmi
Vo Rmi 3.3 k-
D.Av= = =
VI Rmi+rmi 3,3 k- + 12,61 -
=0.996@1
mi. Comprobando la condiciónrotu10Rmi, tenemos BASE COMÚN 277
CONFIGURACIÓN
25 k-tu10(3.3 k-) = 33 k-
cual esnosatisfecho. Por lo tanto,
(b +1)R (100 + 1)3.3 k-
ZB=Brmi+ mi= (100)(12.61 -) +
Rmi 3.3 k-
1+ 1+
ro 25 k-
=1.261 k- + 294,43 k-
=295.7 k-
con ZI=RB7ZB=220 k-7295.7 k-
=126,15 mil-vs 132.72 k- Z obtenido antes
o=Rmi7rmi=12.56- como se obtuvo anteriormente
(b +1)R mi>ZB= (100 + 1)(3,3 k-)>295,7 k-

Av=
RmiD 3.3 k-
C1 + C1 + D
ro 25 k-
=0.996@1
coincidiendo con el resultado anterior.
En general, por lo tanto, aunque la condiciónrotu10Rmino está satisfecho, los resultados paraZoyAv
son iguales, conZIsolo un poco menos. Los resultados sugieren que para la mayoría de las aplicaciones
se puede obtener una buena aproximación a los resultados reales simplemente ignorando los efectos
deropara esta configuración.
La red de la figura 5.40 es una variación de la red de la figura 5.36, que emplea una sección de
entrada de divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarización. Las ecuaciones (5.31) a
(5.34) se cambian solo reemplazandoRBporR=R17R2.
La red de la figura 5.41 también proporciona las características de entrada/salida de un seguidor
de emisor, pero incluye una resistencia de colectorRC. En este casoRBes nuevamente reemplazada por
la combinación paralela deR1yR2. La impedancia de entradaZIe impedancia de salidaZono se ven
afectados porRCporque no se refleja en las redes equivalentes de base o emisor. De hecho, el único
efecto deRCes determinar laq-punto de operación.
VCC VCC
RC
R1 R1
II C1
VI VI
C1 C2 C2
Vo Vo
R2 R2
ZI Io ZI Io
Rmi Rmi
Zo Zo
HIGO. 5.40 HIGO. 5.41

Configuración de emisor-seguidor con un Configuración emisor-seguidor con
arreglo de polarización de divisor de voltaje. una resistencia de colector RC.
5.9 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN

-
La configuración de base común se caracteriza por tener una entrada relativamente baja y una impedancia de
salida alta y una ganancia de corriente menor que 1. Sin embargo, la ganancia de voltaje puede ser bastante
grande. La configuración estándar aparece en la figura 5.42, con la base comúnrmimodelo equivalente
sustituido en la figura 5.43. La impedancia de salida del transistorrono está incluido para el
IC
II Imi IC mi C
Imi
+ mi C + + II Io
+
Io
Rmi RC VI Rmi rmi αImi RC Vo Zo
VI ZI Vo Zo ZI
+ B – – –
VCC
– –
VEE.UU.
+ –
HIGO. 5.42 HIGO. 5.43

Configuración en base común. Sustituyendo la rmicircuito equivalente en la red equivalente de ca
de la figura 5.44.
configuración de base común porque normalmente está en el rango de megaohmios y se puede ignorar en
paralelo con la resistenciaRC.
ZI
ZI=Rmi7rmi (5.46)
Zo
Zo=RC (5.47)
Av
Vo= -IoRC= -(-IC)RC=aImiRC
VI
con Imi=
rmi
VIBR
así que eso Vo=aa C
rmi
Vo aRC- RC
y Av= = (5.48)
VI rmi rmi
AI Asumiendo queRmiWrmirendimientos
Imi=II
y Io= -aImi= -aII
Io= -a - -1
con A I= (5.49)
II
Relación de fase El hecho de queAves un número positivo muestra queVoyVIestán en

fase para la configuración en base común.
Efecto dero Para la configuración en base común,ro=1>htransmisión exteriorestá típicamente en el rango de

megaohmios y es suficientemente mayor que la resistencia en paraleloRCpara permitir la aproximación ro7RC
-RC.
un.rmi.
10 µF I-mi
II 10 μF
B.ZI.
C.Zo. + +
II Io
D.Av. Rmi α =0.98RC
1 kΩ 5 kΩ
mi.AI. VI ro=1 MΩ Vo
ZI + – Zo
– –
2 voltios 8 voltios
– +
HIGO. 5.44
Ejemplo 5.8.
278
Solución: COMENTARIOS DEL COLECCIONISTA 279
CONFIGURACIÓN
- VBmi 2 V - 0. 7 V
VEE.UU. 1,3 V
un.Imi= = = =1,3 mA
Rmi 1 k- 1 k-
26mV 26mV
rmi= = =20-
Imi 1,3 mA
B.ZI=Rmi7rmi=1 k-720 - =
19.61- -rmi
C.Zo=RC=5k-
RC 5k-
D.Av- = =250
rmi 20 -
mi.AI= -0.98- -1
-
5.10 CONFIGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
La red de retroalimentación del colector de la figura 5.45 emplea una ruta de retroalimentación del colector a
la base para aumentar la estabilidad del sistema, como se explica en la sección 4.6. Sin embargo, la simple
maniobra de conectar una resistencia de la base al colector en lugar de la base al suministro de CC tiene un
efecto significativo en el nivel de dificultad que se encuentra al analizar la red.
Algunos de los pasos que se realizarán a continuación son el resultado de la experiencia
trabajando con tales configuraciones. No se espera que un nuevo estudiante de la materia elija la
secuencia de pasos que se describe a continuación sin dar uno o dos pasos equivocados. Sustituyendo
el circuito equivalente y redibujando la red se obtiene la configuración de la figura 5.46. Los efectos de
una resistencia de salida de transistor.rose discutirá más adelante en la sección.
VCC
RC
RF Io
Vo
C2
C
B – RF+ C Io
II
B + II IB IC +
VI I'
Zo
C1 VI βrmi βIB RC ZoVo
ZI
mi
ZI – –
HIGO. 5.45 HIGO. 5.46

Configuración de retroalimentación del colector. Sustituyendo la rmicircuito equivalente en la ca
red equivalente de la figura 5.45.
ZI
+ BIB Io=I
V - VI
y I=o
RF
pero Vo= -IoRC= -(IVI=IB + BIB)RC
con Brmi
(I + BIB)RC-IBBrmi= - RF infrarrojos BIBRC- IBBrmi
I =-
C
así que eso -

RF RF RF
que cuando se reordena de la siguiente manera:
RCsegundo = -BI (RC + rmi

)
Ia1 + B
RF RF
280ANÁLISIS BJT CA (RC + rmi
)
y finalmente, I = -BI
BRC+RF
VI:
AhoraZI=
II
(RC + rmi
)
y II=IB-I =IB+BI BRC+RF
(RC + rmi
) B
o II=IBa1 +B
RC+RF
reemplazandoVIen la ecuación anterior paraZIsale de
V IBBrmi Brmi
ZI=I = =
II (R + rmi
) (RC + rmi
)
IBa1 +BC B 1 +B
RC+RF RC+RF
Ya queRCWrmi
Brmi
ZI=
BRC
1+
RC+RF
rmi
o ZI= (5.50)
1 RC
+
B RC+RF
Zo si establecemosVIa cero como se requiere para definirZo, la red aparecerá como se muestra en la
Fig. 5.47. El efecto deBrmise elimina, yRFaparece en paralelo conRCy
Zo-RC7RF (5.51)
RF
IB=0 un
VI=0 βrmi βI=0

B un RC Zo
HIGO. 5.47
Definición de Zopara la configuración de retroalimentación del colector.
Av
Vo= -IoRC= -(I+BIB)RC
(RC+rmi)
= -a-BIB + BIBBR C
RC+RF
(R+
Cr
o Vo= -BIBa1 - miBR
C
RC+RF
Luego
(RC + rmi)
- BIaB 1 - BRC
Vo= RC+RF
Av=
VI BrmiIB
(RC+rmi) RC
= -a1 - B
RC+RF rmi
ParaRCWrmi
RC R
Av= -a1 - BC
RC+RF rmi
(R+ RF - RC)RC COLUMNA COMENTARIOS DEL LECTOR281
o A=
v -C CONFIGURACIÓN
RC + RF rmi
RF RC
y Av= - a B (5.52)
RC+RF rmi
ParaRFWRC
RC
Av- - (5.53)
rmi
Relación de faseEl signo negativo de la Ec. (5.52) indica un cambio de fase de 180° entre V
oyVI.
Efecto dero
ZI Un análisis completo sin aplicar aproximaciones da como resultado
RC7ro
1+
RF
ZI= (5.54)
1 1 RC-ro RC-r o
+ + +
Brmi RF BrmiRF RFrmi
Aplicando la condiciónrotu10RC, obtenemos

R RCD
1 +C rmiC1 +
RF RF
ZI= =
1 1 RC RC 1 1 RC+RD
+ + + + Cr+
Brmi RF BrmiRF RFrmi B RF mi B C
RC,
AplicarRCWrmiy
B
RCD RF+RCD
rmiC1 + rmiC
RF RF rmi
ZI- = =
1 RC RF+BRC 1 RF RC
+ a
RF BRF
segundo +
B B RF+RC RC+RF
RF
pero desdeRFtípicamenteWRC,RF+RC-RFy =1
RF+RC
rmi
ZI- (5.55)
1 RC
+
B RC+RF
roWRC,RF7RC
Zo Inclusoroen paralelo conRCen la figura 5.47 da como resultado
Zo=ro7RC7RF (5.56)
Pararotu10RC,
Zo-RC7RF rotu10RC
(5.57)
como se obtuvo anteriormente. Por la condición común deRFWRC,
Zo-RC rotu10RC,RFWRC
(5.58)
282ANÁLISIS BJT CA Av
RF R - ro
Av= -a BC (5.59)
RC-ro+RF rmi
Pararotu10RC,
RF RC
Av- - a B (5.60)
RC+RF rmi
rotu10RC
y paraRFWRC
RC
Av- - (5.61)
rmi
rotu10RC,RFtuRC
EJEMPLO 5.9Para la red de la figura 5.48. determinar:

un.rmi.
B.ZI.
C.Zo.
D.Av.
mi. Repita las partes (b) a (d) conro=20 k- y comparar resultados.
9V
2,7 kΩ
180 kΩ Io
Vo
II 10 μF
VI β=200,ro=∞ Ω
10 μF
Zo
ZI
HIGO. 5.48
Ejemplo 5.9.
Solución:
VCC - VSER 9 V - 0,7 V
un.IB= =
RF+BRC 180 k- + (200)2,7 k-
=11.53metroA
Imi= (segundo +1)IB= (201)(11.53metroA) = 2,32mA

26mV 26mV
rmi= = =11.21-
Imi 2,32mA
rmi 11.21 - 11.21 -
B.ZI= = =
1 RC 1 2.7 k- 0,005 + 0,0148
+ +
B RC+RF 200 182.7 k-
11.21 -
= =566.16-
0.0198
C.Zo=RC7RF=2.7 k-7180 k =2,66k-
R 2.7 k-
D.Av= -C= - = -240.86
rmi 11.21 -
mi.ZI: La condiciónrotu10RCesnosatisfecho. Por lo tanto, COMENTARIOS DEL COLECCIONISTA 283
CONFIGURACIÓN
RC7ro 2.7 k-720 k-
1+ 1+
RF 180 k-
ZI= =
1 1 RrC o+ RC ro 1 1 2.7 k- 20 k- 2.7 k- 20 k-
+ + + + +
Brmi RF BrmiRF RFrmi (200)(11.21) 180 k- (200)(11.21-)(180 k-) (180 k-)(11.21-)
2.38 k-
1+
180 k- 1 + 0.013
= =
0.45 * 10-3+ 0.006 * 10-3+ 5.91 * 10-6+ 1.18 * 10-3 1.64 * 10-3
=617.7-frente a 566.16 - arriba Z
o:
Zo=ro7RC7RF=20 k-72.7 k-7180 k-

=2,35k-vs. 2.66 k- arriba
Av:
RF RC-ro= -C 180 k- 2.38 k-
= -a B D
RC-ro+RF rmi 2,38 k- + 180 k- 11.21
= -30.9874212.3 =
-209.54
Para la configuración de la figura 5.49, las ecuaciones. (5.61) a (5.63) determine las variables
de interés. Las derivaciones se dejan como ejercicio al final del capítulo.
VCC
RC
RF Io
Vo
II C2
VI
C1
Zo
ZI
Rmi
HIGO. 5.49
Configuración de retroalimentación de colector con una resistencia de emisor Rmi.
ZI
Rmi
ZI- (5.62)
1 ( R mi + RC)
C + D
B RF
Zo
Zo=RC7RF (5.63)
Av
RC
Av- - (5.64)
Rmi
284ANÁLISIS BJT CA
-
5.11 CONFIGURACIÓN DE RETROALIMENTACIÓN DE CC DEL COLECTOR
La red de la figura 5.50 tiene una resistencia de retroalimentación de cd para aumentar la estabilidad, pero el
capacitor C3cambiará porciones de la resistencia de retroalimentación a las secciones de entrada y salida de
la red en el dominio de CA. la porción deRFdesplazado hacia el lado de entrada o salida estará determinado
por los niveles de resistencia de entrada y salida de CA deseados.
VCC
RC
RF RF Io
1 2
Vo
C2
C3
C1
VI
Zo
II
ZI
HIGO. 5.50
Configuración de retroalimentación de CC del colector.
A la frecuencia o frecuencias de operación, el capacitor asumirá un cortocircuito equivalente a

tierra debido a su bajo nivel de impedancia en comparación con los demás elementos de la red. El
circuito equivalente de ca de pequeña señal aparecerá como se muestra en la figura 5.51.
II
IB
+ Io +
ZI RF1 βrmi βIB ro RF RC
VI 2 Vo
Zo
– –
R'
HIGO. 5.51
ZI
ZI=RF7B1rmi (5.65)
Zo
Zo=RC7RF7ro2 (5.66)
Pararotu10RC,
Zo-RC7RF2 (5.67)
rotu10RC
Av
R =ro7RF72RC
y Vo= -BIBR
VI
pero I B=
Brmi
VIR COLECCIONISTA285
y Vo= -B
Brmi RETROALIMENTACIÓN DE CC
CONFIGURACIÓN
así que eso
Vo ro7RF7
2 RC
Av= =- (5.68)
VI rmi
Pararotu10RC,
Vo RF72 RC
Av= -- (5.69)
VI rmi
rotu10RC
Relación de faseEl signo negativo en la Ec. (5.68) revela claramente un cambio de fase de 180° entre
los voltajes de entrada y salida.
un.rmi.
B.ZI.
C.Zo.
D.Av.
mi.Vo siVI 2mV
12 voltios
3 kΩ
120 kΩ 68 kΩ Io
Vo
10 μF
0,01 μF
II Zo
VI β=140,ro=30 kΩ
10 μF
ZI
HIGO. 5.52
Ejemplo 5.10.
Solución:
VCC-VSER
un. CORRIENTE CONTINUA:IB=
RF+BRC
12 V - 0,7 V
=
(120 k- + 68 k-) + (140)3 k-11,3
V
= =18.6metroA
608 k-
Imi= (segundo +1)IB= (141)(18.6metroA)
=2,62mA
26mV 26mV
rmi= = =9.92-
Imi 2,62mA
B.Brmi= (140)(9.92 -) = 1.39 k-
La red equivalente de ca aparece en la figura 5.53.
ZI=RF7Br 1 mi=120 mil - 71.39 k-
- 1.37k-
286ANÁLISIS BJT CA
IB
+ II Io +
βrmi βIB ro
120 kΩ 68 kΩ 3 kΩ
VI 1.395 kΩ 140IB 30 kΩ Vo
ZI
Zo
– –
HIGO. 5.53
C. Probando la condiciónrotu10RC, encontramos
30 k-tu10(3 k-) = 30 k-
que se satisface mediante el signo igual en la condición. Por lo
tanto, Zo-RC72RF=3k-768 k-
=2,87k-
D.rotu10RC; por lo tanto,
RF72 RC 68 k-73k-
Av- - =-
rmi 9.92 -
2.87 k-
--
9.92 -
-- 289.3
Vo
mi.Av=289,3 =
VI
Vo=289.3VI=289,3 (2 mV) =0,579 V
5.12 EFECTO DERLYRS

Todos los parámetros determinados en las últimas secciones han sido para un amplificador
-
descargado con el voltaje de entrada conectado directamente a una terminal del transistor. En
esta sección se investigará el efecto de aplicar una carga a la terminal de salida y el efecto de
usar una fuente con una resistencia interna. La red de la figura 5.54a es típica de las
investigadas en la sección anterior. Debido a que no se conectó una carga resistiva a la terminal
de salida, la ganancia se conoce comúnmente como ganancia sin carga y se le da la siguiente
notación:
Vo
AvPaíses Bajos = (5.70)
VI
En la figura 5.54ba se ha agregado una carga en forma de resistenciaRL, lo que cambiará la

ganancia general del sistema. A esta ganancia cargada se le suele dar la siguiente notación:
Vo
AvL = (5.71)
VI
conRL
En la figura 5.54c se han introducido tanto una carga como una fuente de resistencia, que tendrán
un efecto adicional en la ganancia del sistema. La ganancia resultante normalmente se da con la
siguiente notación:
Vo
Avs = (5.72)
Vs
conRLyRs
El análisis que sigue mostrará que:

La ganancia de voltaje con carga de un amplificador siempre es menor que la ganancia sin carga.
VCC VCC VCC
RC RC RC
RB RB RB
+ + +
+ + Rs
Vo
RL
Vo + RL
Vo
VI VI Vs
–
– –– – –
Vo Vo Vo
A = AvL = Avs =
vPaíses Bajos VI VI Vs
(a) (B) (C)
HIGO. 5.54
Configuraciones del amplificador: (a) descargado; (b) cargado; (c) cargado con una fuente de resistencia.
En otras palabras, la adición de una resistencia de cargaRLa la configuración de la figura 5.54a

siempre tendrá el efecto de reducir la ganancia por debajo del nivel sin carga.
Es más:
La ganancia obtenida con una fuente de resistencia siempre será menor que la obtenida en
condiciones de carga o descarga debido a la caída del voltaje aplicado a través de la fuente de
resistencia.
En total, por lo tanto, la ganancia más alta se obtiene en condiciones sin carga y la ganancia más baja con
una fuente de impedancia y carga en su lugar. Es decir:
Para la misma configuración AvPaíses Bajos + AvL + Avs.

También será interesante comprobar que:
Para un diseño particular, cuanto mayor sea el nivel de RL, mayor es el nivel de ganancia de CA.
En otras palabras, cuanto mayor sea la resistencia de carga, más cerca estará de una aproximación de circuito
abierto que daría como resultado una mayor ganancia sin carga.
Además:
Para un amplificador en particular, cuanto menor sea la resistencia interna de la fuente de señal,
mayor será la ganancia general.
En otras palabras, cuanto más cerca esté la resistencia de la fuente de una aproximación de cortocircuito,
mayor será la ganancia porque el efecto deRsserá esencialmente eliminado.
Para cualquier red, como las que se muestran en la figura 5.54 que tienen capacitores de acoplamiento, la
fuente y la resistencia de carga no afectan los niveles de polarización de cd.
Las conclusiones enumeradas anteriormente son muy importantes en el proceso de diseño del
amplificador. Cuando uno compra un amplificador empaquetado, la ganancia listada y todos los demás
parámetros son para elsituación descargada.La ganancia que resulta de la aplicación de una carga o fuente
de resistencia puede tener un efecto dramático en todos los parámetros del amplificador, como se
demostrará en los siguientes ejemplos.
En general, hay dos direcciones que se pueden tomar para analizar redes con una carga aplicada y/
o resistencia de fuente. Un enfoque es simplemente insertar el circuito equivalente, como se demostró
en la Sección 5.11, y usar métodos de análisis para determinar las cantidades de interés. El segundo es
definir un modelo equivalente de dos puertos y utilizar los parámetros determinados para la situación
sin carga. El análisis que sigue en esta sección utilizará el primer enfoque, dejando el segundo método
para la Sección 5.14.
Para el amplificador de transistor de polarización fija de la figura 5.54c, sustituyendo elrmicircuito equivalente para
el transistor y eliminando los parámetros de cd da como resultado la configuración de la figura 5.55.
287
288ANÁLISIS BJT CA
IB
+ Rs + +
Zo
Vs VI RB βrmi βIB ro RC RL Vo
ZI
–
– –
–
RL- = ro RC RL≅RC RL
HIGO. 5.55
La red equivalente de ca para la red de la figura 5.54c.
Es particularmente interesante que la figura 5.55 es exactamente igual a la figura 5.22

excepto que ahora hay una resistencia de carga en paralelo conRCy se ha introducido una
resistencia de fuente en serie con una fuenteVs.
La combinación paralela de
RL=ro7RC7RL-RC7RL
y Vo= -BIBRL= -BIB(RC7RL)
VI
con IB= Brmi
VI
da Vo= -Ba B(RC 7RL)
Brmi
Vo RC7RL
así que eso AvL = =- (5.73)
VI rmi
La única diferencia en la ecuación de ganancia usandoVIcomo el voltaje de entrada es el hecho de queRC

de la ecuación (5.10) ha sido reemplazada por la combinación paralela deRCyRL. Esto tiene sentido
porque el voltaje de salida de la figura 5.55 ahora es a través de la combinación en paralelo de las dos
resistencias.
La impedancia de entrada es
ZI=RB7Brmi (5.74)
como antes, y la impedancia de salida es
Zo=RC7ro (5.75)
como antes.
Si la ganancia total de la fuente de señalVsal voltaje de salidaVose desea, solo es necesario aplicar la
regla del divisor de voltaje de la siguiente manera:
ZIVs
VI=
ZI+Rs
VI ZI
y =
Vs ZI+Rs
Vo= Vo#VI ZI
o AvS = =AvL
Vs VIVs ZI+Rs
ZI
así que eso AvS = AvL (5.76)
ZI+Rs
porque el factorZI>(ZI+Rs) siempre debe ser menor que uno, Eq. (5.76) apoya claramente el hecho
de que la ganancia de la señalAvS
siempre es menor que la ganancia cargadaAv.L
EFECTO DERLYRS 289
EJEMPLO 5.11Utilizando los valores de los parámetros para la configuración de polarización fija del ejemplo
5.1 con una carga aplicada de 4,7 k- y una resistencia de fuente de 0,3 k-, determine lo siguiente y compárelo
con los valores sin carga:
un.AvL.
B.Av. s
C.ZI.
D.Zo.
Solución:
RC7RL 3k-74.7 k- 1.831 k-
un. ecuación (5.73):L Av= - =- =- = -170.98
rmi 10.71 - 10.71 -
que es significativamente menor que la ganancia sin carga de -280.11.
ZI
vs A=
B. ecuación (5.76): A
ZI+Rv s L
ConZI=1.07 k- Del ejemplo 5.1, tenemos
1.07 k-
Avs= (-170,98) = -133.54
1,07 k- + 0,3 k-
que de nuevo es significativamente menor queAvPaíses Bajos oAv. L
C.ZI=1.07k-como se obtiene para la situación sin carga.
D.Zo=RC=3k-como se obtiene para la situación sin carga. El
ejemplo demuestra claramente queAvnorte
L
7AvL 7Av. s
Para la configuración del divisor de voltaje de la figura 5.56 con una carga aplicada y un resistor de fuente en
serie, la red equivalente de ca es como se muestra en la figura 5.57.
VCC
RC
C2
R1
+
Rs IB
C1
+
+ RL Vo
R2 Zo
Vs VI
– ZI Rmi Cmi
– –
HIGO. 5.56
Configuración de polarización del divisor de voltaje con Rsy RL.
II
Rs Io
B IB C
+ + +
ZI
Vs VI R1 R2 βrmi βIB ro RC RL Vo
– – mi mi Zo –
R'
HIGO. 5.57
290ANÁLISIS BJT CA Primero observe las fuertes similitudes con la figura 5.55, siendo la única diferencia la
conexión en paralelo deR1yR2en lugar de soloRB. Todo lo demás es exactamente igual. Las
siguientes ecuaciones resultan para los parámetros importantes de la configuración:
Vo RC7RL
AvL = =- (5.77)
VI rmi
ZI=R17R27Brmi (5.78)
Zo=RC7ro (5.79)
Para la configuración de emisor-seguidor de la figura 5.58, la red equivalente de CA de pequeña

señal es como se muestra en la figura 5.59. La única diferencia entre la figura 5.59 y la configuración
sin carga de la figura 5.37 es la combinación en paralelo deRmiyRLy la adición de la resistencia fuenteRs
. Por lo tanto, las ecuaciones para las cantidades de interés se pueden determinar simplemente
reemplazandoRmiporRmi7RLdonde quieraRmiaparece SiRmino aparece en una ecuación, la resistencia
de cargaRLno afecta ese parámetro. Es decir,
Vo Rmi7RL
AvL = = (5.80)
VI Rmi7RL+rmi
VCC
RB C
II
B
Rs C1
+ C2 Io
+ Vo
Vs VI
ZI
– Rmi RL
Zo
–
HIGO. 5.58
Configuración emisor-seguidor con Rsy RL.
II
B C
IB
Rs +
βrmi βIB
ZI
+
Vs VI RB
– mi
Io
+
Zo
Rmi RL Vo
–
–
HIGO. 5.59
ZI=RB7ZB (5.81)
DETERMINACIÓN DE LA 291
GANANCIA DE CORRIENTE
ZB-B(Rmi7RL) (5.82)
Zo-rmi (5.83)
El efecto de una resistencia de carga y una impedancia de fuente en las configuraciones BJT
restantes no se examinará en detalle aquí, aunque la Tabla 5.1 en la Sección 5.14 revisará los
resultados para cada configuración.
-
5.13 DETERMINACIÓN DE LA GANANCIA DE CORRIENTE
Es posible que haya notado en las secciones anteriores que la ganancia actual no se determinó para cada
configuración. Las ediciones anteriores de este texto tenían los detalles para encontrar esa ganancia, pero en
realidad la ganancia de voltaje suele ser la ganancia de mayor importancia. La ausencia de las derivaciones no
debe preocupar porque:
Para cada configuración de transistor, la ganancia de corriente se puede determinar directamente a partir de
la ganancia de voltaje, la carga definida y la impedancia de entrada.
La derivación de la ecuación que vincula las ganancias de voltaje y corriente puede derivarse usando la
configuración de dos puertos de la figura 5.60.
II Io
+ +
ZI Zo
VI Sistema Vo RL
– –
HIGO. 5.60
Determinación de la ganancia de corriente a partir de la ganancia de tensión.
La ganancia actual está definida por
I
AI=o (5.84)
II
Aplicando la ley de Ohm a los circuitos de entrada y salida se obtiene
VI Vo
II= y Io = - RL
ZI
El signo menos asociado con la ecuación de salida simplemente está ahí para indicar que la polaridad del
voltaje de salida está determinada por una corriente de salida que tiene la dirección opuesta. Por definición,
las corrientes de entrada y salida tienen una dirección que ingresa a la configuración de dos puertos.
Sustituyendo en la Ec. (5.84) entonces da como resultado
Vo
-
I RL Vo#ZI
AIL=o= =-
II VI VI RL
ZI
y la siguiente ecuación importante:
ZI
AIL = -A (5.85)
vLRL
El valor deRLse define por la ubicación deVoyIo.

292ANÁLISIS BJT CA Para demostrar la validez de la Ec. (5.82), considere la configuración de polarización del divisor de voltaje
de la figura 5.28.
Usando los resultados del Ejemplo 5.2, encontramos
VI VI Vo= - Vo
II= ZI = 1.35 k- yIo =-
RL 6.8 k-
Vo
a- B
Io 6,8k - Vo 1.35 k-
así que eso AIL = = = -a B
VI
licenciado en Letras
II VI 6.8 k-
1.35 k-
1.35 k-
= -(-368.76)a segundo =73.2
6.8 k-
ZI 1.35 k-
Usando la Ec. 5.82: AIL = -A v = -(-368.76)a segundo =73.2
LRL 6.8 k-
que tiene el mismo formato que la ecuación resultante anterior y el mismo resultado.
La solución a la ganancia de corriente en términos de parámetros de red será más complicada para
algunas configuraciones si se desea una solución en términos de parámetros de red. Sin embargo, si
todo lo que se desea es una solución numérica, es simplemente cuestión de sustituir el valor de los
tres parámetros a partir de un análisis de la ganancia de voltaje.
Como segundo ejemplo, considere la configuración de polarización de base común de la Sección 5.9. En este caso
la ganancia de voltaje es
R
AvL-C
rmi
y la impedancia de entrada es
ZI-Rmi7rmi-rmi
conRLdefinido comoRCdebido a la ubicación deIo.
El resultado es el siguiente:
ZI RC r
AI=L A - =a-
rmi RC
licenciado en Letras miB - -1
vLRL
lo cual concuerda con la solución de esa sección porqueIC-Imi. Nótese, en este caso, que la
corriente de salida tiene el sentido contrario al que aparece en las redes de ese tramo debido al
signo menos.
5.14 TABLAS DE RESUMEN

-
Las últimas secciones han incluido una serie de derivaciones para configuraciones BJT
descargadas y cargadas. El material es tan extenso que pareció apropiado revisar la mayoría de
las conclusiones de las diversas configuraciones en tablas de resumen para comparaciones
rápidas. Aunque las ecuaciones que usan los parámetros híbridos no se han discutido en detalle
en este punto, se incluyen para completar las tablas. El uso de parámetros híbridos se
considerará en una sección posterior de este capítulo. En cada caso, las formas de onda
incluidas demuestran la relación de fase entre los voltajes de entrada y salida. También revelan
la magnitud relativa de los voltajes en las terminales de entrada y salida.
La Tabla 5.1 es para la situación descargada, mientras que la Tabla 5.2 incluye el efecto deRsyRL.
-
5.15 ENFOQUE DE SISTEMAS DE DOS PUERTOS
En el proceso de diseño, a menudo es necesario trabajar con las características del terminal de un
dispositivo en lugar de los componentes individuales del sistema. En otras palabras, al diseñador se le
entrega un producto empaquetado con una lista de datos sobre sus características pero no tiene
acceso a la construcción interna. Esta sección relacionará los parámetros importantes determinados
para una serie de configuraciones en las secciones anteriores con los parámetros importantes de este
sistema empaquetado. El resultado será una comprensión de cómo cada parámetro de la
TABLA 5.1
Amplificadores de transistores BJT descargados
Configuración ZI Zo Av AI
Sesgo fijo: Medio (1 k-) Medio (2 k-) Alto (-200) Alto (100)
VCC =RB7Brmi =RC7ro BRrbo
Io RC (RC7ro)
=- =
RB rmi (ro+RC)(RB+Brmi)
II
+ - Brmi - RC
Vo RC - B
+ Zo– (RBtu10Brmi) (rotu10RC) --
VI rmi
ZI (rotu10RC, R
–
(rotu10RC) Btu10Brmi)
Divisor de voltaje Medio (1 k-) Medio (2 k-) Alto (-200) Alto (50)
parcialidad: VCC
Io RC =R17R27Brmi =RC7ro RC7ro B(R17R2)ro
R1 =- =
II rmi (ro+RC)(R17R2+Brmi)
+ - RC
+ Zo
(rotu10RC) --
RC B(R17R2)
Vo -
VI ZI R2 rmi R17R2+Brmi
Rmi Cmi
– – (rotu10RC) (rotu10RC)
sin pasar por alto Alto (100 k-) Medio (2 k-) Bajo (-5) Alto (50)
sesgo del emisor:
VCC
=RB7ZB =RC RC BRB
Io RC = - - -
RB rmi+Rmi RB+ZB
II ZB-B(rmi+Rmi) (cualquier nivel dero)
+
- RC
+ Zo RB7BRmi
--
Vo Rmi
VI (RmiWrmi)
ZI Rmi
(RmiWrmi)
– –
emisor- Alto (100 k-) Bajo (20 -) Bajo (-1) Alto (-50)
seguidor: VCC
= RB7ZB =Rmi7rmi Rmi BRB
II RB = - -
Rmi+rmi RB+ZB
ZB- B(rmi+Rmi)
+ - rmi
- RB7BRmi
- 1
VI
ZI Io Rmi + (RmiWrmi)
Vo
– Zo– (RmiWrmi)
Base común: Bajo (20 -) Medio (2 k-) Alto (200) Bajo (-1)
II
=Rmi7rmi =RC RC -- 1
-
+ Io RC + rmi
Rmi - rmi
VI ZI Zo Vo
VEE.UU. VCC
– – (RmiWrmi)
Coleccionista Medio (1 k-) Medio (2 k-) Alto (-200) Alto (50)

realimentación: VCC
Io RC rmi - RC7RF RC BRF
RF = - - =
1 RC rmi RF+BRC
+ (rotu10RC)
II + B RF
(rotu10RC) ( RF
+ Zo Vo (rotu10RC) RFWRC)
-
RC
VI Zo
– –
293
TABLA 5.2
Amplificadores de transistores BJT que incluyen el efecto de Rsy RL
Configuración AvL V>

o VI ZI Zo
- (RL-RC) RB7Brmi RC
rmi
Inclusoro:
(RL7RC7ro)
- RB7Brmi RC7ro
rmi
- (RL7RC) RC
R17R27Brmi
rmi
Inclusoro:
- (RL7RC7ro) R17R27Brmi RC7ro

rmi
Rmi=RL7Rmi Rs=Rs7R17R2
Rs+rB
- 1 R17R27B(rmi+Rmi) Rmi-a mi
B
Inclusoro:
Rs+rB
- 1 R17R27B(rmi+Rmi) Rmi-a mi
B
- (RL7RC) 7rmi
Rmi RC
-
rmi
Inclusoro:
- (RL7RC7ro)
- Rmi7rmi RC7ro
rmi
CCV
- (RL7RC)
R7
1 R27B(rmi+Rmi) RC
RC Rmi
R1
vo
$ Vi Inclusoro:
zo
- (RL7RC)
+ RL R17R27B(rmi+Rmi) - RC
contra
ZI R2 Rmi
RE
–
294
TABLA 5.2(Continuado)
Amplificadores de transistores BJT que incluyen el efecto de Rsy RL
Configuración AvL V>

oVI ZI Zo
CCV
- (RL7RC)
RC RB7B(rmi+Rmi)1 RC
RB Rmi1
vo
$ Vi
zo Inclusoro:
+ Rmi1 RL
ZI - (RL7RC)
contra
RB7B(rmi+Rmi ) - RC
– Rmit
RE2 CE
CCV
- (RL7RC) RF
RC Brmi- RC
rmi Av
RF
vo
$ Vi Inclusoro:
zo
+ RL
R
- (RL7RC7ro)
contra
-F0Av0
Brmi RC7RF7ro
– Zi rmi
CCV
- (RL7RC) R
RC -F0Av0
BRmi - RC7RF
Rmi
RF
vo
$ Vi
zo Inclusoro:
+ RL - (RL7RC) RF
- - BRmi- - RC7RF
contra
RLmi
Rmi 0Av0
– Zi
El sistema empaquetado se relaciona con el amplificador o la red real. El sistema de la figura 5.61 se
denomina sistema de dos puertos porque hay dos juegos de terminales: uno en la entrada y otro en la
salida. En este punto es particularmente importante darse cuenta de que
los datos que rodean un sistema empaquetado son los datos sin carga.
Esto debería ser bastante obvio porque la carga no se ha aplicado ni viene con la
carga adjunta al paquete.
II Io
+ +
ZI Zo
VI AvPaíses Bajos Vo
– –
Thévenin
HIGO. 5.61
Sistema de dos puertos.
295
296ANÁLISIS BJT CA Para el sistema de dos puertos de la figura 5.61, la polaridad de los voltajes y la dirección de las
corrientes están definidas. Si las corrientes tienen una dirección diferente o los voltajes tienen una
polaridad diferente a la que aparece en la figura 5.61, se debe aplicar un signo negativo. Nótese de
nuevo el uso de la etiquetaAv para indicar que la ganancia de voltaje proporcionada será el valor sin
Países Bajos
carga.
Para los amplificadores, los parámetros de importancia se han esbozado dentro de los límites del sistema de dos
puertos, como se muestra en la figura 5.62. La resistencia de entrada y salida de un amplificador compacto
normalmente se proporciona junto con la ganancia sin carga. Luego se pueden insertar como se muestra en la figura
5.62 para representar el paquete asentado.
AvV Países BajosI
HIGO. 5.62
Sustituyendo los elementos internos por el sistema de dos puertos de la figura 5.61.
Para la situación sin carga, el voltaje de salida es
Vo=Avnorte L VI (5.86)
Debido al hecho de queI 0A, Resultando enIoRo=0V.

La resistencia de salida está definida porVI 0V. En tales condiciones, la cantidadAvPaíses Bajos VI
también es cero voltios y puede ser reemplazado por un equivalente de cortocircuito. El resultado es
Zo=Ro (5.87)
Finalmente, la impedancia de entradaZIsimplemente relaciona el voltaje aplicado con la corriente de entrada

resultante y
ZI=RI (5.88)
Para la situación sin carga, la ganancia de corriente no está definida porque la corriente de carga es cero.
Sin embargo, existe una ganancia de voltaje sin carga igual aAv. Países Bajos
El efecto de aplicar una carga a un sistema de dos puertos dará como resultado la configuración de la figura 5.63.
Idealmente, todos los parámetros del modelo no se ven afectados por cambios en las cargas y los niveles de
resistencia de la fuente. Sin embargo, para algunas configuraciones de transistores, la carga aplicada puede afectar la
resistencia de entrada, mientras que para otras, la resistencia de salida puede verse afectada por la resistencia de la
fuente. Sin embargo, en todos los casos, por definición simple, la ganancia sin carga no se ve afectada por la
aplicación de ninguna carga. En todo caso, una vezAvnorte
L
, RI, yRose definen para un
configuración particular, se pueden emplear las ecuaciones que se van a derivar.
AvV
Países BajosI
HIGO. 5.63
Aplicando una carga al sistema de dos puertos de la figura 5.62.
La aplicación de la regla del divisor de voltaje al circuito de salida da como resultado SISTEMAS DE DOS PUERTOS 297
VI ACERCARSE
RLAvPaíses Bajos
Vo= RL+Ro
Vo= RL
y AvL = AvPaíses Bajos (5.89)
VI RL+ Ro
porque la proporciónRL>(RL+Ro) siempre es menor que 1, tenemos evidencia adicional de que la ganancia de
voltaje con carga de un amplificador siempre es menor que el nivel sin carga.
La ganancia actual se determina entonces por
I - Vo>RL= - VoZI
AIL=o =
II VI>ZI VIRL
ZI
y AIL = -A (5.90)
vLRL
como se obtuvo anteriormente. En general, por lo tanto, la ganancia de corriente se puede obtener a
partir de los parámetros de ganancia de tensión e impedancia.ZIyRL. El siguiente ejemplo demostrará
la utilidad y validez de las Ecs. (5.89) y (5.90).
Nuestra atención se centrará ahora en el lado de entrada del sistema de dos puertos y el efecto de
una resistencia de fuente interna en la ganancia de un amplificador. En la figura 5.64, se aplicó una
fuente con una resistencia interna al sistema básico de dos puertos. Las definiciones deZIyAv son tales Países Bajos
que:
Los parámetros ZIy unvde un sistema de dos puertos no se ven afectados por la resistencia
Países Bajos
interna de la fuente aplicada.
Is II Io
+ + +
Vs VI A- V Vo
Zo
Países BajosI
– ZI
– –
HIGO. 5.64
Incluyendo los efectos de la fuente de resistencia Rs.
Sin embargo:
La impedancia de salida puede verse afectada por la magnitud de Rs.
La fracción de la señal aplicada que llega a las terminales de entrada del amplificador de la figura 5.64
está determinada por la regla del divisor de voltaje. Es decir,
RIVs
VI= (5.91)
RI+Rs
La ecuación (5.91) muestra claramente que cuanto mayor sea la magnitud deRs, menor es el voltaje en los
terminales de entrada del amplificador. Por lo tanto, en general, como se mencionó anteriormente, para un
amplificador en particular, cuanto mayor sea la resistencia interna de una fuente de señal, menor será la
ganancia general del sistema.
Para el sistema de dos puertos de la figura 5.64,
Vo=AvPaíses Bajos VI
es
casa rodante
y VI=
RI+Rs
298ANÁLISIS BJT CA RI
así que eso Vo=AvPaíses BajosRI Vs
+ Rs
Vo RI
y Avs = = AvPaíses Bajos (5.92)
Vs RI+Rs
Los efectos deRsyRLahora se han demostrado de forma individual. La siguiente pregunta natural
es cómo la presencia de ambos factores en la misma red afectará la ganancia total. En la figura
5.65, una fuente con una resistencia internaRsy una cargaRLhan sido aplicados a un sistema de
dos puertos para el cual los parámetrosZI,AvPaíses Bajos
, yZhanosido especificados.
Por el momento, supongamos queZIyZono se ven afectados porRLyRs, respectivamente.
Is II Io
+
+ Zo
Vs RL Vo
–
–
HIGO. 5.65
Considerando los efectos de Rsy RLen la ganancia de un amplificador.
En el lado de entrada encontramos
RIVs
ecuación (5.91):VI=
RI+Rs
VI RI
o = (5.93)
Vs RI+Rs
y en el lado de salida,
RL
Vo= AvPaíses Bajos VI
RL+ Ro
Vo= RLAvPaíses Bajos RL
o AvL = = AvPaíses Bajos (5.94)
VI RL+Ro RL + Ro
Por la ganancia totalAvs =Vo>Vs, se pueden realizar los siguientes pasos matemáticos:
Vo= Vo #VI
Avs = (5.95)
Vs VI Vs
y sustituyendo las ecuaciones. (5.93) y (5.94) da como resultado
Vo= RI # RL
Avs = Av (5.96)
Vs RI+Rs RL+Ro Países Bajos
PorqueII=VI>RI, como antes,
RI
AIL = -A (5.97)
vLRL
o, usandoIs=Vs>(Rs+RI),
Rs+ RI
AIs = -Avs (5.98)
RL
Sin embargo,II=Is, entonces las Ecs. (5.97) y (5.98) generan el mismo resultado. La ecuación (5.96) SISTEMAS DE DOS PUERTOS 299
revela claramente que tanto la fuente como la resistencia de la carga reducirán la ganancia total del ACERCARSE
sistema.
Los dos factores de reducción de la ecuación. (5.96) forman un producto que debe ser
cuidadosamente considerado en cualquier procedimiento de diseño. No es suficiente asegurar queRs
es relativamente pequeño si el efecto de la magnitud deRLse ignora Por ejemplo, en la Ec. (5.96), si el
primer factor es 0.9 y el segundo factor es 0.2, el producto de los dos da como resultado un factor de
reducción global igual a (0.9)(0.2) - 0.18, que está cerca del factor inferior. El efecto del excelente nivel
de 0,9 fue eliminado por completo por el segundo multiplicador significativamente más bajo. Si ambos
fueran factores de nivel 0,9, el resultado neto sería (0,9)(0,9) - 0,81, que sigue siendo bastante alto.
Incluso si el primero fuera 0,9 y el segundo 0,7, el resultado neto de 0,63 seguiría siendo respetable.
En general, por lo tanto, para una buena ganancia general, los efectos deRsyRLdebe evaluarse
individualmente y como un producto.
EJEMPLO 5.12DeterminarAvL yAvs para la red del ejemplo 5.11 y compare

soluciones El ejemplo 5.1 mostró queAvPaíses Bajos = -280,Z=1,07
I k-, yZ o= 3 k-. En
Ejemplo 5.11,RL=4.7 k- yRs=0,3 k-.
Solución:
RL
un. ecuación (5.89):A v= AvPaíses Bajos
L
RL+ Ro
4.7 k-
= (-280.11)
4,7 k- + 3 k-
= -170.98
como en el ejemplo 5.11.
RI # RL
B. ecuación (5.96):As v= AvPaíses Bajos
RI + Rs RL+Ro
=
1.07 k- # 4.7 k-
(-280.11)
1,07 k- + 0,3 k- 4,7 k- + 3 k-
= (0.781)(0.610)(-280.11)
= -133.45
como en el ejemplo 5.11.
EJEMPLO 5.13Dado el amplificador empaquetado (sin entrada posible) de la figura 5.66:
un. Determinar la gananciaAvL y compararlo con el valor sin carga conR L =1,2 k-.
B. Repita la parte (a) conRL=5.6 k- y comparar soluciones.
C. DeterminarAsvconRL=1,2 k-.
Io IoconRL=5,6 k-. Is
D. Encuentre la ganancia actualAI= =
II
Is Rs II Io
0. 2 kΩ + +
+ AvNL = –480
Vs VI ZI=4 kΩ RL Vo
– Zo=2 kΩ
– –
HIGO. 5.66
Amplificador para el Ejemplo 5.13.
300ANÁLISIS BJT CA Solución:
RL
un. ecuación (5.89):AvL = Avnorte
RL+Ro L
1.2 k-
= (-480) = (0.375)(-480)
1,2 k- + 2 k-
= -180
que es una caída dramática del valor sin carga.
RL
B. ecuación (5.89):vAL = Av
RL+R o
norte L
5.6 k-
= (-480) = (0.737)(-480)
5,6 k- + 2 k-
= -353.76
lo que revela claramente que cuanto mayor sea la resistencia de carga, mejor será la ganancia.
RI # RL
C. ecuación (5.96):A v= A
s
RI+Rs RL+R o
vPaíses Bajos
=
4k- # 1.2 k- (-480)
4 k- + 0,2 k- 1,2 k- + 2 k- = (
0,952)(0,375)(-480) = -171.36
que está bastante cerca de la ganancia cargadaAvporque la impedancia de entrada es considerablemente mayor
que la resistencia de la fuente. En otras palabras, la resistencia de la fuente es relativamente pequeña en
comparación con la impedancia de entrada del amplificador.
I Io ZI
D.AI=Lo= = -AvL
II Is RL
4k-
= -(-353.76)a b = -(-353.76)(0.714)
5.6 k-
=252.6
Es importante darse cuenta de que cuando se usan las ecuaciones de dos puertos en algunas
configuraciones, la impedancia de entrada es sensible a la carga aplicada (como la retroalimentación del
emisor-seguidor y del colector) y en algunas, la impedancia de salida es sensible a la resistencia de la fuente
aplicada ( como el emisor-seguidor). En tales casos, los parámetros sin carga paraZIyZodeben calcularse
primero antes de sustituir en las ecuaciones de dos puertos. Para la mayoría de los sistemas empaquetados,
como los amplificadores operacionales, esta sensibilidad de los parámetros de entrada y salida a la carga
aplicada o la resistencia de la fuente se minimiza para eliminar la necesidad de preocuparse por los cambios
de los niveles sin carga cuando se usan las ecuaciones de dos puertos.
5.16 SISTEMAS EN CASCADA

-
El enfoque de sistemas de dos puertos es particularmente útil para sistemas en cascada como el que
aparece en la figura 5.67, dondeAv,Av,1Av,un2 3
d y así sucesivamente, son las ganancias de voltaje de cada etapa
en condiciones de carga.Es decir,Av1 se determina con laimpedancia de entrada a Av2 interino

como la carga en A1v.ParaAv,2Av1 viejo
voluntad Determinar la intensidad de la señal y la impedancia de la fuente en
la entrada aAv.La ganancia total del sistema se determina entonces por el producto de las ganancias individuales de la
2
siguiente manera:
AvT=A# v1Av2 #Av3

.... (5.99)
y la ganancia de corriente total viene dada por
ZI1
AIT = -A (5.100)
vTRL
No importa cuán perfecto sea el diseño del sistema, la aplicación de una etapa o carga sucesiva a un SISTEMAS EN CASCADA301
sistema de dos puertos afectará la ganancia de voltaje. Por lo tanto, no hay posibilidad de una situación en la
queAv,Av,y así sucesivamente, de la figura 5.67 son simplemente los valores sin carga. Los parámetros sin
1 2
carga se pueden usar para determinar las ganancias cargadas de cada etapa, pero la ecuación. (5.99) requiere
los valores cargados. La carga en la etapa 1 esZI,en el2 escenario 2ZI,en 3el escenario 3Z I,y así.
norte
Vo=VI Vo=VI3
1 2 2
+ +
VI Av1 Av2 Av3 Avnorte RLVo
– –
ZI=ZI1 Zo1 ZI2 Zo ZI3 Zo3 ZI Zono
=Z
2 norte
HIGO. 5.67
Sistema en cascada.
EJEMPLO 5.14El sistema de dos etapas de la figura 5.68 emplea una configuración de emisor-seguidor
de transistor antes de una configuración de base común para garantizar que el porcentaje máximo de
la señal aplicada aparezca en las terminales de entrada del amplificador de base común. En la figura
5.68, los valores sin carga se proporcionan para cada sistema, con la excepción deZIyZopara el emisor-
seguidor, que son los valores cargados. Para la configuración de la figura 5.68, determine:
un. La ganancia cargada para cada etapa.

B. La ganancia total para el sistema,AvyAv. s
C. La ganancia de corriente total para el sistema.
D. La ganancia total del sistema si se eliminara la configuración de emisor-seguidor.
+
RL Vo
–
HIGO. 5.68
Ejemplo 5.14.
Solución:
un. Para la configuración emisor-seguidor, la ganancia cargada es (por la ecuación (5.94))
ZI2 26 -
Vo1 = AvLI V 1 = (1)VI1 =0.684V I1
ZI2+Z o1
norte
26 - + 12 -
Vo1=0.684
y AVI =
VI1
Para la configuración en base común,
RL 8.2 k-
Vo2 = Avnorte VI2 = (240)VI 2 =147.97VI
RL+Ro 2 L
8,2 k- + 5,1 k- 2
Vo2=147.97
yAv2 =
VI2
B. ecuación (5.99):AvT =AvA1v2
= (0,684)(147,97)
=101.20
302ANÁLISIS BJT CA ZI1 (10 k-)(101.20)
ecuación (5.91): Avs = AvT =
ZI1 + Rs 10 k- + 1 k-
=92
ZI1 10k-
C. ecuación (5.100):AIT = -A = -(101.20)a B
vTRL 8.2 k-
= -123.41
ZICB 26 -
D. ecuación (5.91): VI= Vs = V =0.025Vs
ZICB + Rs 26 - + 1k-s
VI=0.025 Vo=147.97
y con desde arriba
Vs VI
Vo= VI#Vo= (0,025)(147,97) =3.7 Vs
y Avs= VI
Vs
En total, por lo tanto, la ganancia es unas 25 veces mayor con la configuración emisor-seguidor para llevar la
señal a las etapas del amplificador. Tenga en cuenta, sin embargo, que también es importante que la
impedancia de salida de la primera etapa sea relativamente cercana a la impedancia de entrada de la
segunda etapa, de lo contrario, la señal se habría "perdido" nuevamente por la acción del divisor de voltaje.
RC-Amplificadores BJT acoplados
Una conexión popular de etapas amplificadoras es laRC-variedad acoplada que se muestra en la Fig. 5.69 en
el siguiente ejemplo. El nombre se deriva del condensador de acoplamiento capacitivo.CCy el hecho de que la
carga en la primera etapa es unaRCcombinación. El capacitor de acoplamiento aísla las dos etapas desde el
punto de vista de cd pero actúa como un equivalente de cortocircuito para la respuesta de ca. La impedancia
de entrada de la segunda etapa actúa como una carga en la primera etapa, lo que permite el mismo enfoque
del análisis descrito en las dos últimas secciones.
EJEMPLO 5.15
un. Calcule la ganancia de voltaje sin carga y el voltaje de salida delRC-amplificadores de transistores
acoplados de la figura 5.69.
B. Calcule la ganancia total y el voltaje de salida si se aplica una carga de 4,7 k a la segunda etapa y
compárela con los resultados del inciso a).
C. Calcule la impedancia de entrada de la primera etapa y la impedancia de salida de la segunda
etapa.
+ 20 V
2,2 kΩ 15 kΩ 2,2 kΩ
15 kΩ CC
Vo
10 μF 10 μF
VI=25 μV
q1 β=200 q2 β=200
10 μF
4,7 kΩ + 4,7 kΩ +
1 kΩ 20 μF 1 kΩ 20 μF
HIGO. 5.69
Amplificador BJT acoplado a RC para el ejemplo 5.15.
Solución:
un. El análisis de polarización de CC da como resultado lo siguiente para cada transistor:
VB=4,8 voltios,Vmi=4,1 voltios,VC=11 voltios,Imi=4,1 mA

En el punto de sesgo, SISTEMAS EN CASCADA303
26mV 26mV
rmi= = =6.34 -
Imi 4,1 mA
La carga de la segunda etapa es
ZI2 =R17R27Brmi
lo que resulta en la siguiente ganancia para la primera etapa:
RC7 (R17R27Brmi)
Av1= -
rmi
(2.2 k-)7 [15 k-74.7 k-7 (200)(6.34 -)]
=-
6.34 -
659.2 -
=- = -104
6.34 -
Para la segunda etapa descargada, la ganancia es
RC 2.2 k-
Av2 (NL) = - =- = -347
rmi 6.34 -
resultando en una ganancia total de
AvT(NL ) =A v1Av2 (NL) = (-104)(-347) -36.1:103

El voltaje de salida es entonces
Vo=AvT(NL )
VI= (36.1 * 103)(25metroV) -902,5 mV
B. La ganancia total con la carga de 10 k aplicada es
V RL 4.7 k-
AvT=o= AvTnorte = (36.1 * 103) -24.6:103
VI RL+Z o
( L)
4,7 k- + 2,2 k-
que es considerablemente menor que la ganancia descargada porqueRLestá relativamente cerca deRC.
Vo=AvV TI
= (24.6 * 103)(25metroV)
=615mV
C. La impedancia de entrada de la primera etapa es
ZI=1 R17R27Brmi=4.7 k-715 k-7 (200)(6.34 -) =0,94k- mientras que

la impedancia de salida para la segunda etapa es
Zo2=RC=2,2k-
Conexión de cascodo
La configuración de cascode tiene una de dos configuraciones. En cada caso, el colector del
transistor principal está conectado al emisor del siguiente transistor. Un arreglo posible aparece
en la figura 5.70; el segundo se muestra en la Fig. 5.71 en el siguiente ejemplo.
Vo
VI
HIGO. 5.70
Configuración de cascodo.
304ANÁLISIS BJT CA Los arreglos proporcionan una impedancia de entrada relativamente alta con una ganancia de voltaje baja
para la primera etapa para garantizar que la capacitancia Miller de entrada (que se analizará en la Sección 9.9)
sea mínima, mientras que la siguiente etapa CB brinda una excelente respuesta de alta frecuencia.
EJEMPLO 5.16 Calcule la ganancia de voltaje sin carga para la configuración cascode de la figura 5.71.
VCC=18 voltios
RC
RB 1 1,8 kΩ
6,8 kΩ V o2
C1 C=5 μF
q2
10 μF
RB 2
Vo1 (β1=β2=200)
5,6 kΩ
VI1 q1
Cs=5 μF
RB3
4,7 kΩ Rmi
Cmi=20 μF
1.1 kΩ
HIGO. 5.71
Práctico circuito cascode para el ejemplo 5.16.
Solución: El análisis dc da como resultado
VB1 =4,9 voltios,VB2 =10,8 voltios, IC1 - IC2 = 3,8 mA

porqueImi1 - Imi2 los La resistencia dinámica de cada transistor es
26mV 26mV
rmi= - =6.8 -
Imi 3,8 mA
La carga en el transistorq1es la impedancia de entrada delq2transistor en la configuración CB como
se muestra porrmien la figura 5.72.
El resultado es la sustitución deRCen la ecuación básica sin carga para la ganancia de la
configuración CB, con la impedancia de entrada de una configuración CB como sigue:
R r
Av1= -C= -mi= -1
rmi rmi
con la ganancia de voltaje para la segunda etapa (base común) de
R 1.8 k-
Av2=C = =265
rmi 6.8 -
Vo2
V o1 q2
rmi
VI1
q1
HIGO. 5.72
Definición de la carga de Q1.
La ganancia total sin carga es
AvT =AvA1v= 2- )2 5( dieciséis

= ) - 265
Como era de esperar, en el ejemplo 5.16, la etapa CE proporciona una impedancia de entrada más alta que la
esperada de la etapa CB. Con una ganancia de voltaje de aproximadamente 1 para la primera etapa, la capacitancia de
entrada de efecto Miller se mantiene bastante baja para soportar una buena respuesta de alta frecuencia. La etapa CB
proporcionó una gran ganancia de voltaje de 265 para darle al diseño general un buen nivel de impedancia de
entrada con niveles de ganancia deseables.
5.17 CONEXIÓN DARLINGTON

-
Una conexión muy popular de dos transistores de unión bipolar para operar como un transistor “superbeta”
es la conexión Darlington que se muestra en la figura 5.73. La característica principal de la conexión
Darlington es que el transistor compuesto actúa como una sola unidad con una ganancia de corriente que es
el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales. Si la conexión se hace usando dos
transistores separados que tienen ganancias de corriente deB1yB2, la conexión Darlington proporciona una americano(Pittsburgh, Pensilvania; Exeter, Nueva
Hampshire) (1906-1997)
ganancia de corriente de
Jefe de Departamento en Bell Laboratories
BD=B1B2 (5.101) Profesor, Departamento de Ingeniería

Eléctrica e Informática, Universidad de New
Hampshire
El Dr. Sidney Darlington obtuvo su BS en física en

Harvard, su BS en comunicación eléctrica en MIT y
su Ph.D. en la Universidad de Columbia. En 1929 se
unió a Bell Laboratories, donde fue jefe del
Departamento de Circuitos y Control. Durante ese
período se hizo muy amigo de otros colaboradores
importantes como Edward Norton y Hendrik Bode.
Titular de 24 patentes de EE. UU., recibió la Medalla
Presidencial de la Libertad, el honor civil más alto
de los Estados Unidos, en 1945 por sus
contribuciones al diseño de redes durante la
Segunda Guerra Mundial. Miembro electo de la
HIGO. 5.73
Academia Nacional de Ingeniería, también recibió
Combinación Darlington.
la Medalla Edison del IEEE en 1975 y la Medalla de
La configuración fue introducida por primera vez por el Dr. Sidney Darlington en 1953. Aparece una breve Honor del IEEE en 1981. Su patente
estadounidense 2 663 806 titulada "Dispositivo de
biografía en la figura 5.74.
traducción de señales de semiconductores" se
emitió el 22 de diciembre de 1953. describiendo
Configuración de emisor-seguidor cómo se podrían construir dos transistores en la
configuración de Darlington en el mismo sustrato,
En la figura 5.75 aparece un amplificador Darlington utilizado en una configuración de emisor-seguidor. El
a menudo considerado como el comienzo de la
impacto principal de usar la configuración de Darlington es una impedancia de entrada mucho mayor que construcción de circuitos integrados compuestos.
El Dr. Darlington también fue responsable de la
introducción y el desarrollo de la técnica Chirp,
utilizada en todo el mundo en sistemas de radar y
transmisión de guía de ondas. Es uno de los
principales contribuyentes del Sistema de
Orientación de Comando de Bell Laboratories que
guía la mayoría de los cohetes que se utilizan hoy
en día para colocar satélites en órbita. Utiliza una
combinación de seguimiento por radar en tierra
con control inercial en el propio cohete. El Dr.
VI β1
C1 + Darlington era un ávido amante de la naturaleza
como excursionista y miembro del Appalachian
IB1 VSER1– β2
+ Mountain Club. Uno de sus logros más orgullosos
fue poder escalar el monte Washington a la edad
VSER2– Vo
de 80 años.
Imi2 C2
HIGO. 5.74
Sidney Darlington (Cortesía de
AT&T Archives and History Center).
HIGO. 5.75
Configuración emisor-seguidor con un amplificador Darlington.
305

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Traducido del inglés al español - www.onlinedoctranslator.

CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1

CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55

CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129

CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160

CAPÍTULO 5: Análisis BJT AC 253

CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378

CAPÍTULO 7: Polarización FET 422

CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481

CAPÍTULO 9: Respuesta de frecuencia BJT y JFET 545

CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607

CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653

CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683

CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722

CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751

CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783

CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales 811

CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841

Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones

Apéndice C: Gráficos y tablas 891

Apéndice D: Soluciones a problemas

CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1

CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55

CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129

CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160

5.1 Introducción 253

CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378

CAPÍTULO 7: Polarización FET 422

CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481

CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607

CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653

CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683

CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722

CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751

CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783

CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841

Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones gráficas y

Apéndice B: Cálculos de voltaje y factor de ondulación 885

Apéndice D: Soluciones a problemas

- Familiarizarse con elrmi, híbrido e híbridopagsmodelos para el transistor BJT.

5.2 AMPLIFICACIÓN EN EL DOMINIO AC

HIGO. 5.1 HIGO. 5.2

suministro de CC. sistema de la figura 5.1.

Es decir, para este ejemplo,

Iac( p@p )WIC( p@p )

El teorema de superposición es aplicable para el análisis y diseño de los componentes de

5.3 MODELADO DE TRANSISTORES BJT

A medida que avanza en las modificaciones de la red, es importante definir el equivalente de

HIGO. 5.5 HIGO. 5.6

1. Establecer todas las fuentes de CC a cero y reemplazarlas por un equivalente de cortocircuito

4. Redibujar la red de una forma más conveniente y lógica

5.4 ELrmiMODELO DE TRANSISTORES

El circuito equivalente para la configuración en emisor común se construirá utilizando las ++

0 0,7 V VSER 0 0,7 V VSER

HIGO. 5.11 HIGO. 5.12

a la corriente de entrada por beta como se muestra en la misma figura.

Configuración de base común

El circuito equivalente en base común se desarrollará de la misma manera que se aplica a la

Para la respuesta de ca, el diodo se puede reemplazar por su resistencia de ca equivalente