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    Transistor MOSFET

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    El MOSFET es un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS y consiste en un sustrato semiconductor con dos islas dopadas separadas por una capa de dieléctrico y conductor. Funciona en tres estados: corte, no conducción y conducción lineal/saturación controlada por la tensión de puerta.

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    Transistor MOSFET

    MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en
    un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado
    en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso
    comercial están basados en transistores MOSFET.

    Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido
    a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan
    los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas
    más tarde. Tambien se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.

    funcionamiento
    Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que,
    mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un
    área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.

    Tipos de Mosfet
    Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya
    realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de
    tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el conductor
    entre ellos es la puerta.

    El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:


    Estado de corte
    Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato.

    Estado de NO conducción
    El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador
    aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.

    Conducción lineal
    Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de
    deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
    aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la región de
    deplexión que darán lugar a un canal de conducción.

    El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial
    entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia
    controlada por la tensión de puerta.
    Saturación: Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción
    bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente
    entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero
    se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

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