UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

DOCENTE: ING JUAN CARLOS COPA PINEDA

ASIGNATURA: ELECTRONICA INDUSTRIAL

INTEGRANTES

ESCARCENA APAZA ANDERSON FREDY

NEIRA SISA EDDY SANTIAGO

TEMA: DIODOS SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA- PRACTICA N°02

AREQUIPA – PERÚ

2020
 UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

CURSO: ELECTRONICA INDUCTRIAL

PROFESOR: Ing. Juan Carlos Copa Pineda

PRACTICA 2. DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1. INTRODUCCION

Los diodos rectificadores de silicio tienen alta capacidad de transporte de corriente directa, típicamente
hasta varios cien amperios. Suelen tener una resistencia directa de sólo una fracción de un ohmio
mientras que su resistencia inversa está en el rango de megaohmios. Se los emplea principalmente en la
conversión de energía, como en fuentes de alimentación, rectificadores, inversores, etc.

En la presente práctica se analizará el modelo matemático de un diodo semiconductor de potencia, se

simulará mediante software y se obtendrá su representación gráfica para diferentes condiciones.

2. OBJETIVOS

 Analizar el comportamiento estático y dinámico de diferentes diodos de potencia

 Estimar tiempos de recuperación inversa y evaluar el comportamiento de la
capacitancia de juntura PN con polarización inversa del diodo
 Calcular parámetros básicos de un rectificador de media onda con carga resistiva

3. SOFTWARE Y ELEMENTOS UTILIZADOS

Software Orcad
Software Mathcad

4. MARCO TEORICO

4.1.- PROPIEDADES DE LOS DIODOS DE POTENCIA [1]

Propiedades de la unión PN
4.2 CARACTERIZACIÓN DINÁMICA [3]

RECUPERACIÓN INVERSA

El paso del estado de conducción al de bloqueo no se efectúa instantáneamente. Si un

diodo conduce en sentido directo una intensidad IF, la zona central de la unión está
saturada de portadores minoritarios con tanta mayor densidad cuanto mayor sea IF.
Cuando el circuito externo fuerza la anulación de la corriente con cierta velocidad dIF
=dt para llevar al diodo al estado de bloqueo, la corriente decrecerá hasta su paso por
cero, pero existen aún en la unión una cierta cantidad de portadores que cambian su
sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca durante algún tiempo en
sentido contrario. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta
después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento (ts) en que los portadores
empiezan a escasear. La intensidad todavía tarda un tiempo tb o tiempo de caída (tf) en
descender a un valor despreciable mientras va desapareciendo el exceso de portadores.
Durante este periodo es el propio diodo quien impone el dI=dt en la disminución de la
corriente inversa. La energía que se ha almacenado en forma de corriente por las
inductancias presentes en el circuito durante ta se transforma en el pico de tensión VRM,
al descargarse la corriente que circulaba por las inductancias sobre la capacidad
parasita del diodo.
Existen dos tipos de diodos de recuperación rápida: Snapp-off (recuperación abrupta)
y Soft-recovery (recuperación suave). En los primeros tb es mucho más corto que en
los segundos.
El parámetro por el que caracteriza la rapidez de un diodo se define como trr = ta + tb,
tiempo de recuperación inversa. La carga eléctrica desplazada en sentido negativo,
carga de recuperación Qrr, que es el área sombreada de la figura 4.2.1. La intensidad de
pico alcanzada en sentido inverso se llama intensidad pico de recuperación inversa,
IRRM. El fabricante puede proporcionar también el factor de tolerancia o Softness factor
(Sf), que se define como Sf = tf / ts = (-di/dt)/(dir/dt)

Conviene que tf no sea bajo (Sf alto), para evitar emisión de ruido E.M.I ya que di/dt
sería alta, además puede dar lugar a picos de tensión en inductancias en serie con el
diodo. Pero valores de tf altos dan lugar a mucha disipación de potencia en la
conmutación al coincidir corriente y tensión altas.
Es por lo tanto necesario llegar a un compromiso y valores de S f próximos a 1 son los
más adecuados (Soft recovery diodes).
 Figura 4.2.1. Formas de onda de corriente y tensión en el transitorio a off del diodo

Figura 4.2.2. Diodo, tiempo de recuperación inversa

En la figura 4.2.3 se ha representado la corriente de un diodo de un rectificador con

180º teóricos de conducción. Funcionando a 50 Hz la intensidad y el tiempo de
recuperación inversa son despreciables, mientras que (en circuito real) a 50 kHz y con
la misma intensidad directa de pico, dichos parámetros se hacen importantes de forma
que el valor medio de la corriente rectificada es bastante inferior al teórico. La
recuperación directa se ha despreciado.
 Figura 4.2.3. Corrientes de un diodo en un circuito rectificador teórico y real.

RECUPERACIÓN DIRECTA

Otro fenómeno similar, pero de menor importancia tiene lugar cuando el diodo pasa de
bloqueo a conducción figura 4.2.4. Se necesita un tiempo finito para que los
mayoritarios de ambas capas inunden la zona de carga espacial y se establezca en ésta
el potencial de unión. Mientras tanto aparece una tensión positiva entre ánodo y
cátodo, que alcanza un valor máximo (Tensión pico de recuperación directa, V FRM)
antes de caer al valor de conducción del diodo, provocada por el circuito exterior que
tiende a poner el diodo en conducción.

Dicha tensión máxima (VFRM) puede ser bastantes elevada y es tanto mayor cuanto
mayor es la derivada de la intensidad (di/dt) , el valor final de la misma IFM y la
temperatura. En la figura 4.2.4 se describe este fenómeno de recuperación directa y se
define el tiempo de recuperación directa, trd, como el que transcurre entre el instante en
que la tensión ánodo- cátodo se hace positiva y aquel en que dicha tensión alcanza el
valor normal de conducción.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir
pérdidas de potencia apreciables, pero el pico de tensión puede llegar a alcanzar
valores altos en diodos rápidos. La tensión directa máxima alcanzada en el proceso se
llama tensión de recuperación directa (VFRM).
 Figura 4.2.4. Paso del Diodo de bloqueo a conducción

4.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

A continuación, se muestra algunos tipos de diodos

Diodos rectificadores para baja frecuencia

Características:
IFAV: 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 µs

Aplicaciones:
 Rectificadores de Red.
 Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Características:
IFAV: 30A – 200 A
VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 µs

Aplicaciones:
 Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).
 Inversores.
 UPS.
 Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Características:
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns
Aplicaciones:
 Fuentes conmutadas.
 Convertidores.
 Diodos de libre circulación.
 Cargadores de baterías.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Características:
IFAV: 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns

Aplicaciones:
 Aplicaciones de alta tensión.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Características:
IFAV: 50A – 7000 A
VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
trr:10 µs

Aplicaciones:
 Aplicaciones de alta corriente.
 5.- DESARROLLO:

Para la presente práctica debe utilizar uno de los siguientes diodos, según el último
digito de su DNI, (ejemplo si el DNI de uno de los integrantes del grupo, termina en 1
debe utilizar el diodo serie BYT249-300).

DNI: 75839907

1. BY249-300
2. BYP302
3. BYT12P-1000
4. BYT30P-400
5. BYT30P-600
6. BYT231PIV-400
7. BYW29-150
8. BYW29-200
9. MBR1035
0. MBR3100RL

5.1. Si el tiempo de recuperación en inversa de un diodo es t rr = 5 µS, la velocidad

de reducción de la corriente del diodo es di/dt = 40A/µS y si el factor de suavidad
es SF = 0.5. Determinar la carga de almacenamiento Qrr y la corriente inversa pico
Irr

Solución:

Primero partimos de la ecuación del tiempo de recuperación en inversa del diodo

2Qrr
trr=
√
di/dt
Hallamos Qrr despejando:
1 di
Qrr= ∗( ) trr2
2 dt

Qrr=0,5 (40) ¿

Qrr=500 uC

Hallamos la corriente inversa pico Irr

di
√
Irr= 2Qrr (
dt
)

Irr=√ 2(500)(40)

Irr=200 A

5.2. Para el circuito de la figura 5.2.1 varíe la tensión de -0.6 a 1 Vdc cada 0.01V,
 utilice el diodo Schottky de potencia MBR735.

-Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos.

Ilustración 1.1Circuito Orcad MBR735

Ilustración 1.2 Configuración fuente - Circuito Orcad MBR735

Tabla 1.1 Características de Diodo MBR735

DIODO MBR735 CARACTERISTICAS

Voltaje inverso máximo repetitivo MAX 35v
Voltaje inverso máximo de trabajo MAX 45v
Voltaje de bloqueo DC MAX 45v
Corriente directa rectificada promedio 7.5 A
Pico de un ciclo de sobretensión no repetitiva 150 mA
Corriente pico de sobretensión inversa 1A
repetitiva
Caída de tensión directa V f 1=(0.55−0.84) V
V f 2=(0.39−0.57) V
Corriente inversa I R 1=(0 .02−0. 1)mA
I R 2=(20−25)mA

a) Graficar y describir la curva característica estática del diodo.

 Ilustración 1.3 Curva característica del Diodo MBR735

La grafica obtenida en la simulación de este circuito podemos observar que su curva

característica del diodo de potencia MBR735 aproximadamente desde 0.3v a 0.35v empieza a
conducir corriente de manera ascendente.

b) Varíe la tensión de la fuente hasta obtener una corriente inversa muy alta.

Ilustración 1.4 Curva característica del Diodo MBR73 5variando la tensión.

Al variar la tensión de la fuente logramos obtener la siguiente gráfica, mostrando una corriente
inversa aproximada de -33kA.

5.3. Repetir la pregunta 5.2 utilizando un diodo de potencia, según el último

digito del DNI.

BYW29-150
 Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos.

Ilustración 1.5 Circuito Diodo BYW29-150

Del datasheet, elabore una tabla con 10 características principales de diodo.

Tabla 1.3 Características del Diodo BYW29-150

DIODO BYW29-150 CARACTERISTICAS

Voltaje inverso pico recurrente máximo MAX 150v
Voltaje RMS máximo MAX 105v
Voltaje máximo de bloqueo de CC MAX 150v
Corriente rectificada directa media máxima 8A
Pico de corriente de sobretensión 80 A
Voltaje directo instantáneo máximo 1.05v
Corriente inversa máxima I R 1= (10−600 ) A
Tiempo máximo de recuperación inversa 25 nS
Rango de temperatura de la unión operativa T j=(−55 a+150 ) C
Rango de temperatura de almacenamiento T STG =(−55 a+150 ) C

Graficar y describir la curva característica estática del diodo.

Ilustración 1.6 Curva característica de BYW29-150

 La grafica obtenida en la simulación de este circuito podemos observar que su
curva característica del diodo de potencia BYW29-150 aproximadamente desde
0.6v empieza a conducir corriente de manera ascendente.

5.4. Para el circuito de la figura 5.4.1. con una fuente de onda cuadrada de
amplitud 10Vpp frecuencias de 10kHz y 100kHz, una resistencia de 1kohm y un
diodo de potencia BTY3400B.

BYW29-150

-Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos

-Del datasheet, elabore una tabla con 10 características principales de diodo.

Ilustración 1.7 Circuito Diodo BYW29-150

DIODO BYW29-150 CARACTERISTICAS

Voltaje inverso pico recurrente máximo MAX 150v
Voltaje RMS máximo MAX 105v
Voltaje máximo de bloqueo de CC MAX 150v
Corriente rectificada directa media máxima 8A
Pico de corriente de sobretensión 80 A
Voltaje directo instantáneo máximo 1.05v
Corriente inversa máxima I R 1= (10−600 ) A
Tiempo máximo de recuperación inversa 25 nS
Rango de temperatura de la unión operativa T j=(−55 a+150 ) C
Rango de temperatura de almacenamiento T STG =(−55 a+150 ) C
 a) Compare las señales de entrada y salida (graficar a detalle)

Ilustración 1. 8 Curva característica señales de entrada y salida

Al usar un generador de señal pulso, la señal de entrada es cuadrada, está en un determinado

periodo cambia de estado de conducción a bloqueo debido al diodo, este sigue su conducción en
inverso, y se mantiene durante un tiempo de almacenamiento hasta que el diodo logra
recuperarse y mantenerse en la respuesta deseada, siendo todo este la señal de salida en R.

b) Determine el tiempo trr y la corriente de recuperación inversa Irr. Estime la

carga de recuperación inversa Qrr. (graficar a detalle)

Tiempo Trr: Según el datasheet del diodo que se ha usado el di/dt es 10A/uS, este
valor lo reemplazamos en la ecuación del tiempo de recuperación en inversa.

2Qrr
trr=
√
di /dt
De esta ecuación despejamos Qrr:
 1 di
Qrr= ∗( ) trr2
2 dt

Qrr=0,5 (100)¿

Qrr=1,62 uC

corriente de recuperación inversa:

di
√
Irr= 2Qrr (
dt
)

Irr=√ 2(1,62)(100)

Irr=18 A

c) Analizar los resultados

Figura 5.4.1. Circuito rectificador de media onda (diodo de potencia)

Figura 5.4.2. Tiempo de recuperación inversa del circuito rectificador figura 5.4.1
 Ilustración 1. 9 Tiempo de recuperación inversa Diodo BYW29-150

5.5. Para el circuito de la figura 5.6.1, con una fuente senoidal, una resistencia de
2k ohm y un diodo de potencia (según el último digito del DNI).
BYW29-150

-Simular y graficar los circuitos con los valores respectivos

-Del datasheet, elabore una tabla con 10 características principales de diodo.

a) Compare las señales de entrada y salida (graficar a detalle)

La señal de entrada es senoidal a comparación del visto anteriormente, esta en un determinado

periodo cambia de estado de conduccion a bloqueo debido al diodo, este sigue su conduccion en
inverso, y se mantiene durante un tiempo de almacenamiento hasta que el diodo logra
recuperarse, en la gráfica podemos observar que, a diferencia del otro ejercicio, su tiempo es
pequeño, haciendo que su recuperación sea inmediata y mantenga la respuesta deseada
posteriormente a la salida.
Figura 5.6.1. Circuito rectificador de media onda (diodo de potencia)

Figura 5.6.2. Corriente en el circuito de la figura 5.6.1.

5.6. (Opcional) Para un rectificador (con 180º teóricos de conducción) de media onda,
con una fuente sinusoide de 120 Vrms, frecuencia de 60 Hz y una resistencia de carga
de 5ῼ. Determinar: a) La corriente media en la carga. b) La potencia media absorbida
por la carga. c) El factor de potencia del circuito.

La corriente media en la carga:

I =Vm /πR

I =√ 2(120)/π 5

I =10,8 A

La potencia media absorbida por la carga:

2(120)
Vrms= √
2

Vrms=84,9

Vrms 2
P=
R

84,92
P=
5
P=1441 W

El factor de potencia:

P
Fp=
Vsrms∗Isrms
 1441W
Fp=
120∗17

Fp=0.706

6. CONCLUSIONES

 En esta práctica pudimos observar que durante el tiempo de recuperación inversa el

diodo se comporta como un cortocircuito y no es capaz de bloquear el voltaje en sentido
inverso, deja pasar la corriente en sentido inverso.

 Dependiendo del tiempo de recuperación en conmutación y de la caída en estado de

conducción los diodos de potencia son de diferentes tipos, y cuando se conectan diodos
del mismo tipo, no comparten el mismo voltaje inverso, por la falta de coincidencia en
sus curvas.

7. REFERENCIAS

[1] Muhammad H Rashid, Power Electronics Handbook Devices Circuits and

Applications 3rd Ed, 2011
[2] Daniel W. Hart, Valparaíso University, Indiana, Electrónica de Potencia, 2001
[3] Iñigo Martínez de Alegría, Armando Astarloa, Carlos Cuadrado, ELECTRÓNICA
INDUSTRIAL Apuntes, prácticas y problemas
8. ANEXOS

8.1. Calculo del factor de potencia en un circuito rectificador de media onda con
carga R-L

Debemos emplear la expresión general que define el factor de

potencia: fp =P/S
Donde:
P = potencia entregada por el generador, que debe ser igual a la absorbida por
carga.
la S = potencia aparente (producto de los valores eficaces de la tensión y la

corriente
del generador)

La potencia absorbida por la carga (R-L) es la que se disipa en la resistencia, ya que la

potencia media absorbida por la bobina es cero.

* Potencia absorbida por la carga: P = I2RMS * R

* Potencia aparente: S = Vs,RMS * IRMS

Una vez determinados los valores de P y S, obtendremos el valor del factor de potencia.