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    Laboratorio 3

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    Gonzalo Ledezma
    Este documento presenta los resultados de un laboratorio sobre las características de las junturas de un transistor NPN. Contiene tablas que muestran los voltajes medidos en las junturas base-emisor y base-colector con polarizaciones directa e inversa. El objetivo era utilizar un voltímetro para medir los voltajes en las junturas del transistor y conocer las características principales de la corriente.

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    Universidad tecnológica de panamá

    Centro regional de Chiriquí


    Facultad de ingeniería mecánica

    Lab. Electrónica

    Integrantes: mayron pitty


    Jeremy Fernández

    Asignación: laboratorio #3

    Profesor: Rafael Candanedo

    Grupo:2LB211

    Año:
    2
    0
    2
    1
    Objetivos:
    Utilizar el voltímetro y buscar los voltajes de los transistores.
    Conocer las características principales de corriente.

    Materiales:
     Fuente
     Resistores
     Transistores
     Voltímetros
     Potenciómetro
     ground

    1. Juntura base-emisor con polarización directa.

    El transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del
    ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor esta polarizada
    en directa.
    .
    Tabla de las características de las juntas del transistor con polarización directa.
    0 0.001 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.5 1 2 4

    VBE 1.36 0.62 0.69 V 0.70V 0.71V 0.72 V 0.71 0.72V 0.72 0.70 075V
    volts mv V V V 3V

    VBC 1.36 0.63 0.69 V 0.70 V 0.71V 0.71V 0.72 0.72 V 0.72 0.74 0.75
    volts mv V V V V V

    2. Juntura base-recolector con polarización directa.

    0 0.001 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.5 1 2 4

    VBE 0.71 0.72V 0.72 V 0.72V 0.72V 0.72 V 0.72 0.72V 0.73 0.74 075V
    volts mv V V 3V

    VBC 0.72 0.72V 0.73 V 0.73V 0.73V 0.73V 0.73 0.73 V 0.73 0.74 0.76
    volts mv V V V V

    Tabla: Características de las juntas del transistor con polarización directa


    3. Juntura base-emisor con polarización inversa.

    Tabla: junta base-emisor con polarización inversa.

    VEE(V) 0 1 2 4 5V max

    VR6(mV) 0 454.97 mV 1.420 mV 3.400 mV 4.390 mV

    VEB=VEE- 0 0.45 V 0.58 V 0.6 V 0.61 V


    VR6(V)

    IBCO (uA) 0

    1 Millivoltio [mV] = 0,001 Voltio


    4. Juntura base-colector con polarización inversa.

    Tabla: junta base-colector con polarización inversa

    VCC(V) 2 4 6 8 10 13

    VR6(mV) 1.42mV 3.40mV 5.39mV 7.38mV 9.37mV 12.36mV

    VEB=VCC- 0.58V 0.6 V 0.61V 0.62v 0.63V 0.64V


    VR6(V)
    IBEO (uA)

    Conclusión
    Las eficiencias de los transistores dependen exclusivamente de la capacidad de
    potencia.

    El transistor es un dispositivo elemental para recibir señal de mando.

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