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1.

8 Niveles de resistencia

27. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible de la figura 1.15
con un voltaje en inversa de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor determinado con un voltaje en
inversa de -30 V?

VD=−10 ( v )
ID=Is=−0,1 ( ua )
Vd 10 V
Rdc= = =100 M Ω
Id 0,1(ua)

VD=−30 ( v )
ID=Is=−0,1 ( ua )
Vd 30 V
Rdc= = =300 M Ω
Id 0,1(ua)
29. Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corriente en
directa de 10 mA y compare sus magnitudes.

ID=10 ( ma )
ID=0,76 ( v )
Vd 0,76 V
Rdc= = =76 Ω
Id 10 ( ma )
ΔVd 0,79V −0,76 V 0,03 V
Rd= = = =3 Ω
ΔId 15 ( ma )−5 (ma) 10 ma

31. Con la ecuación (1.5), determine la resistencia de ca con una corriente de 1 mA y 15


mA del diodo de la figura 1.15. Modifique la ecuación como sea necesario para niveles
bajos de corriente del diodo. Compare con las soluciones obtenidas en el problema 30.

Ecuación:
ID=1ma
26 mv
rd=2 ( )Id

26 mv
rd=2 (
1 ma )
=2 ( 26 Ω )=52 Ω

ID=15 ma

rd=( 26Idmv )
26 mv
rd=(
15 ma )
=1.73 Ω

33. Determine la resistencia de ca para el diodo de la figura 1.15 con 0.75 V y compárela
con la resistencia de ca promedio obtenida en el problema 32.

ΔVd 0.8 v−0.7 v 0.9 v


rd= = = =0.225 k Ω
ΔId 7 ma−3 ma 4 ma
1.9 Circuitos equivalentes del diodo

35. Repita el problema 34 con el diodo de la figura 1.27.

Utilizando la mejor aproximación a la curva de más allá. VD = 0,7 V:

ΔVd
rab=
ΔId
0.8 V −0.7 V 0.1V
rab= = =4 Ω
25 ma−oma 25 ma

1.10 Capacitancias de difusión y transición

37. Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de difusión con 0 V y 0.25 V.

Vd=0 V ,Cd=3,3 pf
Vd=0 , 25 V ,Cd=9 pf
39. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito por las características de la
figura 1.33, con un potencial en directa de 0.2 V y un potencial en inversa de 20 V si la
frecuencia aplicada es de 5 MHz.

Vd=0 .2 V , Cd=7 , 3 pf
1 1
Xc= = =3.64 k Ω
2 π fC 2 π ( 6 MHz )( 7.3 pf )
Vd=−20 V ,Ct =0.9 pf
1 1
Xc= = =29.47 k Ω
2 π fC 2 π ( 6 MHz )( 0.9 pf )

1.11 Tiempo de recuperación en inversa

1.12 Hojas de especificaciones de los diodos

1.15 Diodos Zener

*49. ¿A qué temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendrá un voltaje


nominal de 10.75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.7).
ΔVz
Tc=0.0072%= x 100 %
Vz (T 1−¿)
0.75 V
0.0072= x 100
10 V (T 1−25 )

7. 5 V
0.0072=
T 1−25
7.5
T 1−25º = =104.17 º
0.072
T 1=104.17º +25 º =129.17 º

51. Con las curvas de la figura 1.48a, ¿qué nivel de coeficiente de temperatura esperaría
para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Considere una escala lineal entre los
niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.

(20 V −6.8V )
X 100 %=77 %
(24 V −6.8)

Por lo tanto, el Zener de 20 V es ≅ 77% de la distancia entre 6,8 V y 24 V medida a partir


de la característica de 6,8 V.

AtIz=0.1ma ,Tc=0.06 %
( 5V −3.6 V )
X 100 %=44 %
( 6.8V −3.6 V )
Por lo tanto, el Zener de 5 V es ≅ 44% de la distancia entre 3,6 V y 6,8 V medida desde la
característica de 3,6 V.

AtIz=0.1ma ,Tc=−0.025 %

*53. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de la figura 1.48 con
niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. ¿Cómo se relacionan los resultados con la forma de
las características en esta región?

24 V Zener :
0.2 ma=400 Ω
1 ma=95 Ω
10 ma=13 Ω
Cuanto más pronunciada sea la curva (mayor dI/dV), menor será la resistencia dinámica.

1.16 Diodos emisores de luz

55. Con la información de la figura 1.53, determine el voltaje en directa a través del diodo
si la intensidad luminosa relativa es de 1.5.

If =13 ma
Vf =2.3 V

57. a. Si la intensidad luminosa a un desplazamiento angular de 0° es de 3.0 mcd para el


dispositivo de la figura 1.53, ¿a qué ángulo será de 0.75 mcd? b. ¿A qué ángulo la pérdida
de intensidad luminosa se reduce a menos de 50%?

A)

0.75
=0.25
3.0
( i )=75 º
B)

0.5=40 º

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