TELECOMUNICACIONES: Servicios, Enlaces y Redes TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES

SECCIÓN C TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES

CAPITULO 4 AMPLIFICADORES DE MICROONDAS

1- AMPLIFICADORES ESPECIALES
Una primera clasificación de los amplificadores los divide en aquellos que manejan:
-Grandes señales (de potencia para transmisores) (Klystron, Tubo de Onda Progresiva TWT y transistorizados) y
-Pequeñas señales (amplificadores de bajo ruido) (amplificadores paramétricos y los transistorizados).

1.1- AMPLIFICADOR CON KLYSTRON

El Klystron se utiliza como amplificador de potencia en algunas estaciones terrestres de comunicaciones satelitales. En la
Fig C4-01 se muestra un diagrama simplificado de los componentes de un Klystron típico de múltiples cavidades.
Generalmente se utilizan 5 cavidades en un Klystron de 3 Kw de potencia. Se dispone de un cañón electrónico que emite
un haz de electrones que pasa a través del espacio intermedio entre las cavidades de cada uno de los resonadores.

La primer cavidad sirve para ingresar la señal de microondas a ser amplificada, mientras que la segunda se usa para
extraer la señal ya amplificada. La señal de entrada excita la primer cavidad creando un campo eléctrico el cual modula a
su vez el haz de electrones. La velocidad de los electrones es proporcional al campo resultante en la cavidad. En la última
cavidad se genera un campo eléctrico como función de la velocidad de los electrones que se transforma en una corriente
de microondas de salida.

Para obtener una elevada ganancia el haz de electrones se enfoca mediante cavidades intermedias y mediante un tubo que
actúa como focalizador magnético constituido por un imán permanente corto o un solenoide largo. La frecuencia de
resonancia del amplificador se ajusta mediante unos tornillos de sintonía disponibles en las cavidades. Dado que la
densidad del haz de electrones determina la potencia de salida y que los electrones interceptados en el colector producirán
calor que es preciso disipar, la capacidad de transferencia de calor del tubo determinará la potencia manejable por el
Klystron. En la práctica el colector es una estructura grande y hueca enfriada por aire.

Los Klystron, en las denominadas bandas C y Ku, tienen las siguientes características generales:
-en la banda de 5925 a 6425 kHz tienen una potencia de salida de 150 a 3400 watts con ganancias de 50 a 40 dB y anchos
de banda de 23 a 45 MHz respectivamente;
-en la banda de 14 a 14,5 GHz la potencia es de orden de 1500 a 200 watts con una ganancia de 40 dB y ancho de banda
de 100 MHz.

Como se observa, al Klystron se debe ingresar con una alta potencia de entrada; ya que para obtener 2 Kw de salida
(equivalente 63 dBm) con una ganancia de 40 dB se requieren 23 dBm de ingreso. En la misma Fig C4-01 se muestra un

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diagrama a bloques del amplificador con Klystron donde se disponen de etapas previas con amplificador a transistores
para obtener los 23 dBm a partir de la señal proveniente del up-converter.

1.2- AMPLIFICADOR CON TWT

El tubo de onda progresiva TWT (Traveling Wave Tube) es la

otra variante de amplificador que se utiliza en las estaciones para
comunicaciones satelitales. En la Fig C4-01 se muestra el
diagrama del TWT. El TWT es un amplificador de gran ancho de
banda (hasta una octava) y una ganancia de potencia de 25 a 50
dB. La eficiencia, entre el 20 y 40%, es función del ancho de
banda.

Consiste en un generador de haz electrónico y una estructura de

enfoque magnético. Una estructura en forma de hélice facilita la
interacción entre el campo de microondas y el haz electrónico. La
velocidad de los electrones se ajusta para que sea igual a la
velocidad de fase de las microondas.

El cañón electrónico consiste en:

-Calefactor y cátodo, cuya superficie de emisión de electrones es mucho mayor que el área del haz lo cual permite
trabajar con menor densidad de electrones en un orden de 15 a 50 veces.
-Electrodo de enfoque que rodea al cátodo y regula el campo eléctrico y
-Ánodo para acelerar y concentrar el haz de electrones lo cual actúa sobre la ganancia del amplificador.
-Colector de electrones, es una estructura que desacelera el haz en varias etapas de tensión positiva para restar energía
cinética y disminuir la disipación de calor.

Los TWT típicos en general funcionan con una tensión de colector inferior al ánodo y cátodo. La amplificación
propiamente dicha se produce en la estructura de enfoque e interacción. En la medida que la onda a amplificar viaja en la
estructura de hélice el campo electromagnético modula la velocidad de los electrones en ondas periódicas
aproximadamente en fase con el campo. La mayoría de los electrones desaceleran y entregan energía al campo
produciendo la amplificación. Se caracteriza a este proceso por una ganancia proporcional a la longitud de la zona de
interacción. La estructura de onda lenta es una hélice de alambre de tungsteno o molibdeno sujeta a una varilla de
cerámica (óxido de aluminio o berilio) que la aíslan de la estructura metálica envolvente. La selección de materiales
influye en la capacidad de potencia de salida y la eficiencia del TWT.

En las estaciones de comunicaciones por satélite se recurre al Klystron o al TWT debido a las exigencias de potencia de
emisión. En cambio, en los enlaces terrestres se recurre exclusivamente a amplificadores de potencia de estado sólido con
transistores. En muy pocos casos se en el pasado TWT para obtener ganancias adicionales cercanas a 5 dB. El TWT tiene
prestaciones inferiores al Klystron en cuanto hace a la linealidad de fase. El nivel de ruido es menor en el TWT, -64
dBm/kHz con respecto a -58 dBm/kHz en el Klystron. En los TWT se trabaja con un back-off de 7 dB para reducir los
productos de intermodulación y muchas veces con linealizadores o predistorsionadores.

1.3- AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMÉTRICO

Mientras en el transmisor se recurre a amplificadores con Klystron, TWT o transistores, en el lado recepción se recurre a
amplificadores con transistores o paramétricos. El principal requerimiento para el amplificador del receptor es el bajo
ruido interno.
Existen amplificadores paramétricos 1) sin enfriar con temperatura de ruido de 50 °K. Con amplificadores a transistores
FET se han obtenido temperaturas de ruido de 80 a 300 °K sin enfriamiento Peltier y de 55 °K con celdas Peltier. El
amplificador paramétrico utiliza una reactancia no lineal (reactancia que varía en función de una señal apropiada). El
diodo varactor actúa como una resistencia negativa ante la presencia de la señal lo cual produce la amplificación. La señal
que varía la resistencia se llama señal de bombeo.

En la Fig C4-02 se muestra el circuito equivalente a un diodo varactor. La resistencia de pérdida de los elementos en
serie Rs es proporcional al ruido térmico del amplificador y de reducirse Rs mejora el factor de ruido. El valor de Rs
disminuye cuando se enfría el conjunto con una celda Peltier o con las mejoras introducidas en el diseño del diodo y los
materiales.

1
) En los años '60 se usaban máseres de 4 GHz enfriados por helio como amplificadores de bajo ruido en comunicaciones
satelitales. En los años '70 se perfeccionó el amplificador paramétrico, al principio enfriados criogénicamente con una
temperatura de ruido equivalente a 20 °K hasta que aparecieron los diodos Gunn y varactores con las celdas Peltier para el
enfriamiento termoeléctrico.

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En la misma figura se muestra el diagrama del amplificador paramétrico. El amplificador consiste en 3 señales: la señal
de bombeo proveniente de un oscilador con diodo Gunn de frecuencia superior a la señal a amplificar; la señal a
amplificar y la señal complementaria que se produce al mezclarse ambas señales precedentes. En condiciones ideales toda
la potencia de la señal de bombeo se transfiere a la señal a amplificar; esto ocurre cuando la frecuencia de la señal de
bombeo es el doble de la otra señal y cuando ambas están en fase.

En el diodo varactor se dispone entonces de 2 señales: una senoidal que corresponde a la RF a amplificar y otra
rectangular que es la señal de bombeo. Cuando la tensión del capacitor es máxima la carga también lo es y equivale a
Q=C.V. Si en este momento se produce un salto
en el valor de la capacidad C (mediante la
tensión de bombeo) el valor de V se incrementa
para mantener constante la carga. Cuando el
valor de Q es cero se vuelve al valor original de
C (mediante la tensión de bombeo). A cada paso
de bombeo se obtiene una pequeña
amplificación de la tensión proporcional a la
variación de la capacidad.

El amplificador paramétrico donde la frecuencia

de bombeo es el doble de la frecuencia de
resonancia del circuito se denomina
degenerado. En la práctica, como el valor de
corriente que circula por la juntura del diodo
varactor es muy pequeña, el circuito se
encuentra libre de ruido y su figura o número de
ruido NF (Noise Figure) es muy baja. Para
lograr dicha condición es necesario que la
polarización del diodo varactor sea inversa.

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2- AMPLIFICADOR A TRANSISTORES
Los amplificadores más interesantes por la relación entre el costo, consumo, tamaño, reproductividad y distorsiones son
los realizados mediante transistores SSPA (Solid State Power Amplifier). El semiconductor silicio es útil en transistores
bipolares hasta los 3000 MHz, mientras que el Arseniuro de Galio (As Ga) se utiliza por encima de dicha frecuencia en la
configuración de transistor de efecto de campo (FET).

En los amplificadores de potencia de estado sólido el nivel máximo de potencia de salida es de 10 watts en las bandas
de 4/6 GHz y de 2,5 w en 11/14 GHz. Tienen por ello una potencia de salida limitada frente a los amplificadores
tradicionales usados en estaciones terrenas. En los amplificadores de bajo ruido se selecciona la configuración FET con
barrera Schottky que permite una figura de ruido muy reducida. Por ejemplo, en estaciones terrenas con 4 etapas donde la
primera se enfría termoeléctricamente mediante celdas Peltier a -40 °C se logran valores de 0,6 dB a 4 GHz con ganancia
de 14 dB.

En estaciones para comunicaciones terrestres no se recurre al enfriamiento termoeléctrico y la figura de ruido se encuentra
cerca de 4 dB. La tecnología es Circuitos Integrados de Microondas Híbridos HMIC con 2 a 4 etapas en cascada. En la
Fig C4-03 se observa un amplificador de potencia de 3 etapas para trabajar en la banda de 2 GHz. Se dispone, tanto del

diagrama en bloques de las etapas como del esquema circuital en película delgada.

2.1- LINEALIDAD E INTERMODULACIÓN

En los radioenlaces para señales digitales se requiere un máximo de linealidad de las etapas activas debido a que la
modulación QAM y TCM tienen una modulación de amplitud superpuesta a la de fase. Para obtener buena linealidad,
reproductividad con bajo costo, volumen y disipación, se requiere un máximo de integración circuital. Como la
modulación digital es muy sensible a la deriva de fase de la portadora los resonadores, filtros y circuladores deben tener
tolerancias muy reducidas para prevenir las fluctuaciones por temperatura. En la modulación QAM de 16 ó 64 estados y
en la TCM se presenta una alta sensibilidad a la linealidad de amplitud producida por la conversión AM-PM de los
amplificadores de salida.

La transferencia de un amplificador del tipo HMIC con FET-AsGa es de la forma:

y(t) = B1. X(t) + B3 . X(t) 3 + B5 . X(t)5 + ...

produciendo una componente de intermodulación principalmente de tercer orden como distorsión fundamental.

La intermodulación se produce en circuitos alineales. Suponiendo la entrada de las frecuencias f1 y f2. Como tienen
distinta frecuencia giran con distinta velocidad angular y la amplitud fluctúa desde un máximo a un mínimo. Por lo tanto
se exige al amplificador en todo el rango dinámico. Los productos de intermodulación son:
f1 ± f2 intermodulación de 2º orden
m.f1-f2 y m.f2-f1 intermodulación de 3º orden

El amplificador por cada incremento de potencia de 1 dB de f1 y de f2 produce un incremento de 3 dB de 2.f1-f2 y de

2.f2-f1; es decir que empeora la relación señal a intermodulación.

Para reducir la intermodulación se recurre a 2 métodos. El primero consiste en trabajar los amplificadores en la zona de
transferencia lineal reduciendo la potencia de salida en un valor denominado Back-off. El segundo consiste en colocar

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un linealizador en el cual se genera una distorsión igual y opuesta al resto de los circuitos. El Back-off se define como la
diferencia entre la potencia de saturación del amplificador y la potencia realmente obtenida. En la modulación 4PSK este
valor es de 1 dB, en la 16QAM es cercano a los 6 dB y en 64QAM (128TCM) de 8 dB. En la medida que se incrementa el
número de fases también debe aumentarse la linealidad reduciéndose la potencia de salida.

Al no trabajar en saturación el amplificador tiene una disipación mayor que obliga a ocupar un volumen físico también
mayor, consumiendo más potencia que los enlaces radioeléctricos para señales analógicas de capacidad equivalente. El
volumen físico ocupado también está determinado por el límite de consumo de potencia eléctrica, que en las instalaciones
normales es de 400 w/m 2 tanto para el consumo desde la red de distribución como para el cálculo de calorías del aire
acondicionado.

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3- LINEALIZADOR PARA AMPLIFICADOR DE POTENCIA

Un método para reducir la intermodulación es hacer trabajar al amplificador con potencia no-saturada (Back-off). Un
segundo método para reducir las intermodulaciones es el uso de distorsionadores previos a la etapa de amplificación. El
linealizador es un predistorsionador, circuito que trabaja a nivel de IF antes del conversor o en RF luego del mismo y que
compensa la intermodulación del conjunto transmisor desde IF en el transmisor hasta la RF. En la Fig C4-04 se muestra
el diagrama en bloques.

En el ejemplo de la Fig C4-04 se ha tomado la distorsión de intermodulación del tipo 2.f1-f2 y 2.f2-f1, siendo que la señal
de entrada está compuesta de dos frecuencias f1 y f2. En realidad un circuito alineal genera todo tipo de componentes
(±m.f1, ±n.f2) pero de ellas las más importantes son las mencionadas como ejemplo.

En el amplificador de salida la relación señal a ruido de intermodulación de tercer orden es inversamente proporcional a la
potencia de ingreso y pueden indicarse valores de S/N de 40, 50 y 60 dB para señales de ingreso +5; 0 y -5 dBm. En los
amplificadores a FET de AsGa existen 3 causas de alinealidad: la alinealidad de la capacidad de la juntura gate-source; la
alinealidad de la trasconductancia y de la impedancia de salida. Con señales fuertes la alinealidad está determinada por el
límite de la característica corriente-voltaje producto de la avalancha en la juntura drain-gate.

3.1- LINEALIZADOR EN FRECUENCIA INTERMEDIA

La idea consiste en generar una distorsión controlada y ajustable que se suma a la IF original. La señal de IF de entrada se
separa en 2 caminos luego de un control automático de ganancia AGC. La tensión de control de AGC, si excede un
umbral, da lugar a una alarma de bajo nivel de IF

Un camino de la señal de IF es retardado una decena de nseg para simular el retardo del otro camino. Para compensar el
retardo de grupo de este circuito se usa un filtro pasa altos. El otro camino de la IF es separado a su vez en 2 señales con
180° de fase; una de ellas se distorsiona en un elemento alineal y luego se suman. Debido al desfasaje de 180° entre
caminos se obtiene que la IF se cancela y perdura sola la distorsión. Esta distorsión se ajusta en nivel mediante un
atenuador variable, disponible para el operador de mantenimiento.

El ajuste de la fase se realiza separando esta distorsión en 4 fases (0°, 90°, 180° y 270°) y seleccionando dos de ellas para
obtener un cuadrante. Mediante atenuadores variables se puede ajustar el nivel de cada componente para obtener el ángulo

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de fase deseado dentro del cuadrante. La suma de un camino (señal de IF) y el otro (distorsión controlada) se realiza a la
salida del predistorsionador. A través de un filtro pasa bajos se eliminan las distorsiones fuera de banda más allá de la IF.
Para compensar el retardo de grupo del filtro se dispone de un ecualizador de retardo entre 3 y 4 nseg.

En la Fig C3-10 se muestra la mejora introducida por el método Back-off sobre la característica de C/N. El back-off
mejora la característica hasta un valor razonable cercano a 1; 6 y 8 dB de Back-off para modulación 4PSK,
16QAM/32TCM y 64QAM/128TCM, respectivamente.

El linealizador usa sólo en sistemas de alta capacidad. En la Fig C3-10 se muestra el efecto que produce el linealizador en
el extremo de la banda en un sistema de alta capacidad. El espectro de frecuencia intermedia del extremo transmisor sufre
una substancia modificación debido a la acción de la distorsión controlada. El ajuste puede realizarse mediante un
generador de varios tonos (3 ó 4 frecuencias en el entorno de la IF) minimizando las distorsiones fuera de banda del
espectro digital normal. Un instrumento de medida en particular de H&P utiliza las frecuencias 67; 70 y 75 MHz como
tonos para el ajuste.

Como linealizador se ha propuesto también el uso de un filtro adaptativo similar al ecualizador de Notch en IF. En este
caso la ventaja reside en que es automático en lugar de fijo; se coloca a nivel de IF y el control se efectúa tomando
muestras del espectro antes del linealizador y después del amplificador de salida. De esta manera se pueden controlar
pequeñas variaciones en la distorsión de amplitud y fase del amplificador de salida a lo largo del tiempo.

3.2- LINEALIZADOR EN RADIOFRECUENCIA

Los sistemas sincrónicos SDH requieren nuevos desarrollos ligados con los amplificadores de potencia de estado sólido
ellos son:

-Linealizador para reducir los productos de intermodulación que trabaja en RF sobre el amplificador de potencia SSPA.
Se aprovecha la alinealidad del FET-AsGa en la región cercana al pinch-off. Permitiendo mejor adaptación que el
linealizador en IF y no requiere ajuste de campo.

-Control automático de la potencia de transmisión ATPC para mantener reducida la potencia de salida durante los
períodos de buena propagación. Con una potencia nominal de transmisión de +29 dBm el ATPC trabaja a +19 dBm
(saturación en +38 dBm).

En la Fig C4-04 se muestran dos tipos de circuitos linealizadores. Uno efectúa un circuito en película delgada con un
diagrama a bloques similar al propuesto en la Fig C4-04. El segundo en cambio recurre a la alinealidad del transistor FET
en la región de pinch-off donde la corriente de Drain y la ganancia de corriente se incrementa (compensación AM/AM).
Este circuito permite mejorar la adaptación de impedancias y no requiere ajustes en campo. Compensa la distorsión
AM/AM y AM/PM simultáneamente.

Mediante el mismo proceso se puede actuar sobre la ganancia del amplificador de salida. Se denomina proceso ATPC
(control automático de potencia transmitida). El proceso de funcionamiento del ATPC es el siguiente: Cuando se detecta
una reducción en la potencia de recepción (mediante el Control Automático de Ganancia AGC) se informa al otro
extremo del enlace a través de un Byte de la SOH de la trama STM-1. Del otro lado cuando en la banda-base del SOH se
encuentra esta información se procede a incrementar la potencia del SSPA. Se puede obtener un incremento de 10 dB
desde la potencia nominal a la máxima de funcionamiento (+20 a +30 dBm).

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