Circuitos Proteus
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Kevin Flores1 Josué Largo2 Andrés Villamarin3
Universidad de las Fuerzas Armadas Universidad de las Fuerzas Armadas Universidad de las Fuerzas Armadas
ESPE, ESPE, ESPE,
Sangolquí, Ecuador Sangolquí, Ecuador Sangolquí, Ecuador
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Voltaje pico del UJT
Introducción 𝑉𝑝 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 + 0.7
TRANSISTOR UJT
El transistor UJT es un
Circuito Equivalente del UJT
dispositivo de conmutación
por transición conductiva, Es
La resistencia de la barra de silicio se llama
muy pero muy útil en circuitos
resistencia entre bases RBB
y sistemas industriales donde
La resistencia entre bases está representada por
se incluyen mecanismos de
dos resistencias en serie; RB1 y RB2.
conteo como: circuitos temporizadores, circuitos
RB2 es constante
osciladores, circuitos generadores de formas de onda y
sistemas de control por Gate o compuerta (SCR) y por RB1 es variable y depende del voltaje de
supuesto los triacs. Este dispositivo, posee tres polarización a través de la unión pn
terminales los cuales son denominados: emisor, base 1 La unión pn está representada en el emisor por
y base 2. un diodo D.
La relación V1 / VBB se denomina relación de
separación intrínseca (n) que está entre 0,51 y
0,82.
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Circuito equivalente del UJT.
Ecuaciones básicas
Corriente de la base 2
𝑉𝐵1 + 𝑉𝐵2 𝑉𝐵𝐵
𝐼𝐵2 = 𝐼𝐸 = =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝑅𝐵𝐵
Corriente de la base 1
𝑉𝐵1 − 𝑉𝐶
𝐼𝐵1 =
𝑅𝐵1
Curva Característica
I. PRIMER CIRCUITO
Análisis matemático
Tiempo de activación de la salida.
𝑇 = 1.1𝑅𝐶
𝑇 = 1.1(7000)(1 ∙ 10−6 )
𝑻 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟕𝟕 𝒔
Funcionamiento:
V. QUINTO CIRCUITO
Convertidor monoestable
Funcionamiento:
Detector de cruce por cero de onda completa:
Puente de diodos: Rectifica la onda sinusoidal.
Primer inversor :
555 operación monoestable: Invierte la señal de salida del 555, funcionando de la
misma forma que el del optocoplador, cuando:
Señal de la base Salida del transistor
0 En alto
1 En bajo
Aislamiento
REFERENCIAS