Compendio de Trabajos de Investigación CNDG – Biblioteca

Instituto Geofísico del Perú. V. 5 (2004) p. 21-32

GENERACIÓN DE RUIDO Y SU CONMUTACIÓN CON LA SEÑAL DE LA

ANTENA DE 50MHZ DEL RADIO-OBSERVATORIO DE JICAMARCA

WILBERT VILLENA GONZALES

Especialidad de Ingeniería Electrónica
Facultad de Ciencias e Ingeniería
Pontificia Universidad Católica del Perú
[email protected]

Prácticas dirigidas por: Fernando Villanueva Ruiz

Radio Observatorio de Jicamarca - IGP

RESUMEN

Los electrones en cualquier conductor con una temperatura diferente al cero absoluto están siempre en
-
movimiento aleatorio. Este movimiento aleatorio de e en un conductor de resistencia “R” a una
temperatura absoluta T(K) da lugar a un nivel de ruido.

Además, todo sistema, dispositivo, elemento, etc. a una determinada temperatura produce un
determinado nivel de ruido, por lo tanto, el receptor tampoco escapa a esta limitación. Si queremos
obtener el nivel de ruido que adiciona a la señal proveniente de la antena se necesita insertar a la
entrada del sistema de recepción un nivel de ruido conocido y evaluarlo a la salida del sistema de
recepción. Comparando las potencias de entrada y salida se podrá obtener el nivel de ruido generado
por el receptor. La impedancia interna de dicho generador deberá ser igual al de la antena y no deberá
cambiar durante condiciones de operación o no-operación.

El proyecto básicamente está dirigido a la construcción de un Generador de Ruido y de un circuito que

conmutará entre el ruido y la señal proveniente de la antena.

INTRODUCCIÓN deseada y puede ser dividido en dos

categorías: Ruido Externo e Interno
En un radar es a menudo deseable tener [Riddle et al., 1958].
cierto método automático de monitorear la Este conjunto de señales tiene que
Figura de ruido o Noise Figure (NF) del producirse por causas naturales, porque si
sistema de recepción. Esto se puede las causas son artificiales, como por
realizar insertando una señal de prueba ejemplo otro transmisor, estaríamos
(Ruido Blanco) dentro del receptor durante hablando de interferencias, no de ruido
los últimos instantes de recepción antes propiamente dicho.
del siguiente pulso de transmisión y Las causas naturales pueden ser debidas a
evaluar la relación entre las potencias de causas externas e internas del propio
entrada y salida [Burke et al., 2002]. elemento de comunicaciones. Un claro
En el sentido más amplio de la palabra, el ejemplo de causa externa es el cosmos, las
ruido puede definirse como toda señal no- estrellas, el sol, etc. Hasta niveles bajos de
W. Villena

energía radiados pueden ser críticos si el

nivel de señal útil es bajo. - Ruido térmico
- Shot noise
Un ejemplo de causa interna son los - Flicker noise
propios circuitos internos, ya que generan - Popcorn noise
ruido. El más común es el ruido térmico. - Ruido de avalancha
Este tipo de ruido se debe a los
movimientos aleatorios de cargas Por lo que para un análisis detallado del
eléctricas en los medios conductores y ruido total generado por el amplificador se
semiconductores. Siempre están presentes deberá hacer un análisis del ruido de cada
porque la causa principal de estos uno de los componentes para luego
movimientos erráticos es la temperatura. establecer el ruido global.
Cuanto mayor sea la temperatura mayor va
a ser el ruido. FUNDAMENTOS

Nuestro interés está en el ruido interno el Cualquier objeto cuya temperatura está

cual es generado por el propio sistema por encima del cero absoluto irradia

(receptor) y representa un límite a la señal energía electromagnética de la cual parte

más pequeña que puede ser captada por es ruido. En los dispositivos electrónicos

dicho sistema. Este ruido es el generado éste se debe al movimiento aleatorio de e-

por los componentes pasivos y activos de libres con un determinado nivel de energía

un amplificador y serán en definitiva los térmica, además, aún así no circule

limitadores de la capacidad de amplificar corriente, este tipo de ruido puede ser

un nivel mínimo de señal, ya que una señal observado. Cuando fluye corriente por el

que esté por debajo del nivel de ruido sistema, el movimiento aleatorio está

propio del amplificador, será imposible de todavía presente pero ahora, el ruido está

ser discriminada de la del ruido, quedando superpuesto a la corriente circulante.

enmascarada por ésta. Este límite de ruido “Cualquier objeto con una temperatura por

fijará un umbral para el amplificador, a encima del cero absoluto es una fuente

tener en cuenta especialmente para el generadora de ruido.”

manejo de señales de muy bajo nivel, y la La expresión para la potencia promedio

relación de señal/ruido permisible del ruido es:

dependerá de la aplicación. P = kTB

El ruido en el amplificador se puede
caracterizar por el fenómeno físico al cual donde:
está ligado, por lo cual se puede tipificar k = Constante de Boltzman ( 1.38 x 10- 23
de la siguiente manera: J/K)

22
 Generación de ruido y su conmutación con la señal de la antena de 50 MHZ

T = Temperatura Equivalente = ε Tp Ruido en Transistores

donde Tp = Temp. real del cuerpo y
En un transistor hay principalmente dos
ε es la emisividad del cuerpo.
tipos de ruido: El Shot Noise cuyo tipo
B = Ancho de Banda
espectral es similar al del ruido blanco y
el “Flicker Noise” que es inversamente
Una manera de representar la generación
proporcional a la frecuencia de trabajo.
de ruido es mediante una fuente ficticia de
Trazando un diagrama de la potencia de
ruido en serie con una resistencia ”R” libre
estos dos tipos de ruido v.s la frecuencia,
de ruido, de tal manera que si se cierra el
se puede ver que hay un punto a partir del
circuito la carga “R” absorberá toda la
cual el flicker noise es menor al Shot
potencia de ruido. Por lo tanto, de aquí se
Noise, por lo que a partir de una frecuencia
puede hallar el voltaje RMS del ruido que
determinada el ruido predominante es
aparece en la resistencia “R”, tal como se
ruido blanco, tal y como se muestra en la
muestra:
Figura 1.
En 2
= KTB ∴ En 2 = 4 RKTB
4R
Potencia
de Ruido
Como se dijo anteriormente, el ruido usual
que existe en un sistema de recepción de
un radar es parte de origen térmico así
como debido a otras causas o procesos,
Frec.
pero todas tienen la misma naturaleza
fa fb fc
espectral y probabilística, por tanto, a
todas se les considera como ruido térmico Figura 1. Ruido en el transistor v.s Frecuencia

[Kraus et al., 1982]. Ejemplos de esto son

el “Shot Noise” en los dispositivos
Es por esto que el modelo en señal del
semiconductores y el “Grid Noise” en los
transistor debe incluir las fuentes de esos
tubos de vacío.
dos tipos de ruido aparte del ruido por
Tomando en cuenta esto, se puede
temperatura, para un correcto análisis de
considerar que el ruido originado por un
señales pequeñas.
transistor (Shot Noise o ruido por
Como el Shot Noise es ruido blanco, la
recombinación y por difusión) tiene el
expresión que represente su voltaje rms es
mismo espectro que el ruido blanco, por lo
la de la ecuación anterior, mientras que
que se puede usar un transistor como un
para el “flicker Noise” su representación
generador de ruido blanco.
es:

23
W. Villena

fH flicker noise es dominante. En la región de

E s2 = K ln alta frecuencia (frecuencias por encima al
fL
tiempo de tránsito de un electrón a través
del semiconductor), la salida del ruido
Es2 En2
I1 I2 decrece paulatinamente ya que el
h movimiento aleatorio o fluctuación del
E2 = 4KTRB electrón se ve afectada por una mayor
AC h22
Rg
h12E h21I1
carga de electrones en tránsito.
Eg

La fórmula del Shot Noise

Figura 2. Modelo de pequeña señal de un Los dispositivos que emiten cargas

transistor bipolar a baja potencia considerando las
fuentes de ruido discretas (electrones) a una velocidad
promedio proporcional a Idc, pero donde
Para la mayoría de los transistores la
con cada emisión (evento) es
frecuencia a partir de la cual el “flicker
estadísticamente independiente, mostrarán
noise” es despreciable es a partir de los 5
el shot noise en la corriente, como se
KHz, por lo que para la mayoría de las
muestra:
aplicaciones el único a tomar en cuenta es
el “shot noise” [García et al., 1997].
El Shot Noise se debe a fluctuaciones del
valor instantáneo de corriente del valor Fluctuaciones de
corriente
medio debido a la discretización de la ishot
carga del electrón, llegando a ser un
proceso estadístico aleatorio. El valor Corriente
promedio
medio de ésta corriente de ruido se puede dc
expresar mediante:

<ish2> = 2eidc∆f Figura 3. Shot Noise montado en el valor promedio

del nivel de corriente dc.

El Shot Noise se define como:

donde e es la carga del electrón, idc es el
valor medio de la corriente que pasa por el
i shot ≡ ( I (t ) − I dc ) 2
transistor y ∆f es el ancho de banda del
instrumento de medición. donde la barra implica tiempo promedio.
El ruido es Gausiano e independiente de la Durante un intervalo de tiempo ∆t, el valor
frecuencia desde algunos KHZ hasta de la corriente dc es:
varios MHZ. En bajas frecuencias el

24
 Generación de ruido y su conmutación con la señal de la antena de 50 MHZ

en
I dc =
∆t 1 − ( n (t )− n )2 / 2 n
P (n(t )) = e
donde n es el valor medio de los 2π
portadores de carga emitidos en un tiempo
∆t y e es la carga del electrón. De este modo,
Similarmente se tiene:
( n (t ) − n ) 2 ≈ 2 n
en(t )
I (t ) =
∆t

(Se ha asumido que el tiempo promedio y

donde n(t) es el número instantáneo de
un promedio del conjunto son
portadores de carga emitidos en un tiempo
equivalentes) [Van der Ziel et al., 1956].
∆t. (Aquí se asume que ∆t es el intervalo
Además, se tiene:
de tiempo más corto en el que el
comportamiento de la corriente es
i shot ≡ ( I (t ) − I dc ) 2
equivalente al que tendría en un largo
tiempo.)

e
Los eventos de emisión independientes = 2n
∆t
con una constante media n y variación σ2,
podemos asumir que n(t) es generalmente
Por lo tanto:
descrito bien por una distribución
Gausiana de probabilidades.
2 I dc e
i shot =
∆t
1 − ( n (t )−n )2 / 2σ 2
P(n(t )) = e
2π
Ruido en el FET

Si también asumimos una situación muy En los transistores de efecto de campo hay
común donde n >>1, pero donde la mayor principalmente dos fuentes de ruido:
parte del tiempo no hay portadores de La primera es la corriente de ruido (ind) en
carga alcanzando al detector, entonces la el drenador (drain), la cual se origina de la
distribución de probabilidad anterior llega propia conductancia del canal (debido a
a ser un caso especial conocido como la efecto de temperatura).
distribución de Poisson caracterizada por La segunda, es la corriente de ruido
σ2 = n ; obteniéndose: inducida (ing) en la compuerta (gate), la

25
W. Villena

cual se origina de las fluctuaciones de donde T0 = 300K y γn es una constante

carga en el canal debido a las semi-empírica que depende del nivel de
fluctuaciones de corriente en el drenador concentración de portadores de carga en el
[Cobbold, 1970]. canal y de la geometría del dispositivo.

Esta descripción implicaría que las dos En un JFET la corriente de ruido (ing) de la
fuentes de ruido están completamente compuerta es el shot noise asociado con la
correlacionadas, pero éste no es el caso. corriente de polarización inversa del
Mas bien, una depende de la otra, pero diodo de la compuerta-canal (juntura PN
debido a la naturaleza activa del canal, las en un JFET canal n y NP en un JFET canal
dos están parcialmente correlacionadas (|c| p).
= 0.395). Juntas, estas dos fuentes de ing = 2qeIG
ruido, dan una descripción completa del
ruido en el dispositivo usando el modelo En el modelo de ruido de un JFET la
de parámetros Y de dos puertos. compuerta y el drenador son
[Heymann, et. al., 1999] independientes uno del otro.

La densidad espectral de la corriente de

ruido en el drenador es:

N C .tot q e
2
ind = µ 0 4k B Te
L2
Figura 4. Modelo de parámetros Y de un JFET

Las fluctuaciones de corriente dependen Claro está, si se conecta una impedancia Z

del número de portadores de carga en el entre la compuerta y la fuente (source), la
canal NC.tot y de su velocidad térmica, la corriente de ruido de la compuerta
cual a su vez depende de la temperatura Te circulará por dicha carga y generará un
y de la movilidad del campo µo. voltaje vng en la compuerta,

Para obtener una expresión práctica de vng = Z ing

usar es necesario expresarla en términos
de sus parámetros medibles, obteniéndose: adicionando así una corriente de ruido
adicional en la salida, por lo que la
2
ind = γ n g m 4k B T0 corriente de ruido total a la salida llega a
ser :

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 Generación de ruido y su conmutación con la señal de la antena de 50 MHZ

2
ino = ind
2
+ ( g m Zi ng ) 2 donde:
Sin = potencia disipada de la señal a la
entrada.
Para obtener una comparación directa con
Sout= potencia disipada de la señal a la
la señal de entrada, este ruido total será
salida.
referido a la entrada para obtener el voltaje
Nin = Potencia disipada del ruido a la
de ruido equivalente vni2 .
entrada
Nout = Potencia disipada del ruido a la
2 2
i i salida
v ni2 = no
2
= nd
2
+ Zi ng
2
≡ v n2 + Zi n2
gm gm

El generador de Ruido
Con esta parametrización el modelo de
ruido del FET viene dado por la Figura 5, La impedancia de salida del generador
donde vn y in son el voltaje y corriente a la debe estar acoplado (matched) al valor de
entrada. Como se mostró arriba, esto la impedancia interna de la antena (50 ohm
contribuye al voltaje de ruido total vni el para la antena del Radio Observatorio de
cual se traslada a la salida a través de la Jicamarca) y su valor no debe variar bajo
transconductancia gm para generar así un ningún tipo de circunstancia.
nivel de corriente de ruido gmvni.
La temperatura de ruido de los sistemas de
recepción puede medirse conectando un
generador de ruido a la entrada del
receptor y un medidor de potencia a la
salida de éste y se efectúan dos
mediciones, una con el generador de ruido
apagado y se toma nota de la potencia a la
Figura 5. Modelo de ruido parametrizado del FET.
salida del receptor, Po, y la otra con el
generador encendido a una corriente,
Figura de Ruido (Noise Figure NF)
I(ma), tal que produzca el doble de

Es una medida del ruido producido por un potencia a la salida, esto es 2Po, tal como

receptor real comparado con el ruido de se muestra en la Figura 6 .

un receptor ideal, tal como se muestra.

Generador Medidor de
Receptor
de Ruido Potencia

 Sin 
NF = 10 log10 Nin 
 Figura 6. Diagrama de conexión para la medición
 Sout
 Nout  de temperatura de ruido del receptor.

27
W. Villena

Por lo tanto, tenemos: puede actuar como una resistencia variable

de tal modo que se pueda variar el nivel de
Po = (To + Tr) K ruido a la salida.
2Po = (To + Tr + Tg) K
Conmutador
donde :
Está basado en un pequeño integrado, el
To : Temperatura de ruido del GSWA- 4 -30DR de MiniCircuits. El cual
ambiente. posee un tiempo de conmutación total
Tr : Temperatura de ruido del menor a los 50ns (flancos de subida y
receptor bajada).
Tg : Temperatura de ruido del Además, el conmutador tiene dos señales
generador de ruido a una de control para seleccionar una de sus dos
corriente I(ma). entradas. Dependiendo del estado de una y
otra se selecciona la señal de salida, por lo
de donde obtenemos: tanto, para controlar los estados de estas
dos señales mediante un sólo pulso de
Tr = Tg – To control TTL se tuvo que implementar un
circuito inversor, éste debería de invertir la
Al paso de la corriente, la temperatura de señal de control de entrada lo más rápido
ruido en el generador se incrementará posible, obteniéndose así las dos señales
proporcionalmente con el nivel de de control para el conmutador, de tal modo
corriente circulante, por lo que Tg ∝ I(ma) que se obtiene los valores de la Tabla 1.

+5v
Tr = I(ma).To – To = (I(ma) – 1).To

Este valor de I (en miliamperios) es el 470

0.001 uF
factor de ruido del receptor, del cual, el
Control Control
Signal 2 OUT
NF es simplemente este valor expresado 2N2222
Signal 1

IN
en logaritmo. 470

100

NF = 10 log 10 ( F )
Figura 7. Circuito inversor para así obtener dos
señales de control TTL
El generador de ruido está basado en el
Shot Noise del JFET el cual es un tipo de
ruido blanco, teniendo éste la ventaja que

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 Generación de ruido y su conmutación con la señal de la antena de 50 MHZ

Tabla 1. Conmutación entre las señales de la De estos valores observados se obtuvo:

antena y del generador de ruido mediante el estado
de las dos señales de control disponibles.

Control Control Señal de la Media = 5.186

Ruido
Signal 1 Signal 2 Antena Desviación Estándar = 0.1176
1 0 U 9
0 1 9 U
En la parte de conmutación se probó con
diversas frecuencias para la señal de
RESULTADOS
control, y así poder ver cuanto influye la
Inicialmente se ha probado la estabilidad frecuencia en respuesta del circuito
del generador para el paso de una corriente inversor.
de 10 mA. Para esto se conectó el Los resultados se muestran en la Tabla 3 y
generador a la entrada del receptor y se Figura 9
mantuvo encendido por el lapso de tres
horas, los resultados se muestran en la Tabla 3. Tiempo de retardo del inversor en el
módulo para diferentes frecuencias
Tabla 2 y Figura 8.
Tiempo (ns)
Frec. (KHz) Flanco Flanco
Subida Bajada
Tabla 2. Resultado de la prueba de estabilidad del 0.01 20 14
generador de ruido en un lapso de tres horas. 0.05 21 16
0.1 21 17
0.5 22 18
Nivel de 1 22 18.5
Ganancia del
Minutos Ruido 5 22 18
Rx (dB) 10 22 18
(mA)
25 23 18
10 5.2 10.4 50 23 19
20 4.9 10 100 23.5 20
250 24 22
30 5.1 10.2 500 24.5 24
40 5.1 10.2 1000 27 34
50 5 10.2
60 5.1 10.2
70 5.2 10.5
80 5.3 10.5
90 5.25 10
100 5.25 10
110 5.3 10
120 5.25 10
130 5.2 10
140 5.25 10
150 5.3 10

29
W. Villena

10.6
10.5
Nivel de Ruido (mA)
10.4
10.3
10.2
10.1
10
9.9
9.8
9.7
9.6
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160
Tiempo (min)

Figura 8. Variación en el tiempo del nivel de ruido entregado por el generador de ruido

40
Tiempo de Retardo (ns)

35
30
25
20
15
10
5
0
0.01 0.05 0.1 0.5 1 5 10 25 50 100 250 500 1000
Frecuencia (KHz)

Flanco de Subida Flanco de Bajada

Figura 9. Tiempo de retardo del switch v.s Frecuencia de la señal de control

CONCLUSIONES que las características de ruido en el FET

son lo mas parecidas al ruido blanco.
Una comparación de los modelos de ruido (1Khz – 100Khz).
mas comunes del FET muestra que el
circuito equivalente de pequeña señal y los La contribución del ruido de voltaje difiere
dos parámetros independientes del ruido del ruido de corriente en un aspecto
son suficientes para describir las importante: “El ruido de voltaje no es
características del ruido en la gama de aditivo en la entrada”.
frecuencias medias que es el rango en el

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 Generación de ruido y su conmutación con la señal de la antena de 50 MHZ

La puesta en paralelo de dos FETs BIBLIOGRAFÍA

disminuye la cantidad de ruido resultante a
la salida debido a que el valor de voltaje Burke, B. y Graham-Smith F. (2002):
de ruido es inversamente proporcional a la Radio Astronomy, 2d. Edition, Cambridge
transconductancia equivalente. University Press, pp. 10-13

2 1 Cobbold, R. (1970): Theory And

e 2 = 4kT . .
3 gm
Applications of Field- Effect Transistors,
1st. Edition, Wiley-Interscience, pp. 311-
RECOMENDACIONES 317.

Los valores mínimos obtenibles del ruido

García, M. J. Stenarson, H. Zirath, and I.
de las ecuaciones para ambos dispositivos
Angelov (1997): Direct Extraction
(FETs y BJTs) se deben ver como límites,
Formula for the FET Temperature Noise
no necesariamente como metas deseables,
Model, Microwave And Optical
puesto que estos puntos son menos
Technology Letters, vol. 16, pp. 208-212.
eficientes que otros puntos de
funcionamiento.
El generador de ruido tiene que estar lo Heymann, P., Rudolph, M., Prinzler, H.,

mas aislado posible del ambiente ya que Doerner, R., Klapproth, L., Böck, G,

éste será la referencia de ruido para el (1999): Experimental Evaluation of

receptor. Microwave Field-Effect-Transistor Noise

Models, IEEE Trans. on MTT, vol. 47,

AGRADECIMIENTOS pp. 156 – 163.

Mi agradecimiento al Dr. Jorge L. Chau Kraus, J.D (1966): Radio Astronomy, 1st.
por darme la oportunidad y confianza en Edition, McGraw Hill, pp.284-287
realizar mis prácticas pre- profesionales. A
Fernando Villanueva por su constante
Riddle R. L. y Ristenbatt, M. P. (1958):
asesoramiento y apoyo no solamente en
Transistor Physics And Circuits, 1st.
este proyecto, y en general a todo el
Edition, Prentice-Hall, pp.318-340.
personal del Radio Observatorio de
Jicamarca por su amabilidad que los
caracteriza. Van Der Ziel, A. (1956): Noise , 2da
Edición, Prentice-Hall, pp. 88-98.

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W. Villena

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