Trabajo de Investigacion BJT PDF

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO
FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN
ELECTRONICA I
INTEGRANTES CÓDIGOS
MANUEL AGUIRRE (374)
RICARDO BARRIONUEVO (351)
EDWIN VILAMAGUA (302)
JONATHAN LLININ (539)
TEMA:
MODELO DEL TRANSISTOR BJT EN AC
FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA
Índice
1. Introducción ................................................................................................................................3
2. Desarrollo ...................................................................................................................................4
2.1 Modelo pi .................................................................................................................................4
2.1.1 Impedancias de entrada y salida del transistor y del circuito .................................................6
2.1.2 Ganancia de tensión ...............................................................................................................7
2.1.3 Ejemplo de modelo π .............................................................................................................7
2.2 Modelo T ................................................................................................................................10
2.2.1 Aplicación de los modelos equivalentes de pequeña señal...................................................10
2.2.2 Modelo equivalente ac una vez calculado el punto de operación .........................................10
2.3 Modelo hibrido ......................................................................................................................13
2.4 Parámetros 𝐙𝐢, 𝐙𝐨, 𝐀𝐯, 𝐀𝐢 ......................................................................................................18
2.4.1 Impedancia de entrada, Zi.....................................................................................................18
2.4.2 Impedancia de salida, Zo ......................................................................................................20
2.4.3 Ganancia en voltaje, Av .......................................................................................................21
2.4.4 Ganancia en corriente, Ai .....................................................................................................22
2.5 Parámetros importantes y lectura de los mismos de las hojas de características del
transistor ......................................................................................................................................23
2.5.1 Características del transistor .................................................................................................23
Otros parámetros importantes .......................................................................................................25
3. Conclusiones ............................................................................................................................26
4. Bibliografía ..............................................................................................................................27
5. Anexos ......................................................................................................................................28
2
1. Introducción
En el presente trabajo se explica las diferentes formas para modelar un transistor BJT en corriente
alterna (ca) para determinar su comportamiento y observar cómo se comporta la onda de salida
con el modelo pi, modelo T, modelo hibrido además se explicará los parámetros más relevantes
del comportamiento del BJT en corriente alterna de acuerdo a la hoja de características los
diferentes datasheet existentes.
Se comenzará a examinar la respuesta de ca del amplificador con BJT revisando los modelos de
uso más frecuente para representar el transistor en el dominio de ca senoidal. Un tema importante
en el análisis de ca senoidal de redes de transistores es la magnitud de la señal de entrada.
Determinará si se deberán aplicar técnicas de señal pequeña o de señal grande. No existe ninguna
línea divisoria entre las dos, pero la aplicación la magnitud de las variables de interés con respecto
a las escalas de las características del dispositivo dejarán ver, en general, con claridad cuál es el
método adecuado. La técnica de señal pequeña se presenta en esta investigación. Existen tres
modelos de uso muy común en el análisis de ca de señal pequeña de redes de transistores: el modelo
re, el modelo p híbrido y el modelo equivalente híbrido.
El transistor se puede emplear como un dispositivo amplificador. Es decir, la señal senoidal de

salida es mayor que la de entrada, o, dicho de otra manera, la potencia de ca de salida puede ser
mayor que la potencia de ca de entrada. Surge entonces la pregunta sobre cómo es que la potencia
de salida de ca pueda ser mayor que la potencia de ca de entrada [1]. La conservación de la energía
dicta que con el tiempo la salida de potencia total, Po, de un sistema no puede ser mayor que su
potencia de entrada, Pi y que la eficiencia definida no puede ser mayor que 1. permite que una
potencia de salida de ca sea mayor que la potencia de ca de entrada es la potencia de cd aplicada.
Es un contribuyente a la potencia de salida total aun cuando una parte de ella se disipe por el
dispositivo y los elementos resistivos [2].
3
2. Desarrollo
2.1 Modelo pi
Este modelo sirve para trabajar en un circuito de modelo alterna de pequeña señal además el
transistor se comporta como un amplificador si esta polarizado en zona activa [1].
Fig1. Modelo en π de un BJT en corriente alterna
Este modelo es para configuración de emisor común pero también es válido para cualquier
configuración simplemente tendremos que poner los mismos parámetros entre cada uno de
los terminales.
Los parámetros del modelo dependen del punto de funcionamiento asi que en primer lugar
hay que realizar el análisis en dc en donde:
• Fuentes de tensión alterna lo cortocircuitamos
• Fuentes de corriente alterna circuito abierto
Después se sustituye el análisis en ac sustituyendo el BJT por su modelo en donde:
• Fuentes de tensión continua cortocircuitamos
• Fuentes de corriente continua circuito abierto
4
Fig2: bjt modelado en pi para pequeña señal
En donde b es la base, e el emisor y c el colector, se debe tener en cuenta que se trabaja con
nomenclatura en minúscula en modelos de corriente alterna
!"#
𝑔𝑚 = (𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜&' ) (1)
$%
En donde: VT=25mV
VT es la tensión térmica
gm es la ganancia de transconductancia
IcQ es la corriente de colector en el punto de operación
Y ademas para calcular el valor de 𝑟! es igual a:
"
𝑟! = (2)
#$
𝑟! = 𝛽(𝑟 % 𝑒) (3)
Donde r’e es la resistencia en alterna del transistor y 𝑟! es a la misma vez Zin del modelo
en pi.
&'
𝑟′𝑒 = ()
(4)
Y finalmente para calcular el valor de 𝑟* se tiene:

&+
𝑟* = (,- (5)
Donde VA es la corriente de early que viene especificada en la hoja de características del

transitor o se puede calcular mediante la siguiente grafica:
Fig3: demostración de la tension de Early
El valor de VA no suele conocerse a pesar de esto su valor puede estar entre 80-120V por lo
que se toma un valor intermedio para el cálculo de 𝑟* [2]
El circuito equivalente para c.a. con el modelo en “π” del transistor sustituido, y aplicando
los parámetros que debemos seguir, según lo que necesitemos calcular, queda de la siguiente
manera:
5
Fig4. Circuito equivalente en π de un BJT en corriente alterna
2.1.1 Impedancias de entrada y salida del transistor y del circuito

La impedancia de entrada del transistor para este modelo se puede expresar como:
(6)
Fig5: Equivalente para la impedancia de entrada del bjt
La impedancia de entrada del circuito completo queda:

(7)
Fig6: Equivalente para la impedancia de entrada del circuito
La impedancia de salida del circuito con la carga desconectada es:

(8)
6
Fig7: Equivalente para la impedancia de salida del circuito
2.1.2 Ganancia de tensión
El sentido de las corrientes que confluyen en el transistor indican el signo de la ganancia del
circuito. En nuestro caso, la salida está desfasada 180 grados con respecto a la entrada. Es
decir, el signo de la ganancia de este amplificador es negativo.
Es necesario recordar que en una configuración en Emisor Común la salida del circuito se
realiza por el colector del transistor [3].
La ganancia de tensión, cuya nomenclatura puede ser AV o G, viene definida por la relación
VOut/VIn, por tanto:
(9)
Fig8: Equivalente para la ganancia de tensión del circuito
2.1.3 Ejemplo de modelo π

En el circuito de la figura 1.1 se aplica una señal de 1mV a la entrada , RL de 10 K y
Vcc=10V
Determinar el valor de la señal de salida de Vout, es decir la señal amplificada
7
Fig1.1. Ejercicio planteado para la resolución del modelo pi
RESOLUCIÒN
Análisis en cd método exacto
Rth=1.8k
Vth=1.8V
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑡ℎ + (𝐵 + 1)𝑅𝐸
1.8𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
𝑅𝑡ℎ + (100 + 1)1𝐾
𝐼𝐵 = 10.7𝑢𝐴
𝐼𝑐 = 𝐵𝐼𝐵 = 100(10.7𝑢𝐴)
𝐼𝑐 = 1.07𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐(𝑅𝑐 + 𝑅𝑒)
𝑉𝐶𝐸 = 10𝑣 − 1.07𝑚𝐴(3.6𝑘 + 1𝑘)
𝑉𝐶𝐸 = 5.07𝑉
Análisis en ca
Aplicando la ecuación 4
𝑉𝑇
𝑟′𝑒 =
𝐼𝐸
25𝑚𝑉
𝑟′𝑒 =
1.07𝐴
𝑟′𝑒 = 23.1𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠
Aplicando la ecuación 3 para hallar:
𝑟! = 𝛽(𝑟 % 𝑒)
𝑟! = 100(23.1𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠)
8
𝑟! = 2.31𝑘
Para calcular mi impedancia de salida y entrada del circuito aplicamos las ecuaciones ya
mencionadas:
1 1 1
𝑍𝑖 = ( + + )./
𝑅1 𝑅2 𝑟!
1 1 1 ./
𝑍𝑖 = ( + + )
10𝑘 2.2𝑘 2.31𝑘
1 1 1 ./
𝑍𝑖 = ( + + )
10𝑘 2.2𝑘 2.31𝑘
𝑍𝑖 = 1.01𝑘
Y la impedancia de salida calculo con las dos resistencias Rc y RL en paralelo
𝑅𝑐 ∗ 𝑅𝐿
𝑟𝑐 =
𝑅𝑐 + 𝑅𝐿
3.6𝑘 ∗ 10𝑘
𝑟𝑐 =
3.6𝑘 + 10𝑘
𝑟𝑐 = 2.64𝑘
Ahora calculamos la ganancia de voltaje en alterna que viene dada por la ecuación 9 se
tiene:
𝑟𝑐
𝐴𝑣 =
𝑟′𝑒
2640
𝐴𝑣 =
23.1
𝐴𝑣 = 114.28
𝑉𝑜
𝐴𝑣 =
𝑉𝑖
𝑉𝑜 = 𝐴𝑣 ∗ 𝑉𝑖
𝑉𝑜 = 114.28 ∗ 1𝑚𝑉
𝑉𝑜 = 114.21 ∗ 1𝑚𝑉
9
2.2 Modelo T
El modelo tiene la forma de una T acostada, el circuito equivalente es modelado con una
fuente de corriente 𝐼𝑐 y una resistencia interna del diodo base emisor 𝑟’𝑒 debida a una
corriente alterna [4].
Este modelo muestra explícitamente la resistencia de emisor 𝑟𝑒 en lugar de la resistencia de
base 𝑟𝜋.
Fig9. Modelo en T de un BJT en corriente alterna
2.2.1 Aplicación de los modelos equivalentes de pequeña señal. [5]
1. Determinar el punto de operación del BJT considerando solo las fuentes 𝐷𝐶.
2. Calcular los valores de los parámetros de pequeña señal: 𝑔𝑚, 𝑟𝜋, 𝑟𝑒
3. Elimine las fuentes 𝐷𝐶 sustituyendo las fuentes de voltaje por un cortocircuito y
las fuentes de corriente por un circuito abierto.
4. Reemplace el BJT por uno de sus modelos de pequeña señal.
5. Resuelva el circuito para obtener las variables deseadas.
2.2.2 Modelo equivalente ac una vez calculado el punto de operación
10
Fig10. Modelo equivalente en ac una vez calculado el punto de operación
Resistencia de entrada: Por inspección:

𝑅𝑖𝑛 = 𝑟𝑒 (10)
Nota: Si la polarización no se realiza con la fuente de corriente sino con una resistencia 𝑅𝐸
entre Emisor y −𝑉𝐸𝐸, la resistencia de entrada es el paralelo de 𝑅𝐸 con 𝑟𝐸
Para calcular la ganancia de voltaje:
𝑣𝑜 = −𝛼𝑖𝑒(𝑅𝐶||𝑅𝐿) (11)
La corriente de emisor es:
01
𝑖𝑒 = − 23 (12)
Por lo tanto, la ganancia de voltaje es:

04 5
𝐴𝑣 = 01
= 23 (𝑅𝐶||𝑅𝐿) = 𝑔𝑚(𝑅𝐶||𝑅𝐿) (13)
Tiene signo positivo. La ganancia en circuito abierto es:

𝐴𝑣𝑜 = 𝑔𝑚𝑅𝑐 (14)
La resistencia de salida es:

𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑐 (15)
La relación de voltaje entre el voltaje de la fuente y el de entrada al amplificador es

() ,) ./
= = (16)
(*)+ ,*)+-,) ,*)+-./
Dado que re es del orden de los pocos ohmios, esta relación puede ser pequeña. La
ganancia total se ve afectada por este factor
11
23 5(6:||6<)
𝐺𝑣 = 671#823 𝑔𝑚(𝑅𝐶||𝑅𝐿) = 671#823
(17)
Ejercicio
Hallar 𝐴𝑣 𝑦 𝑅𝐵 en el siguiente circuito
En corriente directa, los capacitores se comportan como circuito abierto
33𝑘(10𝑉)
𝑉𝐵𝐵 = = 2.02𝑉
163𝑘
130𝑘(33𝑘)
𝑅𝐵 = = 26.3𝑘
163𝑘
2.02𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = 0.05𝑚𝐴
26.3𝐾
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 5𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = 5𝑚𝐴 + 0.05𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 5.05𝑚𝐴
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉 − 5𝑚𝐴(1𝑘) = 5𝑉
Polarización
𝐼𝐶 5𝑚𝑉
𝑔𝑚 = = = 0.2 𝑂ℎ𝑚&'
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 4.95𝑂ℎ𝑚
𝐼𝐸 5.0.5𝑚𝐴
12

𝑉𝑜 = −𝑔𝑚𝑉𝑏𝑒𝑅𝐶
𝑉𝑜 = −0.2(1000)𝑉𝑏𝑒 = −200𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑖 = 𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑜 = −200𝑉𝑖
𝑣𝑜 200𝑉𝑏𝑒
𝐴𝑣 = =− = −200
𝑣𝑖 𝑉𝑏𝑒
2.3 Modelo hibrido
Ventajas y desventajas contra el modelo re.

• En el modelo re los parámetros están definidos por las condiciones de operación
reales.
• En el modelo hibrido es definido por los términos generales en un punto de operación
cualquiera.
• El modelo hibrido no refleja sus condiciones de operación reales.
• El modelo híbrido indica el nivel que se espera indiferentemente de las condiciones
que existiesen.
• El modelo re no posee los parámetros de impedancia de salida y los elementos de
realimentación.
El uso del modelo hibrido aún sigue siendo muy extendido, y en su hoja de especificaciones
nos detallan algunos datos ya establecidos para dar como un rango de resultados tanto para
la impedancia de entrada, Relación de realimentación de voltaje, Ganancia de corriente de
señal pequeña y Admitancia de salida. [6]
13
Fig. 11 Parámetros hibrido del transistor 2N4400
“La descripción del modelo equivalente híbrido se iniciará con el bipuerto general. El
siguiente conjunto de ecuaciones (18) y (19) es sólo una de varias formas en que las cuatro
variables de la figura 2 se pueden relacionar. Es la que con más frecuencia se usa en el análisis
de circuitos con transistores.” [3]
Fig. 12 Bipuerto
𝑉𝑖 = ℎ// 𝐼1 + ℎ/> 𝑉4 (18)

𝐼4 = ℎ>/ 𝐼1 + ℎ>> 𝑉4 (19)
“Los parámetros que relacionan las cuatro variables se llaman parámetros h, de la palabra
“híbrido”. Se escogió el término híbrido porque la mezcla de variables (V e I) en cada
ecuación produce un conjunto “híbrido” de unidades de medición para los parámetros h.
Podemos tener una clara idea de lo que los diversos parámetros representan y de cómo se
puede determinar su magnitud, aislando cada uno de ellos y examinando la relación
resultante.” [3]
&!
ℎ// = (! & ?*
(20)
"
La ecuación 3 nos hace referencia a que reemplazando Vo=0 en la ecuación 1 tenemos que
h11 un parámetro que indica la impedancia de entrada en corto circuito.
“El subíndice 11 de h11 se refiere al hecho de que cada parámetro está determinado por una
relación de cantidades medidas en las terminales de entrada.” [1]
&
ℎ/> = &! (21)
#(
! ?*
14
“El parámetro h12, es, por consiguiente, la relación del voltaje de entrada al voltaje de salida
con la corriente de entrada igual a cero. No tiene unidades porque es la relación de niveles
de voltaje y se llama parámetro de relación de voltaje de transferencia inverso en circuito
abierto.” [3]
(
ℎ>/ = (# (22)
$&
% ?*
“Observe que ya tenemos la relación de una cantidad de salida a una cantidad de entrada.
Ahora se utilizará el termino directo en lugar de inverso como se indicó para h12. El
parámetro h21 es la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada con las
terminales de salida en cortocircuito. Este parámetro, al igual que h12, no tiene unidades
porque es la relación de niveles de corriente. Formalmente se llama parámetro de relación
de corriente de transferencia directa en cortocircuito.”
(
ℎ>> = &# (23)
# ( ?*
$
“Como es la relación de la corriente de salida al voltaje de salida, es el parámetro de
conductancia de salida y se mide en siemens (S). Se llama parámetro de admitancia de salida
de circuito abierto.”
Fig. 13 Circuito equivalente hibrido de entrada
“Como el parámetro h11 está en ohms, está representado por un resistor en la figura 5.94. La
cantidad h12 no tiene unidades y por consiguiente simplemente aparece como un factor de
multiplicación del término de “realimentación” en el circuito de entrada.”
Fig. 14 Circuito equivalente hibrido de salida.
“Como las unidades de h22 son de admitancia, las que para el modelo de transistor son de
conductancia, está representado por el símbolo de resistor. Tenga en cuenta, sin embargo,
que la resistencia en ohms de este resistor es igual al recíproco de la conductancia (1/h22).”
15
Fig. 15 Circuito equivalente hibrido completo.
“En la figura 15 se indica el circuito equivalente de “ca” completo del dispositivo lineal
básico de tres terminales con un nuevo conjunto de subíndices para los parámetros h.”
h11 =resistencia de entrada =hi

h12 =relación de voltaje de transferencia inversa =hr
h21 =relación de corriente de transferencia directa = hf
h22 =conductancia de salida = ho
Fig.16 Configuración en emisor común: (a) símbolo grafico; (b) circuito equivalente
hibrido
“Ii = Ib, Io = Ic y, mediante la aplicación de la ley de las corrientes de Kirchhoff, Ie = Ib =

Ib + Ic. El voltaje de entrada ahora es Vbe, con el voltaje de salida Vce.” []
Fig.17 Efecto de la eliminación de hre y hoe del circuito equivalente híbrido.
16
Fig. 18 Modelo equivalente híbrido aproximado.
“Para las configuraciones en emisor común y en base común, la magnitud de hr y ho a

menudo es tal que los resultados obtenidos para los parámetros importantes como Zi, Zo, Av
y Ai se ven ligeramente afectados si no se incluyen hr y ho en el modelo.
Dado que hr normalmente es una cantidad pequeña, su eliminación se representa de forma
aproximada como y hr ≈0 y hrVo=0, con el resultado de un equivalente de cortocircuito del
elemento de realimentación como se muestra en la figura 7. La resistencia determinada por
1/ho a menudo es suficientemente grande para ser ignorada en comparación con una carga
en paralelo, lo que permite su reemplazo por un equivalente de circuito abierto de los modelos
EC y BC, como se muestra en la figura 7.
El equivalente resultante de la figura 8 es muy parecido a la estructura general de los circuitos
equivalentes en base común y en emisor común obtenidos con el modelo re.” [3]
ℎ13 = 𝛽𝑟3 (24)
ℎ@3 = 𝛽,A (25)
Fig.19 Modelo híbrido contra modelo re: (a) configuración en emisor común
Ejercicio 1
Dadas 𝐼) = 2.5 𝑚𝐴, ℎ@3 = 140, ℎ43 = 20𝑢𝑆(𝑢𝑚ℎ𝑜), 𝑦 ℎ4B = 0.5 𝑢𝑆, determine:
a) El circuito equivalente hibrido en emisor común.
26 𝑚𝑉
𝑟3 =
𝐼)
26 𝑚𝑉
𝑟3 =
2.5 𝑚𝐴
17
𝑟3 = 10.4 Ω
ℎ13 = 𝛽𝑟3
ℎ13 = (140)(10.4Ω)
ℎ13 = 1.45 𝑀Ω
1
𝑟4 =
ℎ43
1
𝑟4 =
20 𝑢𝑆
𝑟4 = 50 𝑘Ω
Fig. 20 Circuito equivalente híbrido en emisor común para los parámetros del ejercicio 1
2.4 Parámetros 𝐙𝐢, 𝐙𝐨, 𝐀𝐯, 𝐀𝐢
Fig. 21 Sistema de dos puertos (Zi, Zo, Av, Ai)
2.4.1 Impedancia de entrada, 𝐙𝐢
Para el lado de la entrada, la impedancia de entrada Zi está definida por la ley de Ohm de
lasiguiente forma:
&1
𝑍𝑖 = (1
(26)
18
La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a bjt es puramente resistiva en

naturaleza, y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor, puede variar desde
unos cuantos ohms hasta los megaohms. [8]
Fig. 22 Sistema de dos puertos entrada (Zi, Vi)

&1
𝑖= (1
(27)
&7.&1
𝐼𝑖 = 673C742 (28)
D1 F &7
𝑉𝑖 = D18673C742 (29)
Ejemplo 1:
La fuente de la señal tiene una resistencia interna de 600 [Ohm] Y el sistema (posiblemente
un amplificador a transistor) tiene una resistencia de entrada de 1.2 [kOhm]. Si la fuente fuera
ideal (Rs = 0 [Ohm]).
Fig. 23 Entrada de amplificador (Valores de entrada: Zi, Vi)
Los 10 mV completos serían aplicados al sistema, pero por la impedancia de la fuente, se

debe calcular el voltaje de entrada utilizando la regla del divisor de voltaje de la siguiente
malnera:
𝑍𝑖 𝑥 𝑉𝑠 1.2 [𝑘𝑂ℎ𝑚]𝑥 10 [𝑚𝑉]
𝑉𝑖 = = = 6.67 [𝑚𝑉]
𝑍𝑖 + 𝑅𝑠𝑒𝑛𝑠𝑜𝑟 1.2 [𝑘𝑂ℎ𝑚] + 0.6 [𝑘𝑂ℎ𝑚]
19
De este modo sólo el 66.70% de toda la señal de entrada está disponible en la entrada.
Ejemplo 2:
Calcule el valor de la impedancia de entrada.
Fig. 24 Sistema de dos puertos entrada (Zi, Vi)
𝑉𝑠 − 𝑉𝑖 2 [𝑚𝑉] − 1.2[𝑚𝑉]
𝐼𝑖 = = = 0.8 [µ𝐴]
𝑅𝑠𝑒𝑛𝑠𝑜𝑟 1 [𝑘𝑂ℎ𝑚]
𝑉𝑖 1.2 [𝑚𝑉]
𝑍𝑖 = = = 1.5 [𝑘𝑂ℎ𝑚]
𝐼𝑖 0.8 [µ𝐴]
2.4.2 Impedancia de salida, Zo

La impedancia de salida se determina en las terminales de salida viendo hacia atrás al
sistema con la señal aplicada igual a cero y se aplica una señal, Vs a las terminales de
salida. [3]
Fig.25 Sistema de dos puertos salida (Zo, Io, V)

&. &4
𝐼𝑜 = 673C742 (30)
&4
𝑍𝑜 = (4 (31)
La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por naturaleza y,

dependiendo de la configuración y la colocación de los elementos resistivos, Zo puede variar
desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los 2 [MOhm].[3]
20
Ejemplo 1:
Calcular el nivel de impedancia de salida para el siguiente sistema.
𝑉 − 𝑉𝑜 1 [𝑉] − 680 [𝑚𝑉]

𝐼𝑜 = = = 16 [µ𝐴]
𝑅𝑠𝑒𝑛𝑠𝑜𝑟 20 [𝐾𝑂ℎ𝑚]
𝑉𝑜 680 [𝑚𝑉]
𝑍𝑜 = = = 42.5 [𝐾𝑂ℎ𝑚]
𝐼𝑜 16 [µ𝐴]
2.4.3 Ganancia en voltaje, Av
Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en

pequeña señal, como se deternina mediante:
&4
𝐴𝑣 = &1 (32)
Para el siguiente sistema no se ha conectado una carga a las terminales de salida
Fig.26 Sistema de ganancia de voltaje (Avnl)

&4
𝐴𝑣𝑛𝑙 = &1 , para RL = inf [Ohm] (Circuito abierto) (33)
Para los amplificadores a transistores, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la
ganancia de voltaje con carga.
Para el sistema anterior que tiene una resistencia de fuente Rs el nivel de Vi debería
determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la ganancia
Vo/Vs. [9]
21
D1∗&7
𝑉𝑖 = D1867 (34)
&1 D1
&7
= D1867 (35)
&4 &1 &4
𝐴𝑣𝑠 = &7 = &7 ∗ &1 (36)
&4 D1
𝐴𝑣𝑠 = &7 = D1867 ∗ 𝐴𝑣𝑛𝑙 (37)
2.4.4 Ganancia en corriente, Ai
La última característica numérica que será tratada es la ganancia en corriente definida

mediante:
(4
𝐴𝑖 = (1 (38)
Para los amplificadores a BJT, la ganancia en comente normalmente varía desde un nivel
apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100. [3]
Fig.27 Sistema de ganancia de corriente (Ai)
&#
(4 &4∗D1
𝐴𝑖 = (1 = − '(
&! = − &1∗6< (39)
)!
D1
𝐴𝑖 = −𝐴𝑣 6< (40)
La ecuación final permite determinar la ganancia en corriente a partir de la ganancia

en voltaje de los niveles de impedancia.
EJERCICIO:
Para el siguiente amplificador a BJT, deterninar:
22
a) 𝑉𝑖
b) 𝐼𝑖
c) 𝑍𝑖
d) 𝐴𝑣𝑠
𝑉𝑜 𝑉𝑜 7.68 [𝑉]
𝑎) 𝐴𝑣𝑛𝑙 = , 𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑉𝑖 = = = 24 [𝑚𝑉]
𝑉𝑖 𝐴𝑣𝑛𝑙 320
𝑉𝑠 − 𝑉𝑖 40 [𝑚𝑉] − 24 [𝑚𝑉]
𝑏) 𝐼𝑖 = = = 13.33 [µ𝐴]
𝑅𝑠 1.2 [𝐾𝑂ℎ𝑚]
𝑍𝑖 24 [𝑚𝑉]
𝑐) 𝑍𝑖 = = = 1.8 [𝐾𝑂ℎ𝑚]
𝐼𝑖 13.33 [µ𝐴]
𝑍𝑖 1.8 [𝑘𝑂ℎ𝑚]
𝑑) 𝐴𝑣𝑠 = ∗ 𝐴𝑣𝑛𝑙 = (320) = 192
𝑍𝑖 + 𝑅𝑠 1.8 [𝑘𝑂ℎ𝑚] + 1.2 [𝑘𝑂ℎ𝑚]
2.5 Parámetros importantes y lectura de los mismos de las hojas de

características del transistor
Uno de los mas usados es : Transistor bipolar BC546

Todos los transistores llevan el mismo o similar formato de características.
2.5.1 Características del transistor
Disipación total del dispositivo (Pc): Es la potencia que se pierde al pasar el dispositivo,
generalmente por medio de la generación de calor en el componente.
Tensión colector-base (Ucb): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor
(Colector - Base)
Tensión colector-emisor (Uce): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor
(Colector - Emisor)
23
Tensión emisor-base (Ueb): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor (Emisor
- Base)
Corriente del colector DC máxima (Ic): Intensidad máxima que circula por el colector.
Corriente colector-base (Icb): Intensidad que circula entre las dos puertas del transistor
(Colector - Base)
Corriente colector-emisor (Ice): Intensidad que circula entre las dos puertas del transistor
(Colector - Emisor)
Corriente emisor-base (Ieb): Intensidad que circula entre las dos puertas del transistor
(Emisor - Base)
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Temperatura límite de uso del transistor.
Otro modelo muy usado son los de tipo h
el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo
emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los valores específicos de:
• x = 'e' debido a que es una configuración emisor común.
• Terminal 1 = Base
• Terminal 2 = Colector
• Terminal 3 = Emisor
• Iin = Corriente de Base (Ib)
• Io = Corriente de Colector (Ic)
• Vin = Tensión Base-Emisor (VBE)
• Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE)
Y los parámetros h están dados por:
• hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del

emisor re).
• hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de

VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se
considera cero).
• hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente

referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) en las hojas de
datos.
24
• hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente

especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.
Otros parámetros importantes
• Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM). Con este valor
se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.
• VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito
abierto.
• VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
• Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo
(colector y emisor con la base abierta en los bipolares).
• Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente

constante. VCEsat entre colector y emisor en el. Este valor, junto con el de corriente
máxima, determina la potencia máxima de disipación en saturación.
Los parámetros más importantes a considerar a la hora de escoger un transistor de esta
familia son la corriente máxima continua de colector cuando actúa como interruptor cerrado
(IC), la tensión que soporta entre colector y emisor como interruptor abierto (VCE) y el
parámetro β (que representa la ganancia de corriente). [8]
25
Fig.28 Hoja de caracteisticas transisor2N2222AC
3. Conclusiones
• El modelo tipo pi es uno de los más entendibles al momento de modelar nuestro
amplificador además debemos tener en cuenta que nos sirve para trabajar en todos
los tipos de polarización ya estudiadas anteriormente, debemos tener en cuenta al
momento de realizar el análisis analítico trabajar con las variables correctas es decir
no confundir los valores resultantes en corriente directa y los de corriente alterna
• En lo que respecta al modelo hibrido de los bjt en ca, podemos confirmar que es una
forma competente de realizar el paso del transistor aun modelo de circuito que nos
permite resolverlo de manera comprensible a la vez que se puede observar cómo tanto
las direcciones de corriente (i) y voltaje (v) se representan de una manera precisa y
nos deja ver el valor que poseerán sus componentes resistivos en dicho circuito
eléctrico.
• El emisor común tiene altas ganancias de voltaje 𝐴𝑣 pero la resistencia de entrada𝑅𝑖𝑛
es baja y la resistencia de salida 𝑅𝑜𝑢𝑡 es relativamente alta. Mientras que en base
común la resistencia de entrada es muy baja y la ganancia de voltaje en circuito
abierto es como la de la configuración emisor común, pero la ganancia de voltaje total
es mucho más baja y por ello la resistencia de salida es igual a la de las otras
configuraciones analizadas: RC. Dicha configuración es excelente para el diseño de
amplificadores de alta frecuencia.
26
4. Bibliografía
[1] R ES, F. & DE, F. TEMA 5: MODELO EN PEQUEÑA SEÑAL DE BJTs.
[2] Pérez Pascual, M. (2016). Modelo alterna BJT.
[3] R. L. Boylestad, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.

10ma ed. Mexico, DF Ed. Prentice Hall, 2009, pp 311-316
[4] S Nagy, A., & Polanco Risquet, A. (2015). Efectos físicos en el transistor
bipolar: modelación y extracción de parámetros. Ingeniería Electrónica,
Automática y Comunicaciones, 36(1), 31-41.
[5] Santiesteban, A. (2014). Funcionamiento y características del transistor

bipolar.
[6] Gimenez M. Modelos de Pequeña Seal. Recuperado de:

http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1113/Contenido/clase15.pdf
[7] Tema 5. Amplificadores con BJT. Recuperado de:

https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-5-teoria.pdf
[8] Ahmad El-Banna. BJT transistor Modeling. (2014). Recuperado de:
http://www.bu.edu.eg/portal/uploads/Engineering,%20Shoubra/Electrical%2
0Engineering/2461/crs-12002/Files/J-601-1448_lec04.pdf
27
5. Anexos
1. ¿En los parámetros del modelo pi cómo se comportan las fuentes de tensión y
corriente en ca y cd?
El análisis en dc:
• Fuentes de tensión alterna lo cortocircuitamos
• Fuentes de corriente alterna circuito abierto
el análisis en ac sustituyendo el BJT por su modelo en donde:
• Fuentes de tensión continua cortocircuitamos
• Fuentes de corriente continua circuito abierto
2. ¿Cuándo resolvemos ejercicios de modelos equivalentes de pequeña señal, con

que sustituimos las fuentes DC una vez que han sido eliminadas?
Eliminadas las fuentes 𝐷𝐶, sustituimos las fuentes de voltaje por un cortocircuito y
las fuentes de corriente por un circuito abierto.
3. ¿Cuál es el significado de 𝒉𝒊 , 𝒉𝒓 , 𝒉𝒇 𝒚 𝒉𝒐 ?
hi es la resistencia de entrada
hr es la relación de voltaje de transferencia inversa
hf es la relación de corriente de transferencia directa
ho conductancia de salida
4. ¿Para cuales tipos de conexiones se utiliza el modelo hibrido?

Para la conexión emisor común y base común.
5. ¿La impedancia de entrada y salida de un amplificador a transistor BJT es

resistiva, inductiva o capacitiva?
o Resistiva
28

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ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA

El transistor se puede emplear como un dispositivo amplificador. Es decir, la señal senoidal de

Fig1. Modelo en π de un BJT en corriente alterna

Y finalmente para calcular el valor de 𝑟* se tiene:

Donde VA es la corriente de early que viene especificada en la hoja de características del

Fig3: demostración de la tension de Early

Fig4. Circuito equivalente en π de un BJT en corriente alterna

2.1.1 Impedancias de entrada y salida del transistor y del circuito

Fig5: Equivalente para la impedancia de entrada del bjt

La impedancia de entrada del circuito completo queda:

Fig6: Equivalente para la impedancia de entrada del circuito

La impedancia de salida del circuito con la carga desconectada es:

Fig7: Equivalente para la impedancia de salida del circuito

2.1.2 Ganancia de tensión

Fig8: Equivalente para la ganancia de tensión del circuito

2.1.3 Ejemplo de modelo π

Fig1.1. Ejercicio planteado para la resolución del modelo pi

Fig9. Modelo en T de un BJT en corriente alterna

2.2.1 Aplicación de los modelos equivalentes de pequeña señal. [5]

2.2.2 Modelo equivalente ac una vez calculado el punto de operación

Fig10. Modelo equivalente en ac una vez calculado el punto de operación

Resistencia de entrada: Por inspección:

Por lo tanto, la ganancia de voltaje es:

Tiene signo positivo. La ganancia en circuito abierto es:

La resistencia de salida es:

La relación de voltaje entre el voltaje de la fuente y el de entrada al amplificador es

En corriente directa, los capacitores se comportan como circuito abierto

𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉 − 5𝑚𝐴(1𝑘) = 5𝑉

2.3 Modelo hibrido

Ventajas y desventajas contra el modelo re.

Fig. 11 Parámetros hibrido del transistor 2N4400

𝑉𝑖 = ℎ// 𝐼1 + ℎ/> 𝑉4 (18)

Fig. 13 Circuito equivalente hibrido de entrada

Fig. 14 Circuito equivalente hibrido de salida.

Fig. 15 Circuito equivalente hibrido completo.

h11 =resistencia de entrada =hi

“Ii = Ib, Io = Ic y, mediante la aplicación de la ley de las corrientes de Kirchhoff, Ie = Ib =

Fig.17 Efecto de la eliminación de hre y hoe del circuito equivalente híbrido.

Fig. 18 Modelo equivalente híbrido aproximado.

“Para las configuraciones en emisor común y en base común, la magnitud de hr y ho a

2.4 Parámetros 𝐙𝐢, 𝐙𝐨, 𝐀𝐯, 𝐀𝐢

Fig. 21 Sistema de dos puertos (Zi, Zo, Av, Ai)

2.4.1 Impedancia de entrada, 𝐙𝐢

La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a bjt es puramente resistiva en

Fig. 22 Sistema de dos puertos entrada (Zi, Vi)

Fig. 23 Entrada de amplificador (Valores de entrada: Zi, Vi)

Los 10 mV completos serían aplicados al sistema, pero por la impedancia de la fuente, se

Fig. 24 Sistema de dos puertos entrada (Zi, Vi)

2.4.2 Impedancia de salida, Zo

Fig.25 Sistema de dos puertos salida (Zo, Io, V)

La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por naturaleza y,

𝑉 − 𝑉𝑜 1 [𝑉] − 680 [𝑚𝑉]

2.4.3 Ganancia en voltaje, Av

Una de las características más importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en

Para el siguiente sistema no se ha conectado una carga a las terminales de salida

Fig.26 Sistema de ganancia de voltaje (Avnl)

2.4.4 Ganancia en corriente, Ai

La última característica numérica que será tratada es la ganancia en corriente definida