Transistor FinFET

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Transistor FinFET.

Microprocesadores
Bryan Gerardo Martínez Pesantez
Universidad de cuenca
Cuenca, Ecuador
[email protected]

I. INTRODUCCION II. DESARROLLO


El transistor FinFET consiste básicamente
Con la creación de los transistores la en la estructura que se muestra en la Fig.1,
industria de la electrónica digital tuve un un MOSFET de doble puerta construida
gran avance, ingenieros e investigadores de sobre un sustrato SOI, donde la puerta se
todo el mundo han trabajado en como coloca a los 2,3 o 4 lados del canal,
aumentar la velocidad y el rendimiento en envolviendo a este formando así una
los circuitos integrados creados en base a estructura de doble puerta. Estos
los transistores. La industria de
dispositivos reciben el nombre genérico de
semiconductores ha evolucionado de
“FinFET” porque la capa de silicio activa
manera extraordinaria, especialmente en lo
que concierne a la tecnología MOSFET. entre el drenador y el surtidor tiene forma
de fin prominente de finger, del inglés
La trayectoria ha sido el crecimiento dedo.
exponencial del numero por circuito
integrado o chip siguiendo la ley de Moore.
Esta ley fue formulada por el fundador de
Intel Gordon Moore que predice que el
número máximo de transistores que pueden
incorporarse en cada chip se duplica cada
año y medio.
El crecimiento del numero de transistores
por chip se ha conseguido tanto por la
superficie de cada chip, como Fig.1 Estructura básica
disminuyendo el tamaño de cada transistor. Por medio de la Fig.2 se explica el proceso
Pero principal mente se debe a la de fabricación de un FinFET paso a paso,
disminución del tamaño de los transistores. mostrando, así como se construye la
Sin embargo, a medida que la tecnología se estructura del dispositivo.
va acercando a escalas próximas a las
decenas de nanómetros los investigadores
se encuentran con una barrera tecnológica
muy grande, relacionadas tanto con propia
fabricación del dispositivo como con sus
características eléctricas.
Estos inconvenientes pueden frenar el ritmo
de reducción del tamaño de los dispositivos
en los circuitos integrados en un futuro Fig.2 Proceso de fabricación del FinFET
próximo. O incluso pararlo, ya que los
límites del proceso son inminentes, por esa
Una estructura tipo SOI se presenta como
razón los investigadores han desarrollado
un nuevo tipo de transistor que permite una tecnología de fabricación en la que se
avanzar un paso mas en la carrera hacia la sustituye el sustrato tradicional de
reducción del tamaño. fabricación de obleas de silicio
monocristalino, por un sándwich de capas
de semiconductores aislante-semiconductor. Hasta el momento los FinFET mostrados se
Los materiales utilizados son silicio-oxido caracterizan por tener un solo fin, no
aislante (BOX)-oxido de silicio. Sobre la obstante, existen otras estructuras cuyo
capa de silicio se coloca una mascara foto- numero de fin es superior.
resistiva con la que se marcara el patrón del
fin. Una vez marcado el patrón se procede a La idea de la utilización de varios fin`s en
eliminar el material sobrante. A paralelo, es que reduce la resistencia
continuación, el material conductor de parasita, consiguiendo así una mejora
puerta se deposita sobre el fin, este puede sustancial en el transistor, ya que permite
tratarse de polisilicio, un metal refractario o un incremento en la corriente que pasa por
compuesto como el nitruro de titanio. El el dispositivo.
procedimiento para la definición del fin, se
aplica una mascara resistiva que marque el III. CONCLUSIONES Y
patrón de la forma y con un posterior RECOMENTDACIONES
procedimiento de limpieza del material
sobrante. Luego, para aumentar la constante Para que la tecnología siga en un desarrollo
dieléctrica entre drenador y surtidos debido de acuerdo a la ley de Moore de debe
a la poca distancia entre ellos, se deposita a encontrar un sustituto a los transistores de
lo largo de ambas paredes de la puerta un tecnología MOS, los transistores FinFET
material aislante como puede ser el nitruro parecen ser los candidatos mas adecuados
de silicio o dióxido de silicio, lo que se para sustituir a los actuales transistores. La
denomina spacer. Finalmente, la ultima de estructura FinFET es capaz de evitar las
las fases, trata en colocar los contactos limitaciones al escalado que presenta la
metálicos sobre cada uno de los contactos tecnología actual sin la necesidad de tener
del transistor, puerta drenador, surtidor y que modificar de forma excesiva el proceso
substrato. de fabricación.

Fig.3 FinFET`s

En la Fig.3 y Fig.4, pueden apreciarse con


mayor detalle cada una de las partes que
conforman la estructura del transistor
FinFET, quedando mas claro el concepto de
fin y el resto de sus componentes.

Fig.4 Partes del FinFET

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