011 Eltransistorbipolar - Característicasestáticas.

134 EL TRANSISTOR BIPOLAR. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.
RELACIONES BÁSICAS DE CORRIENTE-TENSIÓN

Emisor Emisor
Base Base
Colector Colector
Símbolos y nomenclatura de: a- El transistor p-n-p y b- El transistor n-p-n.

Prof. José Malaguera
[email protected]
Las tres configuraciones básicas del transistor p-n-p: a- Base común,

b- Emisor común, y c- Colector común.
[email protected]
Longitud de Difusión de los huecos

en la base.

[email protected]

[email protected]
EMISOR BASE COLECTOR
SALIDA
ENTRADA
a- Transistor p-n-
p conectado en la
configuración
Base común para
aplicaciones

como
[email protected]
amplificador, b-
Perfil de dopado
de un transistor
con una
distribución
abrupta de
impurezas, c-
Diagrama de
Banda de Energía
bajo un régimen
de operación
normal.
Perfil de
dopado de
un
transistor
con un
gradiente
de
impurezas
en la
región de
la Base.
EMISOR BASE COLECTOR

[email protected]
Corriente (A)
[email protected]
Región de
alta
inyección
Región Región
no ideal ideal
Región
de
caída
Corriente de colector y base en función de la tensión emisor-base.

GANANCIA DE CORRIENTE
γ ( Eficiencia del Emisor )

incremento de la corriente de Hueco del emisor
=
incremento de la corriente total del emisor
α T ( factor de transporte de la Base)

incremento de la corriente de Hueco del colector
=
incremento de la corriente de Hueco del emisor

[email protected]
142-1 EL TRANSISTOR BIPOLAR.
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS. GANANCIA DE CORRIENTE
Proporción (cm-2)

[email protected]
(Proporción en la Base)-1 (cm2)
Ganancia de corriente en la configuración de emisor común en función del inverso de la

proporción de implantación en la Base para todos los transistores implantados a 5GHz.
142-2 EL TRANSISTOR BIPOLAR. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.
Pendiente
Pendiente
Ganancia de corriente en función de la corriente de colector de un transistor.

[email protected]
Banda Prohibida estrecha ∆Eg (meV)
_____ Teoría
o Experimento
Comparación entre datos experimentales

Prof.yJosé
teóricos de la Banda prohibida estrecha en el Silicio.
Malaguera
[email protected]
SOLO
SHR
SHR Y REDUCCIÓN DE
LA BANDA PROHIBIDA

[email protected]
Ganancia de corriente
MEDIDO
SHR, AUGER Y REDUCCIÓN DE LA

BANDA PROHIBIDA
Corriente de colector
Comparación entre la ganancia de corriente calculada y la ganancia de
corriente medida en función de la corriente de colector.
Capa epitaxial
Emisor Base con dopado n Sustrato

[email protected]
Concentración de dopado (cm-3)
Distancia (µm)
Perfil de dopado de un transistor n-p-n con colector de capa epitaxial.
Campo eléctrico (V/cm)

[email protected] Capa epitaxial
Distancia (µm)
Distribución del campo eléctrico en función de la distancia para varias densidades

de corrientes de colector.
CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
RESUMEN DE LAS RELACIONES MAS IMPORTANTES DEL TRANSISTOR.
• Las tensiones aplicadas controlan las densidades de frontera a través del término:
exp(qV/kT).
•Las corrientes de emisor y colector están dadas para los gradientes de las densidades de
portadores minoritarios (Huecos) en las fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W.
•La corriente de Base es la diferencia entre las corrientes de emisor y colector.

[email protected]
Densidad de los
Huecos en la región
de la Base de un
transistor p-n-p
para varias
tensiones
aplicadas, a-
Polaridades
normales:
VCB=constante, VEB
variable, b-
Polaridades
normales:
VEB=constante, VCB
variable, c- VEB
positiva, VCB=0, d-
Ambas uniones
polarizadas
directamente, e-
Condiciones con
corrientes ICO y I´CO,
f- Ambas uniones
polarizadas
inversamente.
[email protected]

[email protected]
Tensión
Inicial
VA
Curva Característica del transistor p-n-p para: a- Configuración de

Base común, b- Configuración de emisor común.

[email protected]
Tensión de ruptura BVCBO y corriente de saturación ICO para la configuración

de Base Común y las características correspondientes BVCEO y I´CO para la
configuración de emisor común
EL MODELO DE EBERS-MOLL
MODELO BÁSICO
MODELO BÁSICO

[email protected]
MODELO BÁSICO
Diagrama circuítal del modelo de Ebers-Moll, a-

Modelo Básico, b- Modelo con resistencia series
adicionales y capacidad de vaciamiento, c- Modelo con
fuentes de corrientes adicionales para el Efecto Early.
EL MODELO DE GUMMEL - POON

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151 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS.
LA FRECUENCIA DE CORTE

[email protected]
LA FRECUENCIA DE CORTE
Tiempo de retraso entre el emisor y el colector en función de la densidad de

corriente de colector. Prof. José Malaguera
[email protected]
CARACTERÍSTICAS DE ANÁLISIS EN MICROONDAS
RED DE DOS
PUERTOS
Red de dos puertos donde se muestra la onda incidente (a1,a2) y onda reflejada
(b1,b2) usadas en la definición de los parámetros S.
Los parámetros S: S11, S22, S12 y S21
Ganancia de transmisión directa con una carga de

Coeficiente de reflexión de entrada con una carga salida acoplada.
de salida acoplada (ZL=ZO haciendo a2=0, donde
Z0 es la impedancia de referencia.)
Coeficiente de reflexión de salida con una carga

Ganancia de transmisión inversa con una carga de
de salida acoplada (ZS=Z0 haciendo a1=0)
salida acoplada.
[email protected]
(Ganancia β=Ganancia de corriente en emisor

de potencia) común en pequeña señal
K=Factor de estabilidad
GANANCIA UNILATERAL
α=Ganancia de corriente en Base común de pequeña señal

[email protected]
Entrada
Salida

[email protected]
Entrada Salida
Circuito equivalente simplificado de microondas para las configuraciones: a- En

Base común y b- En Emisor común.
SECCIÓN A-A
SECCIÓN B-B

[email protected]
SECCIÓN C-C
ÓXIDO
DIFUSIÓN EN EL EMISOR
P+ DIFUSIÓN EN LA BASE
Geometría de 3 tipos de transistores de microondas: a-

Intercalado, b- De revestimiento, c- De malla.
Colector de varilla
Base de varilla de Óxido de de plomo
plomo Silicio
Base
Emisor
Colector
Emisor de varilla (Silicio Chip de Silicio
Fundamento de
de plomo epitaxial)
Silicio

Base
[email protected]
Colector
Emisor
Estructura de un Transistor con varillas de plomo: a- Esquema y,

b- Vista superior de un transistor.
Metal
Electrodo del emisor
Electrodo de la base
Silicio policristalino
Sustrato n+

Anchura efectiva del emisor
[email protected]
Emisor Base activa
Contacto metálico
Base inactiva p+
n EPI
Sustrato n+
a- Estructura de transistores con electrodos reforzados, b- Estructura de

transistores con implantación de la base
EMISOR DE ARSÉNICO

GANANCIA NF (dB)
[email protected]
Ganancia unilateral, ganancia máxima disponible, Ganancia de corriente en emisor

común, y figura de ruido de un transistor bipolar de implantación.
POTENCIA (W)
[email protected]
TRANSISTOR BIPOLAR
IMPULSO
ONDA CONTINUA
Potencia de salida en función de la frecuencia para transistores

bipolares de microondas.
161-1 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA DE ESTABILIZACIÓN DEL EMISOR
• Al incrementar la potencia en • Una técnica usual para distribuir

un transistor de potencia se la corriente unifórmente en
incrementa la temperatura Tj de Transistores de tecnología
la unión. interdigitated o overlay, es la de
• El máximo de Tj está limitado agregar una resistencia de emisor
por la temperatura para la cual la distribuido RE.
región de la Base se hace
intrínseca. •. Un incremento indeseado de la
• Por encima de Tj cesa la corriente a través de un emisor
operación del transistor, debido particular será limitado por el
a que el colector se cortocircuita resistor.
efectivamente con el emisor.
• Para mejorar el funcionamiento • Este tipo de resistores series se
del transistor se debe desarrollar describen normalmente como
encapsulados que proporcionen resistores de estabilización o
una adecuada disipación del resistores de carga de emisor.
calor.

[email protected]
COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA. RESISTENCIA DE ESTABILIZACIÓN DEL EMISOR
Símbolo
Anchura del Emisor=250µm
Densidad de corriente (A/cm2)
TEMPERATURA (oC)
Distancia (µm) Distancia (µm)
a- Distribución de la densidad de corriente, y b- Distribución de la temperatura a lo largo del

centro de la unión base-emisor Prof. José Malaguera
[email protected]
162 EL TRANSISTOR DE POTENCIA
COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA.
RESISTENCIA DE ESTABILIZACIÓN DEL EMISOR
____ Calculada
O Medida

[email protected]
VIN (Voltios)
Corriente de colector calculada y medida en función de la tensión para diferentes
resistores de carga de emisor Re. Se muestra la configuración circuital con Re.
FENÓMENO DE RUPTURA SECUNDARIA
Segunda
ruptura

[email protected]
Ruptura por
avalancha
(Primera
ruptura)
Curva característica corriente-tensión de una segunda ruptura para

dos diferentes temperaturas ambiente.
Tiempo de disparo (s)
Impulso de Potencia aplicado (W)

Tiempo de disparo de la segunda ruptura en función de la
potencia aplicada para varias temperaturas ambiente
[email protected]
Pendiente
Pendiente

[email protected]
Área de seguridad de operación para transistores

FENÓMENOS DE RUPTURA SECUNDARIA
Si Tj(max)=150oC y Rth(pico) se asume constante
Símbolo
Anchura del Emisor=250µm
Densidad de corriente (A/cm2)
a- Distribución
de la densidad
TEMPERATURA (oC)
de corriente y
b- Distribución
de la
temperatura a
lo largo del
centro de la
unión Base-
Emisor.
Distancia (µm) Distancia (µm)

[email protected]
EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR
(III) (II) EMISOR BASE COLECTOR

REGIÓN DE REGIÓN
SATURACIÓN ACTIVA
Corriente de colector, IC
MO
SATURACIÓN (III)
DO
DE
MO
DO
DE CO
SA RR
TU IE
ACTIVA (II)
RA NT
CI
E
ÓN
REGIÓN
DE
CORTE (I) CORTE (I)
a- Regiones de operación y modos de conmutación de un transistor conmutador, b- Densidades de portadores

minoritarios en la base para las regiones de corte, activa y de saturación.
[email protected]
División de la Curva Característica.
• Región I:
• Región de corte, corriente de colector apagado (Off),
uniones de emisor y colector polarizadas
inversamente.
• Región II:
• Región activa, emisor polarizado directamente y el
colector polarizado inversamente.
• Región III:
• Región de saturación, emisor y colector polarizados
directamente. Prof. José Malaguera
[email protected]
Comportamiento del transistor de acuerdo con el Modelo Ebers-Moll

Parámetros que pueden ser medidos:
• IBO:
• Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el colector en
circuito abierto.
• eqVEB/kT<<1, IC=0.
• ICO:
• Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el emisor en
circuito abierto,
• eqVCB/kT<<1, IE=0.
• αN:
• Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación normal, donde el
emisor se polariza directamente y el colector se polariza inversamente,
• La corriente de colector está dada por: IC=-αNIE+ICO.
• αI:
• Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación inversas. El
emisor polarizado inversamente y el colector polarizado directamente.
• La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO.
• Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI.
• Debido a que el área del emisor normalmente es mas pequeña que el área
del colector,
• El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que difunden
del emisor al colector o del colector al emisor
[email protected]

[email protected]

[email protected]
Corrientes equivalentes par un transistor conmutador,

a- En región I y II, y b- En la región III.
171 EL TRANSISTOR DE POTENCIA. EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR

[email protected]
a- Circuito conmutador usando un transistor n-p-n, b- Impulso de corriente de entrada en el emisor, c-

correspondiente respuesta de la corriente de colector, donde τ0 es el tiempo de encendido, τ1 es el
tiempo de almacenamiento y τ2 el tiempo de caída.
172 TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS. INTEGRACIÓN DE CIRCUITOS
Reducción de las dimensiones verticales y horizontales que ha experimentado el transistor bipolar, a-

Aislamiento de unión, b- Aislamiento de óxido
Prof.c-José
y d- Malaguera
Aislamiento con óxido a escala.
[email protected]
173 TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS
INTEGRACIÓN DE CIRCUITOS
(Capa enclaustrada n+)
Vista tridimensional de un transistor con aislamiento de óxido.

[email protected]
174-1 TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS. INTEGRACIÓN DE CIRCUITOS LÓGICOS
• La lógica de inyección integrada I2L ha sido usada

intensamente en el diseño de lógica y en memorias IC.
Características son: compatibilidad con el procesamiento de
los transistores bipolares, técnica de Layout simplificada y alta
densidad de empaquetamiento.
• En la figura se muestra un I2L con un transistor lateral p-n-p

(Q1) y un transistor n-p-n vertical invertido Q2 con múltiple
contactos colectores.
• La corriente se inyecta desde Q1 en la base de Q2.
• Dado que la tecnología I2L no necesita regiones de

aislamiento o resistivas se puede lograr una alta densidad
circuital.
• Los colectores se pueden reemplazar por Diodos Schottky

para mejorar su respuesta
Prof.aJosé
la velocidad
Malaguera de procesamiento.
[email protected]
174-2 TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS. INTEGRACIÓN DE CIRCUITOS LÓGICOS

[email protected]
a- Diagrama circuital de un circuito de Lógica de Inyección Integrado, b- Corte

transversal de un dispositivo en la técnica de Lógica de Inyección Integrada.
TRANSISTOR DE HETEROUNIÓN
Diagrama de Banda de Energía de un transistor de Heterounión n-p-n

[email protected]
176 TECNOLOGÍA DE DISPOSITIVOS. TRANSISTOR DE ALTA ENERGÍA
Cuatro tipos de transistores de electrones de alta energía, a-Estructura MIMIM, Transistor Túnel,
c- Transistor Metal-Base, d- Transistor de carga
Prof. José especial
Malagueralimitada.
[email protected]
TRANSISTOR DE BASE PERMEABLE
Diagrama esquemático de unJosé

Prof. transistor con una permeable Base
Malaguera
[email protected]
TRANSISTOR DE BASE PERMEABLE

[email protected]
Líneas equipotenciales calculadas para la celda unitaria de

un transistor con Base permeable, vista en tres cortes
transversales para tres diferentes condiciones de
polarización: a- VBE=0V, b- VBE=0.3V, c- VBE=0.5V.

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134 EL TRANSISTOR BIPOLAR. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.

RELACIONES BÁSICAS DE CORRIENTE-TENSIÓN

Símbolos y nomenclatura de: a- El transistor p-n-p y b- El transistor n-p-n.

Las tres configuraciones básicas del transistor p-n-p: a- Base común,

Longitud de Difusión de los huecos

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EMISOR BASE COLECTOR

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EMISOR BASE COLECTOR

Corriente de colector y base en función de la tensión emisor-base.

γ ( Eficiencia del Emisor )

α T ( factor de transporte de la Base)

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(Proporción en la Base)-1 (cm2)

Ganancia de corriente en la configuración de emisor común en función del inverso de la

Ganancia de corriente en función de la corriente de colector de un transistor.

Comparación entre datos experimentales

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SHR, AUGER Y REDUCCIÓN DE LA

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Campo eléctrico (V/cm)

Distribución del campo eléctrico en función de la distancia para varias densidades

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Curva Característica del transistor p-n-p para: a- Configuración de

Prof. José Malaguera

Tensión de ruptura BVCBO y corriente de saturación ICO para la configuración

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Diagrama circuítal del modelo de Ebers-Moll, a-

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Tiempo de retraso entre el emisor y el colector en función de la densidad de

Ganancia de transmisión directa con una carga de

Coeficiente de reflexión de salida con una carga

(Ganancia β=Ganancia de corriente en emisor

α=Ganancia de corriente en Base común de pequeña señal

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Circuito equivalente simplificado de microondas para las configuraciones: a- En

Prof. José Malaguera

Geometría de 3 tipos de transistores de microondas: a-

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Estructura de un Transistor con varillas de plomo: a- Esquema y,

Prof. José Malaguera

a- Estructura de transistores con electrodos reforzados, b- Estructura de

Prof. José Malaguera

Ganancia unilateral, ganancia máxima disponible, Ganancia de corriente en emisor

Potencia de salida en función de la frecuencia para transistores

• Al incrementar la potencia en • Una técnica usual para distribuir

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Distancia (µm) Distancia (µm)

a- Distribución de la densidad de corriente, y b- Distribución de la temperatura a lo largo del

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Curva característica corriente-tensión de una segunda ruptura para

Tiempo de disparo (s)