Informe Puente H

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ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX

Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

CONTROL DE GIRO Y VELOCIDAD PARA UN MOTOR D.C

TURNING AND SPEED CONTROL FOR A MOTOR D.C.

MGs. Carlos Arturo Vides


[email protected]

Harold Gonzalo Medina Barios; Gianluca Sánchez Gamboa; Jair Fabián Joya
Bonilla; Jair Alfonso Rangel Hernández; Cristian Moreno.

Universidad de Pamplona, Facultad de arquitectura e ingenierías, Ingeniería Mecatrónica.


Pamplona, Norte de Santander, Colombia.
Universidad de Pamplona, Facultad de arquitectura e ingenierías, Ingeniería Eléctrica.
Pamplona, Norte de Santander, Colombia.

Resumen: El puente H es un circuito que nos permite controlar el sentido de giro de un


motor DC ya sea avanzar o retroceder, su construcción se hace a partir de componentes
discretos, consta de 4 interruptores (Transistores) que dependiendo de la secuencia de
activación de los transistores permiten el cambio del sentido de entrada de la corriente al
motor DC.

Palabras clave: Puente H, Transistores, MOSFET, 555, PWM.


Abstract: The bridge H is a circuit that allows us to control the direction of rotation of a
DC motor whether it is to advance or retreat, its construction is made from discrete
components, it consists of 4 switches (Transistors) that depending on the sequence of
activation of the Transistors allow the change of the input direction of the current to the
DC motor.

Keywords: Bridge H, Transistors, MOSFET, 555, PWM.

1. INTRODUCCIÓN Esto con el fin de observar el funcionamiento


básico de un puente H mediante la implementación
El puente H, se caracteriza por tener la capacidad de MOSFET y pulsos PWM.
de invertir el sentido de giro de un motor CD. Esto
hace que sean ideales para aplicaciones de 2. MARCO TEÓRICO
robótica, carros a control remoto entre otras.
El presente escrito presentará una serie de  MOSFET
parámetros con el fin de diseñar un circuito capaz Un MOSFET es un dispositivo semiconductor
de controlar el giro de un motor mediante la utilizado para la conmutación y amplificación de
modulación de pulsos PWM que serán enviados señales. El nombre completo, Transistor de Efecto
por el integrado 555. de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,

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MOSFET) se debe a la constitución del propio


transistor MOSFET H-Bridge esquema y teoría de operación
Este H-Bridge utiliza transistores MOSFET
 555 principalmente para mejorar la eficiencia del
El dispositivo 555 es un circuito integrado muy puente.
estable cuya función primordial es la de producir Cuando se usan transistores bipolares (transistores
pulsos de temporización con una gran precisión y comunes) ellos tienen un voltaje de saturación de
que, además, puede funcionar como oscilador. aproximadamente 1v en la juntura colector-emisor
Sus características más destacables son: cuando son activados (modo saturación). Su
 Temporización desde microsegundos nuestra fuente de alimentación fuese de 10v,
hasta horas. estaríamos consumiendo 2v solamente en los dos
 Modos de funcionamiento: transistores requeridos para controlar la dirección
Monoestable. de un motor DC. Es decir, 20% de la potencia de
Astable. mi fuente es consumida por los transistores
 Aplicaciones: generando simplemente mucho calor y
Temporizador. obligándonos además a usar grandes disipadores.
Oscilador. A diferencia de ello, los transistores MOSFETs
Divisor de frecuencia. poseen una resistencia entre Drenaje y Fuente
Modulador de frecuencia. (RDS) cuando son activados que rondan los 0.1
Generador de señales triangulares. ohms (dependiendo del modelo).
Esto significa que en un ejemplo como el anterior y
 POTENCIOMETRO trabajando con una corriente de 4 amperes
Un potenciómetro es un resistor eléctrico con un estaríamos perdiendo solo 0.4v por transistor (0.8v
valor de resistencia variable y generalmente en total), lo cual representa una notable mejora en
ajustable manualmente. Los potenciómetros el rendimiento del puente.
utilizan tres terminales y se suelen utilizar en Los MOSFETs trabajan mediante la aplicación de
circuitos de poca corriente, para circuitos de mayor un voltaje en la Compuerta o Gate.
corriente se utilizan los reóstatos. En muchos Existen en dos tipos: N-Chanel (canal negativo –
dispositivos eléctricos los potenciómetros son los Q3 y Q5) y P-Chanel (canal positivo – Q2 y Q4).
que establecen el nivel de salida. Por ejemplo, en En el primer caso pasan a modo conducción
un altavoz el potenciómetro ajusta el volumen; en (activado) mediante un voltaje positivo en la
un televisor o un monitor de ordenador se puede Compuerta y mediante un voltaje negativo para el
utilizar para controlar el brillo. segundo caso.
Los MOSFETs son extremadamente sensibles a las
 2N2222 corrientes estáticas pero aún más importante es el
El 2N2222, también identificado como PN2222, es hecho que si su Compuerta es dejada sin conexión
un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso pueden llegar a autodestruirse. La Compuerta es un
general. dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de
Sirve tanto para aplicaciones de amplificación 10Mohm) y un simple ruido eléctrico puede
como de conmutación. Puede amplificar pequeñas activarlo. Las resistencias R2, R3, R4 y R5 han
corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo sido adicionadas para evitar que el MOSFET se
tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no autodestruya. Es muy importante instalar estas
mayores de medio vatio). Puede trabajar a resistencias antes de instalar el MOSFET. Estas
frecuencias medianamente altas resistencias permitirán un comportamiento estable
del MOSFET y además agregarán una protección
 DIODOS contra la estática.
Un diodo es un dispositivo diseñado para que la D1, D2, D3 y D4 desvían los picos de tensión
corriente fluya en un solo sentido, es decir, negativa provocados por los motores evitando que
solamente permite que la corriente vaya en una afecten a los transistores. Algunos MOSFET ya
sola dirección. tienen estos diodos construidos internamente, por
lo que pueden no ser necesarios.
Q1 y Q6 son transistores NPN que controlan el
accionamiento del motor DC.
Estado: Parada
Cuando A=0 y B=0, el motor para.
3. CALCULOS Y ANALISIS DE DATOS

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Q1 y Q6 pasan a estado de corte y también pasan a


ese estado los MOSFET Q2 y Q4 mediante R3 y
R4respectivamente. Por lo que no hay circulación  Cálculos
de corriente a través del motor.
Para hallar las resistencias
Estado: ATRAS Para hallar la resistencia R2 se asume la corriente
de entrada a la compuerta
Cuando A=0 y B=1, el motor girará hacia atrás. Q1
y Q2 estarán al corte. Q6 se saturará a través de R2
lo cual enviará la compuerta de Q4 a masa
saturándolo. El terminal (-) del motor se conectará
a +12v a través de Q4 y a la vez que Q3 se saturará
a través de R5. De esta forma el terminal (+) del
motor se conectará a masa a través de Q3 lo cual a
su vez manda al corte Q5 evitando un corto
circuito.

Estado: ADELANTE

Cuando A=1 y B=0, el motor girará hacia adelante.


Q6 y Q4 estarán al corte. Q1 se saturará a través de
R1 lo cual enviará la compuerta de Q2 a masa
saturándolo. El terminal (+) del motor se conectará Tomando Ic menor a beta
a +12v a través de Q2 y a la vez Q5 se saturará a
través de R7. De esta forma el terminal (-) del
motor se conectará a masa a través de Q5 lo cual a
su vez manda al corte Q3 evitando un corto
circuito. Por ley de Ohm

Estado: NO PERMITIDO

Si A=1 y B=1 entonces todos los MOSFETs serán


activados o saturados lo cual provocará que toda la
corriente de la fuente de alimentación pase a través
Aplicando LVK
de ellos destruyéndolos.
Los Led’s de color permitirán probar el circuito sin
necesidad de conectar el motor. Se pondrá verde en
una dirección y Azul en otra.
Los motores eléctricos producen una gran cantidad
de ruido debido a las escobillas o carbones.
También producen picos de tensión al parar y más Vgs saturación
especialmente al cambiar de dirección.
Los picos negativos son suprimidos mediante D1,
D2, D3 y D4.
Es recomendable mantener la fuente de
alimentación del motor separada de la alimentación
de la parte electrónica. De lo contrario se deberán
tomar severas medias para el filtrado de los ruidos
para evitar inconvenientes no deseados [1].

En las siguientes ilustraciones se observa el control


y Puente H,

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Ilustración 1. Etapa de control del Puente H.


PROTEUS.

Ilustración 2. Etapa de fuerza del Puente H. Ilustración 5. Diseño Tapa Lateral de la carcasa
PROTEUS.

Ilustración 3. Montaje final Etapa de fuerza del


Puente H
Ilustración 6. Ensamble completo de la carcasa

4. CONCLUSIONES

 Dúrate el desarrollo, investigación,


simulación y elaboración del puente H se
identificaron muchos factores los cuales
enseñaron al grupo a asemejarse con cada
uno de los componentes y su
funcionamiento, entonces se concluye que
se puede identificar una falla durante
funcionamiento y/o conexión.
 De acuerdo al análisis de datos se puede
concluir que se logró controlar la
Ilustración 4 Diseño Tapa superior e Inferior de la
velocidad de giro y el sentido de
carcasa
movimiento de un motor DC con un
puente H de MOSFET.
 La modulación de un pulso a una
frecuencia constante se logra utilizando un
NE555 con una configuración especial. El
pulso se controla con un potenciómetro.
De acuerdo a esto se concluye que es
posible generar una señal PWM con un

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elemento analógico a un bajo costo como


lo es el NE555.

REFERENCIAS

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los dispositivos de potencia de conmutación de
SiC: MOSFET, transistor NPN y tiristor GTO.
Electrónica de estado sólido , 44 (2), 325-340.

Verdonckt-Vandebroek, S., You, J., Woo, JCS, y


Wong, SS (1992). Acción bipolar pnp lateral de
alta ganancia en una estructura p-MOSFET. Letras
del dispositivo electrónico IEEE , 13 (6), 312-313.

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2266.

Picha, G., y Katz, A. (2003). Patente de los Estados


Unidos Núm . 6.504.426 . Washington, DC:
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Rashid, M. H. (2004). Electrónica de potencia:


circuitos, dispositivos y aplicaciones. Pearson
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Urizar, J. U. R. Sistemas Analógicos.

Kazmierkowski, M. P., & Sulkowski, W. (1991). A


novel vector control scheme for transistor PWM
inverter-fed induction motor drive. IEEE
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ANEXOS

Diagrama completo de la simulación en el


Software Proteues

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