Laboratorio 2 - Transistor BJT

SUCRE INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO
Tecnología Superior en Electricidad

Laboratorio de Circuitos Electrónicos
www.tecnologicosucre.edu.ec
Quito, Ecuador
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
PRÁCTICA No. 2
NOMBRE: __________________________
FECHA: ____________________________
UNIDAD SEGÚN PRÁCTICA ÁMBITO DE TIEMPO DE

PEA PROGRAMADA DESARROLLO DESARROLLO
CIRCUITOS
AMPLIFICADORES
BÁSICOS CON
OPERACIONALES LABORATORIO 2 HORAS
AMPLIFICADORES
OPERACIONALES
La información del presente documento es propiedad exclusiva la carrera de Electricidad del Sucre Instituto Superior Tecnológico y no deberá ser usada para otros
propósitos distintos a los especificados.
Quito, Ecuador
Contenido
1. OBJETIVOS........................................................................................................................................... 3
2. OBJETIVOS ESPECÍFICOS ................................................................................................................ 3
3. MATERIALES....................................................................................................................................... 3
4. INSTRUMENTOS ................................................................................................................................ 3
5. PREPARATORIO: ............................................................................................................................... 3
6. DESARROLLO...................................................................................................................................... 4
7. PAUTAS PARA LA ELABORACIÓN DEL INFORME DEL LABOROTARIO ............................. 4
Quito, Ecuador
1. OBJETIVOS
- Determinar el funcionamiento de un transistor en juntura PNP y NPN.

- Tomar mediciones con un multímetro y reconocer los diferentes pines del transistor BJT.
2. OBJETIVOS ESPECÍFICOS
- Conocer el funcionamiento de un transistor en juntar PNP y NPN.

- Reconocer los pines del transistor BJT.
- Determinar los voltajes y corrientes de la base, colector y emisor
3. MATERIALES
Cada estudiante deberá tener como mínimo los siguientes elementos electrónicos
• 1 transistor BJT NPN 2N2222
• 1 resistencia de 180Ω
• 1 resistencia de 2.2kΩ
• 2 resistencias de 820Ω
• 2 resistencia de 5,6KΩ
• Protoboard
• Conectores
4. INSTRUMENTOS
Cada estudiante deberá tener como mínimo los siguientes instrumentos:
1 multímetro
1 Fuente de voltaje variable de 0 a 12 VDC, 1A
5. PREPARATORIO:
Consultar:
1. Consultar que es un transistor BJT y su curva característica.
2. Consultar las características de un transistor PNP y NPN.
3. Consultar algunas aplicaciones del BJT.
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6. DESARROLLO
Circuito 1:
Armar y simular el circuito de la figura 1, usando R1 = 5.6kΩ, R2= 820Ω, RC=820Ω, RE=180Ω y BJT NPN
2N2222 y llenar la tabla 1
Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de que el transistor esté bien montado, es decir
compruebe la asignación de los pines
Figura 1: Circuito auto polarizado con transistor BJT NPN
a) Mida las corrientes y las diferencias de potencial en el transistor, consigne dicha información en la
tabla 1
IB IC IE VCE VBE VBC
Tabla 1: Resultados del circuito de auto polarizado con transistor BJT NPN
b) Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la siguiente tabla y mida el
resto de parámetros que le piden en la misma y llenar tabla 2.
R2 IB IC IE VCE VBE
330 Ω
220 Ω
Tabla 2: Resultados del circuito de auto polarizado con transistor BJT NPN
Quito, Ecuador
Circuito 2:
Armar y simular el circuito de la figura 1, usando RC = 2.2kΩ, RB=5.6kΩ y BJT NPN 2N2222 y llenar la tabla 2
Antes de conectar la alimentación del circuito asegúrese de que el transistor esté bien montado, es decir
compruebe la asignación de los pines
Figura 2: Circuito de polarización con tensión de base
Rellene la siguiente tabla, midiendo los distintos parámetros del transistor para cada uno de los valores de
tensión VB que se indican, llenar la tabla 3.
VB IB IC VCE VBE VBC

0.5V
0.7V
1V
Tabla 3: Resultados del circuito de polarización con tensión de base
Quito, Ecuador
7. PAUTAS PARA LA ELABORACIÓN DEL INFORME DEL LABOROTARIO
Elaborar el informe de acuerdo el formato enviado en Classroom, formato tipo IEEE para presentación de
Papers.
Incluir en el informe el preparatorio
Incluir Conclusiones
Incluir bibliografía

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UNIDAD SEGÚN PRÁCTICA ÁMBITO DE TIEMPO DE

2. OBJETIVOS ESPECÍFICOS ................................................................................................................ 3

7. PAUTAS PARA LA ELABORACIÓN DEL INFORME DEL LABOROTARIO ............................. 4

- Determinar el funcionamiento de un transistor en juntura PNP y NPN.

- Conocer el funcionamiento de un transistor en juntar PNP y NPN.

Figura 1: Circuito auto polarizado con transistor BJT NPN

IB IC IE VCE VBE VBC

Figura 2: Circuito de polarización con tensión de base

VB IB IC VCE VBE VBC

7. PAUTAS PARA LA ELABORACIÓN DEL INFORME DEL LABOROTARIO

Incluir en el informe el preparatorio

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