01.SMC 1de6 PDF

En Dr.
Josep SAMITIER i MARTI, Professor Titular de la Facultat de Física de la
Universitat de Barcelona:
CERTIFICA que la memòria "OPTEMIZACIÓN DE SENSORES DE PRESIÓN
PIEZORRESISTIVOS DE SILCIO PARA INSTRUMENTACIÓN BIOMÉDICA Y
APLICACIONES A ALTA TEMPERATURA" que presenta en Santiago Marco Colas per
a optar al grau de Doctor en Ciències Físiques, ha estat realitzada sota la seva direcció.
Barcelona, 14 de Jutty de 1993
Dr. Josep SAMITIER i MARTI

A mis padres,
a mi hermana María Pilar
Agradecimientos
La realización del presente trabajo no hubiera sido posible de no ser gracias a la colaboración, la
ayuda y el apoyo prestado por un gran número de personas a las cuales quiero dedicar un pequeño
espacio de esta memoria para hacerles llegar mi más sincero agradecimiento.
En primer lugar, quiero agradecer a mi director de tesis, el Dr. Josep Samitier i Maní, la continua
labor de seguimiento, colaboración y apoyo que ha desarrollado durante la realización de este
trabajo. Quiero agradecer especialmente su paciencia y disponibilidad para comentar y discutir
resultados e ideas, así como su actitud de crítica constructiva en la f ase final de redacción. También
quiero agradecer al Dr. Joan Ramón Morante i Ueonart, el haberme acogido en el Laboratorio de
Caracterización de Materiales para la Microelectrónica (LCMM) que él dirige.
También quiero expresar mi gratitud al Dr. Francesc Serra i Mestres, director del Centro Nacional
de Microelectrónica (CNM), y al Dr. Emilio Lora-Tamayo, director de investigación del mismo
centro, que han puesto a mi disposición la importante infraestructura que supone la sala blanca, sin
la cual habría sido del todo imposible la realización tecnológica de los dispositivos sensores que se
presentan en esta memoria. Quiero mencionar también al Dr. Jaume Esteve i Tintó, por su
orientación y ayuda en las cuestiones referentes al desarrollo tecnológico necesario para la
realización de sensores mecánicos de silicio, así como su apoyo y ánimo durante mis estancias en el
CNM.
También quiero mencionar al Dr. M.H. Bao, de la Fudan University de Shanghai, el cual nos
transmitió una parte de su gran experiencia en el campo de sensores de silicio y que a través de
fructíferas discusiones enriqueció de manera importante la calidad del trabajo que se presenta.
No menos importante en el día a día ha sido la constante ayuda y disponibilidad de mi compañero

y amigo Oscar Ruiz sin el cual este trabajo habría sido sin duda más duro. De la misma forma,
quiero expresar mi agradecimiento a Andreas Götz con el cual ha sido un placer trabajar en la
realización de una parte de esta tesis.
Quiero también mencionar la colaboración de Antoni Fauquet en todas las cuestiones referentes al
encapsulado del dispositivo (el cual le ha proporcionado sin duda innumerables dolores de cabeza)
y dar las gracias al personal de sala blanca por el esmero y atención prestada en la realización de
los distintos pasos tecnológicos de los procesos de sensores.
Debo también expresar mi agradecimiento al personal de los Servicios Científico-Técnicos de la UB,

especialmente a Xavier Alcobé, responsable de la difracción de rayos X. Quiero también decir que
agradezco sinceramente a todos los compañeros, tanto del LCMM como del CNM, la amistad y el
apoyo que me han ofrecido en todo momento, particularmente aquellos involucrados en el grupo de
sensores.
Muy importante ha sido también, y con esto acabo, el apoyo incondicional de mi familia y amigos,
especialmente de mi hermana MaPilar cuyos pasos me han servido de guía.
Indice
Introducción: sensores basados en silicio 1
1. Sensores y actuadores 3
2. Sensores mecánicos en tecnología de silicio 4
3. Sensores de presión 7
4. Perspectivas de mercado 11
5. Contexto y objetivos del trabajo 12
6. Referencias 14
Capítulo I: Micromecanizado húmedo de silicio:

fabricación de sensores de presión 17
1.1. Introducción 19
1.1.1 Consideraciones generales acerca del grabado húmedo 20
1.1.2 Geometría del grabado anisótropo 22
1.1.2.1 El sobreataque a las esquinas convexas 25
1.1.2.2 Técnicas de compensación del sobreataque a esquinas convexas 26
1.1.3 Influencia de las condiciones de ataque:
composición y temperatura de la disolución 33
1.1.4 Capas de pasivación 34
1.1.5 Rugosidad 35
1.1.6 Mecanismos de reacción 36
1.2. Estudio del grabado anisótropo por la disolución de KOH, 2-propanol y H2O 40
1.2.1 Detalles experimentales 40
1.2.2 Diseño experimental 42
1.3. Resultados experimentales 45
1.3.1 Velocidad de ataque a los planos {100} 45
1.3.2 Sobreataque a las esquinas convexas o 'undercutting' 46
1.3.3 Velocidad de ataque a las capas utilizadas como máscara 48
1.3.4 Rugosidad 50
1.3.5 Elección de las condiciones de trabajo 51
1.3.6 Obtención de diafragmas de silicio 53
1.3.7 Medida de grosores de membranas mediante absorción infrarroja 54
1.4. Fabricación de sensores de presión
basados en membranas cuadradas de grosor uniforme 59
1.4.1 Diseño de los sensores de presión y simulación 60
1.4.2 Diseño tecnológico de las piezorresistencias 62
1.4.3 Proceso tecnológico 63
1.4.4 Encapsulado de los sensores 64
1.5. Caracterización de los sensores fabricados 65
1.5.1 Control del proceso tecnológico 66
1.5.1.1 Resistencia cuadro 66
1.5.1.2 Grosor de las membranas 67
1.5.2 Respuesta del sensor 68
1.5.2.1 Sistema de medida 68
1.5.2.2 Offset 69
1.5.2.3 Sensibilidad 70
1.5.2.4 Dependencia en temperatura de las características del sensor 71
1.6. Sumario 75
1.7. Referencias 77
Capítulo u: Paro electroquímico en una disolución acuosa de KOH 81
n.l. Introducción 83
n.2. Detalles experimentales 85
n.2.1 Diseño del portamuestras 85
n.2.2 Potenciostato 86
H.2.3 Muestras 87
n.3. Caracterización del fenómeno de pasivación 91
n.3.1 Configuración con dos electrodos 93
n.3.2 Configuración con tres electrodos 93
n.3.3 El mecanismo de pasivación 96
n.4. Fabricación de membranas: paro electroquímico en una unión pn 98
11.4.1 Fabricación de membranas con dos electrodos 98
n.4.1.1 Obleas epitaxiadas 98
11.4.2 Fabricación de membranas con tres electrodos 100
11.4.2.1 Obleas epitaxiadas 100
n.4.2.2 Obleas con difusión 101
11.4.3 Fabricación de membranas con cuatro electrodos 105
n.4.3.1 Obleas con difusión uniforme 106
11.4.3.2 Obleas con difusiones a dos niveles:
membranas estructuradas vertical mente 107
11.4.4 Fabricación de membranas estructuradas verticalmente
con tres electrodos y luz 110
11.4.5 Fabricación de membranas estructuradas verticalmente
con cuatro electrodos y luz 111
n.4.6 Interpretación del efecto de pasivación en una unión p-n 114
11.5. Fabricación de puentes mediante paro electroquímico 116
11.6. Sumario 118
11.7. Referencias 119
Capítulo UI: Estudio del silicio policristalino:

aplicaciones en sensores y micromecánica 123
III. 1. Introducción 125

UI. 1.1 Aplicaciones del polisilicio en micromecánica 126
III. 1.2 Aplicaciones del polisilicio en sensores 128
ni. 1.3 Descripción básica de los objetivos y del trabajo realizado 129
111.2. Muestras 130
111.3. Caracterización estructural de las capas de polisilicio 130
111.3.1 Técnicas de caracterización estructural 131
III.3.1.1 TEM: Microscopía electrónica de transmisión 131
ra.3.1.2 Difracción de rayos X 131
111.3.1.2.1 Orientaciones preferenciales 132
111.3.1.2.2 Determinación del tamaño de grano 134
III.3.1.3 Espectroscopia Raman 137
111.3.2 Detalles experimentales 137
III.3.2.1 Difracción de rayos X 137
m.3.2.2 TEM 138
III.3.2.3 Espectroscopia Raman 138
111.3.3 Resultados experimentales 138
HI.3.3.1 Orientaciones preferenciales 138
ÏÏI.3.3.2 Disposición y tamaño de los granos 147
ni.3.3.3 Análisis estructural mediante espectroscopia Raman 153
III.4. Conductividad eléctrica en el silicio policristalino LPCVD dopado con boro 155
111.4.1 Teoría de la conducción eléctrica en silicio policristalino 156
ni.4.2 Medida mediante el método de cuatro puntas 158
III.4.3 Resultados experimentales 159
ni.5. Esfuerzos residuales 163
UI.5.1 Técnicas para la medida de esfuerzos en capas delgadas 163
m.5.1.1 Medidas basadas en la curvatura inducida en el substrato 163
in.5.1.2 Determinación de la deformación unitaria mediante rayos X 164
111.5.2 Resultados experimentales y discusión 165
m.6. Sumario 168
m.7. Referencias 170
Capítulo IV: Simulación mecánica de microestructuras:

aplicación al diseño de sensores de presión 179
IV. 1. Introducción 181

IV.2. Análisis anisotrope de una membrana cuadrada uniforme 182
IV.3. El método de los elementos finitos 185
rv.4. El problema de la no-linealidad 187
IV.4.1 Definición y origen 187
IV.4.2 Simulación mecánica de membranas no uniformes 189
IV.4.3 Método gráfico para la evaluación de la bondad
de una estructura mecánica en el diseño de sensores de presión 193
IV.4.4 Resultados de simulación 194
IV.5. Diseños seleccionados 200
IV.6. Sumario 204
IV.7. Referencias 205
Capítulo V: Fabricación y caracterización de sensores de presión

de alta sensibilidad y baja no-linealidad 207
V.l. Aplicaciones biomédicas: medida invasiva de la presión cardiovascular 209

V.l.l Introducción 209
V.l.2 El problema del encapsulado 211
V.l.3 Diseño tecnológico de los transductores 212
V.l.3.1 Tecnología para la obtención de difusiones profundas:
diseño de un proceso de dopado mediante fuente líquida de POC13 213
V.l.3.2 Diseño tecnológico para la obtención de un pozo n 216
V.l.4 Optimización del diseño para el paro electroquímico 218
V.l.5 Fabricación de sensores de presión 219
V. 1.6 Soldadura anódica 222
V.l.7 Diseño del encapsulado para el montaje en catéter 225
V.l.8 Caracterización de los sensores fabricados 227
V. 1.8.1 Test tecnológico 227
V. 1.8.2 Estructura mecánica 229
V.l.8.3 Caracterización de los dispositivos 235
V.l.8.3.1 Sensibilidad 236
V.l.8.3.2 No-linealidad 238
V.l.9 Sumario 242
V.2. Sensores de presión basados en silicio policristalino 243
V.2.1 Introducción 243
V.2.2 Diseño tecnológico y geométrico 243
V.2.3 Caracterización de los sensores fabricados 244
V.2.3.1 Efectos de la temperatura 244
V.2.3.2 Sensibilidad 246
V.2.4 Sumario 247
V.3. Referencias 248
Apéndice I: Propiedades mecánicas del silicio 251
AI.l. Introducción 253

AI.2. Ley de Hooke generalizada 254
AI.3. Transformación de coordenadas 259
AI.4. Referencias 266
Apéndice II: El efecto piezorresistivo en el silicio 267
AII.l. Introducción 269

AII.2. Fundamento físico 270
All.3. Los coeficientes piezorresistivos 273
AII.4. Transformación de coordenadas 274
AII.5. Dependencia del efecto piezorresistivo
con la temperatura y con la concentración de portadores 277
AII.6 No-linealidad del efecto piezorresistivo 277
AII.7. Referencias 280
Apéndice III: El método ANOVA 281
Apéndice IV: Cálculo isótropo del comportamiento mecánico de un diafragma 287
Apéndice V: Compensación en temperatura de la respuesta del sensor 297
Conclusiones 305
Sensores basados en silicio 1
Introducción:
Sensores basados en silicio

Introducción
1. Sensores y actuadores
El desarrollo de la microelectrónica desde principios de los años 50, ha dado lugar a un

espectacular crecimiento en las posibilidades de tratamiento de señal y procesado de
información. La aparición de microprocesadores cada vez más potentes y baratos ha
permitido incorporar una gran capacidad de cálculo en multitud de aplicaciones industriales
y de consumo doméstico. Sin embargo, la inmensa mayoría de éstas no sería posible sin la
existencia de transductores. Los sistemas electrónicos necesitan dispositivos que permitan
captar información del exterior, y tras procesarla, actuar, mediante otro transductor en el
entorno. Se puede considerar que un microprocesador sin transductores es como un cerebro
aislado, completamente incapaz de interactuar con el exterior, y por lo tanto, inútil. Los
transductores son indispensables en multitud de campos como la automatización de procesos,
rebotica, control medio-ambiental, vehículos terrestres o espaciales, biomedicina, etc.
Estrictamente, como transductor se considera a cualquier dispositivo que convierte una señal
primaria basada en cierta forma de energía (mecánica, térmica, eléctrica, magnética, radiante
Introducción
o química) en una señal secundaria basada en otra forma de energía. En la práctica, los
transductores más útiles (precisamente debido al 'boom' de la electrónica) son aquellos en
los cuales, o bien la señal primaria, o bien la secundaria, son de carácter eléctrico. Es común
hablar de transductores de entrada o de salida en base al esquema mostrado en la figura 1:
UNIDAD DE
SENSOR PROCESO ACTUADOR
Transductor Tratamiento Transductor

de entrada de señal de salida
ESQUEMA GENERAL DE UN SISTEMA DE CONTROL

Fig. 1
Sin embargo, la tendencia actual en la literatura es sustituir el término transductor de entrada

por sensor, y transductor de salida por actuador.
2. Sensores mecánicos en tecnología de silicio
Dentro del amplísimo campo de los sensores, están emergiendo con gran fuerza los
dispositivos basados en tecnología de silicio. El uso de la tecnología microelectrónica para
la producción de sensores permite obtener dispositivos de bajo coste (debido a la producción
en 'batch'), altas prestaciones y reducido tamaño. Además, la utilización del silicio como
material base para la realización de sensores permite, no sin dificultades, la integración de
circuitos de tratamiento de señal en el mismo chip, dando lugar a los llamados (un poco
pretenciosamente) sensores inteligentes ('smart sensors').
Afortunadamente el silicio es un material excepcional tanto a nivel eléctrico como a nivel

mecánico (apéndice I), poseyendo además una gran variedad de mecanismos de transducción
(o efectos físico-químicos) (Véase tabla1).
Además de las cualidades del silicio cristalino, es también importante conocer las
posibilidades de otros materiales que se utilizan normalmente en microelectrónica en forma
de capas delgadas como son el óxido de silicio, nitruro de silicio, polisilicio, etc. En
particular la caracterización de este último material es de especial importancia debido a su
papel fundamental como material estructural y eléctrico en la fabricación de microestructuras
por micromecanización superficial ('Surface Micromachining'). Tienen también un papel
destacado en esta tecnología el óxido de silicio utilizado como capa de sacrificio para liberar
estructuras, o el nitruro de silicio utilizado como capa de pasivación por su poca
permeabilidad a iones y por su resistencia mecánica.
Entre los distintos tipos de sensores basados en silicio, los sensores mecánicos ( en los cuales
la magnitud a medir es de carácter mecánico: presión, aceleración, flujo, fuerza, etc.) han
experimentado un rápido desarrollo, debido a la multitud de aplicaciones industriales. Este
hecho es el causante de que actualmente se dediquen grandes esfuerzos de I+D, tanto por
parte de centros de investigación, como por compañías industriales, a la mejora de las
prestaciones de los sensores mecánicos mediante la obtención de nuevos diseños y
tecnologías.
Tabla I: Efectos susceptibles de utilizarse como base para el desarrollo de sensores basados en silicio.
Señal Efecto Efecto

autogenerador modulador
Radiante Fotovoltaico Fotoconductividad

Fotoeléctrico
Mecánica Acustoeléctrico Piezorresistivo
Fotovoltaico lateral
Fotoeléctrico lateral
Térmica Seebeck Termorresistivo
Nernst
Magnética Hall
Magnetorresistivo
Química Galvánico Estructuras EIS
La medida de magnitudes mecánicas se basa en la mayoría de las realizaciones en dos

efectos: i) movimiento de la estructura mecánica del sensor que se detecta como una
variación de capacidad, o ii) variación de la resistividad del silicio cuando se encuentra
sometido a esfuerzos mecánicos. Esta variación se conoce como el efecto piezorresistivo y
fue descubierto por Smith en 19542. En él se basan los dispositivos realizados durante este
trabajo. En el apéndice n se encuentra una descripción de su fundamento físico.
Las posibilidades tecnológicas del efecto piezorresistivo fueron puestas de manifiesto muy
rápidamente. Ya en 1961, Pfann y Thurston3 proponen por vez primera el uso de difusiones
en el silicio monocristalino para la medida de esfuerzos mecánicos y en 1962, Tufte et al4.
6 Introducción
describen el primer transductor de presión basado en silicio.
La alternativa para le medida de esfuerzos mecánicos se basa en la utilización de láminas de

metal soldadas al elemento mecánico que sufre la deformación. Frente a estos el silicio ofrece
las siguientes ventajas en las siguientes características:
Sensibilidad: El factor de 'Gauge':
(1)
R €
de los semiconductores es casi dos ordenes de magnitud superior al de los metales:

donde epsilon es la deformación por unidad de longitud ('strain').
Histéresis y ruptura: La difusión de resistencias, en el mismo material que compone
el elemento mecánico, permite una perfecta transmisión de los esfuerzos mecánicos
eliminando la principal causa de la histéresis. Así mismo, evita problemas de ruptura
entre el elemento sensor (resistencia) y el elemento mecánico (diafragma).
Tamaño: El uso de técnicas usuales en microelectrónica permite la miniaturización
del dispositivo.
Producción: Los sensores de silicio se benefician de la producción en 'batch', típica
de la microelectrónica, permitiendo una reducción de costes.
Electrónica: La circuiteria de tratamiento de señal puede incluirse en el mismo chip
del sensor.
Todas estas características han lanzado la investigación en sensores mecánicos de silicio.

Actualmente, el tema sigue plenamente vigente, como demuestra el gran número de
publicaciones y conferencias dedicados al tema, pues a pesar de las grandes expectativas
levantadas existen aún muchos problemas a resolver. La problemática actual en sensores de
silicio se centra en los siguientes campos5:
- Tecnología: A pesar de que la tecnología de fabricación de circuitos integrados está muy

desarrollada, la producción de sensores implica procesos no-estándar que deben optimizarse
y que no siempre son compatibles con la fabricación de ICs. Entre estas tecnologías
específicas cabe citar:
Ataque anisótropo de silicio.
Técnicas de paro automático del ataque: paro electroquímico, paro en capas altamente
dopadas con boro, paro en capas dieléctricas enterradas, etc.
Procesado de la oblea por las dos caras.
Depósito de capas delgadas no usuales en microelectrónica: materiales cerámicos,
plásticos, etc.
Técnicas para el control de los esfuerzos residuales en capas finas.

Soldadura entre diversos materiales: silicio-vidrio, silicio-silicio, etc.
- Encapsulado: A diferencia de un circuito integrado en el cual el objetivo del encapsulado

es aislarlo tan bien como sea posible del entorno, el encapsulado de un sensor debe permitir
al dispositivo estar expuesto a la magnitud que se desee medir a la vez que asegura el
correcto funcionamiento del dispositivo. El encapsulado se convierte en uno de los grandes
problemas en el diseño del sensor cuando este debe trabajar en ambientes hostiles como
ocurre en muchas aplicaciones.
- Sensores inteligentes: Uno de los mayores atractivos del silicio como material para la
realización de sensores consiste en la posibilidad de integrar electrónica de tratamiento de
señal en el mismo chip. Sin embargo, en la mayoría de ocasiones este objetivo no es fácil
de cumplir. La inclusión de circuitería en el sensor impone serias restricciones en la
tecnología y en el encapsulado.
3. Sensores de presión.
Entre los distintos tipos de transducíores mecánicos basados en silicio, el sensor de presión
ha sido el que ha atraído una mayor atención, y el que actualmente se encuentra en un estado
de desarrollo más avanzado. De hecho fue el primero en alcanzar las prestaciones mínimas
para su implantación comercial en multitud de aplicaciones. Su fabricación necesita de la
puesta a punto e implantación de las tecnologías básicas en sensores mecánicos de silicio. Es
por ello el dispositivo ideal para el desarrollo de una tecnología propia.
El primer uso del silicio como material piezorresistivo se remonta a 19626. El primer
transductor, tal como lo conocemos en la actualidad, utilizando el grabado anisótropo de
silicio para la definición del diafragma aparece en 19737. En la figura 2 se muestra el
esquema básico de un sensor de presión piezorresistivo. En presencia de una presión
diferencial el diafragma deflecta dando lugar a la aparición de esfuerzos mecánicos en el
material, detectados mediante resistencias cuyo valor depende del esfuerzo. Integrando un
puente de Wheatstone en el diafragma y colocando las piezorresistencias de forma adecuada
se obtiene un voltaje proporcional a la presión aplicada. Basado también en el efecto
piezorresistivo, Kanda8-9 propone un nuevo dispositivo en el cual el estado de esfuerzos en
el material produce un efecto similar al efecto Hall: en presencia de una comente orientada
adecuadamente, un campo eléctrico aparece en la dirección perpendicular. Este tipo de
dispositivo presenta menores tensiones de offsets que los basados en un puente de
Wheatstone10, sin embargo es incapaz de ofrecer la misma sensibilidad11.
8 Introducción
Piezorresistencias Si 02
/\
/ f \ Silicio
/Diafragma \Hpo-n
Soldadura
Pyrex
t
anódica
Presión de
referencia
Pyrex
Apantallamiento Electrodo
Silicio
tipo- p
Circuitería Diafragma p++

integrada
Fig. 2 a) Esquema de un sensor de presión piezorresistivo. b) Sensor de presión capacitivo.
Los problemas fundamentales de los sensores piezorresistivos son la dependencia con la

temperatura de las características del sensor12, y la presencia de esfuerzos residuales en el
diafragma que dan lugar a un valor de offset (salida a presión nula) importante. Debido al
bajo nivel de salida de estos dispositivos (típicamente decenas de milivolts a fondo de escala)
muy pronto aparecieron sensores incluyendo circuitería bipolar de acondicionamiento de señal
en el mismo chip13. La integración de circuitería MOS ha sido también utilizada por distintos
grupos14-15-16.
El uso de la tecnología microelectrónica permite al diseñador incorporar inteligencia, léase

circuitería, en el mismo chip mejorando la respuesta del sensor mediante amplificación,
compensación, filtrado, etc. Aunque el gran éxito de la microelectrónica reside precisamente
en la integración en el mismo chip de sistemas cada vez más complejos, hoy por hoy no está
claro que esta estrategia sea también la más adecuada en la fabricación de microsensores. La
integración de circuitería en el mismo sensor es un camino no exento de dificultades. En la
tecnología microelectrónica cualquier cambio en el sensor o en el circuito requiere el diseño

de un nuevo conjunto de máscaras y muy a menudo, debido a incompatibilidades
tecnológicas, todo un nuevo proceso tecnológico debe ser diseñado. Esto supone que en
muchos casos un acercamiento modular donde el transductor, el tratamiento de señal y el
interfaz se pueden diseñar y encapsulai independientemente sea más ventajoso. Además, el
ambiente en el que debe operar el sensor es en muchos casos hostil, por lo cual la circuitería
integrada puede verse afectada por cambios de temperatura, humedad o incluso la presencia
de gases corrosivos. Ello impone grandes condicionantes al proceso de encapsulado y puede
suponer un incremento de costo no compensado por la superior integración. Con todo esto
no queremos negar la necesidad de seguir investigando en esa dirección, pero ante un
problema concreto y si se desea un tiempo de desarrollo relativamente corto, es necesario
sopesar pros y contras de la cada una de las estrategias, y buscar el compromiso más
ventajoso. Quizás esta es la razón subyacente que explica que a pesar de las repetidas
apariciones en la literatura de sensores con circuitería integrada, en el momento actual la
inmensa mayoría de los fabricantes de sensores basados en silicio ofrecen únicamente
transductores sin la integración de circuitería en el mismo chip.
Los sensores capacitivos son la alternativa principal a los sensores piezorresitivos. La

primera realización operativa aparece en 197317. Como puede observarse en el esquema
(figura 2), su realización necesita de la obtención de dos electrodos: uno en el propio chip
de silicio mientras el segundo suele fabricarse en un substrato de vidrio que se une al silicio
mediante soldadura anódica. Ambos electrodos suelen estar separados una distancia de unas
mieras que se obtiene normalmente mediante micromecanización del silicio. Al doblarse la
membrana por la diferencia de presión, varía la separación entre las placas del condensador
dando lugar a una variación de la capacidad.
El problema básico de este principio de transducción es que la señal obtenida es una

capacidad y además normalmente muy pequeña (unos picofaradios). Ello hace imprescindible
la presencia integrada de un circuito para acondicionar la señal18'19'20. Además la señal de
salida presenta una no-linealidad muy acusada que debe ser corregida externamente. Las
ventajas en cambio, residen en una mayor sensibilidad y en una menor dependencia con la
temperatura que los sensores piezorresistivos.
Además de los citados métodos de medida, se han propuesto otros mecanismos para la
detección del valor de la presión. M.V. Andrés et al.21 proponen un dispositivo basado en
un resonador mecánico cuyas frecuencias de vibración son función de la presión mediante
la inducción de esfuerzos mecánicos axiales en el elemento resonante. Suminto et al.22
presentan un dispositivo tipo MOSFET donde se introduce una capacidad de aire (sensible
a la presión) entre la puerta y el óxido de puerta. La corriente en el canal depende de la
capacidad entre la puerta y el silicio. Dado que esta depende de la presión, también la
10 Introducción
corriente es sensible a la presión.
La variación de la movilidad asociada al efecto piezorresistívo ha sido utilizada para variar

la frecuencia de oscilación de anillos osciladores MOS integrados en el diafragma23-24. De
esta manera la información de la presión viene contenida en la frecuencia de la señal lo que
supone ventajas añadidas en cuanto a la comunicación con sistemas digitales o sensibilidad
a interferencias electromagnéticas. W. Lian et al. proponen una familia de sensores basados
en flip-flops25. Su funcionamiento se basa en llevar el flip-flop a un estado inestable sobre
un gran número de ciclos y observar el número de 'unos' y 'ceros' obtenidos. La razón entre
ambos es una medida de la asimetría del sistema. En el caso de un sensor de presión26
integran cuatro transistores NMOS en el diafragma: dos de ellos tienen el canal sometido a
un esfuerzo transversal mientras el par restante tienen el canal sometido a un esfuerzo
longitudinal. De esta manera la razón entre T y 'O' pasa a ser una medida de la presión
sobre el diafragma. El mayor inconveniente de estos dispositivos es su marcado carácter no
lineal.
Recientemente, la posibilidad de fabricar diafragmas con capas depositadas ha atraído una

atención considerable27. Una capa de polisilicio se deposita sobre óxido de silicio y
posteriormente el óxido es atacado para dejar libre el diafragma. En el caso de un sensor
capacitivo, la capacidad entre el diafragma móvil y el substrato puede ser la base del
transductor, o en el caso de sensores piezorresistivos es posible integrar las galgas sensoras
en el diafragma. Esta técnica permite fabricar diafragmas muy delgados con un muy buen
control dimensional, favoreciendo la miniaturización. Sin embargo, el pandeo del diafragma
debido a la presencia de esfuerzos en el diafragma es todavía un problema de considerable
importancia. Como alternativa, se pueden utilizar nitruro de silicio LPCVD como material
base para la fabricación del diafragma28. Sin embargo, la compensación del esfuerzo
residual es una cuestión a resolver.
Actualmente existen dos tipos de aplicaciones que fundamentalmente espolean la investigación

en sensores de presión: la industria del automóvil*-**' y las aplicaciones biomédicas32. En
ambos casos, el ambiente de trabajo impone serias restricciones al diseño del dispositivo para
su correcta operación: las altas temperaturas y vibraciones presentes en un motor, en un
caso, y la miniaturización y el contacto con líquidos corrosivos en el otro.
presentan
Pfoblemas de *8» en la unión
* UtíÜZan *»»*«*» de polisilicio33, aisladas del
Pemto deVar la te
^-tura de trabajo hasta 200<C.
en el que en d silicio
considerando a este naterial c
****
" ^^ 10
*" '"en*" 10 qUC
qUC ^
^^ ***
este material como muy interesante aplicaciones específicas.
En aplicaciones biomédicas, la presión en el interior de cuerpo puede medirse externamente

acoplando el transductor al punto de medida mediante un tubo (o catéter) lleno de líquido
(normalmente una solución salina). Sin embargo, en este la señal de presión se ve modulada
por la respuesta en frecuencia del catéter lleno de fluido. Puede demostrarse que la función
de transferencia de este sistema es un filtro pasa-bajos de segundo orden. Sin embargo, éste
puede tener factores de calidad elevados que dan lugar a una importante distorsión de la
forma de onda. En estos casos se impone la necesidad de utilizar sensores especialmente
concebidos para la medida in-situ. Para medidas cardiovasculares, el diseño está mediatizado
por el tamaño máximo del catéter, por el uso de materiales biocompatibles y por el completo
aislamiento eléctrico del dispositivo respecto a la sangre.
4. Perspectivas de mercado
El espectacular avance en la tecnología de sensores de silicio ha venido impulsado por el

interés industrial de algunas compañías fabricantes de sensores. Este interés está debido al
gran mercado potencial para estos dispositivos. En 1988 el mercado mundial de sensores (sin
incluir las aplicaciones militares) ascendía a 2.4 .1010 $ 35. Las previsiones de mercado
indican un crecimiento anual en torno al 10% para los próximos 10 años. A continuación
mostramos algunas tablas comparativas del reparto de este mercado en distintos conceptos:
Tabla 1: Por aplicaciones
Ingeniería de Procesos 5.0- 109$

Automoción 2.8- 109$
Seguridad 1.3- 109$
Ingeniería mecánica 1.2- 109$
Ingeniería aeroespacial 0.8- 109$
Tabla 2: Consumidores
U.S.A. 5.2- 109$

Europa occidental 5.2- 109$
Japón 3.0- 109$
12 Introducción
Tabla 3: Por tipos de dispositivos

1.8 • 109 $
Flujo
1.7 • 109 $
Presión
Químicos 1.2 • 109 $
Temperatura 1.0 • 109 $
Posición 0.9 • 109 $
El dato quizá más interesante es que los sensores de presión constituyen uno de los mercados
más importantes, esperándose además que sean los sensores más vendidos en 1995. Del total
de sensores de presión, alrededor de un 40% está formado por dispositivos basados en
tecnología de silicio, siendo el resto dispositivos convencionales. Se espera no obstante, que
este porcentaje puede ir aumentando en función del aumento de la producción y una mayor
presencia en el mercado.
5. Contexto y objetivos del trabajo
Uno de los objetivos del trabajo desarrollado ha sido colaborar en el desarrollo y

caracterización de tecnologías propias para la fabricación de sensores mecánicos en silicio
partiendo de la experiencia previa en el CNM en las tecnologías de fabricación de circuitos
integrados y del LCMM en la caracterización de materiales. El presente trabajo se ha
orientado hacia el desarrollo de sensores de presión de gran sensibilidad (grosores de
diafragmas pequeños) y baja no-linealidad. Conjugar ambas características permite disminuir
el tamaño de los sensores y poder así utilizarlos en aplicaciones donde las dimensiones del
sensor sean un factor crítico.
En este contexto, el trabajo ha venido condicionado e impulsado por la participación del

LCMM y del CNM en los proyectos de I+D:
•Desarrollo de tecnologías para la fabricación de sensores de silicio" (1988-1991),
subvencionado por la CICYT.
"Desarrollo de tecnologías básicas de fabricación y herramientas de simulación para
*0*™«™^™* (1990-1993) Programa BRTTE/EURAM de la CEE.
y desarrollo de un sensor de presión piezorresistivo y miniaturizado
rA^Ón a CatÉteres ^'vasculares de un solo uso" (1991-1993)
GAME Programa ^p^ n de ^ CEE
electrónica <í nes en
o por la CICYT.
A continuación describiré sucintamente el contenido de cada uno de los capítulos:

El Capítulo 1 describe las experiencias y resultados obtenidos en el estudio y desarrollo de
un sistema de grabado anisotrope húmedo, técnica clave en micromecanización del silicio
para la fabricación de sensores de presión, acelerómetros, etc. Mediante este sistema se
fabricaron primero diafragmas de silicio y a continuación se desarrollaron los primeros
transductores de presión.
El Capítulo 2 expone el trabajo realizado en el estudio y puesta a punto de un sistema de
paro electroquímico automático del ataque anisótropo. La utilización de estos sistemas es
imprescindible si se quieren alcanzar las tolerancias impuestas por la miniaturización del
elemento mecánico.
El Capítulo 3 se centra en el estudio estructural y eléctrico del polisilicio, material clave por
sus aplicaciones en sensores y micromecánica. Se hará énfasis en la importancia del control
de los esfuerzos residuales.
El Capítulo 4 hace hincapié en el silicio como material mecánico y en los cálculos necesarios
para conocer el comportamiento mecánico de las estructuras diseñadas. Se resaltará el papel
de la simulación por elementos finitos como herramienta fundamental en el diseño de los
dispositivos.
El Capítulo 5 presenta sensores de presión especialmente concebidos y diseñados para su
encapsulado en el extremo de un catéter para la medida de la presión cardiovascular, así
como sensores basados en galgas de polisilicio para medidas de presión a alta temperatura.
Finalmente se presentan las mayores contribuciones y conclusiones del trabajo realizado.
14 Introducción
6. Referencias
1. S. Middelhoek, DJ.W. Noorlag

Signal conversion in solid-state transducers
Sensors and Actuators, 2, 211-228 (1982).
2. C.S. Smith,
Piezoresistive Effect in Germanium and Silicon
Phys. Rev. 94, 42-49 (1954).
3. W.G. Pfann, R.N. Thurston,
Semiconducting Stress Transducers Utilizing the Transverse and Shear Piezoresistance £fa¡
J. App. Phys. 32, 2008-2019, (1962).
4. O.N. Tufte, P.W. Chapman, D. Long,
Silicon Diffused-Element Piezoresistive Diaphragms
J. Appl. Phys. 33, 3322-3327 (1962).
5. S. Middelhoek, S.A. Audet
Silicon Sensors: fall of promises and pitfalls
J. Phys. E: Sei. Instrum. 20, 1080-1086 (1987).
6. O.N. Tufte, P.W. Chapman, D. Long
Silicon Diffused-Element Piezoresistive Diaphragms
]. Appl. Phys. 33, 3322-3327, (1962).
7. Samaun, K.D. Wise, J.B. Angelí
An 1C Piezoresistive Pressure Sensor for Biomédical Instrumentation
IEEE Trans. Biomed. Eng. BME-20, 101 (1973).
8. Y.Kanda, A. Yasukawa
Hall-effect device as strain and pressure sensor
Sensors and Actuators, 2, 283-296, (1982).
9. Y. Kanda
Optimum Design Considerations for Silicon Pressure Sensors using a four-terminal gauge
10. M.H. Bao, Y. Wang
Analysis and Design of a Four-terminal Silicon Pressure Sensor at the Centre of a Diaphragm
11. M.H. Bao, WJ. Qi, Y. Wang
Geometric Design Rules of Four-terminal Gauge for Pressure Sensors
12. S.C. Kim, K.D. Wise
Temperature Sensitivity in Silicon Piezoresistive Pressure Transducers
IEEE Trans. Electron. Dev. ED-30, 802 (1983).
13. J.M. Borky, K.D. Wise

Integrated signal conditioning for silicon pressure sensors
IEEE Trans. Electron. Dev. ED-26, 1906-1910, (1979).
14. H. Tanigawa, T. Ishihara, M. Hirata, K. Suzuki

MOS Integrated Silicon Pressure Sensor
IEEE Trans. Electron. Dev., ED-26, (1985).
15. T. Ishihara, K. Suzuki, S. Suzanowo, M. Hirata, H. Tanigawa

CMOS Integrated Silicon Pressure Sensor
IEEE J. Solid-St. Circuits SC-22, 151-156, (1987).
16. HJ. Kress, F. Bantien, J. Marek, M. Willmann

Fully Integrated Silicon Pressure Sensor with On-Chip CMOS Evaluation Circuit and On-Chlp
Trimming
Proc. of the 1st Int. Conf. on Micro-Electro-Opto-Mechanical Systems and Components,
Berlin, Alemania, Sept. 1990. pag. 593-598. Ed. H. Reichl. Springer Verlag (1990).
17. W.D. Frobenius, A.C. Sanderson, H.C. Nathanson

A Microminiature Solid-State Capacitive Blood Pressure Transducer with Improved Sensitivity
IEEE Trans, on Biomed. Eng. BME-20, 312, (1973).
18. C.S. Sander, J.W. Knutti, J.D. Meindl

A Monolithic Capacitive Pressure Sensor with Pulse-Period Output
IEEE Trans. Electron Dev., ED-27, 927, (1980).
19. W.H. Ko
Solld-State Capacitive Pressure Transducers
Sensors and Actuators, 10, 303 (1986).
20. M.J.S. Smith, L. Bowman, J.D. Meindl

Analysis, Design and Performance of a Capacitive Pressure Sensor 1C
IEEE Trans. Biomed. Eng. BME-33, 163 (1986).
21. M.V. Andres, K.W.H. Foulds, M.J. Tudor

Sensitivity and mode spectrum of a frequency-output silicon pressure sensor
22. J.T. Suminto, W.H. Ko

Pressure-sensitive Insulated Gate Field-Effect Transistor (PSIGFET)
Sensors and Actuators, A21-A23, 126-132, (1990).
23. J. Neumeister, G. Schuster, W.V. Munch

A silicon pressure sensor using MOS ring oscillators
24. R. Schörner, M. Poppinger, J. Eibl

Silicon Pressure Sensor with Frequency Output
Sensors and Actuators, A21-A23, 73-78, (1990).
16 Introducción
25. WXian, S. Middelhoek

Flip-Flop sensors: a new class of silicon sensors
Sensors and Actuators, 9, 259-269 (1986).
26. P.J. French, W. Lian, S. Middelhoek
A Study of the NMOS Flip-Flop Sensor and a Comparison with the Bipolar Technique
Sensors and Actuators, A24, 65-73, (1990).
27. H. Guckel, D.W. Burns, C.R. Rutigliano
Design and Construction Techniques for Planar Potysilicon Pressure Transducer with
Piezoresistive Read-Out
1986 IEEE Solid-State Sensor Workshop, Hilton Head Is. SC.
28. H. Guckel, D.K. Showers, D.W. Burns, C.R. Rutigliano

Deposition Techniques and Properties of Strain Compensated LfCVD silicon nitride films
1986 IEEE Solid State Sensors Workshop, Hilton Head Is. SC.
29. M.H. Westbrook
Future Developments in automotive sensors and their systems
]. Phys. E: Sei. Instrum. 22 693-699 (1989).
30. H. Kobayashi
Development Process for Automotive Sensors
Sensors and Actuators, 19 415-426 (1989).
31. J.R. Mallon, R.H. Grace
Automotive applications of Solid-State Sensors and Silicon Microstructures
Sensors Expo Proceedings, 385-399 (1987).
32. W.H. Ko
Solid-State Physical Transducers for Biomédical Research
IEEE Trans. Biomed. Eng. BME-33 153-162 (1986).
33. P.J. French, A.G.R. Evans
Polycrystalline Silicon Strain Sensors
34. Y. Onuma, K. Kamimura, Y. Honuna

Piezoresistive Elements of Polycrystalline Semiconductor Thin Films
Sensors and Actuators 13 71-77 (1989).
35. T. Grandke, J. Hesse
Sensors Market en Sensors: A Comprehensive Surrey Vol. I
pp. 11-14 (1989) Ed. VCH
Micromecanizado hiimedo de silicio 17
Capítulo I:
Micromecanizado húmedo de silicio:
fabricación de sensores de presión
18 Capitulo I
Micromecanizado húmedo de silicio 19
I.l. Introducción
Actualmente se están invirtiendo grandes esfuerzos en el desarrollo de dispositivos en los

cuales el silicio se utiliza como material mecánico. Estos contienen microestructuras tales
como ranuras, membranas, agujeros, barras de torsión o vigas. Estos elementos se combinan
en la fabricación de dispositivos como sensores de presión, acelerómetros , sensores de flujo,
microválvulas, etc. Su funcionamiento se basa en la transformación de energía mecánica en
energía eléctrica en los sensores, o la transformación inversa en los actuadores.
Diversos factores han sido claves para el éxito de los dispositivos micromecánicos basados
en silicio: la disponibilidad de cristales de silicio de altísima calidad y pureza, la existencia
de un conjunto de tecnologías de alta precisión heredadas de la microelectrónica y la
aparición de técnicas para el grabado anisótropo de silicio que permiten la micromecanización
tridimensional de estructuras únicas por su pequeño tamaño, precisión y comportamiento
mecánico.
En la mecanización tridimensional del silicio dos tecnologías destacan: el grabado seco

mediante RÍE ('Reactive Ion Etching') y el grabado húmedo anisótropo mediante disoluciones
20 Capítulo I
alcalinas.
El grabado seco ha experimentado un gran avance en esta ultima década debido a su

importante papel en la delincación de motivos en tecnología microelectrónica. Sin embargo,
las necesidades de grabado en el campo de microsensores y microactuadores difieren mucho
de las habituales en tecnología de circuitos integrados. En algunos casos se puede considerar
que las exigencias son mucho más estrictas debido a las mayores profundidades deseadas.
Para el micromecanizado tridimensional de silicio cristalino la realización de zanjas con
profundidades de cientos de mieras requiere el desarrollo de nuevos procesos de grabado seco
donde los parámetros críticos son: velocidad de ataque suficientemente elevada, existencia
de materiales que actúen eficazmente cómo máscara y control del perfil final1. En cambio
en la tecnología del micromecanizado superficial el grabado seco se utiliza básicamente para
la delincación precisa de motivos en capas con grosores típicos entre 1 y 5 /un. En este tipo
de dispositivos el perfil del grabado puede alterar de manera drástica las prestaciones de los
dispositivos. Por ejemplo, en la fabricación de resonadores laterales capacitivos con
estructuras tipo peine, la distancia mínima entre las púas es un parámetro fundamental2.
1.1.1 Consideraciones generales acerca del grabado húmedo
El ataque húmedo de silicio mediante disoluciones isótropas era bien conocido a finales de
los años óO3'4-5'6. Estas disoluciones consistían básicamente en mezclas de HF, HNO3 y
CH3COOH. El ataque mediante estas disoluciones no es especialmente preciso debido a que
la velocidad de ataque depende de la agitación, de la temperatura y en particular del
transporte de reactivos hacia la superficie. Ello provoca, por ejemplo, que canales estrechos
se ataquen más lentamente que ventanas más amplias.
En cambio el grabado anisótropo húmedo se caracteriza por atacar a diferente velocidad los
distintos planos del cristal. Estas disoluciones de carácter básico atacan rápidamente los
planos {110} y (100), mientras los planos {111} permanecen casi inalterados. La cualidad
de grabar las diferentes direcciones a distintas velocidades permite obtener formas
tridimensionales de geometría muy bien definida. Ello les confiere una importancia
fundamental para la fabricación de microestructuras mecánicas. En particular, en el diseño
de sensores mecánicos piezorresistivos, las prestaciones finales del sensor dependen en gran
medida de la estructura mecánica que transforma la señal a medir en una distribución de
tensiones en el material. Las desviaciones en la geometría obtenida respecto a la deseada se
transforman en cambios en la respuesta eléctrica del sensor.
Los primeros trabajos acerca del grabado anisótropo húmedo mediante disoluciones alcalinas
se remontan a finales de los años 60 y principios de los 70. En todos los casos se hacía
referencia a que la velocidad de grabado de los planos {100} y {110} era mucho más rápida
que el de los planos {111} (un factor entre 10 y 50), aunque los resultados de la velocidad
de ataque a estos últimos presentaba una gran dispersión. La dificultad para la medida de la
velocidad de ataque a los planos {111} estriba en que el alineamiento cristalográfico debe ser
muy preciso. Desalineamientos del orden de 0.1° pueden alterar significativamente la
velocidad de ataque a este plano. Medidas precisas realizadas por Kendall7 usando una
disolución acuosa de KOH (50% a 85°C) indican que los planos {110} ({100}) se graban
hasta 400 (200) veces más rápido que los planos {111}.
Como hemos mencionado anteriormente las soluciones que graban en silicio de manera
anisótropa son de tipo alcalino. Podemos distinguir dos grupos: un primer grupo formado por
aquellas cuyo componente principal es orgánico y un segundo integrado por aquellas en las
cuales es inorgánico.
Perteneciente al primer grupo, la hidracina ( N2H4 ) se utilizó por primera vez en 1962, y
incluyéndose pirocatecol ( C¿Ü4(OK)2 )8>9 como tercer componente en trabajos posteriores.
La adición a la disolución de hidracina de 2-propanol fue considerada por Lee10. En ambos
casos se demostró que el componente principal era la disolución acuosa de hidracina,
actuando los aditivos como intensificadores o moderadores respectivamente.
Estudios posteriores se centraron en disoluciones acuosas de etilendiamina

(NHííCH^NHy"'12. El comportamiento de está disolución es muy sensible a la presencia
de contaminantes: trazas de oxígeno o piracina (C^N^ producen un aumento considerable
de la velocidad de ataque dando lugar a resultados no reproducibles sino se toman las
precauciones necesarias. Éstas consisten básicamente en realizar el ataque en un ambiente
inerte (atmósfera de nitrógeno) y en la adición de piracina (contaminante residual en la
producción de etilendiamina) hasta el límite de solubilidad.
No obstante, el principal problema de las dos soluciones presentadas es su gran toxicidad.

En particular ambas son conocidos agentes cancerígenos. La hidracina es especialmente
peligrosa pues su inhalación, incluso a muy bajas dosis, provoca tumores nasales. Su uso
requiere la presencia de detectores y de una vestimenta especial para asegurarse que la dosis
que recibe el operador es inferior a 8 ppm en una sesión de 8 horas de trabajo13.
Las soluciones inorgánicas (segundo grupo) suelen ser hidróxidos de metales alcalinos:
NaOH, LiOH, CsOH siendo la basada en KOH la más estándar por la alta calidad de las
superficies obtenidas, alta velocidad de grabado, inocuidad, fácil disponibilidad, anisotropía
y reproducibilidad14. No obstante, no cesa la búsqueda de nuevas sustancias que igualen o
roejoren los resultados que proporciona la disolución de hidróxido potásico. El objetivo es
lograr la calidad de ataque que proporciona el KOH pero evitando la presencia de iones
22 Capítulo I
potasio incompatibles con procesos a alta temperatura en tecnologías MOS.
Recientemente, algunos autores han presentado como agente alternativo la disolución basada
en NH4OH-H2O215>16. La utilización de NH«OH acuoso lleva a velocidades de ataque bajas,
mala calidad en las superficies y abundante presencia de pirámides. La adición de H2O2
mejora la velocidad de ataque y la calidad de la superficie. Sin embargo, el proceso no es
muy repetitivo, pues resulta difícil mantener constante la concentración de H2O2 en
disolución, al no ser estable en disoluciones alcalinas a alta temperatura.
Productos más complejos derivados del hidróxido amónico como el TMAH

((CH3)4NOH)17tls han sido propuestos recientemente para la disolución anisótropa del
silicio. Frente a otras bases orgánicas presenta varias ventajas, a saber: inocuidad, excelente
calidad en las superficies a partir de ciertas concentraciones y estabilidad de la disolución.
Frente al KOH destaca por ser un producto compatible con la tecnología MOS (se utiliza en
ocasiones como revelador de fotorresina y se puede conseguir fácilmente en calidad
electrónica ('electronic grade'). Destaca también por su excelente comportamiento respecto
a las capas delgadas utilizadas normalmente como máscara19. Su ataque al silicio es muy
selectivo respecto a óxidos y nitruros de silicio de distintas calidades. Se ha publicado que
incluso puede llegar a ser selectivo respecto al A12O3 (capa de pasivación natural del
aluminio) si se añade silicio a la disolución en cantidades suficientes. Sus principales
inconvenientes son una velocidad de ataque inferior a la del KOH y un mayor grado de
sobreataque a las esquinas convexas20. Presenta asimismo una razón de anisotropía
v(100)/v(lll) inferior a la del KOH.
1.1.2 Geometría del grabado anisótropo
Nos centraremos en este apartado en las características geométricas del grabado anisótropo
sobre obleas {100}. Una descripción de las características geométricas del ataque sobre
obleas {110} puede hallarse en el trabajo de Kendall14. Como hemos mencionado
anteriormente el ataque de silicio mediante bases acuosas se caracteriza por disolver los
planos {100} y {110} a una velocidad mucho más alta que a los planos {111}. El problema
geométrico general tiene el siguiente planteamiento: "Dada una ventana de forma arbitraria
abierta sobre una máscara en una oblea de silicio {100}, cuál será la forma geométrica de
la cavidad generada por el ataque." La evolución de ésta será diferente en presencia de
esquinas convexas o cóncavas. Al atacar una superficie cóncava el silicio está limitado por
los planos de ataque más lento siendo los planos de ataque más rápido los que formarán las
nuevas esquinas y bordes. Éste es el caso por ejemplo de una apertura rectangular. En
cambio, al atacar una superficie convexa la cavidad está limitada por los planos que se
graban más rápidamente, siendo los planos de ataque más lento los que formarán las esquinas
Micromccanizado húmedo de silicio 23
y bordes. Es por ello que al intentar obtener una estructura tipo mesa, los planos {111} no
se llegan a intersectarse en la esquina de la misma. Al formar ésta una superficie convexa
aparecen planos de ataque rápido. Las diferencias al atacar geometrías convexas o cóncavas
pueden apreciarse claramente en la figura 1. En la capa máscara se ha abierto una ventana
circular que contiene en su interior un anillo de pasivación. De esta manera, en el grabado
aparece una superficie circular convexa y otra cóncava. En la figura puede observarse, por
un lado la anisotropía del ataque al aparecer planos cristalinos muy bien definidos, y por otro
que los que aparecen en ambas superficies son completamente diferentes. La superficie
cóncava está limitada por planos {111} y {100}, mientras la convexa está limitada por planos
de ataque rápido: en este caso {311}.
El problema general presentado previamente ha sido afrontado mediante programas de

simulación numérica, pero su éxito se reduce a casos sencillos, pues el tratamiento no es
trivial21-22. Para poder predecir que planos aparecen en esquinas convexas es necesario
conocer la velocidad de ataque a planos con altos índices de Miller lo que introduce nuevos
1 Diferencias de ataque entre superficies convexas y cóncavas. Condiciones de ataque: 70°C,

4
5% p. [KOH], 8.5% v. [2-propanol].
24 Capitulo I
(111)
54.74
<001>
J_
\ /
(001)
/ (111) (111)
Fig. 2 Sección transversal y vista superior de la geometría del grabado anisotrópico en aperturas
rectangulares alineadas en la dirección (110).
problemas experimentales23.
Consideremos detalladamente algunos casos sencillos: la apertura es un cuadrado o

rectángulo, cuyos lados están alineados según las direcciones <110>. Como se puede
comprobar fácilmente, los planos {111} intersectan la superficie de la oblea en estas
direcciones (es por ello que las obleas se parten más fácilmente siguiendo esa dirección).
Dado que los planos {111} no se atacan, a medida que progresa el ataque aparece una
cavidad en forma de pirámide truncada invertida. Los muros laterales son planos {111}
formando un ángulo de 54.74° con el plano de la oblea (figura 2). El fondo está constituido
por un plano (100). Si el ataque es suficientemente profundo y la oblea suficientemente
gruesa, el ataque termina cuando los 4 planos {111} intersectan entre sí. Dada la baja
velocidad de ataque a los planos {111}, especialmente en las disoluciones de KOH, el ataque
apenas progresa a partir de este momento.
Consideremos ahora que ocurriría si los lados de esta apertura rectangular, estuvieran
desalineados respecto a las direcciones < 110 >. En este caso si bien la forma intermedia de
la cavidad es difícil de predecir, no así la forma final que sin duda estará constituida por una
pirámide invertida como en el caso anterior, de tal manera que la base inscriba perfectamente
Fig. 3 Serie de aperturas cuadradas en los cuales el ataque se detiene parado al intersectar cuatro
planos {111}. Las mayores aperturas son cuadrados de 50 /xm de lado.
la apertura original. Este fenómeno ocurrirá para cualquier tipo de apertura, un ejemplo
puede observarse en la figura 3, siempre que su tamaño sea pequeño de manera que no
provoque la perforación de la oblea . Obsérvese que la forma final de la cavidad no depende
de la orientación del cuadrado.
I-J-2.1 El sobreataque a las esquinas convexas ('undercutting'):
Consideremos ahora el caso opuesto, ia máscara protege un cuadrado de tal manera que el
silicio exterior al mismo es atacado. Como en el caso anterior suponemos para mayor
simplicidad que los lados del cuadrado están alineados según direcciones < 110>. En este
°aso las esquinas se sobreatacan deformando la geometría original (figura 4). La geometría
•nginal, un cuadrado se deforma para dar lugar a la aparición de un octógono. Los planos
11} van desapareciendo en favor de planos de ataque rápido, que en este caso han sido
táentificados como pertenecientes a la familia {211}. En general, es difícil fijar que nuevos
Planos aparecen en una esquina convexa. Estos planos dependen de la disolución utilizada
26 Capítulo I
Fig. 4 Grabado de una estructura mesa donde se observa el efecto del sobreataque a las esquinas
convexas.
y también de las condiciones de ataque: temperatura, concentración, adición de otras

sustancias, etc. Además en muchos casos se observa la aparición de muros rugosos, o incluso
de formas curvas, las cuales contienen infinidad de planos.
A nivel práctico es importante conocer el grado de sobreataque presente para unas

concentraciones particulares de grabado. El parámetro más común utilizado para cuantificar
este efecto se define la figura 5.
1-1.2.2 Técnicas de compensación de sobreataque a esquinas convexas
Así pues, mediante el grabado anisótropo húmedo de silicio {100} se pueden obtener
diafragmas rectangulares fácilmente, sin embargo, el sobreataque a esquinas convexas es uno
de los mayores obstáculos para la realización de estructuras como 'mesas' o ranuras en
ángulo recto. Para reducir o evitar el ataque a las esquinas convexas deben añadirse motivos
de compensación a esas esquinas. Éstos deben protegerlas hasta una cierta profundidad de
U = Ô/E
Profundidad
Fig. 5 Definición de la razón de sobreataque.
ataque procurándolas la mínima deformación posible.
Como ya se ha mencionado anteriormente, tanto la magnitud del sobreataque como los planos
que aparecen dependen de la disolución empleada y de las condiciones de ataque. Por esta
razón, el diseño de las estructuras de compensación así como su tamaño debe estar
particularizado para cada caso.
*>g. 6 Tiras (110) para la compensación de esquinas convexas.

28 Capítulo I
Fig. 7 Dimensionada del motivo de compensación de sobreataque basado en triángulos.
Para el dimensionado correcto de las estructuras de compensación es imprescindible conocer

los planos de ataque rápido que aparecen en las esquinas convexas. Lee10 identificó estos
planos como {211} en el ataque anisotrope mediante hidracina. Bean24, en cambio, los
identificó como {331} al realizar el ataque con KOH o EDP. Más tarde Abu-Zeid25 publicó
que los planos eran {212} en disoluciones de etilendiamina sin la adición de pirocatecol.
La controversia sigue todavía en 1989 cuando Wu y Ko26 afirman que los planos de ataque
rápido son {212} para las disoluciones de ataque más populares, a saber, KOH, Hidracina
o Etilendiamina. Hay que señalar no obstante que estos autores no utilizan una disolución
acuosa pura de KOH, sino que le añaden 2-propanol. Ese mismo año, Puers y Sansen27-28
señalan que los planos de ataque rápido que aparecen en el ataque con disoluciones de KOH
son diferentes según se añada o no 2-propanol. En particular, afirman que en presencia de
2-propanol los planos son {212} en acuerdo con Wu y Ko, pero que en ausencia de este
aditivo el ataque es mucho más violento apareciendo diversos planos. No obstante, identifican
la línea de corte de estos planos con la superficie de la oblea como <310>.
Recientemente los planos han sido identificados en soluciones acuosas de KOH como {411}
y por lo tanto intersectando la superficie de la oblea en direcciones <410>. Sin embargo,
estos planos no conforman toda la superficie de la esquina convexa, sino que un importante
Fig. 8 Efecto de la compensación de esquinas mediante triángulos.
sector está formado por una superficie rugosa, formada por infinidad de planos29.
Analizaremos, a continuación, diferentes estructuras de compensación y para mantener la

mayor generalidad posible designaremos como {hkl} los planos que conforman la esquina
convexa , a el ángulo entre la línea de intersección de estos planos con el plano de la oblea
y la dirección < 110> más próxima, y «' al ángulo entre el plano {hkl} y el plano de la
oblea.
Tiras <1W>
Un método simple, y que no requiere demasiado espacio consiste en la adición de una tira
orientada según una dirección < 110> en la esquina convexa a proteger. El dimensionado
de la tira viene dado por:
H V(hkl} B. (1)
L =
sin(a)sin(a') V{100} 2tan(cc)
donde H es la profundidad de ataque, B la anchura de la tira y V{hkl} la velocidad de ataque

1
los planos que aparecen en la esquina. Obsérvese que este método de compensación lleva
1
la presencia de un bisel en la esquina a proteger como se muestra en la figura 6.
30 Capítulo I
/, \* — " ^TvX \
/ / y < \ \
i i i N,
7 7 \ \ \
:/ L _/ /L —J--M
/ / /
/ / /
Fig. 9 Motivos de compensación basados en la adición de un cuadrado.
Triángulos
Este esquema fue propuesto por Wu et al.26, y da lugar a excelentes resultados cuando las
facetas que forman la esquina convexa están formadas por planos tínicos. Consiste en anadu"
un triángulo a la esquina convexa de tal manera que los lados del triángulo definan planos
de ataque rápido. Tiene el inconveniente de que requiere mucho espacio libre para su
aplicación. La dimensión del triángulo debe ser tal que los planos de ataque rápido alcancen
la esquina a la profundidad deseada. Esta condición se traduce a nivel geométrico en que
5l=52 (figura 7). En la figura 8 puede verse el efecto de esta compensación en el plano de
la máscara.
Cuadrados
Requieren menor espacio que los triángulos (figura 9). Su dimensionado es análogo al de las
tiras < 110> y su resultado es más satisfactorio, ya que no dan lugar al bisel que forman
las primeras puesto que todos los planos de ataque rápido alcanzan la esquina
simultáneamente.
Fig. 10 Motivo de compensación mediante tiras en la dirección [010].
Tiras <010>
En disoluciones acuosas de KOH, la obtención de esquinas convexas definidas por la

intersección de planos {111} desde el nivel de la máscara hasta el fondo del ataque es posible
añadiendo tiras orientadas según las direcciones <010>30. Estas tienen la particularidad
de que se sobreatacan por planos verticales {010} (figura 10). No ocurre así, para otras
disoluciones, como las basadas en EDP, donde las mismas tiras se atacan por planos {1 10},
inclinados 45° respecto al plano de la oblea. Ello es debido a que mientras que con
disoluciones de KOH se cumple: V{110} > V{100} > > V{111}, en las basadas en EDP:
V{100}
Dado que V(010)=V(001), estas tiras deben tener una anchura igual al doble de la
profundidad para la cual se desea la compensación. Usando este esquema de compensación
n
ay que asegurarse de que los planos {010} alcanzan la esquina antes que los planos de
ataque rápido {hkl}, imponiendo una longitud mínima a la tira <010>.
Combinación de tiras <010> y <110>
e
Propone este esquema de compensación cuando es imposible que la tira <010> tenga
32 Capítulo I
Fig. 11 Método de compensación basado en la combinación de tiras [110] y (010].
la longitud suficiente para asegurar que los planos {hkl} no alcancen la esquina antes que los
{010} verticales31. Este tipo de problemática aparece por ejemplo en la fabricación de
ranuras estrechas en ángulo recto.
Como se puede observar en la figura 11, el elemento principal es una tira <010>, cuyos
lados están protegidos por tiras < 110>. Estas tiras se atacan por planos {hkl} hasta alcanzar
la tira <010> donde se forman planos {010} verticales. La longitud de las tiras viene fijada
por la profundidad que deben proteger, que será la total menos la correspondiente a la tira
L=
— B<010> sin(a)sin(a') 2tan(a)
(2)
Obsérvese en el esquema que el extremo de la tira <010> está conectada al marco de la

estructura evitando la presencia de esquinas convexas.
Combinación de tiras <110> para el control del frente de ataque
En la fabricación de ranuras en ángulo recto no se pueden utilizar únicamente tiras < 110>
debido a la inexistencia de espacio suficiente. En este caso se ha sugerido la utilización de

tiras ramificadas simétricamente para aprovechar mejor el espacio disponible en la
máscara32.
Como se ha mencionado en el apartado dedicado a las tiras <110>, estas presentan el

inconveniente de provocar la existencia de un bisel en la esquina a compensar. Para evitar
este problema se ha propuesto el diseño de ramificaciones no simétricas para un control de
la evolución del frente de ataque33. El estudio analiza el comportamiento de estas estructuras
para una disolución de KOH al 40% en peso y a 85 °C de temperatura.
Aunque estas estructuras logran efectivamente un control sobre la forma del frente de ataque
y en consecuencia sobre el tamaño del bisel (figura 12), ello se logra sólo al nivel de máscara
y no en la superficie del fondo del ataque. Este fenómeno está relacionado con el hecho de
que para estas condiciones de ataque sólo en una pequeña zona debajo de la máscara el
ataque está controlado por planos únicos. El resto de la superficie de la esquina convexa está
formada por una superficie rugosa conteniendo infinidad de planos. En consecuencia, la
evolución del frente de ataque en el fondo es difícilmente previsible, por lo que se debe
recurrir a métodos empíricos para su conocimiento. Especial cuidado debe tenerse en que por
efecto de la sucesiva subdivisión en ramas de la estructura de compensación en una zona
pequeña, no queden protuberancias en el fondo de la superficie atacada al alcanzar la
profundidad de compensación.
1.1.3 Influencia de las condiciones de ataque: temperatura y

composición de la disolución
La disolución del silicio en soluciones alcalinas es un proceso activado térmicamente. La

figura 1334 presenta la variación de la velocidad de ataque con la temperatura para diversas
soluciones de KOH y de EDP. Para las disoluciones de KOH las energías de activación
oscilan entre 0.57 eV y 0.62 eV para los planos {100} y {110}. En cambio, para la solución
de EDP los valores medidos son 0.40 eV para los primeros y 0.33 eV para los segundos.
La velocidad de grabado de los planos {100} en función de la concentración de KOH

presenta un máximo alrededor del 20% en peso (figura 13). La dependencia con la
concentración puede ajustarse en todo el rango de concentraciones a una expresión del tipo:
R = R-[H,0] 4 -[KOH] 1/4 (3)
expresión refleja los mecanismos de reacción que se describen en el apartado 1.6 .

en
»ejantes dependencias se han hallado para otras disoluciones, siendo las diferencias
34 Capítulo I
Flg. 12 Modificación del frente de ataque con una tira quebrada. La máscara permanece todavía
intacta mostrando el diseño original.
debidas a la diferente disociación iónica de las bases utilizadas.
Al añadir 2-propanol a la disolución se observa una disminución de la velocidad de ataque

tanto para los planos {100} como para los {110}, siendo mucho más intensa para estos
últimos. Debido a ello la secuencia de velocidades de grabado {110}: {100} se invierte. Este
efecto del 2-propanol se atribuye a una modificación de la concentración de agua sin alterar
el valor del pH.
1.1.4 Capas de pasivación
Diversos materiales pueden utilizarse como máscara durante el grabado anisótropo. No

obstante, el mayor interés tecnológico recae en las capas de óxido de silicio (SiQj) y de
nitruro de silicio (Si3N4). La velocidad de ataque al nitruro de silicio LPCVD es despreciable,
al menos para los tiempos típicos necesarios para grabar la totalidad del grosor de una oblea.
En contraste, el óxido de silicio se disuelve a una velocidad no despreciable para las distintas
soluciones descritas. Se ha hallado que el óxido de silicio térmico se ataca a una velocidad
inferior que el depositado mediante deposición química en fase vapor (CVD). Así mismo,
el óxido de silicio se graba casi tres ordenes de magnitud más lentamente en soluciones de
— TEMPERATURE
IM 110 XW 90 «O 70 60 SO U) «C 30
b MOLARITY
pm/h
,\
S
«
<W> titean
20% KOH Eo«OS7«V
'
N\\ c*-«HP,*
« 1 2V. KOH Ea'O.S9«V (jra/h \
\. > • S7V.KOH Eg« 0.61 tV y
^~/°^.
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in«
IS 16 2.7 2.« 25 10 i«
\ 13
n
O 10 20 30 CO weight V. 60
1/T KOH CONCENTRATION
Fig. 13 Evolución de la velocidad de grabado a los planos {100} en función de: a) la temperatura para
distintas composiciones de la disolución, b) la concentración de KOH (Ref 33).
EDP que en KOH (figura 14). Bajas velocidades de ataque se han hallado para otras bases
orgánicas como la hidracina o el TMAH. Sin embargo, las energías de activación son
similares para las distintas disoluciones y se sitúan entre 0.8 y 0.9 eV.
1.1.5 Rugosidad
Para obtener las mejores prestaciones en los dispositivos electromecánicos finalmente

fabricados haciendo uso del grabado anisótropo, las superficies deben presentar unas
rugosidades mucho menores que las dimensiones de los componentes estructurales. Por
üemplo, en la fabricación de sensores de presión de alta sensibilidad el diafragma tiene un
osor en torno a 5-10 ¿im, por lo tanto un buen control dimensional exige rugosidades del
orden o inferiores a 0.1
embargo, los resultados publicados en la literatura son poco abundantes y muchas veces
'todictorios entre sí. Ello se debe básicamente a la gran cantidad de factores que influyen
' valor finalmente observado: a) concentración de la disolución, b) temperatura, c)
m
po de ataque, d) solución de ataque empleada, e) aditivos y/o contaminantes presentes
a
disolución, f) nivel y tipo de agitación: magnética, ultrasonidos, barboteo, etc., g)
tientos superficiales (por ej. plasma), limpiezas, h) densidad de defectos en el material
0a
los procesos tecnológicos previos, etc.

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En Dr.

Josep SAMITIER i MARTI, Professor Titular de la Facultat de Física de la

CERTIFICA que la memòria "OPTEMIZACIÓN DE SENSORES DE PRESIÓN

PIEZORRESISTIVOS DE SILCIO PARA INSTRUMENTACIÓN BIOMÉDICA Y

APLICACIONES A ALTA TEMPERATURA" que presenta en Santiago Marco Colas per

Barcelona, 14 de Jutty de 1993

Dr. Josep SAMITIER i MARTI

No menos importante en el día a día ha sido la constante ayuda y disponibilidad de mi compañero

Debo también expresar mi agradecimiento al personal de los Servicios Científico-Técnicos de la UB,

Introducción: sensores basados en silicio 1

Capítulo I: Micromecanizado húmedo de silicio:

Capítulo UI: Estudio del silicio policristalino:

III. 1. Introducción 125

Capítulo IV: Simulación mecánica de microestructuras:

IV. 1. Introducción 181

Capítulo V: Fabricación y caracterización de sensores de presión

V.l. Aplicaciones biomédicas: medida invasiva de la presión cardiovascular 209

Apéndice I: Propiedades mecánicas del silicio 251

AI.l. Introducción 253

Apéndice II: El efecto piezorresistivo en el silicio 267

AII.l. Introducción 269

Apéndice III: El método ANOVA 281

Apéndice IV: Cálculo isótropo del comportamiento mecánico de un diafragma 287

Apéndice V: Compensación en temperatura de la respuesta del sensor 297

Sensores basados en silicio

El desarrollo de la microelectrónica desde principios de los años 50, ha dado lugar a un

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Sin embargo, la tendencia actual en la literatura es sustituir el término transductor de entrada

2. Sensores mecánicos en tecnología de silicio

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Ingeniería de Procesos 5.0- 109$

U.S.A. 5.2- 109$

Tabla 3: Por tipos de dispositivos

Temperatura 1.0 • 109 $