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    Practica n6

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    Jaíra Morales
    El documento presenta los resultados de un laboratorio sobre las regiones de operación de un transistor BJT en configuración de emisor común. Se describe el circuito utilizado, los métodos y materiales. Las tablas muestran los valores medidos y simulados de voltajes y corrientes al variar la tensión de base, identificando las regiones de corte, saturación y región activa. Finalmente, se concluye que se logró determinar experimentalmente las diferentes regiones de operación del transistor.

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    El documento presenta los resultados de un laboratorio sobre las regiones de operación de un transistor BJT en configuración de emisor común. Se describe el circuito utilizado, los métodos y materiales. Las tablas muestran los valores medidos y simulados de voltajes y corrientes al variar la tensión de base, identificando las regiones de corte, saturación y región activa. Finalmente, se concluye que se logró determinar experimentalmente las diferentes regiones de operación del transistor.

    Descripción original:

    Electrónica

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    de 7

    UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

    FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

    LABORATORIO #6
    REGIONES DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BJT- EMISOR COMÚN

    MATERIA:
    FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

    PROFESOR:
    DAVID CÓRDOBA

    INTEGRANTES:

    AYARZA, MARELIN 8-933-2088

    DIEPPA, NOELIA 8-947-1448

    MORALES, JAIRA 8-902-184|

    I SEMESTRE GRUPO IGG131

    PANAMÁ 10 DE JUNIO DEL 2019


    INTRODUCCIÓN

    Un transistor BJT es un dispositivo electrónico capas de entregar una señal eléctrica


    de salida proporcional a una señal de entrada.
    Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres capas de
    semiconductor. Las capas de semiconductor se dopan de acuerdo a la estructura de
    este. El transistor de unión bipolar o transistor BJT, puede configurarse como NPN o
    PNP de acuerdo al orden de sus capas.
    Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de colector. El
    termino bipolar hace referencia a que los huecos y los electrones participan en el
    proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado. Se puede modelar
    como la unión de 2 diodos.
    En este laboratorio identificaremos los modos de operación de los transistores BJT en
    configuración de emisor común además de verificar que los datos obtenidos en las
    prácticas tengan similitud con los calculados y simulados

    METODOS Y MATERIALES

     MATERIALES

     Multímetro
     Transistor NPN 2N2222 o similar
     Potenciómetro
     Resistencia e 1kΩ, 220kΩ todas 1/2W
     Placa de pruebas
     Fuente de voltaje variable
     METODOS
    Con una hoja de datos (Datasheet) del transistor BJT utilizado en la práctica para que
    identifique las tres terminales y la beta se arma el circuito de la Figura 1. El cual
    consta de una fuente de 10 V en paralelo con un potenciómetro

    Conectado al potenciómetro una resistencia de 220kΩ y a esta el transistor NPN


    2N2222 hacia arriba conectamos otra resistencia, pero esta vez de 1kΩ y en paralelo a
    dicha resistencia se coloca un voltímetro igual para el transistor colocamos un
    voltímetro en paralelo, por último, se varía el voltaje de polarización de la base del
    transistor en el potenciómetro VR1 variando el voltaje del punto A partiendo desde 0V
    hasta 10 V y se procederá a colocar los valores obtenidos en la Tabla 1.
    Luego se medirá el voltaje VCE y VBE se calculará la corriente del colector y la base que
    también se registraran en la Tabla 1.

    Con estos resultados obtenidos se podrá determinar si el transistor está trabajando en


    corte, en saturación o región activa. Para la región activa del transistor, considerando
    el valor VBB, se determina la línea de carga y el punto de operación Q según los
    resultados obtenidos en la Tabla 1 y se Gráfica.

    Finalmente, para el punto de operación Q escogido se calcula 𝜷 y se compara con el


    que indica el Datasheet.

    RESULTADOS Y DISCUSIÓN

     RESULTADOS (TRANSISTOR EN CORTE, SATURACION Y REGION ACTIVA)

    La Fig.1 muestra el diseño de un circuito de transistor en configuración de


    emisor común el cuál consta de un potenciómetro que varía el voltaje de 0 a
    10V y los valores obtenidos se pueden observar en la Tab.1.

    Figura 1. Transistor en configuración Emisor Común.

    La Fig. 2 muestra el circuito de la Fig,1 armado en un protoboard para poder


    obtener los valores medidos.
    Figura 2. Transistor en configuración Emisor Común en protoboard.

    Tabla 1. Voltajes y corrientes obtenidos al variar el voltaje de polarización. (obtenidos


    de las mediciones en clase)

    Voltaje de VCE (V) VBE (V) IB (mA) IC (mA) Modo de


    polarización operación
    (V)
    0 0 0 0 0 Corte
    1 0.88 0.53 0.00213 0.213 Región Activa
    2 1.40 0.57 0.00650 0.650 Región Activa
    3 1.96 0.59 0.00109 1.095 Region Activa
    4 2.45 0.60 0.00154 1.545 Región Activa
    5 2.94 0.61 0.00199 1.995 Región Activa
    6 3.43 0.61 0.00245 2.450 Región Activa
    7 3.88 0.61 0.00290 2.904 Región Activa
    8 4.35 0-62 0.00335 3.354 Región Activa
    9 4.79 0.62 0.00380 3.809 Región Activa
    10 5.24 0.62 0.00424 4.243 Región Activa

    Para calcular IB utilizaremos la Ecuación 1


    𝑉𝑐𝑐 = 10𝑉
    𝑉𝐵𝐵 = 1𝑉
    ℎ𝑓𝑒 = 100
    Figura 3. Puntos de operación del bjt en emisor común
    Tabla 2 Simulación en Miltisim VCC=10V

    Voltaje de VCE (V) VBE (V) IB (mA) IC (mA) Modo de


    polarización operación
    (VBB)
    0 0 0 0 0 Corte
    1 4.60 0.53 0.00213 0.213 Región Activa
    2 4.80 0.57 0.00650 0.650 Región Activa
    3 5.38 0.59 0.00109 1.095 Region Activa
    4 5.95 0.60 0.00154 1.545 Región Activa
    5 6.53 0.61 0.0199 1.995 Región Activa
    6 5.14 0.61 0.0245 2.450 Región Activa
    7 8.16 0.61 0.0290 2.904 Región Activa
    8 8.92 0-62 0.0335 3.354 Región Activa
    9 9.75 0.62 0.0380 3.809 Región Activa
    10 10 0.62 0.0424 4.243 Región Activa

    PARA LA REGIÓN DE CORRIENTE DE SATURACIÓN, CONSIDERAMOS EL VOLTAJE DE


    COLECTOR-EMISOR DE LA MALLA DE SALIDA IGUAL A CERO
    𝑉𝑐𝑐 10𝑣
    𝐼𝐶 = = = 10𝑚𝐴
    𝑅𝐶 1𝐾Ω
    Para calcular 𝐼𝐵 utilizamos la Ec.1
    𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
    𝐼𝐵 = Ecuación 1
    𝑅𝐵
    Y para IC la Ecuación 2
    𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝜷 Ecuación 2
    Donde 𝜷 tiene un valor de 100 según la Datasheet
     DISCUSIÓN (TRANSISTOR EN CORTE, SATURACION Y REGION ACTIVA)

    1. Se pudo determinar la operación en la región de corte. Explique su respuesta


    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    2. Se pudo determinar la operación en la región de saturación
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    3. Que determina que el transistor está en región activa.
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________
    ___________________________________________________________________________________________

    CONCLUSIÓN

    En este laboratorio se logró armar un circuito de manera eficaz y sencilla para


    así lograr observar el comportamiento de los voltajes del transistor
    Se pudieron determinar las regiones de corte, saturación y región activa o
    puntos de trabajo para el circuito propuesto.

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